JPH03167854A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- JPH03167854A JPH03167854A JP30859889A JP30859889A JPH03167854A JP H03167854 A JPH03167854 A JP H03167854A JP 30859889 A JP30859889 A JP 30859889A JP 30859889 A JP30859889 A JP 30859889A JP H03167854 A JPH03167854 A JP H03167854A
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- Granted
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケ
ージの改良に関するものである。
ージの改良に関するものである。
（従来の技術）
従来、半導体素子を収容するためのパッケージ、特にガ
ラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子収
納用パンケージは、絶縁基体と蓋体とから成り、内部に
半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容器
内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に接
続するための外部リード端子とから構威されており、絶
縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラス
部材を被着形戒すると共に、絶縁基体主面に外部リード
端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子と
をワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれぞ
に被着させた封止用のガラス部材を溶融一体化させるこ
とによって内部に半導体素子を気密に封止している。
ラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子収
納用パンケージは、絶縁基体と蓋体とから成り、内部に
半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容器
内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に接
続するための外部リード端子とから構威されており、絶
縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラス
部材を被着形戒すると共に、絶縁基体主面に外部リード
端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子と
をワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれぞ
に被着させた封止用のガラス部材を溶融一体化させるこ
とによって内部に半導体素子を気密に封止している。
（発明が解決しようとする課題）
しかし彊ら、この従来のガラス封止型半導体素子収納用
パッケージは通常、外部リード端子がコバール（２９レ
χＮｉ−１６ ＷｔＸ Ｃｏ−５５ ＷｔχＦｅ合金）
や４２ＡＩＩｏｙ（４２ ＷｔＸ Ｎｉ−５８ ＷｔＸ
Ｆｅ合金〉の導電性材料から戒っており、該コバール
や４２Ａ１１ｏｙ等は透磁率が高く、且つ導電率が低い
ことから以下に述べる欠点を有する。
パッケージは通常、外部リード端子がコバール（２９レ
χＮｉ−１６ ＷｔＸ Ｃｏ−５５ ＷｔχＦｅ合金）
や４２ＡＩＩｏｙ（４２ ＷｔＸ Ｎｉ−５８ ＷｔＸ
Ｆｅ合金〉の導電性材料から戒っており、該コバール
や４２Ａ１１ｏｙ等は透磁率が高く、且つ導電率が低い
ことから以下に述べる欠点を有する。
即ち、
■コバールや４２Ａ１１ｏｙは鉄（Ｆｅ）、ニ−／ケル
（Ｎｉ）、コバルト（ＣＯ）といった強磁性体金属のみ
から戒っており、その透磁率は２５０〜７００ （ＣＧ
Ｓ）と高い。そのためこのコバールや４２Ａｌｌｏｙ等
から成る外部リード端子に電流が流れると外部リード端
子中に透磁率に比例した大きな自己インダクタンスが発
生し、これが逆起電力を誘発してノイズとなると共に、
該ノイズが半導体素子に入力されて半導体素子に誤動作
を生じさせる、 ■コバールや４２＾１ １ｏｙはその導電率が３．０〜
３．５χ（ＩＡＣＳ）と低い。そのためこのコバールや
４２Ａ ｌ ｌｏｙ等から成る外部リード端子に信号を
伝搬させた場合、信号の伝搬速度が極めて遅いものとな
り、高速駆動を行う半導体素子はその収容が不可となっ
てしまう、 ■半導体素子収納用パッケージの内部に収容する半導体
素子の高密度化、高集積化の進展に伴い、半導体素子の
電極数が大幅に増大しており、半導体素子の各電極を外
部電気回路に接続する外部リード端子の線幅も極めて細
くなってきている。そのため外部リード端子は上記■に
記載のコバールや４２Ａ１１ｏｙの導電率が低いことと
相俊って電気抵抗が極めて大きなものになってきており
、外部リード端子に信号を伝搬させると、該外部リード
端子の電気抵抗に起因して信号が大きく減衰し、内部に
収容する半導体素子に信号を正確に入力することができ
ず、半導体素子に誤動作を生じさせてしまう、 等の欠点を有していた。
（Ｎｉ）、コバルト（ＣＯ）といった強磁性体金属のみ
から戒っており、その透磁率は２５０〜７００ （ＣＧ
Ｓ）と高い。そのためこのコバールや４２Ａｌｌｏｙ等
から成る外部リード端子に電流が流れると外部リード端
子中に透磁率に比例した大きな自己インダクタンスが発
生し、これが逆起電力を誘発してノイズとなると共に、
該ノイズが半導体素子に入力されて半導体素子に誤動作
を生じさせる、 ■コバールや４２＾１ １ｏｙはその導電率が３．０〜
３．５χ（ＩＡＣＳ）と低い。そのためこのコバールや
４２Ａ ｌ ｌｏｙ等から成る外部リード端子に信号を
伝搬させた場合、信号の伝搬速度が極めて遅いものとな
り、高速駆動を行う半導体素子はその収容が不可となっ
てしまう、 ■半導体素子収納用パッケージの内部に収容する半導体
素子の高密度化、高集積化の進展に伴い、半導体素子の
電極数が大幅に増大しており、半導体素子の各電極を外
部電気回路に接続する外部リード端子の線幅も極めて細
くなってきている。そのため外部リード端子は上記■に
記載のコバールや４２Ａ１１ｏｙの導電率が低いことと
相俊って電気抵抗が極めて大きなものになってきており
、外部リード端子に信号を伝搬させると、該外部リード
端子の電気抵抗に起因して信号が大きく減衰し、内部に
収容する半導体素子に信号を正確に入力することができ
ず、半導体素子に誤動作を生じさせてしまう、 等の欠点を有していた。
（発明の目的）
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は
外部リード端子で発生するノイズ及び外部リード端子に
おける信号の減衰を極小となし、内部に収容する半導体
素子への信号の入出力を確実に行うことを可能として半
導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させる
ことができる半導体素子収納用パッケージを提供するこ
とにある。
外部リード端子で発生するノイズ及び外部リード端子に
おける信号の減衰を極小となし、内部に収容する半導体
素子への信号の入出力を確実に行うことを可能として半
導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させる
ことができる半導体素子収納用パッケージを提供するこ
とにある。
また本発明の他の目的は高速駆動を行う半導体素子を収
容することができる半導体素子収納用ノ〈ッケージを提
供することにある。
容することができる半導体素子収納用ノ〈ッケージを提
供することにある。
（課題を解決するこめの手段）
本発明は絶縁基体と蓋体とから或り、内部に半導体素子
を収容するための空所を有する絶縁容器と、該容器内に
収容される半導体素子を外部電気回路に接続するための
外部リード端子とから成る半導体素子収納用パフケージ
において、前記絶縁基体及び蓋体をスピネルもしくはス
テアタイト質焼結体で、外部リード端子を銅から威る板
状体の上下面に、該板状体の厚みに対し３０乃至４０％
の厚みを有するニッケル３１．５乃至３２．５Ｗｔχ、
コバルト１６．５乃至１７．５ＷｔＸ 、鉄５０．０乃
至５２．ＯＷｔＸ （７）合金から威る薄板を接合させ
た金属体で形成したことを特徴とするものである。
を収容するための空所を有する絶縁容器と、該容器内に
収容される半導体素子を外部電気回路に接続するための
外部リード端子とから成る半導体素子収納用パフケージ
において、前記絶縁基体及び蓋体をスピネルもしくはス
テアタイト質焼結体で、外部リード端子を銅から威る板
状体の上下面に、該板状体の厚みに対し３０乃至４０％
の厚みを有するニッケル３１．５乃至３２．５Ｗｔχ、
コバルト１６．５乃至１７．５ＷｔＸ 、鉄５０．０乃
至５２．ＯＷｔＸ （７）合金から威る薄板を接合させ
た金属体で形成したことを特徴とするものである。
（実施例）
次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
第１図及び第２図は本発明の半導体素子収納用パッケー
ジの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体である。
ジの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体である。
この絶縁基体ｌと蓋体２とにより絶縁容器３が構威され
る。
る。
前記絶縁基体ｌ及び蓋体２はそれぞれの中央部に半導体
素子を収容する空所を形戒するための凹部が設けてあり
、絶縁基体１の凹部底面には半導体素子４が樹脂、ガラ
ス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される。
素子を収容する空所を形戒するための凹部が設けてあり
、絶縁基体１の凹部底面には半導体素子４が樹脂、ガラ
ス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される。
前記絶縁基体１及び蓋体２はスピネルもしくはステアタ
イト質焼結体から戒り、第ｌ図に示すような絶縁基体１
及び蓋体２に対応した形状を有するプレス型内に、スビ
ネルの場合はマグネシア（ＭｇＯ） 、アルミナ（ Ａ
１２０：ｌ ）等の原料粉末を、ステアタイト質焼結体
の場合はマグネシア（ＭｇＯ） 、シリカ（ＳｉＯｚ）
等の原料粉末を充填させるとともに一定圧力を印加して
成形し、しかる後、戒形品を約１２００乃至ｌ７００℃
の温度で焼成することによって製作される。
イト質焼結体から戒り、第ｌ図に示すような絶縁基体１
及び蓋体２に対応した形状を有するプレス型内に、スビ
ネルの場合はマグネシア（ＭｇＯ） 、アルミナ（ Ａ
１２０：ｌ ）等の原料粉末を、ステアタイト質焼結体
の場合はマグネシア（ＭｇＯ） 、シリカ（ＳｉＯｚ）
等の原料粉末を充填させるとともに一定圧力を印加して
成形し、しかる後、戒形品を約１２００乃至ｌ７００℃
の温度で焼成することによって製作される。
尚、前記絶縁基体１及び蓋体２を形成するスピネル、ス
テアタイト質焼結体はその熱膨張係数が７０〜８５Ｘ１
０−’／ ℃であり、後述する封止用ガラス部材の熱膨
張係数との関係において絶縁基体１及び蓋体２と封止用
ガラス部材間に大きな熱膨張の差が生しるこーとはない
。
テアタイト質焼結体はその熱膨張係数が７０〜８５Ｘ１
０−’／ ℃であり、後述する封止用ガラス部材の熱膨
張係数との関係において絶縁基体１及び蓋体２と封止用
ガラス部材間に大きな熱膨張の差が生しるこーとはない
。
また前記絶縁基体ｌ及び蓋体２にはその相対向する主面
に封止用のガラス部材６が予め被着形成されており、該
ｗ！．縁基体ｌ及び蓋体２の各々に被着されている封止
用ガラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより
絶縁容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
に封止用のガラス部材６が予め被着形成されており、該
ｗ！．縁基体ｌ及び蓋体２の各々に被着されている封止
用ガラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより
絶縁容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
前記絶縁基体ｌ及び蓋体２の相対向する主面に被着され
る封止用ガラス部材６は、例えばホウケイ酸鉛系ガラス
にフィラーを添加したものから或り、原料粉末としての
酸化鉛（ ＰｂＯ ）７０．０〜９０．ＯＷｔＺ ，酸
化ホウ素（ ＢｉＯｚ ）１２．０−１３．ＯｗｔＸ
、シリカ（Ｓｉ（ｈ）０．５ 〜３．Ｏ ＷｔＸ及び７
ルミナ（ＡＩ！０３）０．５〜３．０ ＷｔＸ ニ７
４’ｔ−としテチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ，）、β−ユ
ークリブタイト（ＬｉＪｌｚＳｉ＊Ｏ＊） 、コージラ
イト（ＭｇｚＡＬａＳｉｓＯ＋＊）、ジルコン（ＺｒＳ
ｉＯｓ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、ウイレマイト（Ｚｎ
．ＳｉＯａ）等を１５〜３０Ｖｏｌ！添加混合すると共
に、該混合粉末を９５０〜ｌｌＯＯ℃の温度で加熱溶融
させることによって製作される。このホウケイ酸鉛系の
ガラスはその熱膨張係数が６０〜９０Ｘ１０−’／ ℃
である。
る封止用ガラス部材６は、例えばホウケイ酸鉛系ガラス
にフィラーを添加したものから或り、原料粉末としての
酸化鉛（ ＰｂＯ ）７０．０〜９０．ＯＷｔＺ ，酸
化ホウ素（ ＢｉＯｚ ）１２．０−１３．ＯｗｔＸ
、シリカ（Ｓｉ（ｈ）０．５ 〜３．Ｏ ＷｔＸ及び７
ルミナ（ＡＩ！０３）０．５〜３．０ ＷｔＸ ニ７
４’ｔ−としテチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ，）、β−ユ
ークリブタイト（ＬｉＪｌｚＳｉ＊Ｏ＊） 、コージラ
イト（ＭｇｚＡＬａＳｉｓＯ＋＊）、ジルコン（ＺｒＳ
ｉＯｓ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、ウイレマイト（Ｚｎ
．ＳｉＯａ）等を１５〜３０Ｖｏｌ！添加混合すると共
に、該混合粉末を９５０〜ｌｌＯＯ℃の温度で加熱溶融
させることによって製作される。このホウケイ酸鉛系の
ガラスはその熱膨張係数が６０〜９０Ｘ１０−’／ ℃
である。
前記封止用ガラス部材６はその熱膨張係数が６０〜９０
ＸｌＯ−’／ ’Ｃであり、絶縁基体ｌ及び蓋体２の各
々の熱膨張係数と近似することから絶縁基体１及び蓋体
２の各々に被着されている封止用ガラス部材６を加熱溶
融させ一体化させることにより絶縁容器３内の半導体素
子４を気密に封止する際、絶縁基体１及び蓋体２と封止
用ガラス部材６との間には両者の熱膨張係数の相違に起
因する熱応力が発生することは殆どなく、絶縁基体１と
蓋体２とを封止用ガラス部材６を介し強固に接合するこ
とが可能となる。
ＸｌＯ−’／ ’Ｃであり、絶縁基体ｌ及び蓋体２の各
々の熱膨張係数と近似することから絶縁基体１及び蓋体
２の各々に被着されている封止用ガラス部材６を加熱溶
融させ一体化させることにより絶縁容器３内の半導体素
子４を気密に封止する際、絶縁基体１及び蓋体２と封止
用ガラス部材６との間には両者の熱膨張係数の相違に起
因する熱応力が発生することは殆どなく、絶縁基体１と
蓋体２とを封止用ガラス部材６を介し強固に接合するこ
とが可能となる。
尚、前記封止用ガラス部材６はフィラーを添加したホウ
ケイ．酸鉛系ガラスの粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添
加して得たガラスペーストを従来周知の厚膜手法を採用
することによって絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主
面に被着形成される。
ケイ．酸鉛系ガラスの粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添
加して得たガラスペーストを従来周知の厚膜手法を採用
することによって絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主
面に被着形成される。
また前記封止用ガラス部材６はフィラーを添加したホウ
ケイ酸鉛系のガラスに限定されるものではなく、熱膨張
係数が６０〜９０Ｘ１０−’／ ’ｅの範囲のガラスで
あればいかなるものでも使用することができる。
ケイ酸鉛系のガラスに限定されるものではなく、熱膨張
係数が６０〜９０Ｘ１０−’／ ’ｅの範囲のガラスで
あればいかなるものでも使用することができる。
前記絶縁基体１と蓋体２との間には導電性材料から成る
外部リード端子５が配されており、該外部リード端子５
は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介し電気的に接続
され、外部リード端子５を外部電気回路に接続すること
によって半導体素子４が外部電気回路に接続されること
となる。
外部リード端子５が配されており、該外部リード端子５
は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介し電気的に接続
され、外部リード端子５を外部電気回路に接続すること
によって半導体素子４が外部電気回路に接続されること
となる。
前記外部リード端子５は絶縁基体ｌと蓋体２の相対向す
る主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体化さ
せ、絶縁容器３を気密封止する際に同時に絶縁基体ｌと
蓋体２との間に取着される．前記外部リード端子５は銅
から威る板状体の上下面に、該板状体の厚みに対し３０
乃至４０％の厚みを有するニッケル３１．５乃至３２．
５ＷｔＸ ，コバルト１６．５乃至１７．５ＷｔＸ ，
鉄５０．０乃至５２．ＯＷＬＸ （７）合金から威る薄
板を接合させた金属体から或り、その透磁率は約９３（
ＣＧＳ） 、導電率は６２．３Ｘ（ＩＡＣＳ） 、熱膨
張係数は約７１Ｘ１０−’／ ”Ｃである。
る主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体化さ
せ、絶縁容器３を気密封止する際に同時に絶縁基体ｌと
蓋体２との間に取着される．前記外部リード端子５は銅
から威る板状体の上下面に、該板状体の厚みに対し３０
乃至４０％の厚みを有するニッケル３１．５乃至３２．
５ＷｔＸ ，コバルト１６．５乃至１７．５ＷｔＸ ，
鉄５０．０乃至５２．ＯＷＬＸ （７）合金から威る薄
板を接合させた金属体から或り、その透磁率は約９３（
ＣＧＳ） 、導電率は６２．３Ｘ（ＩＡＣＳ） 、熱膨
張係数は約７１Ｘ１０−’／ ”Ｃである。
尚、前記外部リード端子５は銅（Ｃｕ）の板状体の上下
面にニッケルーコバルトー鉄合金（Ｎｉ−Ｃｏ−Ｆｅ合
金）を圧接し、しかる後、これを圧延することによって
形戒される。
面にニッケルーコバルトー鉄合金（Ｎｉ−Ｃｏ−Ｆｅ合
金）を圧接し、しかる後、これを圧延することによって
形戒される。
また前記外部リード端子５はニッケル（Ｎｉ）、コバル
｝ （Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）の量及び板状体と薄板の厚み
が上述の範囲を外れると外部リード端子５は透磁率が所
望する低い値に、導電率が高い値に、また熱膨張係数が
ｖＩＡ縁基体及び蓋体の熱膨張係数と合わなくなる。そ
のため外部リード端子５は銅から威る板状体の上下面に
、該板状体の厚みに対し３０乃至４０％の厚みを有する
ニッケル３１．５乃至３２．５切ｔＸ ，コバルト１６
．５乃至１７．５ＷｔＸ、鉄５０．０乃至５２．０Ｗｔ
χの合金から成る薄板を接合させた金属体で形或するこ
とに限定される． 前記外部リード端子５はその透磁率が９３（ＣＧＳ）で
あり、透磁率が低いことから外部リード端子５に電流が
流れたとしても外部リード端子５中には大きな自己イン
ダクタンスが発生することはなく、その結果、前記自己
インダクタンスにより誘発される逆起電力に起因したノ
イズを極小となし、内部に収容する半導体素子４を常に
正常に作動させることができる。
｝ （Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）の量及び板状体と薄板の厚み
が上述の範囲を外れると外部リード端子５は透磁率が所
望する低い値に、導電率が高い値に、また熱膨張係数が
ｖＩＡ縁基体及び蓋体の熱膨張係数と合わなくなる。そ
のため外部リード端子５は銅から威る板状体の上下面に
、該板状体の厚みに対し３０乃至４０％の厚みを有する
ニッケル３１．５乃至３２．５切ｔＸ ，コバルト１６
．５乃至１７．５ＷｔＸ、鉄５０．０乃至５２．０Ｗｔ
χの合金から成る薄板を接合させた金属体で形或するこ
とに限定される． 前記外部リード端子５はその透磁率が９３（ＣＧＳ）で
あり、透磁率が低いことから外部リード端子５に電流が
流れたとしても外部リード端子５中には大きな自己イン
ダクタンスが発生することはなく、その結果、前記自己
インダクタンスにより誘発される逆起電力に起因したノ
イズを極小となし、内部に収容する半導体素子４を常に
正常に作動させることができる。
また前記外部リード端子５はその導電率が６２．３％（
ＴＡＣＳ）以上であり、電気を流し易いことから外部リ
ード端子５の信号伝搬速度を極めて速いものとなすこと
ができ、絶縁容器３内に収容した半導体素子４を高速駆
動させたとしても半導体素子４と外部電気回路との間に
おける信号の出し入れは常に安定、且つ確実となすこと
ができる。
ＴＡＣＳ）以上であり、電気を流し易いことから外部リ
ード端子５の信号伝搬速度を極めて速いものとなすこと
ができ、絶縁容器３内に収容した半導体素子４を高速駆
動させたとしても半導体素子４と外部電気回路との間に
おける信号の出し入れは常に安定、且つ確実となすこと
ができる。
また同時に外部リード端子５の導電率が高いことから外
部リード端子５の線幅が細くなったとしても外部リード
端子５の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果、
外部リード端子５における信号の減衰を極小として内部
に収容する半導体素子４に外部電気回路から供給される
電気信号を正確に人力することができる。
部リード端子５の線幅が細くなったとしても外部リード
端子５の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果、
外部リード端子５における信号の減衰を極小として内部
に収容する半導体素子４に外部電気回路から供給される
電気信号を正確に人力することができる。
また更に前記外部リード端子５はその熱膨張係数が約７
１ｘｌＯ−’／ ”ｃであり、封止用ガラス部材６の熱
膨張係数と近似することから外部リード端子５を絶縁基
体ｌと蓋体２の間に封止用ガラス部材６を用いて固定す
る際、外部リード端子５と封止用ガラス部材６との間に
は両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生する
ことはなく、外部リード端子５を封止用ガラス部材６で
強固に固定することも可能となる。
１ｘｌＯ−’／ ”ｃであり、封止用ガラス部材６の熱
膨張係数と近似することから外部リード端子５を絶縁基
体ｌと蓋体２の間に封止用ガラス部材６を用いて固定す
る際、外部リード端子５と封止用ガラス部材６との間に
は両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生する
ことはなく、外部リード端子５を封止用ガラス部材６で
強固に固定することも可能となる。
かくして、この半導体素子収納用パッケージによれば絶
縁基体１の凹部底面に半導体素子４を取着固定ずるとと
もに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７に
より外部リード端子５に接続させ、しかる後、絶縁基体
１と蓋体２とを該絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主
面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融一
体化させることによって接合させ、これによって最終製
品としての半導体装置が完戒する。
縁基体１の凹部底面に半導体素子４を取着固定ずるとと
もに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７に
より外部リード端子５に接続させ、しかる後、絶縁基体
１と蓋体２とを該絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主
面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融一
体化させることによって接合させ、これによって最終製
品としての半導体装置が完戒する。
（発明の効果）
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、半導体
素子を収容するための絶縁容器を構成する絶縁基体及び
蓋体をスピネルもしくはステアタイト質焼結体で、外部
リード端子を銅から成る板状体の上下面に、該板状体の
厚みに対し３０乃至４０％の厚みを有するニッケル３１
．５乃至３２．５ＷｔＸ ，コハルト１６．５乃至１７
．５Ｗｔ＄ 、鉄５０．０乃至５２．０ＷｔＸ （７）
合金から成る薄板を接合させた透磁率が約９３ （ＣＧ
Ｓ〉、導電率が６２．３！（ＩＡＣＳ） 、熱膨張係数
が約７１×１０−’／ ’Ｃの金属体で形成したことか
ら外部リード端子に電流を流したとしても該外部リード
端子中に大きな自己インダクタンスが発生することはな
く、その結果、前記自己インダクタンスにより誘発され
る逆起電力に起因したノイズを極小となし、内部に収容
する半導体素子を常に正常に作動させることが可能とな
る。
素子を収容するための絶縁容器を構成する絶縁基体及び
蓋体をスピネルもしくはステアタイト質焼結体で、外部
リード端子を銅から成る板状体の上下面に、該板状体の
厚みに対し３０乃至４０％の厚みを有するニッケル３１
．５乃至３２．５ＷｔＸ ，コハルト１６．５乃至１７
．５Ｗｔ＄ 、鉄５０．０乃至５２．０ＷｔＸ （７）
合金から成る薄板を接合させた透磁率が約９３ （ＣＧ
Ｓ〉、導電率が６２．３！（ＩＡＣＳ） 、熱膨張係数
が約７１×１０−’／ ’Ｃの金属体で形成したことか
ら外部リード端子に電流を流したとしても該外部リード
端子中に大きな自己インダクタンスが発生することはな
く、その結果、前記自己インダクタンスにより誘発され
る逆起電力に起因したノイズを極小となし、内部に収容
する半導体素子を常に正常に作動させることが可能とな
る。
また外部リード端子の信号伝搬速度を極めて速いものと
なすことができ、絶縁容器内に収容した半導体素子を高
速駆動させたとしても半導体素子と外部電気回路との間
における信号の出し入れを常に安定、且つ確実となすこ
とが可能となる。
なすことができ、絶縁容器内に収容した半導体素子を高
速駆動させたとしても半導体素子と外部電気回路との間
における信号の出し入れを常に安定、且つ確実となすこ
とが可能となる。
更に外部リード端子の線幅が細くなったとしても外部リ
ード端子の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果
、外部リード端子における信号の凍衰を極小として内部
に収容する半導体素子に外部電気回路から供給される電
気信号を正確に人力することが可能となる。
ード端子の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果
、外部リード端子における信号の凍衰を極小として内部
に収容する半導体素子に外部電気回路から供給される電
気信号を正確に人力することが可能となる。
また更に外部リード端子はその熱膨張係数が絶縁基体、
蓋体及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近似し
、絶縁基体と蓋体との間に外部リード端子を挟み、各々
を封止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基体及
び蓋体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子と封
止用ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相違に
起因する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接合す
ることも可能となる。
蓋体及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近似し
、絶縁基体と蓋体との間に外部リード端子を挟み、各々
を封止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基体及
び蓋体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子と封
止用ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相違に
起因する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接合す
ることも可能となる。
第１図は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図、第２図は第１図に示すパノケージの絶
縁基体上面より見た平面図である。 ■ ・・絶縁基体 ２ ・・蓋体 ・ｍ縁容器 ・外部リード端子 ・封止用ガラス部材
例を示す断面図、第２図は第１図に示すパノケージの絶
縁基体上面より見た平面図である。 ■ ・・絶縁基体 ２ ・・蓋体 ・ｍ縁容器 ・外部リード端子 ・封止用ガラス部材
Claims (1)
- 絶縁基体と蓋体とから成り、内部に半導体素子を収容
するための空所を有する絶縁容器と、該容器内に収容さ
れる半導体素子を外部電気回路に接続するための外部リ
ード端子とから成る半導体素子収納用パッケージにおい
て、前記絶縁基体及び蓋体をスピネルもしくはステアタ
イト質焼結体で、外部リード端子を銅から成る板状体の
上下面に、該板状体の厚みに対し３０乃至４０％の厚み
を有するニッケル３１．５乃至３２．５Ｗｔ％、コバル
ト１６．５乃至１７．５Ｗｔ％、鉄５０．０乃至５２．
０Ｗｔ％の合金から成る薄板を接合させた金属体で形成
したことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308598A JP2736454B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
| US07/573,406 US5057905A (en) | 1989-08-25 | 1990-08-24 | Container package for semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308598A JP2736454B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03167854A true JPH03167854A (ja) | 1991-07-19 |
| JP2736454B2 JP2736454B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=17982967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1308598A Expired - Lifetime JP2736454B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2736454B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5711847A (en) * | 1978-02-06 | 1982-01-21 | Ibm | Nonporous glass-ceramic body |
| JPS5916353A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | リ−ドフレ−ム |
| JPS63291834A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-29 | コーニング グラス ワークス | 電子パッキング用のガラス−セラミックス、それに用いる熱的に結晶可能なガラス、および同ガラス−セラミックスを用いた基板 |
-
1989
- 1989-11-27 JP JP1308598A patent/JP2736454B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5711847A (en) * | 1978-02-06 | 1982-01-21 | Ibm | Nonporous glass-ceramic body |
| JPS5916353A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | リ−ドフレ−ム |
| JPS63291834A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-29 | コーニング グラス ワークス | 電子パッキング用のガラス−セラミックス、それに用いる熱的に結晶可能なガラス、および同ガラス−セラミックスを用いた基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2736454B2 (ja) | 1998-04-02 |
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