JPH03167808A - フライバックトランス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、テレビジョン受像機等の陰極線管に陽極電圧
を供給するフライバックトランスに係り、特に温度上昇
の低減と漏洩磁束の低減を図ったフライバックトランス
に関する． （従来の技術） 陰極線管（以下ＣＲＴと記す）を用いたテレビジョン受
像機やディスプレイ端末装置等の画像表示装置では、Ｃ
ＲＴへ陽極電圧を供給するためにフライバックトランス
（以下ＦＢＴと記す）が使用されている．近年、事務所
のＯＡ化が進むにつれ画像表示装置の稼動台数も増加し
ており、省スペースの観点から小型な画像表示装置が望
まれている．このため、ＦＢＴにおいても一層の小形化
が要求されている。

一方、ＣＲＴを用いた画像表示装置では、ＦＢＴ等より
発生する磁界が画像表示装置の周囲より超低周波磁界や
不要電磁波として放射され、周辺の電子機器に悪影響を
及ぼすことがある．また、漏洩磁界の多いＦＢＴの場合
、ＦＢＴと偏向ヨークとの間隔が狭くなるにつれて、Ｆ
ＢＴからの漏洩磁界が偏向ヨークと結合し、画像歪やコ
ンバーゼンスのずれが発生する等の不具合が発生するの
で、画像表示装置の小形化を困難にしていた。

第１７図は、従来のＦＢＴの構造を示す断面図である． 従来のＦ　Ｂ　７　１００は、Ｕ字型磁心１０１とＩ字
型磁心１０２を用い、Ｕ字型磁心１０１の脚部１０３，
１０３の一方に壱線１０４を装着するとともに、Ｕ字型
磁心１０１の各脚部１０３，１０３の端面１０３ａ，１
０３ａに、■字型磁心１０２の各端面１０２ａ，１０２
ａを各々突き合せて、ロ字型磁路を形成している．そし
て、Ｕ字型およびＴ字型の各磁心１０１，１０２の磁気
飽和を防ぐために、各磁心１０１　，１０２の突き合せ
部にギャップスベーサ１０５，１０５を各々挿入して磁
心ギャップ１０６，１０６を形成している． ところが、このように各磁心１０１，１０２の突き合せ
部に磁心ギャップ１０６，１０６を形成した場合、ロ字
型磁心の巻線１０４装着部分以外に形成される磁心ギャ
ップ１０６ａ，　１０６ａからの漏れ磁束は、ＦＢＴ１
００の周辺に配置されている各種電子回路・部品に悪影
響を及ぼすのみならず、画像表示装置の外部へも漏洩し
て種々の悪影響を与える原因の１つになっている。

そこで、このような欠点を低減するため、第１８図に示
すＦＢＴが実開昭６１−７９５１１号公報にて提案され
ている。このＦＢＴＩＩＯは、２つのＵ字型磁心１１１
．１１２を突き合せてロ字型の磁路を形成したものであ
る。各磁心１１１，１１２の一方の脚部１１１ａ，１１
２ａを他方の脚部１１ｌｂ，１１２ｂより僅かに短く形
成している．そして、壱線１１３を装着する側の脚郎１
１１ａ．１１２ａの突き合せ部に、ギヤップスベーサ１
１４を挿入して磁心ギャップ１１５を形成し、他方の脚
部１１ｌｂ，１１２ｂ側の突き合せ部は密着させて当接
するようにしている。

このような構成にすることにより、壱線１１３が装着さ
れていない側の脚部１１ｌｂ，１１２ｂの突き合せ部か
ら゛漏洩する磁束を大幅に低減することができる． （発明が解決しようとする課題） しかし、第１８図に示したＦ　Ｂ　Ｔ　１１０において
、第１７図に示したＦ　Ｂ　Ｔ　１００と同様に磁気飽
和を防止するには、第ｌ８図に示したＦＢＴＩＩＯの磁
心ギャップ１１５を第１７図に示したＦＢ７１０Ｇの磁
心ギャップ１０６の約２倍とする必要がある。このため
、第１９図のギャップスベーサ部の磁束の説明図に示す
ように、壱線１１３内に位置する磁心ギャップ１１５部
で主磁束１１６の外側への脹らみ部１１７が増大し、磁
心ギャップ１１５の近傍の巻線を形成する電線の温度が
上昇するという問題がある． この巻線の温度上昇の現象については、既に実公昭６１
−５７１１６号公報に詳述されている通りであるが、第
１８図および第１９図を参照に説明する。

第１９図において、１１３ａ　Ｎｌ１３ｆは巻線１１３
を形成する電線の断面であり、１１３ａ．１１３ｃ，１
１３ｅはロ字型磁心に対して内側の巻線を、１１３ｂ，
１１３ｄ．１１３ｆはロ字型磁心の外側の巻線をそれぞ
れ示している。また、内側の巻線、１１３ａ，１１３ｃ
，１１３ｅには、図面に対し裏面側から手前側の方向に
電流が流れ、外側の巻線１１３ｂ，１１３ｄ．ｌ１３ｆ
には図面社対し手前側から裏面側の方向（電流が流れて
いるものとする。各ループの電線の周りに発生する磁束
は図示の破線矢印のようになり、これらの小磁束グルー
プが総合されて磁心１１１．１１２には主磁束１１６が
環流し、磁心ギャップ１１５部分では主磁束１１６が磁
心１１ｌ，１１２の端面から外側へ脹らむ状態となる。

ところが、この主磁束１１Ｂの脹らんだ部分１１７を横
切る位置に設けられた巻線１１３の電線１１３ｃ，ｌ１
３ｄによる小磁束は、主磁束１１６の脹らんだ部分１１
７と逆方向になっているので、この電線１１３ｃ，１１
３ｄ部分は巻線１１３全体から見れば全く無意味である
どころか、かえって主磁束１１Ｂを減殺している。従っ
て、この部分の電線１１３ｃ．１１３ｄは、インダクタ
ンスの減少、コイル銅損などの原因となりギャップ近傍
の電線の温度を上昇させてしまう．このように、壱線１
１３の一部が局部的に温度上昇すると、Ｆ　Ｂ　７　１
１０自体および周辺に配置される電子部品の寿命を低下
させるおそれがある． また、このような構造にすることにより、磁心ギャップ
１１５部分からの漏洩磁束は減少でき、第１７図に示し
たＦ　Ｂ　７　１００に比べて約月程度に漏洩磁束を減
少できる。しかし、後述する第１０図のＦＢＴの実効入
力と温度上昇の関係のグラフからも明らかなように、第
１７図に示した従来のＦ　Ｂ　７　１００に比べ同じ入
力電力で動作させた場合は、温度上昇が約１．１８倍増
加し、同じ温度上昇になるよう動作させた場合は、実効
入力が約０．８４倍に低減する．よって、同じ動作条件
で使うためには、第１８図の構造のＦ　Ｂ　７　１１０
では、磁心１１１　、磁心１１２の断面積を大きくする
とともに、巻線の実効抵抗値を小さくするため、細い電
線を複数本撚り合せた電線を用いる等して巻線のトータ
ル断面積を大きくする等の処置が必要となる．従って、
ＦＢＴが大きくなって画像表示装置をコンパクトな構造
にするのに逆行することになる．さらに，ＦＢＴが大き
くなると偏向ヨークとの間隔も縮り、画像歪の発生やコ
ンパーゼンスずれの発生等性能的にも問題が発生する．
また、ＦＢＴが大きくなることにより生産コストの上昇
、ならびに、巻線の局部的な発熱によるＦＢＴの寿命低
下等の問題がある。

本発明はこのような課題を解決するためなされたもので
あって、その目的は、温度上昇および漏洩磁界を低減さ
せるとともに、形状の小型化を図ることのできるフライ
バックトランス（ＦＢＴ）を提供することにある． （課題を解決するための手段） 前記課題を解決するため本発明の請求項１に係るフライ
バックトランス（ＦＢＴ）は、略ロ字型の磁心組立体を
４個以上の磁心を用い、少なくとも４箇所に磁心ギャッ
プを備えるよう形成し、この磁心組立体の一方の脚部に
第１の入力巻線と第１の高電圧出力壱線とを装着し、他
方の脚部に第２の入力巻線と第２の高電圧出力巻線を装
着し、第１および第２の入力巻線を並列Ｃ接続して入力
巻線を形成し、３４１および第２の高電圧出力巻線を直
列に接続して高圧出力巻線を形成したことを特徴とする
． なお、略ロ字型の磁心組立体は対向配置された２個のυ
字型または！字型磁心と、これらのＵ字型または１字型
磁心の略両端部間にそれぞれ挿入された少なくとも各１
個の棒状磁心とを備え、Ｕ字型またはｉ字型磁心と棒状
型磁心との各突き合せ部にギャップスペーサを介在させ
る構造であってもよい． また、略ロ字型の磁心組立体の両方の脚部、または、い
ずれか一方の脚部に低電圧出力巻線を装着する構造とし
てもよい． 本発明の請求項４に係るフライバックトランス（ＦＢＴ
）は、略ロ字型の磁心組立体の一方の脚部と他方の脚部
にそれぞれ第１および第２の巻線を装着し、第１の巻線
および第２の巻線を直列に接続して第１の直列接続巻線
を形成し、同様に一方の脚部と他方の脚部に前記第１お
よび第２の巻線とは異なる第３、第４の巻線をそれぞれ
装着し、′ｓ３および第４の巻線を直列に接続して第２
の直列接続巻線を形成し、これら第１および第２の直列
接続巻線を並列に接続して入力巻線を形成したことを特
徴とする． なお、請求項１および請求項４に係るフライバックトラ
ンス（ＦＢＴ）は、ロ字型の磁心組立体の両方の脚部に
、漏洩磁束が小さくなるよう出力巻線の負荷の配分を考
慮して出力巻線を配分し、装着してもよい． （作用） 巻線を両脚に分割して設けることにより、巻線の放熱面
積を増大させるとともに、入力巻線に流れる電流をほぼ
均等に分けることにより銅損を減少させ、また、電流が
約半分になるので電線の断面積を略半分にすることがで
きる．よって各巻線の電流の低減と抵抗値の増加により
、電線の近接効果等による渦電流損の低減が図れる．ま
た、磁心の突き合せ部の数を増して、夫々の磁心ギャッ
プを小さくすることによって、磁心ギャップ部の漏洩磁
束を少なくすることができ、電線の抵抗値の増加との相
乗効果で磁心ギャップ部の漏洩磁束による局部的な発熱
を低減させることができ、フライバックトランス（ＦＢ
Ｔ）の温度上昇を一層低減させることができる． （実施例） 以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する． 第１図は本発明に係るＦＢＴの第１実施例の回路図、第
２図は同ＦＢＴの磁心と各巻線の構造を示す断面図であ
る． 第１図および第２図において、ＦＢＴ１は略ロ字状の磁
心組立体２と各種巻線３，４．５を備えている。３ａ，
３ｂはそれぞれ第１および第２入力巻線であり、各入力
巻線３ａ，３ｂはそれぞれ並列に接続されて入力壱線３
を構成している．第１の入力壱線３ａに対応して、第１
の高電圧出力壱線４ａが最適な結合度で装着されている
。また、第２の入力壱線３ｂに対応して密社低電圧出力
壱線５が装着され、その外側に第２の高電圧出力壱線４
ｂが最適な結合度で装着されている．第１および第２の
高電圧出力巻線４ａ．４ｂは直列に接続されて高電圧出
力壱線４を構成している。

第２図に示すように、磁心組立体２は、■字型の磁心２
ａ，２ｂおよび棒状の磁心２ｃ，２ｄとを組み合せて「
ロ』字型に形成されている．■字型の磁心２ａ，２ｂと
棒状の磁心２ｃ，２ｄとの各突き当て部には、それぞれ
ギャップスベーサ６・・・が挿入されており、このギャ
ップスベーサ６・・・により所定の磁心ギャップを確保
している．本実施例では棒状の磁心２ｃ，２ｄを脚部と
して用いており、棒状の磁心２ｃには第１の入力壱線３
ａおよび第ｌの高電圧出力壱線４ａが装着され、棒状の
磁心２ｄには第２の入力壱線３ｂ，低電圧出力壱線５お
よび高電圧出力壱線４ｂが装着されている． なお、低電圧出力壱線５は、第１図においては複数個（
５ａ，５ｂ）に、第２図では阜−に描いているが、これ
らの個数は取り出したい電源の種類によって任意に定め
て構わない。，また、−第２図において、第１、第２の
入力巻線３ａ，３ｂを入れ替えても、もしくは、低電圧
出力壱線５を入れ替えて第１の入力壱線３ａと組み合せ
てもよい。

第１図において、７は高電圧出力巻線３に接続された倍
電圧整流回路であり、この倍電圧整流回路７は、高電圧
整流用ダイオードＤＩ．Ｄ２，Ｄ３．Ｄ４およびコンデ
ンサＣＩ，Ｃ２から構成されている．なお、抵抗ＲＳは
、図示しない陰極線管内の管内放電等によるサージから
整流回路を保護するものである． 次に、本発明に係るＦＢＴの第２実施例について、第３
図および第４図を参照しながら説明する． 第３図は第２実施例のＦＢＴの回路図、第４図は第３図
に示したＦＢＴの磁心組立体に対する各巻線の構造を示
す断面図であや．なお、これらの図において、第１図お
よび第２図に示した第１実施例と同一構成要素には同一
符号を付して、その詳細な説明を省略する． この実施例のＦＢＴＩＩは、各低電圧出力巻線５ａ，５
ｂを磁心２Ｃと磁心２ｄ側に分割して装着したものであ
る．これにより、負荷のバランスを磁心２ｃと２ｄ部で
一層均一になるようにしている。第１実施例の場合は片
側の脚部よりまとめて負荷を取っているので、各脚部に
流れる入力巻線の電流値に負荷の大きさの差分だけ差が
できている。これに対し第２実施例は、両脚部に低電圧
出力巻線の負荷も可能な限り振分け、入力巻線電流値の
差分を小さく、即ち均等に近すけようとするものである
。なお、この実施例において、低電圧出力壱線５ａと５
ｂとを入れ替えても、同様の効果が得られる。

次に、本発明に係るＦＢＴの第３実施例について、第５
図および第６図を参照しながら説明する。

第５図は第３実施例のＦＢＴ２１の回路図、第６図は第
５図に示したＦＢＴ２１の磁心と各巻線の構造を示す断
面図である。

これらの図において、第１図等に示した第１実施例と同
一構成要素には同一符号を付して、その詳細な説明を省
略する． この第３実施例において、第１図〜第４図に示した第１
および第２の実施例と異なる点は、入力巻線１０の装着
構造である． ８ａ，８ｂ，９ａ，９ｂはそれぞれ第１、第２、第３、
第４の入力巻線であり、一方の脚部を構成する磁心２Ｃ
には、第１および第３の入力壱線８ａ，９ａが装着され
、他方の脚部を構成する磁心２ｄには、第２および第４
の入力壱線８ｂ，９ｂが装着されている。第１の入力壱
線８ａと第２の入力壱線８ｂは直列に接続されて、第１
の直列接続壱線８を形成している．同様に、第３の入力
壱線９ａと第４の入力壱線９ｂは直列に接続されて、第
２の直列接続壱線９を形成している．そして、′ｓ１の
直列接続壱線８と第２の直列接続壱線９とを並列に接続
して、入力壱線１０を構成している． 第１および第３の入力巻線８ａ，９ａに対応して第１の
高電圧出力壱線４ａが最適な結合度で装着されており、
第２および第４の入力壱線８ｂ，９ｂに対応して密に低
電圧出力壱線５が装着され、その外側に第２高電圧出力
壱線４ｂが最適な結合度で装着されている．第１および
第２の高電圧出力巻線４ａ，４ｂは直列に接続されてい
る．即ち、第６図に示すように、磁心２ｃ部には第１お
よび第３の入力壱線８ａ，９ａおよび第１の高電圧出力
壱線４ａが装着され、磁心２ｄ部には、第２および第４
の入力壱線８ｂ，９ｂ，低電圧出力壱線５、および第２
の高電圧出力壱線４ｂが装着されている。

なお、低電圧出力壱線５は、第５図社おいては複数個（
５ａ，５ｂ）に、第６図では単一に描いてあるが、これ
らの個数に関しては任意に定めて構わないし、両脚部２
ｃ，２ｄに振り分けてもよい。また、第６図において、
第１および第３の入力巻線８ａ，９ａの組と、第２およ
び第４の入力巻線８ｂ，９ｂの組を入れ替えても、第１
および第３の入力巻線８ａ，９ａの配置や、第２および
第４の入力壱線８ｂ，９ｂを配置を変えたり、もしくは
、重ねたりしても得られる効果は同じである。このよう
にすることにより、両脚部（２ｃ．２ｄ）に装着された
各入力巻線に流れる入力電流値を、各出力巻線から負荷
へ供給される電流値の変動に関係なく、より均一になる
ようにしている． 次Ｃ本発明に係るＦＢＴの第４実施例について、第７図
を参照しながら説明する． 第７図は第４実施例のＦＢ７３１の磁心組立体３２と各
巻線の構造を示す断面図である。第７図において、第６
図に示した第３実施例と同一構成要素には同一符号を付
して、その詳細な説明を省略する． この第４実施例において、第６図に示した第３実施例と
異なる点は、磁心組立体３２の構成である。磁心組立体
３２は、２個の■字型磁心３２ａ，３２ｂと４個の棒状
磁心３２ｃ．３２ｄ，３２ｅ，３２ｆを組み合せてｒロ
」字型に形成されている．そして、一方の脚部を形成す
る磁心３２ｃ，３２ｄの部分に第１および第３の入力巻
線８ａ，９ａ，ならびにＮ１の高電圧出力巻線４ａが装
着され、他方の脚部を形成する磁心３２ｅ，３２ｆの部
分に第２および第４の入力壱線８ｂ，９ｂ，低電圧出力
巻線５、ならびに第２の高電圧出力壱線４ｂが装着され
ている．このように磁心の分割数を増すことにより、各
磁心３２ａ〜３２ｆの突き合せ部のギャップスペーサ３
３・・・の厚さを第３実施例の場合の４／６にすること
ができ、各磁心ギャップ部より壱線内へ漏れ出る漏洩磁
界を減少させ、渦電流損失による壱線の極部的な発熱を
少なくできる。

次の、本発明の第５実施例について、第８図を参照しな
がら説明する。

第８図は、第５実施例のＦＢＴ４１の磁心と各巻線の構
造を示す断面図である。

第８図に示すＦＢＴ４１の回路構成ならびに各巻線の配
置関係は、第１図および第２図に示した第１実施例のＦ
ＢＴＩと同じであり、磁心組立体３２の構成を第７図に
示す多分割構成にしたものであり、その効果は前述の第
４実施例と同じである． 次に、本発明に係るＦＢＴの第６実施例について、第９
図を参照しながら説明する． 第９図は第６実施例のＦＢ７５１の磁心と各巻線の構造
を示す断面図である．なお、第９図において、第２図に
示した第１実施例と同一構成要素には同一符号を付して
、その詳細な説明を省略する． この第６実施例において、第２図に示した第１実施例と
異なる点は、磁心組立体５２の構造である。磁心組立体
５２は、２個の■字型磁心５２ａ，５２ｂと脚部を形成
する各々３個の棒状磁心５２ｃ〜５２ｈを組み合せて「
ロ」字型に形成されている。磁心５２ｃ，５２ｄ，５Ｚ
ｅの部分に第１の入力壱線３ａおよび第１の高電圧出力
巻＠　４　ａが装着され、磁心５２ｆ．５２ｇ，５２ｈ
の部分に第２の入力壱線３ｂ、低電圧出力壱線５および
第２の高電圧出力壱線４ｂが装着されている．このよう
に、磁心組立体５２の分割数を増すことにより、各磁心
の突き合せ部のギヤップスベーサ５３・・・の厚さを更
に小さくでき、本実施例ではギャップスペーサ５３・・
・の厚さを第１実施例の場合のＨにすることができる．
従って、磁心ギャップ部より漏れ出る濾洩磁界を減らせ
、渦電流損失による巻線の極部的な発熱を一層少なく出
来るとともに、外部への妨害も少なくすることができる
． なお、ロ字型の磁心組立体２，３２．５２の構成は、実
施例１〜実施例６に限定されるものではなく、２個のＵ
字型磁心と複数の棒状または！字型磁心を組み合せても
よく、各磁心の組み合せ方や分割数は適宜変更してもよ
い． 以上、第２図および第４図に示した構造のＦＢＴＩ，１
１は第１および第２の入力巻線３ａ，３ｂを磁心組立体
２の別々の脚部２ｃ，２ｄに装着し、第１および第２の
巻線３ａ，３ｂを並列に接続して入力壱線３を構成する
とともに、負荷電力の大きい高電圧出力壱線４について
も、第１および第２の高電圧出力壱線４ａ，４ｂに略２
等分して別々の脚部２ｃ，２ｄに装着し、第１および第
２の高電圧出力巻線４ａ，４ｂを直列に接続することに
より、第１および第２の入力巻線３ａ，３ｂに流れる電
流をほぼ等しくすることができる．特に、画面の明るさ
の変化に伴って大きく変る高電圧出力電流の変動に対し
ても、負荷の変動に応じて第１および第２の入力巻線３
ａ．３ｂに流れる電流が、磁心組立体２の両脚部２ｃ．
２ｄで同じ割合で増減することになる。

第８図と第９図に示したＦＢ７４１．５１についても、
第２図のＦＢＴＩと同様の原理で第１および第２の入力
巻線３ａ，３ｂに流れる電流はほぼ等しくなる． また、第６図に示したＦＢ７２１は、各入力巻線８ａ，
８ｂ，９ａおよび９ｂを夫々磁心組立体２の別々の脚部
２ｃ，２ｄに装着することにより、各脚部２ｃ，２ｄに
装着された各直列接続巻線８．９に流れる電流値を略等
しくすることができる． 即ち、第１７図または第１８図に示した従来のＦ　Ｂ　
７　１０Ｇ，１１０と同じ条件で動作させた場合には、
各々の直列接続巻線８．９に流れる電流は、従来のＦ　
Ｂ　Ｔ　１００，１１０に比べ略半分になることを意味
している． 一般に、テレビジョン用のＦＢＴは、１５．７５ｋＨｘ
と３１．５ｋＨｚ付近の周波数で動作しており、コンビ
ュータの端末等に用いられているビデオターミナルディ
スプレイ（以下ＶＤＴと記す）の場合は、　１５．０ｋ
Ｈｚ　−　１２８ｋＨｘ位までの周波数で使われている
ものが多く、比較的高い周波数で動作しており、巻線部
分の発熱の原因となる銅損は、直流抵抗でなく高周波抵
抗が問題となる。

直流抵抗と高周波抵抗の関係は、同一材料の電線の場合
、近似的に、 ここで、　ＲＯ：直流抵抗 Ｒｅ：高周波抵抗 ｄ：導体の直径 ｆ：周波数 ｋ：比例定数 で表わされ、高周波抵抗は、表皮作用により抵抗が増加
するもので、周波数の平方根と導体直径に比例して増大
する。

表１は本実施例と従来例のＦＢＴの特性比較表である。

ここで、本実施例のように入力巻線が二分割され各々に
ほぼ同量の電流が流れるものと、従来例のように１箇所
のｔ＝線に全入力電流が流れる場合について巻線の抵抗
値損失を比較してみると表１のような結果となり、本実
施例の場合、従来例の約７０％になる． 一方、渦電流損Ｗｅは、 ■ 冒ｅ＝ｋｅ　−　ｆ２・　Ｂ２・　一　　・・・　　（
２）ρ ここで、　ｋｅ：比例定数 ｆ：周波数 Ｂ：磁束密度 Ｖ：導体（巻線電線）の体積 ρ：導体の抵抗率 で表わされ、周波数および磁束密度の二乗と導体体積に
比例し、導体の抵抗率に反比例する．従来例と本実施例
を比較すると、表１に示すように導体断面積が従来例の
半分、即ち、体積が半分になっており、しかも、ギヤッ
プスベーサの間隔もＡ以下になっているので、ギヤップ
スベーサより漏れ出て巻線の電線と鎖交する逆方向の磁
束の強さも小さくなるので渦電流損も半分以下となる． 第１０図は従来例のＦＢＴと本実施例のＦＢＴのコイル
温度上昇の測定結果を示すグラフである． 第１０図のグラフは、巻線電流が増せば増すほど本実施
例の方が有利となることを示している。

例えば、コイル温度上昇４０℃の点で比較すると従来例
（第１８図の構造）に比べ約１５７７倍（１６３Ｗ／９
２Ｗ）、従来例（第１７図の構造）に比べ約１．５１倍
（１６３Ｗ／１０８Ｗ）の実効入力で動作させられるこ
とになり、それだけ同じ大きさのＦＢＴなら取り扱える
定格電力を増すことが出来ることになる。

第１１図、第１２図はＦＢＴからの漏洩６１１界の測定
要領図、第１３図はＦＢＴからの漏洩磁界の測定結果を
示すグラフである。

第１２図に示すように，、ＦＢＴから漏れ出る漏洩磁束
を低周波漏洩磁界を測定出来る測定器（Ｃｏｍｂｉｎｏ
ｖａ社のＭＡＧＮＥＴＩＣ　ＦＩＥＬＤ　ＭＥＴＥＲ　
ＭＯＤＥＬ　ＭＦＭ１０００）を用いて、ＦＢＴの中心
点より前方５０ｃｍのＢ点とその円弧上と中心軸より上
、下４５℃の線との交点Ａ，Ｃ点の位置へｘ，ｙ，ｚ軸
の３方向からの磁界が測定出来るアンテナを設置する．
そして、３４１２図に示すようにＦＢＴの中心点を中心
に反時計方向にＦＢＴを回転させて、＾．Ａ２．＾３・
・・＾＋ｓ　；　Ｂｏ．Ｂ＋．８１・−Ｊｓ　；　Ｃｏ
．Ｃ１．Ｃｚ””Ｃ＋ｓの点での磁束密度の変化率ｄＢ
／ｄｔを測定する。

第１３図のグラフに示す測定結果より明らかなように第
１８図に示す構造の漏洩磁束低減対応品の従来例と本第
１実施例の漏洩磁束の変化率は、ほぼ同程度の値が得ら
れ、しかも取り扱える実効入力は第ｌＯ図示の如く従来
例の約１．７倍のものが得られると云う特徴を示してい
る． 本実施例は、磁心ギャップ位置が巻線外にあるにもかか
わらず、漏洩磁束対応品の従来のもの（第１８図の構成
）とほぼ同じレベルになる理由は、第１４図に示すよう
に、４ケ所の磁心ギャップ位置より漏洩磁束８０．９０
がそれぞれ矢印の方向に発生し、互いに打ち消す方向に
なっているためである． 更に、第１５図、第１６図は、夫々本発明のＦＢＴの別
の実施例の回路図であり、第１５図に示すＦＢ７６１は
、高電圧出力壱線４ａ，４ｂを高電圧整流ダイオードＤ
５を介して接続した例である．第１６図に示すＦＢＴ７
１は高電圧出力壱線４ａ，４ｂを高電圧整流ダイオード
Ｄ７〜Ｄ９、高電圧コンデンサＣ３，Ｃ４よりなる倍電
圧整流回路を介して接続した例である．このように、高
電圧出力巻線の整流方法はいくつかあるが、いかなる形
の整流回路を接続しても、本発明に係るフライバックト
ランス特有の効果を得ることができる。

以上に詳述した構成のＦＢＴを用いると、従来のＦＢＴ
に比べ取り扱える電力が約１．８倍に増すことができる
ので、従来と同じ電力で使用するなら、その分ＦＢＴを
小型にすることができる。しかも、ＦＢＴからの漏洩磁
界の量も従来のＦＢＴの漏洩磁界対応タイプ（第１８図
の構成）のものとほぼ同レベルのものが得られるので、
ＦＢＴが小型に出来る分取付位置を偏向ヨークに近ずけ
る（シャーシの中央部方向）ことが可能となり、画像表
示装置の側面部の寸法、即ち幅を一段と狭くすることが
可能となり、装置をよりコンパクトにまとめることが出
来る．また、ＦＢＴをシャーシの中央部付近に取り付け
ることが可能となるので、画像表示装置の全方向に亘っ
て、ＦＢＴからの漏洩磁界の強さがほぼ同じ強さになり
、漏洩磁界を低減させた偏向ヨークと組み合せて使用す
ることにより従来は、ＦＢＴが大きいためシャーシの端
部の方の側面に近い部分に取付けられており、ＦＢＴの
取り付け側の漏洩磁界が大きいので、これを減少させる
ためにＦＢＴ取付側の側面部または−ＦＢＴの囲りに磁
気シールドを設けていたが、本実施例のＦＢＴでは、前
述の理由でこの必要もなく、磁気シールドを設けなくと
も外部への漏洩磁界の少ない画像表示装置をコンパクト
（商品化することが出来る． （発明の効果） 入力壱線と高圧出力巻線をロ字形磁心の両脚部に装着し
、入力巻線は並列に、高圧出力巻線は直列に接続した巻
線の構成にすることにより、入力巻線に流れる電流をほ
ぼ二分割することができ、それぞれ入力巻線に流れる電
流を従来例のほぼ半分にできる。従って、導体断面積も
ほぼ半分にすることができるので、表皮効果による高周
波抵抗値の増加も少なくなり、それぞれの入力巻線の銅
損を少なく出来るとともに、磁路に設けるギャップスベ
ーサ挿入部を４ケ所以上にすることで、１ケ所当りのギ
ャップスベーサの厚さを従来例のＡ−％以下にすること
が出来る。従って、ギャップスベーサ挿入部からの漏洩
磁束の量もスペーサの厚さが薄くなればなるほど少なく
なり、巻線の導体径が半分以下に出来るのと相俟って、
漏洩磁界による巻線導体の渦電流損を半分以下に低減す
ることができ、巻線の極部的な発熱も少なくできる．さ
らに、第１実施例〜第３実施例のようにギヤップスペー
サの挿入位置を巻線部分の外部に設けるようにすること
により、その効果は一層大きく、従来例の場合と同じ大
きさの磁心な使用し、同じ実効入力で動作させた場合、
従来例で巻線温度上昇分が４０℃程度のとき、本願第１
実施例の構成では巻線温度上昇を約１０℃〜１５℃程度
低くすることができる．この値は、取り扱う電力で示す
と第１０図に示すように従来例Ｃ比べ約３〜５割増しの
電力が取り扱えることになり、それだけＦＢＴの小型・
軽量化が可能となる．一方、本実施例に示すように巻線
に対してほぼ対称の位置にギヤップスベーサを４ケ所以
上挿入することにより、ギャップスベーサ挿入部分より
漏れる磁界を少なくできることと、漏洩磁界同志を相殺
させることができること、および本実施例のような巻線
構成にすることにより壱線からの漏洩磁界も少なくなり
、ＦＢＴの周囲に漏れ出る磁界も少なく出来るので、Ｆ
ＢＴの周囲の部品や回路へ与える影響も少なくできる． 従って、ＦＢＴが小型化できるのと相俟ってＦＢＴをシ
ャーシの中央部付近に搭載することも可能となり、取り
付け上の制限や磁気シールドの必要性も少なくなりコン
パクトな陰極線管を用いた画像表示装置の実現と信頼性
の向上およびコスト力の強化等に大きく寄与出来る等々
の効果がある．

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明（係るＦＢＴの第１実施例の回路図、第
２図は同ＦＢＴの磁心および巻線の構造を示す断面図、
第３図は第２実施例のＦＢＴの回路図、第４図は同構造
を示す断面図、第５図は第３実施例の回路図、第６図は
同断面図、第７図はＦＢＴの第４実施例の断面図、第８
図はＦＢＴの第５実施例の断面図、第９図はＦＢＴの第
６実施例の断面図、第１０図は本発明の一実施例と従来
例の実効入力とコイル温度上昇分の関係を示すグラフ、
第１１図．第１２図はＦＢＴからの漏洩磁界の測定要領
図、第１３図は本発明の一実施例と従来例のＦＢＴから
の漏洩磁界の測定結果を示すグラフ、第１４図は漏洩磁
界の説明図、第１５図，第１６図は他の実施例を示す回
路図、第１７図．第１８図は従来のＦＢＴの構戒を示す
断面図、第１９図は第１８図のギャップスベーサ部の欠
点を説明する要部拡大断面図である。 １，１１．２１．３１，４１，５１，６１．７１・・・
フライバックトランス（ＦＢＴ）、２，３２．５２−・
・磁心組立体、２ａ〜２ｄ，３２ａ〜３２ｆ，５２〜５
　２　ｆ　・・・磁心、３・・・入力巻線、３ａ・・・
第１のλカ巻練、３ｂ・・・第２の入力巻線、４・・・
高電圧出力巻線、４ａ・・・第１の高電圧出力巻線、４
ｂ・・・第２の高電圧出力巻線、６．３３．５３・・・
ギヤップスベーサ、７・・・倍電圧整流回路、８・・・
第１の直列接続巻線、８ａ・・・第１の入力巻線、８ｂ
・・・第２の入力巻線、９・・・第２の直列接続巻線、
９ａ・・・第３の入力巻線、９ｂ・・・第４の入力巻線
。 特　許　出　願　人　　日本ビクター株式会社第 １ 図 第 ３ 図 第 ２ 図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも４個の磁心を用いて、少なくとも４ヶ
   所に磁心ギャップを備えるよう略ロ字型の磁心組立体を
   形成し、この磁心組立体の一方の脚部に第１の入力巻線
   と第１の高電圧出力巻線とを装着し、他方の脚部に第２
   の入力巻線と第２の高電圧出力巻線を装着し、これら第
   １および第２の入力巻線を並列に接続して入力巻線を形
   成し、第１および第２の高電圧出力巻線を直列に接続し
   て高電圧出力巻線を形成したことを特徴とするフライバ
   ックトランス。
2. （２）前記略ロ字型の磁心組立体は、対向配置された２
   個のＩ字型またはＵ字型磁心と、少なくとも１個の棒状
   型磁心からなる脚部を２個備え、前記Ｉ字型またはＵ字
   型磁心と前記脚部を構成する磁心との突き合せ部にギャ
   ップスペーサを介在させていることを特徴とする請求項
   １記載のフライバックトランス。
3. （３）前記略ロ字型の磁心組立体の両方の脚部またはい
   ずれか一方の脚部に低電圧出力巻線を装着したことを特
   徴とする請求項１記載のフライバックトランス。
4. （４）前記略ロ字型の磁心組立体の一方の脚部と他方の
   脚部にそれぞれ第１および第２の巻線を装着し、第１の
   巻線および第２の巻線を直列に接続して第１の直列接続
   巻線を形成し、同様に一方の脚部と他方の脚部に前記第
   １および第２の巻線とは異なる第３、第４の巻線をそれ
   ぞれ装着し、第３および第４の巻線を直列に接続して第
   ２の直列接続巻線を形成し、これら第１および第２の直
   列接続巻線を並列に接続して入力巻線を形成したことを
   特徴とするフライバックトランス。
5. （５）前記ロ字型の磁心組立体の両方の脚部に、漏洩磁
   束が小さくなるよう出力巻線を配分して装着したことを
   特徴とする請求項１または４記載のフライバックトラン
   ス。