JPH03173123A - 薄膜製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、プラズマＣＶＤなどによる成膜を行うための
薄膜製造装置に関するものである。

［従来の技術］ この種の薄膜製造装置は、複数の処理工程を同時に完了
できるためにインライン式に設けられるのが通例である
。同方式は、成膜を行うための反応室の手前にシーズヒ
ータを付帯したロードロック室を有しており、基板をＣ
ＶＤ反応に必要な所定温度にまで加熱した後、反応室に
送り出し、成膜工程を開始できるようにしている。また
、反応室で成膜を終えた基板は、装置から取り出され、
ウェット洗浄を施された後に製品として完成されるよう
になっている。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、膜質の向上を図るためには、形成された薄膜の
表面を装置外そ洗浄することは勿論重要ではあるが、成
膜直前に洗浄できれば尚−層クリーンな条件を整えるこ
とになり有効となる。このために、ロードロッ、り室と
反応室との間に洗浄工程用のチェンバ１室を追加するこ
とが考えられる。

この際、近時ウェット洗浄の代わりにドライ洗浄を採用
する例が増えているように、そのチェンバに有機物等の
洗浄力に優れた低圧水銀ランプ等を組み込んでおけば一
層よい。

しかし、単にこのような改良では、装置全体がいきおい
コスト高となり、タクトタイムやスルーブツトの低下に
も繋がって実用的でない。

そこで、本発明は更に進んで、加熱と洗浄を単一のチェ
ンバで同時に行うことを指標し、そのような処理室を備
えた薄膜製造装置を開発することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、かかる目的を達成するために、次のような手
段を講じたものである。

すなわち、本発明に係る薄膜製造装置は、加熱用光源と
洗浄用光源とを同一チェンバ内に離間させて対設し、両
光源間に、成膜面を洗浄用光源に向け反成膜面を加熱用
光源に向けて基板を配設可能とするとともに、基板が配
設された状態で加熱用光源からの光が洗浄用光源に直接
入射することがないように設けていることを特徴とする
。

［作用］ このようなチェンバであると、基板成膜面には洗浄用光
源からの光が入射してダストなどが効果的に除去され、
反成膜面には加熱用光源からの光が入射して効果的に輻
射加熱が行われるので、加熱と洗浄を１室で行い得るも
のとなる。

ところで、洗浄用光源は本来の発光波長によってこそ所
期の作用効果を伴うことができるものであるが、その発
光メカニズムは一般に温度依存性が極めて高く、加熱用
光源からの光が入射すると内部温度・圧力が上昇する結
果、発光波長にずれを生じ、特有の作用が減殺される恐
れがある。これに対し、本発明の如（設けると、両光源
を同時に点弧しても洗浄用光源が加熱用光源による直接
的な輻射加熱から保護されるので、不当に温度上昇を来
たすことがなく適正な機能が確保されるものとなる。

［実施例］ 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。

この実施例の薄膜製造装置は、第１図及び第２図に示さ
れるチェンバ１を反応室の直前に隣設配置することによ
りインラインを形成する。すなわち、同チェンバ１内に
は上方に加熱用光源である赤外線ランプヒータ２が、ま
た下方に洗浄用光源である低圧水銀ランプ３が互いに一
定空隙をおいて対向配置されている。そして、成膜面を
下に向けた基板４を基板ホルダ５に取付固定しくこの取
り付は方は塵や埃から成膜面を守るためのもので一般に
Ｄｅｐ−Ｕｐ方式と称されている）、適当な搬送機構に
よって基板４をチェンバ１内に搬入した後、両光源２．
３間の図示の位置に配設することができるようにしてい
る。

赤外線ランプヒータ２は、第２図及び第３図に示すよう
に、チェンバ１の頂板１１に反射板２１を懸吊し、この
反射板２１内に複数本の赤外線ランプ２２を絶縁下に配
列保持させたもので、これらの赤外線ランプ２２に端子
２３、導電板２４等を介して図外から放電に必要な電力
を導入することができるようになっている。２５は熱電
対で、赤外線ランプ２２の発光強度をコントロールする
ために設けられている。

また、低圧水銀ランプ３は、第２図、第４図並びに第５
図に示すように、チェンバ１の底板１２に基台３１ａを
介し反射板３１を取付固定し、この反射板３１内に２本
のＵ字形をなす低圧水銀灯３２を配列保持させたもので
、これらの水銀灯３２に端子３３．３４等を介して図外
から放電に必要な電力を導入することができるようにな
っている。この水銀灯３２は、例えば１８５ｎｍの深紫
外光（Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ光）を発光して有機物
の除去などに優れた効用を発揮し得るものである。また
、この水銀灯３２は特に管壁内部の温度管理が非常に重
要であり、ここが不当に昇温・昇圧すると波長ずれを起
こす原因となる。このため、第２図に示すように両光源
２．３間に基板４が配設された状態で赤外線ランプヒー
タ２からの光が基板４、基板ホルダ５、補助ホルダ５ａ
等に遮られて水銀灯３２に直接入射することがないよう
に設けるとともに、第５図に示すように真ちゅう部材３
５にウォータジャケット３６を設けて矢印の如く冷媒を
流す一方、この真ちゅう部材３５にアルミ板３７を介し
水銀灯３２の基端を密着させることにより冷却を行い得
るようにしている。３８は水銀灯３２の基端を保護する
ために設けられた熱遮蔽板である。この水銀灯３２は図
外においてＯＮ−０ＦＦ制御される。

しかして、このように水銀灯３２を赤外線ランプ２２か
ら光学的及び熱的に遮蔽する構造をとると、両光源２．
３を同時に点弧しても水銀灯３２が不当に温度上昇を来
たすことを有効に防止でき、その結果、温度ダメージを
極力回避することが可能になる（加熱効率の良い赤外線
ランプヒータ２を採用していることも温度ダメージを低
減することに奏効している）。このため、図示チェンバ
１を反応室の手前に配置すると、基板４に対する加熱と
洗浄とを適正に行い得るものとなり、コストやタクトタ
イム、スループット等の妨げとならず膜質向上を果たす
ことが可能になる。

以」二、本発明の一実施例について説明したが、基板を
Ｄｅｐ−ｄｏｗｎ方式によって搬送する場合には赤外線
ランプヒータと低圧水銀ランプとを逆配置すればよい。

また、加熱用光源や洗浄用光源として他のものを用いる
など、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形実施す
ることが可能である。

［発明の効果コ 本発明の薄膜製−造装置は、加熱と洗浄を同一チェンバ
内で同時かつ有効に行うことができるため、このチェン
バを反応室の直前に配置することでコストやタクトタイ
ム、スループット等に大きな妨げとならずにずに膜質向
上を果たすことが可能になる。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の一実施例を示し、第１図は該当するチェ
ンバを模式的に示す斜視図、第２図は一部省略した正断
面図、第３図は第２図中■−■線に沿う階段図、第４図
は第３図中ＩＶ−ＴＶ線に沿う図、第５図は第４図にお
けるＶ矢視図である。 １・・・チェンバ ２・・・加熱用光源（赤外線ランプヒータ）３・・・洗
浄用光源（低圧水銀ランプ）４・・・基板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 加熱用光源と洗浄用光源とを同一チェンバ内に離間させ
   て対設し、両光源間に、成膜面を洗浄用光源に向け反成
   膜面を加熱用光源に向けて基板を配設可能とするととも
   に、基板が配設された状態で加熱用光源からの光が洗浄
   用光源に直接入射することがないように設けていること
   を特徴とする薄膜製造装置。