JPH03165536A - コプラナリティ測定装置 - Google Patents

コプラナリティ測定装置

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JPH03165536A
JPH03165536A JP30609689A JP30609689A JPH03165536A JP H03165536 A JPH03165536 A JP H03165536A JP 30609689 A JP30609689 A JP 30609689A JP 30609689 A JP30609689 A JP 30609689A JP H03165536 A JPH03165536 A JP H03165536A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は表面実装型集積回路パッケージに設けられるリ
ードの形成状態を検出するコプラナリティ測定装置に関
する・ [従来の技術] 表面実装型集積回路パッケージでは、そのリード先端部
の位置の平坦性(コプラナリティ)が基板表面への実装
品質に大きな影響を与えるため、実装前にこれを測定し
て良品と不良品とを選別するようにしている。
第11図は従来のコプラナリティ測定装置の一例を示す
側面図である。
第11図に示すように、ステージ31上には被測定用の
表面実装型集積回路パッケージ(以下、パッケージとい
う)32が載置されている。パッケージ32は、その側
面から複数のり一ド33が水平に引き出され、それらの
り一ド33の先端部が下方にクランク状に折曲されたも
のとなっている。
ステージ31の上面の側方には、リード33に向けてカ
メラ34が設置されている。一方、カメラ34の下方に
は、リード33に向けて照明35が設置されている。そ
して、照明35から照射される光がリード33の先端部
及びステージ31の側面で反射してカメラ34により受
光されるようにカメラ34及び照明35の位置が調整さ
れている。
このように構成された従来のコプラナリテイ測定装置に
おいては、ステージ31上にパッケージ32を載置し適
当な手段で固定した後に、照明35を点灯させてリード
33の先端部付近に光を照射する。この光はリード33
の先端部及びステージ31の側面で反射され、その反射
光による画像がカメラ34により取り込まれる。取り込
まれた画像は所定の画像処理部によって二値化され、各
リード33の先端部の形状を示す切点群とステージ31
の側面の形状を示す問直線との間隔が算出される。そし
て、全算出結果の中から最大値を検索することによりパ
ッケージ32に設けられたり一ド33のコプラナリティ
が求められる。
第12図は従来のコブラナリテイ測定装置のその他の例
を示す側面図である。
この場合、照明36はパッケージ32を挟んでカメラ3
4と対向する位置に設置されている。従って、ステージ
31上にパッケージ32を固定した後に、照明35を点
灯させてリード33の先端部付近に光を照射すると、パ
ッケージ32とステージ31との間からり−ド33が投
影され、その投影光による画像がカメラ34により取り
込まれる。この投影光による画像は所定の画像処理部に
よって二値化され、各リード33の先端部の形状を示す
暗点群とステージ31の側面の形状を示す暗直線との間
隔が算出される。そして、全算出結果の中から最大値を
検索することによりパッケージ32に設けられたり−ド
33のコプラナリティが求められる。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上述した従来のコプラナリティ測定装置
においては、次のような問題点がある。
先ず、第11図に示すように反射光を利用する場合には
、リード33の先端部における切断面の切断状態又はメ
ツキ状態の違いにより、反射像の面積及び形状が著しく
変化する。また、この切断面の切断状態又はメツキ状態
は使用するロフトにより異なる。このため、リード33
の形状を正確に測定するためには、リード33の先端部
における切断面の状態に合わせて光源の輝度及び画像処
理部の二値化レベルを調整する必要があり、極めて作業
性が悪い。
一方、第12図に示すように投影光を利用する場合には
、カメラ34と照明36とをパッケージ32を挟んで対
向配置させなければならないので、1度にパッケージ3
2の隣接する2辺しか測定することができない。このた
め、全てのり一ド33を測定する場合には、パッケージ
32を平面方向に180@回転させて少なくとも2回測
定しなければならない。従って、リード33がステージ
31と接触する回数が増加し、リード33を曲げてしま
う可能性が高くなるので、品質管理上好ましくない。ま
た、パッケージ32の位置決め及びノ1ンドリングが必
要であるため、装置の処理能力を向上させることができ
ないという問題点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
検査時におけるリードの損傷を抑制できると共に、短時
間で表面実装型集積回路パッケージに設けられたリード
のコプラナリティを測定することができるコプラナリテ
ィ測定装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明に係るフブラナリティ測定装置は、その側面から
引き出された複数のリードの先端部が基板表面に接続さ
れる表面実装型集積回路パッケージを載置するステージ
と、前記パッケージの下側から前記リードの先端部に向
けて放射状に光を照射する光源と、前記パッケージの周
囲から前記リードに向けて設置された複数台のカメラと
、これらのカメラにより撮影された前記リードの画像情
報に基づいて前記リードのコプラナリティを算出するコ
プラナリティ算出手段とを有することを特徴とする。
[作用コ 本発明においては、ステージ上にパッケージを固定した
後に、リードの下側から前記リードの先端部へ向けて光
源の光を照射することにより全てのリードを放射方向に
同時に投影する。この投影光は前記ステージの周囲に設
置された複数台のカメラによって受光されるので、全て
のリードの形状を同時に撮影することができる。コプラ
ナリティ算出手段は、この受光された投影光に基づいて
全てのリードのコプラナリティを算出する。これにより
、1回の投影によってパッケージの全てのリードのコプ
ラナリティが測定される。
従って、本発明によれば、パッケージの位置決め回数及
びハンドリング回数を削減することができるので、検査
時におけるリードの損傷を抑制することができると共に
、短時間で表面実装型集積回路パッケージに設けられた
リードのコプラナリティを測定することができる。
[実施例コ 次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。
第1図は本発明の第1の実施例に係るコプラナリティ測
定装置を示すブロック図である。
第1図に示すように、立方体状のステージ1は、その側
面からリード3が引出された表面実装型の被測定パッケ
ージ(D UT ;  Devlce Under t
heTest) 2を載置し固定する台である。このス
テージ1の周囲には、その各側面上端縁に向けてステー
ジ1の上面の高さにカメラ4a乃至4dが夫々配設され
ている。
カメラ4a乃至4dの出力信号は、画像処理部を構成す
るCPU5に入力されている。このCPU5は、その機
能から画像取込部6、二値化処理部8、データ収集部1
0及び判定部12を備えたものとなっている。即ち、カ
メラ4a乃至4dの出力信号は、画像取込部6によって
取込まれ、フレームメモリ7に書き込まれた後に、二値
化処理部8に入力される。二値化処理部8の出力信号は
画像メモリ9に書き込まれた後にデータ収集部10に入
力される。データ収集部10の出力信号は、外部記憶装
置11に蓄積されると共に、判定部12に入力される。
判定部12の判定結果はCPU5から出力されてCRT
13に表示される。また、ビデオモニタ14は、フレー
ムメモリ7又は画像メモリ9からの画像信号をスイッチ
swの状態に従って選択的に表示する。
第2図は上述のコプラナリティ測定装置を検査部に配置
したDUT2の検査装置を示すブロック図である。
DUT2は供給部15から供給される。各DUT2は搬
送アーム18によって真空吸着されて検査部17に搬送
される。検査部17は、上述のコプラナリティ測定装置
により構成され、その周囲がカバーされてその内部が暗
室をなしている。検査部17において検査されたDUT
2は、再び搬送アーム16により搬送され、不良品であ
る場合には不良品収納部18へ格納され、良品である場
合には良品格納部19へ格納される。
第3図は本実施例に係るコプラナリティ測定装置におけ
るステージ1の周辺構造の側面図、第4図はその平面図
、第5図はその斜視図である。
ステージ1は全体が立方体状で中空部が形成されたもの
であり、その上面には前記中空部に連通ずる矩形状の開
口部が形成されている。ステージlの上記開口部には、
反射盤20が非接触状態で嵌合されている。この反射盤
20は、その上面がステージ1の開口部と路間−の大き
さであり、この上面と側面とのなす角度が60″の逆形
等脚台形をなし、この側面が鏡面仕上されたものとなっ
ている。また、反射盤20の底面の4隅には反射盤20
を支持する支持足が下方に向けて突設されている。そし
て、反射盤20は、その上面がステージ1の上面より例
えば約0.07mm高くなるようにステージ1の開口部
内に配置されており、この開口部の4辺と反射盤20の
4辺との間隔が等しくなるように位置決めされている。
反射盤20の各側面の下方には、光源21が設置されて
いる。
ステージ1の上面における前記開口部の各辺の両端近傍
位置には、各辺に対して垂直方向にクランプ#f22が
設けられている。一方、ステージ1の側壁には、各クラ
ンプ溝22に対応させて前記側壁を貫通するようにシリ
ンダ23が夫々設けられており、これらシリンダ23に
は、図示しない真空バルブがステージ1の外側から接続
されている。そして、第6図に示すように、各クランプ
溝22には、L字状のクランプ24が、その先端部がス
テージ1の上面に突出するように夫々装着され、クラン
プ24の基端部がシリンダ23に進退自在に挿入されて
いる。また、各クランプ24は、その先端の反射盤20
側に凹部(クランプ爪)が夫々形成されている。更に、
クランプ24の基端部とステージ1の側壁内面との間に
はスプリング25が介装されており、自然杖態において
クランプ24を反射盤20側に付勢している。
次に、このように構成されたコプラナリティ測定装置を
使眉してDUT2を測定する場合について説明する。
なお、ここでは、例えば、0UT2としてQFP (Q
uad Flat Package)型の表面実装型集
積回路パッケージを使用した場合について説明する。
このDUT2はその側面から複数本のり一ド3が水平に
引き出され、その先端部が下方にクランク状に折曲され
たものとなっている。
この場合、先ず、供給部15から供給されるパッケージ
2を搬送アーム16により真空吸着し、検査部17に搬
送する。このとき、シリンダ23に接続された真空バル
ブを作動させ、全てのクランプ24を吸引することによ
りクランプ24の先端部が反射盤2側から離れるように
する。そして、ステージ1の上方的Is■で真空吸着を
解除してDUT2をステージ1上に落下させる。
次に、真空バルブを停止させると、スプリング25の弾
性によってクランプ24が反射盤20側に押し出される
ので、DUT2は各クランプ24のクランプ爪によって
固定される。
次いで、光源21を点灯させると、光源21の拡散光が
反射盤20の鏡面仕上された側面で反射され、DUT2
の下方から全てのリード3の先端部に向けてこの拡散光
が照射される。これにより、全てのり−ド3が放射方向
に投影され、この投影光、即ちリード3の形状を示す画
像がカメラ4a乃至4dにより撮影される。
カメラ4a乃至4dにより撮影された画像は、画像取込
部6により取込まれ、8ビツトの多階調データとしてフ
レームメモリ7に書き込まれる。
フレームメモリ7に書き込まれたデータは、二値化処理
部8に入力され、二値画像データとして画像メモリ9に
書き込まれる。また、フレームメモリ7に書き込まれた
多階調画像データ又は画像メモリ9に書き込まれた二値
画像データは、ビデオモニタ14により常時モニタする
ことができる。
第7図はビデオモニタ14によりモニタされた二値画像
の一例を示す模式図である。この場合、リード3の形状
及びステージ1の側面の形状は暗部(図中斜線部)とし
て表示されている。
この二値画像データはデータ収集部10に入力される。
データ収集部10においては、先ず、ステージエの上面
の任意の2点A、Bを測定し、この延長線が水平軸とな
るようにデータのキャリプレーシーンを行ない、更に、
この水平軸が画像のY方向に関する基準軸(Y=O)と
なるようにデータの座標変換が行なわれる。次に、A−
B線の上方のり一ド3を示す画像の任意の位置にA−B
線と平行なC−D線を引き、各リード3との交線及びこ
の交線の中点を求める。更に、この中点を通ってC−D
線と直交する直線を引き、この直線が最初に交わる各リ
ード3の先端部線分を求める。
即ち、この線分が各リード3の下端部の位置を示す。そ
して、この線分の両端座標を求め、その中点をリード3
の座標データE□乃至E5としてデータ収集部10で収
集する。
この座標データE、乃至E15は、必要に応じて外部記
憶装置11に蓄積されると共に、判定部12に入力され
る。そして、判定部12では、座標データE1乃至El
sの最大値によってDUT2に形成されたり−ド3の良
否が判定される。この判定結果はCRT13に表示され
る。
このようにして、検査部17においてリード3のコプラ
ナリティが測定されたDUT2は、再び搬送アーム18
により搬送され、不良品である場合には不良品収納部1
8に格納され、良品である場合には良品収納部19に格
納される。
本実施例においては、検査部17にてDUT2の全ての
り一ド3のコプラナリティを同時に測定することができ
るので、従来のようにCUT2を測定回数に応じて回転
させる必要がない。このため、リード3の損傷を抑制で
きると共に、短時間でそのコプラナリティを測定するこ
とができる。
次に、本発明の第2の実施例について説明する。
第8図は本発明の第2の実施例に係るコプラナリティ測
定装置のステージ部分を示す側面図、第9図はその斜視
図、第10図はその光源装置を抽出して示す斜視図であ
る。本実施例は、先の実施例に対し光源装置が異なる実
施例であるので、第1図乃至第8図と同一物には同一符
号を付してその部分の詳細な説明は省略する。
ステージ1aの上面には、DUT2がセットされた際に
その各辺のリード3が位置する部分に、夫々長方形の開
口部が形成されている。この開口部には、夫々プリズム
固定台28が嵌合されている。
プリズム固定台28は0UT2の1辺と路間−長ををす
る直方体をなし、その上面にはプリズム27がその下面
を密着させて固定されている。プリズム27は、その一
方の側面が蒸着面28となっでおり、この蒸着面28が
ステージ1aの内側に向いた状態でプリズム固定台26
に取り付けられている。また、オプティカルファイバ2
9は、その一端がプリズム固定台26を下方から挿通し
てプリズム27に接続され、他端が図示しない光源に接
続されたものとなっている。
このように構成されたコプラナリティ測定装置において
、図示しない光源からオプティカルファイバ29を介し
て発せられた光はプリズム27によって屈折され、蒸着
面28で反射されてリード3に照射される。これにより
、カメラ4a乃至4dによってリード3の投影光を得る
ことができる。
本実施例においては、プリズム27がCUT2の本体と
り−ド3との間に突出するように構成されているので、
DUT2のスタンドオフが0である場合、即ち、DUT
2がステージ1aに密着する場合でも、リード3のコプ
ラナリティを測定することができる。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、パッケージに形成
されたリードの内側からこのリードに光を照射し、この
投影画像を周囲に設置された複数台のカメラにより取り
込むことができるので、全てのリードのコプラナリティ
を同時に測定することができる。
従って、被測定パッケージの位置決め開数及びハンドリ
ング回数を夫々1回に削減することができるので、検査
時におけるリードの損傷を最小限に抑制することができ
ると共に、検査時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例に係るコプラナリティ測
定装置を示すブロック図、第2図は同測定装置を検査部
に配置した被測定パッケージの検査装置を示すブロック
図、第3図は同測定装置のステージ部を示す側面図、第
4図はその平面図、第5図はその斜視図、第6図は被測
定パッケージの固定装置を示す断面図、第7図は同測定
装置によりモニタされる二値画像の一例を示す模式図、
第8図は本発明の第2の実意例に係るコプラナリティ測
定装置のステージ部を示す側面図、第8図はその斜視図
、第10図はその光源装置を抽出して示す斜視図、第1
1rXi及び第12図は従来のコプラナリティ測定装置
の一例を示す側面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)その側面から引き出された複数のリードの先端部
    が基板表面に接続される表面実装型集積回路パッケージ
    を載置するステージと、前記パッケージの下側から前記
    リードの先端部に向けて放射状に光を照射する光源と、
    前記パッケージの周囲から前記リードに向けて設置され
    た複数台のカメラと、これらのカメラにより撮影された
    前記リードの画像情報に基づいて前記リードのコプラナ
    リティを算出するコプラナリティ算出手段とを有するこ
    とを特徴とするコプラナリティ測定装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0560096A2 (en) * 1992-02-18 1993-09-15 Nec Corporation Apparatus for measuring bend amount of IC leads
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