JPH03171687A - レーザダイオード駆動装置 - Google Patents
レーザダイオード駆動装置Info
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- JPH03171687A JPH03171687A JP1309629A JP30962989A JPH03171687A JP H03171687 A JPH03171687 A JP H03171687A JP 1309629 A JP1309629 A JP 1309629A JP 30962989 A JP30962989 A JP 30962989A JP H03171687 A JPH03171687 A JP H03171687A
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- Japan
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- laser diode
- damping resistor
- fet
- capacitance
- voltage
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- Pending
Links
- 238000013016 damping Methods 0.000 abstract description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光通信装置に使用する光送信器用レーザダイオ
ード駆動装置に関する。
ード駆動装置に関する。
従来の技術
近年、レーザを用いた光通信は有線通信の中核的存在と
して急速に実用化が進んでいる。以下、この種の光通信
装置に使用するレーザダイオード駆動装置について図面
を用いて説明する。
して急速に実用化が進んでいる。以下、この種の光通信
装置に使用するレーザダイオード駆動装置について図面
を用いて説明する。
第５図は従来のレーザダイオード駆動装置の回路図であ
る。第５図において、１はレーザダイオードで、ダンピ
ング抵抗５を介してＦＥＴ （電界効果トランジスタ）
１１のドレインに接続されている。ＦＥＴ１１、１２、
１３は差動増幅器を構戊し、反転出力側の負荷抵抗４は
レーザダイオード１と平衡をとるためのものである。イ
ンダクタンス２１と電流源２２はレーザダイオード１に
バイアス電流を供給するためのものである。
る。第５図において、１はレーザダイオードで、ダンピ
ング抵抗５を介してＦＥＴ （電界効果トランジスタ）
１１のドレインに接続されている。ＦＥＴ１１、１２、
１３は差動増幅器を構戊し、反転出力側の負荷抵抗４は
レーザダイオード１と平衡をとるためのものである。イ
ンダクタンス２１と電流源２２はレーザダイオード１に
バイアス電流を供給するためのものである。
次に、上記従来のレーザダイオード駆動装置の動作につ
いて説明する。第５図において、抵抗５を短絡して、レ
ーザダイオード１とＦＥＴ１１のドレインを直極接続す
ると、レーザダイオード１とＦＥＴＩＩの間に存在する
浮遊容量と寄生インダクタンスよって、レーザダイオー
ドの駆動電流に共振が発生する。一例として、第２図に
示す２．４Ｇｂ／ｓのＮＲＺ波形のパルス例“１００ｏ
ｏｏｏｏ”電圧信号を、第５図の差動増幅器の入力端子
３１゛に加えた場合のレーザダイオード駆動電流波形を
シミュレーションで示す。ただし、第２図において、横
軸は時間、縦軸は電圧を表す。第６図は浮遊容量が０．
５ｐＦ，寄生インダクタンスが３ｎＨと仮定したときの
、ダンピング抵抗５が無い場合レーザダイオード１に流
れる電流波形のシミコレーション結果である。第７図は
上記と同じ浮遊容量と寄生インダクタンスのときに、ダ
ンピング抵抗５として１００Ωを挿入した場合のレーザ
ダイオード１に流れる電流波形のシュレーション結果で
ある。第６図、第７図において、横軸は時間、縦軸はレ
ーザダイオードに流れる電流を表す。第６図において大
きな共振が発生しているが、第７図では共振が抑制され
ていることがわかる。このように、上記従来のレーザダ
イオード駆動装置でも共振を抑制することができる。
いて説明する。第５図において、抵抗５を短絡して、レ
ーザダイオード１とＦＥＴ１１のドレインを直極接続す
ると、レーザダイオード１とＦＥＴＩＩの間に存在する
浮遊容量と寄生インダクタンスよって、レーザダイオー
ドの駆動電流に共振が発生する。一例として、第２図に
示す２．４Ｇｂ／ｓのＮＲＺ波形のパルス例“１００ｏ
ｏｏｏｏ”電圧信号を、第５図の差動増幅器の入力端子
３１゛に加えた場合のレーザダイオード駆動電流波形を
シミュレーションで示す。ただし、第２図において、横
軸は時間、縦軸は電圧を表す。第６図は浮遊容量が０．
５ｐＦ，寄生インダクタンスが３ｎＨと仮定したときの
、ダンピング抵抗５が無い場合レーザダイオード１に流
れる電流波形のシミコレーション結果である。第７図は
上記と同じ浮遊容量と寄生インダクタンスのときに、ダ
ンピング抵抗５として１００Ωを挿入した場合のレーザ
ダイオード１に流れる電流波形のシュレーション結果で
ある。第６図、第７図において、横軸は時間、縦軸はレ
ーザダイオードに流れる電流を表す。第６図において大
きな共振が発生しているが、第７図では共振が抑制され
ていることがわかる。このように、上記従来のレーザダ
イオード駆動装置でも共振を抑制することができる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来のレーザダイオード駆動装置で
は、ダンピング抵抗５における電圧降下Ｖｏ（＋Ｍｐが
発生する。レーザダイオードの順電圧をＶＦＳＦＥＴＩ
Ｉが飽和するために必要な電圧をＶｏｓとすると、電源
電圧Ｖｓｓはこれらの和よりも大きい値にする必要があ
る。したがって、ＶＳＳ≧Ｖ Ｉ＋Ｖ ＤＬＩＭＰ ＋
２ Ｖ ｌ．ｓという条件を満たす必要があり、電圧
降下Ｖ ＤＵＭＰのために大きな電源電圧を供給する必
要があった。第７図の場合、ＶＤＵＭＰ＝ ３ Ｖであ
り、Ｖｐ＝１．２Ｖ，Ｖｏ＝−０．９Ｖとすると、−５
．２Ｖの単一電源では電圧配分が不足するという問題が
あった。
は、ダンピング抵抗５における電圧降下Ｖｏ（＋Ｍｐが
発生する。レーザダイオードの順電圧をＶＦＳＦＥＴＩ
Ｉが飽和するために必要な電圧をＶｏｓとすると、電源
電圧Ｖｓｓはこれらの和よりも大きい値にする必要があ
る。したがって、ＶＳＳ≧Ｖ Ｉ＋Ｖ ＤＬＩＭＰ ＋
２ Ｖ ｌ．ｓという条件を満たす必要があり、電圧
降下Ｖ ＤＵＭＰのために大きな電源電圧を供給する必
要があった。第７図の場合、ＶＤＵＭＰ＝ ３ Ｖであ
り、Ｖｐ＝１．２Ｖ，Ｖｏ＝−０．９Ｖとすると、−５
．２Ｖの単一電源では電圧配分が不足するという問題が
あった。
本発明はこのような従来の問題を解決するものであり、
低電圧で動作させることができる優れたレーザダイオー
ド駆動装置を提供することを目的とするものである。
低電圧で動作させることができる優れたレーザダイオー
ド駆動装置を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、ダンピング抵抗と
キャバシタンスから或る直列回路を１７一ザグイオード
と並列に接続して共振を抑制するようにしたものである
。
キャバシタンスから或る直列回路を１７一ザグイオード
と並列に接続して共振を抑制するようにしたものである
。
作用
本発明はこのように構戊されているので、グンビング抵
杭による電圧降下が電源電圧を高める要因にならず、低
い電圧で動作する低消費電力のレーザダイオード駆動装
置を実現することができるという作用がある。
杭による電圧降下が電源電圧を高める要因にならず、低
い電圧で動作する低消費電力のレーザダイオード駆動装
置を実現することができるという作用がある。
実施例
以下本発明の実施例を図面によって説明する。
第１図は本発明のレーザダイオード駆動装置の一実施例
の回路図である。第１図において、１はレーザダイオー
ドで、アノード側がアースに、カノード側がＦＥＴ１１
のドレインに接続されている。２はダンピング抵抗で、
一端がアースに接続され、他端がキャパシタンス３と直
列に接続され、したがってキャバシタンス３は、ダンピ
ング抵抗２に直流電流が流れるのを阻止する。キャバシ
タンス３の他端はレーザダイオード１のカソードととも
にＦＥＴＩＩに接続されている。
の回路図である。第１図において、１はレーザダイオー
ドで、アノード側がアースに、カノード側がＦＥＴ１１
のドレインに接続されている。２はダンピング抵抗で、
一端がアースに接続され、他端がキャパシタンス３と直
列に接続され、したがってキャバシタンス３は、ダンピ
ング抵抗２に直流電流が流れるのを阻止する。キャバシ
タンス３の他端はレーザダイオード１のカソードととも
にＦＥＴＩＩに接続されている。
１？Ｅ Ｔ １ １、１２、１３は差動増幅器を構或す
るように、ＦＥＴＩＩとＦＥＴ１２のそれぞれのソース
とＦＥＴ１３のドレインが接続され、ＦＥＴ１３のソー
スには負の電源電圧■Ｉ．が供給される。
るように、ＦＥＴＩＩとＦＥＴ１２のそれぞれのソース
とＦＥＴ１３のドレインが接続され、ＦＥＴ１３のソー
スには負の電源電圧■Ｉ．が供給される。
４はこの差動増幅器の反転出力側の負荷抵抗で、レーザ
ダイオード１と平衡をとるためにア−スとＦＥＴ１２の
ドレインとの間に接続されている。
ダイオード１と平衡をとるためにア−スとＦＥＴ１２の
ドレインとの間に接続されている。
インダクタ〉′ス２１と電流源２２はレーザダイオード
１にバイアス電流を供給するために直列に接続され、イ
ンダクタンス２１の一端はＦＥＴＩ１のドレインに接続
され、電流源２２の一端は電源電圧Ｖ．，に接続されて
いる。３１はＦＥＴＩＩのゲー１・に接続された差動増
幅器の入力端子、３２はＩ” Ｅ Ｔ １ ２のゲニト
に接続された差動増幅器の反転入力端子、３３はＦ Ｅ
Ｔ ］． ３のゲートに接続されたパルス電流制御電
圧端子である。
１にバイアス電流を供給するために直列に接続され、イ
ンダクタンス２１の一端はＦＥＴＩ１のドレインに接続
され、電流源２２の一端は電源電圧Ｖ．，に接続されて
いる。３１はＦＥＴＩＩのゲー１・に接続された差動増
幅器の入力端子、３２はＩ” Ｅ Ｔ １ ２のゲニト
に接続された差動増幅器の反転入力端子、３３はＦ Ｅ
Ｔ ］． ３のゲートに接続されたパルス電流制御電
圧端子である。
次に、上記実施例の動作について説明する。第１図にお
いて、Ｉ” Ｅ Ｔ １ １の負荷を等価回路で表すと
、第３図のよ・）になる。第３図において、キャバシタ
ンス４１はＦＥＴＩＩのゲートードレイン間の容量、イ
ンダクタンス４２はＦＥＴＩＩのボンディングワイヤの
インダクタンス、抵抗４３はレーザダイオード１の微分
抵抗、キャパシタンス４４はレーザダイオード１の接合
容量である。ここで、抵抗４３は数Ωであるためキャパ
シタンス４１とインダクタンス４２による並列共振が発
生する。そこで、レーザダイオード１と並列にダンピン
グ抵抗２を挿入することにより、第３図の端子４５と端
子４６の間に抵抗が接続されることになり、共振を抑制
することができる。
いて、Ｉ” Ｅ Ｔ １ １の負荷を等価回路で表すと
、第３図のよ・）になる。第３図において、キャバシタ
ンス４１はＦＥＴＩＩのゲートードレイン間の容量、イ
ンダクタンス４２はＦＥＴＩＩのボンディングワイヤの
インダクタンス、抵抗４３はレーザダイオード１の微分
抵抗、キャパシタンス４４はレーザダイオード１の接合
容量である。ここで、抵抗４３は数Ωであるためキャパ
シタンス４１とインダクタンス４２による並列共振が発
生する。そこで、レーザダイオード１と並列にダンピン
グ抵抗２を挿入することにより、第３図の端子４５と端
子４６の間に抵抗が接続されることになり、共振を抑制
することができる。
第４図はダンピング抵抗２が５０Ω、キャパシタンス３
が１００ｐＦのとき、第２図のパルス列電圧信号を第１
図の入力端子３１に加えてシミュレーションした場合の
レーザダイオード駆動電流波形であり、レーザダイオー
ド１と並列にダンピング抵抗２を接続することによって
ダンピング抵抗２による無駄な電圧降下を発生させるこ
となく共振を抑制することができ、レーザダイオード駆
動装置を低電圧で動作させることができるという効果が
ある。
が１００ｐＦのとき、第２図のパルス列電圧信号を第１
図の入力端子３１に加えてシミュレーションした場合の
レーザダイオード駆動電流波形であり、レーザダイオー
ド１と並列にダンピング抵抗２を接続することによって
ダンピング抵抗２による無駄な電圧降下を発生させるこ
となく共振を抑制することができ、レーザダイオード駆
動装置を低電圧で動作させることができるという効果が
ある。
発明の効果
本発明によれば、上記実施例から明らかなように、ダン
ピング抵抗をレーザダイオードと直列に接続しないので
、ダンピング抵抗による電圧降下を避けることができ、
低電圧で動作させることができるという利点がある。
ピング抵抗をレーザダイオードと直列に接続しないので
、ダンピング抵抗による電圧降下を避けることができ、
低電圧で動作させることができるという利点がある。
第１図は本発明の一実施例におけるレーザダイオード駆
動装置の回路図、第２図はシミュレーションに用いたパ
ルス列電圧波形図、第３図は同装置のＦＥＴとレーザダ
イオードの等価回路図、第４図は同装置のシミュレーシ
ョン番とよるレーザダイオード駆動電流波形図、第５図
は従来のレーザダイオード駆動装置の回路図、第６図、
第７図は従来の同装置のシミュレー夕によるレーザダイ
オード駆動電流波形図である。 １・・・レーザダイオード、２・・・ダンピング抵抗、
３・・・キャパシタンス、４．５・・・抵抗、１１．１
２，１３・・・ＦＥＴ，２１・・・インダクタンス、２
２・・・電流源、３１・・・入力端子、３２・・・反転
入力端子、３３・・・パルス電流制御電圧端子、４１・
・・ゲートードレイン間容量、４２・・・ボンディング
ワイヤインダクタンス、４３・・・レーザダイオードの
微分抵抗、４４・・・レーザダイオードの接合容量、４
５，４６・・・端子。 第 １ 図 ＳＳ 第 ２ 区 ＴＣｒ１ｓｅｃ〕 第 ３ 一 ｄｉ〜 第 ４ 図 ＴＣハＳｅＣ〕 第 ５ 図 ｌｓｓ
動装置の回路図、第２図はシミュレーションに用いたパ
ルス列電圧波形図、第３図は同装置のＦＥＴとレーザダ
イオードの等価回路図、第４図は同装置のシミュレーシ
ョン番とよるレーザダイオード駆動電流波形図、第５図
は従来のレーザダイオード駆動装置の回路図、第６図、
第７図は従来の同装置のシミュレー夕によるレーザダイ
オード駆動電流波形図である。 １・・・レーザダイオード、２・・・ダンピング抵抗、
３・・・キャパシタンス、４．５・・・抵抗、１１．１
２，１３・・・ＦＥＴ，２１・・・インダクタンス、２
２・・・電流源、３１・・・入力端子、３２・・・反転
入力端子、３３・・・パルス電流制御電圧端子、４１・
・・ゲートードレイン間容量、４２・・・ボンディング
ワイヤインダクタンス、４３・・・レーザダイオードの
微分抵抗、４４・・・レーザダイオードの接合容量、４
５，４６・・・端子。 第 １ 図 ＳＳ 第 ２ 区 ＴＣｒ１ｓｅｃ〕 第 ３ 一 ｄｉ〜 第 ４ 図 ＴＣハＳｅＣ〕 第 ５ 図 ｌｓｓ
Claims (1)
- レーザダイオードと並列に抵抗とキャパシタンスから成
る直列回路を接続したレーザダイオード駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1309629A JPH03171687A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | レーザダイオード駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1309629A JPH03171687A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | レーザダイオード駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03171687A true JPH03171687A (ja) | 1991-07-25 |
Family
ID=17995333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1309629A Pending JPH03171687A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | レーザダイオード駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03171687A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0678982A2 (en) * | 1994-04-22 | 1995-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting element driving circuit |
| JP2009238965A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Eudyna Devices Inc | 光モジュール |
| US8490796B2 (en) | 2011-09-01 | 2013-07-23 | Kyodo Co., Ltd. | Probe card container with rollers |
| JP2018502459A (ja) * | 2014-12-31 | 2018-01-25 | メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド | Ａｃ結合終端素子を有するｄｃ結合レーザドライバ |
-
1989
- 1989-11-29 JP JP1309629A patent/JPH03171687A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0678982A2 (en) * | 1994-04-22 | 1995-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting element driving circuit |
| EP0678982A3 (en) * | 1994-04-22 | 1996-03-06 | Canon Kk | Drive circuit for a semiconductor light emitting element. |
| US5739717A (en) * | 1994-04-22 | 1998-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting element driving circuit |
| EP0905900A1 (en) * | 1994-04-22 | 1999-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving circuit for light emitting diode |
| JP2009238965A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Eudyna Devices Inc | 光モジュール |
| US8490796B2 (en) | 2011-09-01 | 2013-07-23 | Kyodo Co., Ltd. | Probe card container with rollers |
| JP2018502459A (ja) * | 2014-12-31 | 2018-01-25 | メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド | Ａｃ結合終端素子を有するｄｃ結合レーザドライバ |
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