JPH03165514A - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び製造装置Info
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- JPH03165514A JPH03165514A JP30631089A JP30631089A JPH03165514A JP H03165514 A JPH03165514 A JP H03165514A JP 30631089 A JP30631089 A JP 30631089A JP 30631089 A JP30631089 A JP 30631089A JP H03165514 A JPH03165514 A JP H03165514A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体基板を枚葉式に急速加熱するプロセスにおいて、
特に、赤外線放射温度削を用いた温度管理に関し、 各半導体基板の放射率が種々の因子によって変動しても
安定した温度管理を行なうことを目的とし、 半導体基板の放射率を急速熱処理直前に算出し、放射率
を算出された半導体基板を急速熱処理するに際し、該算
出された放射率に基づいて急速熱処理室における半導体
基板の温度を算出し、各半導体基板を所定の温度で熱処
理するよう１１１１１する構成とする。
特に、赤外線放射温度削を用いた温度管理に関し、 各半導体基板の放射率が種々の因子によって変動しても
安定した温度管理を行なうことを目的とし、 半導体基板の放射率を急速熱処理直前に算出し、放射率
を算出された半導体基板を急速熱処理するに際し、該算
出された放射率に基づいて急速熱処理室における半導体
基板の温度を算出し、各半導体基板を所定の温度で熱処
理するよう１１１１１する構成とする。
本発明は、半導体基板を枚葉式に急速加熱するプロセス
において、特に、赤外線放射温度計を用いた温度管理に
関する。
において、特に、赤外線放射温度計を用いた温度管理に
関する。
半導体基板を枚葉式に急速加熱するプロセスとｂてＲａ
ｐｉｄ−丁ｈｅｒｍａｌ−Ａ ｎｎｅａｌｉｎｇ （Ｐ
Ｔ Ａ ）処理やＲａｐｉｄ−Ｔ ｈｅｒｍａｌ−０
ｘｉｄａｔｉｏｎ （ＲＴ Ｏ）処理が知られており、
近年の半導体装置の製造工程でよく用いられている。Ｒ
ＴＡ処理では、急速加熱（例えば１０ｓｅｃ＞を行なう
ことにより、例えばドレインやソースの浅い拡散接合を
糾御性良く形成したり、又、ドレインやソースのコンタ
クトホールにおける基板面に薄いシリサイド層を形成す
る。一方、８丁０処唾では、急速加熱（例えば数ＩＱｓ
ｅｃ）を行なうことにより、例えば１００人〜１５０人
程度の薄いゲート酸化膜を形成する。このように、ＰＴ
Ａ処理及びＲＴＯ処理は、従来の炉処理では困難であっ
た浅い拡散接合や薄い酸化シリコン族等の形成を制御性
よく形成できることから、近年に亘って積極的に研究さ
れている。
ｐｉｄ−丁ｈｅｒｍａｌ−Ａ ｎｎｅａｌｉｎｇ （Ｐ
Ｔ Ａ ）処理やＲａｐｉｄ−Ｔ ｈｅｒｍａｌ−０
ｘｉｄａｔｉｏｎ （ＲＴ Ｏ）処理が知られており、
近年の半導体装置の製造工程でよく用いられている。Ｒ
ＴＡ処理では、急速加熱（例えば１０ｓｅｃ＞を行なう
ことにより、例えばドレインやソースの浅い拡散接合を
糾御性良く形成したり、又、ドレインやソースのコンタ
クトホールにおける基板面に薄いシリサイド層を形成す
る。一方、８丁０処唾では、急速加熱（例えば数ＩＱｓ
ｅｃ）を行なうことにより、例えば１００人〜１５０人
程度の薄いゲート酸化膜を形成する。このように、ＰＴ
Ａ処理及びＲＴＯ処理は、従来の炉処理では困難であっ
た浅い拡散接合や薄い酸化シリコン族等の形成を制御性
よく形成できることから、近年に亘って積極的に研究さ
れている。
ところで、半導体基板面に形成された躾の種類やその膜
厚、凹凸状態等により、加熱パワーが同じであっても基
板面温度が異なってくる。このため、前記のような急速
加熱を行なうプロセスでは温度の再現性が正確に確保さ
れているか否かで処理の安定性が決定され、この意味で
温度管理が重要である。
厚、凹凸状態等により、加熱パワーが同じであっても基
板面温度が異なってくる。このため、前記のような急速
加熱を行なうプロセスでは温度の再現性が正確に確保さ
れているか否かで処理の安定性が決定され、この意味で
温度管理が重要である。
（従来の技術〕
従来、前記の枚葉式急速加熱処理プロセスにおける温度
測定は、熱雷対を被処理物に接触させる方法がとられて
いた。然るにこの方法は熱電対の温度応答性が遅いこと
等から、近年では、赤外線放射温度計を用いて温度測定
を行なうことが多くなってきている。
測定は、熱雷対を被処理物に接触させる方法がとられて
いた。然るにこの方法は熱電対の温度応答性が遅いこと
等から、近年では、赤外線放射温度計を用いて温度測定
を行なうことが多くなってきている。
前述の赤外線放射温度計は被処理物から放射されている
赤外線エネルギ量を検出しているだけであり、被処理物
の放射率が分らないとその温度が求められない、即ち、
赤外線放射温度計の出力である測定値１（赤外線エネル
ギ量）は、放射率εと温度Ｔを関数にもつエネルギＥ
（Ｔ）との積（つまり、■＝εＥ （Ｔ） ）であるの
で、測定値！を求めても被処理物の温度を求めたことに
ならない。そこで、通常、前述のような熱電対によっで
ある人の被処理物に対する飽和温度Ｔを測定してＥ（［
）を求め、（−εＥ （Ｔ）の式から放射率ε（一定）
を予め求めておき、他の被処理物に対してこの求められ
た放射率εから前記式によってその被処理物の温度を求
めている。
赤外線エネルギ量を検出しているだけであり、被処理物
の放射率が分らないとその温度が求められない、即ち、
赤外線放射温度計の出力である測定値１（赤外線エネル
ギ量）は、放射率εと温度Ｔを関数にもつエネルギＥ
（Ｔ）との積（つまり、■＝εＥ （Ｔ） ）であるの
で、測定値！を求めても被処理物の温度を求めたことに
ならない。そこで、通常、前述のような熱電対によっで
ある人の被処理物に対する飽和温度Ｔを測定してＥ（［
）を求め、（−εＥ （Ｔ）の式から放射率ε（一定）
を予め求めておき、他の被処理物に対してこの求められ
た放射率εから前記式によってその被処理物の温度を求
めている。
（発明が解決しようとする課題〕
ところで、放射率εは被処理物の材料、構造。
表面状態等多くの因子に依存していることは周知のこと
である。前記従来の方法は、被処理物の放射率εが上記
のような因子によって変動するとその都度放射率の較正
を行なわなければならず、半導体製造装置において適切
な温度管理ができない内題点があった。
である。前記従来の方法は、被処理物の放射率εが上記
のような因子によって変動するとその都度放射率の較正
を行なわなければならず、半導体製造装置において適切
な温度管理ができない内題点があった。
本発明は、各半導体基板の放射率が棲々の因子によって
変動しても安定した温度管理を行ない得るマ導体装置の
製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
変動しても安定した温度管理を行ない得るマ導体装置の
製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
第１図は本発明の原理図を示す。上記問題点は、同図（
Ａ）に示す如く、搬入された半導体基板に急速熱処理を
施すプロセスにおいて、 半導体基板の放射率を急速熱処理直前に算出する工程と
、該放射率を算出された半導体基板を急速熱処理するに
際し、該算出された放射率に基づいて急速熱処理室にお
ける半導体基板の温度を算出し、各半導体基板を所定の
温度で熱処理するよう！１ｌＪＩＩする工程とを含むこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決され
る。そこで、本発明は、同図（Ｂ）に示す如く、半導体
基板の放射率を算出する放射率算出手段４０と、該算出
された放射率に基づいて急速熱処理室における半導体基
板の温度を算出し、各半導体基板を所定の瀧度で熱処理
するように統御する急速熱処理手段４１とを設けた構成
とする。
Ａ）に示す如く、搬入された半導体基板に急速熱処理を
施すプロセスにおいて、 半導体基板の放射率を急速熱処理直前に算出する工程と
、該放射率を算出された半導体基板を急速熱処理するに
際し、該算出された放射率に基づいて急速熱処理室にお
ける半導体基板の温度を算出し、各半導体基板を所定の
温度で熱処理するよう！１ｌＪＩＩする工程とを含むこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決され
る。そこで、本発明は、同図（Ｂ）に示す如く、半導体
基板の放射率を算出する放射率算出手段４０と、該算出
された放射率に基づいて急速熱処理室における半導体基
板の温度を算出し、各半導体基板を所定の瀧度で熱処理
するように統御する急速熱処理手段４１とを設けた構成
とする。
半導体基板の放射率εを急速熱処理直前に算出し、次に
、急速熱処理室における半導体基板の放射率エネルギＩ
を求め、Ｉ−εＥ （Ｔ）から上記算出された放射率ε
に基づいて急速熱処理室における半導体基板の温度Ｔを
求める。そして、この温度ｒに基づき、°８半導体基板
を所定の一度で熱処理するように１３１１１する。本発
明によれば、各半導体基板の夫々の放射率に基づいて各
半導体基板を一定温度を熱処理するようにしているので
、種々の因Ｔに依存して各半導体基板の放射率が夫々異
なっていてもこれに左右されずに適正な温度管理を行な
い得、急速熱処理を安定にできる。
、急速熱処理室における半導体基板の放射率エネルギＩ
を求め、Ｉ−εＥ （Ｔ）から上記算出された放射率ε
に基づいて急速熱処理室における半導体基板の温度Ｔを
求める。そして、この温度ｒに基づき、°８半導体基板
を所定の一度で熱処理するように１３１１１する。本発
明によれば、各半導体基板の夫々の放射率に基づいて各
半導体基板を一定温度を熱処理するようにしているので
、種々の因Ｔに依存して各半導体基板の放射率が夫々異
なっていてもこれに左右されずに適正な温度管理を行な
い得、急速熱処理を安定にできる。
第２図は本発明によるプロセスを説明する図を示す。処
理される半導体基板は入口側カセット室１から搬入され
て入口側ロードロック２．仕切弁３ａを介して放射率算
出モジュール４（第３図）に入り、ここで後述の如く放
射率εが算出される。
理される半導体基板は入口側カセット室１から搬入され
て入口側ロードロック２．仕切弁３ａを介して放射率算
出モジュール４（第３図）に入り、ここで後述の如く放
射率εが算出される。
放射率εを算出された基板は仕切弁３ｂ、中間ロード０
ツク５．仕切弁３Ｃを介して枚葉式の急速熱処理室（第
５図）に入り、ここで、放射率篩用モジ１−ル４にて求
められた放射率εを用いて補正された温度にて急速熱処
理を施される。急速熱処理を施された基板は仕切弁３ｄ
、出ロ側Ｏ−ド０ツク７を介して出口側カセット室８に
入り、ここから外部に搬出される。
ツク５．仕切弁３Ｃを介して枚葉式の急速熱処理室（第
５図）に入り、ここで、放射率篩用モジ１−ル４にて求
められた放射率εを用いて補正された温度にて急速熱処
理を施される。急速熱処理を施された基板は仕切弁３ｄ
、出ロ側Ｏ−ド０ツク７を介して出口側カセット室８に
入り、ここから外部に搬出される。
放射率篩用モジュール４は第３図に示す構成とされてお
り、大略、真空チャンバ１０、クライオポンプ１１、ヒ
ータブロック１２、放射温度計１３１．１３２、演算部
１４（例えばマイクロコンピュータにて構成されている
）、温度帽■１１５等からなる。ヒータブロック１２は
第４図に示す如く、加熱ステージ２０にヒータ２１ａ。
り、大略、真空チャンバ１０、クライオポンプ１１、ヒ
ータブロック１２、放射温度計１３１．１３２、演算部
１４（例えばマイクロコンピュータにて構成されている
）、温度帽■１１５等からなる。ヒータブロック１２は
第４図に示す如く、加熱ステージ２０にヒータ２１ａ。
２１ｂを埋設されており、又、貫通孔２０１、貫通して
いない補助孔２０２が設けれられている。
いない補助孔２０２が設けれられている。
貫通孔２０１には放射温度計１３＋の集光部２２１゜補
助孔２０２には放射温度計１３２の集光部２２２が夫々
対向設置されている。ヒートブロック２１８゜２１ｂの
温度は、集光部２２２を介して接続されている放射温度
Ｆ１１３２（第３図）にて検出された温度に基づいて温
度調節計１５により所定温度に１ＩｌＩＷＪされている
。又、加熱ステージ２０にはアルゴン等の不活性ガス導
入口２３が設けられている。半導体基板２４は加熱ステ
ージ２０の前面に当接され、その裏面と加熱ステージ２
０の前面凹部２０ａとの間に形成された微小な空隙にガ
ス導入口２３から貫通孔２０３を経て導入して充満され
る不活性ガスの介在により熱エネルギを伝達され、効率
的に警部される。第４図に示すヒータブロック１２の構
造は、基本的には特開平１−１１４７２７号公報（発明
の名称「放射温度測定装置」）に記載されている加熱ブ
ロックと同じものである。
助孔２０２には放射温度計１３２の集光部２２２が夫々
対向設置されている。ヒートブロック２１８゜２１ｂの
温度は、集光部２２２を介して接続されている放射温度
Ｆ１１３２（第３図）にて検出された温度に基づいて温
度調節計１５により所定温度に１ＩｌＩＷＪされている
。又、加熱ステージ２０にはアルゴン等の不活性ガス導
入口２３が設けられている。半導体基板２４は加熱ステ
ージ２０の前面に当接され、その裏面と加熱ステージ２
０の前面凹部２０ａとの間に形成された微小な空隙にガ
ス導入口２３から貫通孔２０３を経て導入して充満され
る不活性ガスの介在により熱エネルギを伝達され、効率
的に警部される。第４図に示すヒータブロック１２の構
造は、基本的には特開平１−１１４７２７号公報（発明
の名称「放射温度測定装置」）に記載されている加熱ブ
ロックと同じものである。
次に、本発明における基板の放射率算出手段及び温度管
理について説明する。
理について説明する。
まず、基板２４は膜の形成されている面を下側にされて
放射率算出モジュール４の真空チャンバ１０内に水平方
向に搬送され、ヒータブロック１２の直前位置で停止さ
れる。次に、基板２４は垂直に立てられ、第４図に示す
如く、加熱ステージ２０の前面に、躾の形成されている
面と反対面が対向するように当接される。
放射率算出モジュール４の真空チャンバ１０内に水平方
向に搬送され、ヒータブロック１２の直前位置で停止さ
れる。次に、基板２４は垂直に立てられ、第４図に示す
如く、加熱ステージ２０の前面に、躾の形成されている
面と反対面が対向するように当接される。
ここで、基板２４を加熱ステージ２０前面に当接したと
き、貫通孔２０１に対応して設けられた放射温度計１３
＋の出力１は、 Ｉ＝εＥ （Ｔｗ）＋ＲＥ （ＴＨ） （１
）となる。ここに、εは基板２４の放射率、Ｒは基板２
４の裏面での反射率、Ｅ（１ｗ）は基板２４の温度［Ｗ
を関数にもつ放射エネルギ、Ｅ（ＴＨ）は加熱ステージ
２０の温度ＴＨを関数にもつ放射１ネルギを示す。即ち
、（１）式の第１項は基板２４からの放射エネルギの寄
与分、第２項は加熱ステージ２０の貫通孔２０＋の内壁
からの放射エネルギが基板２４の裏面で反射したものの
寄与分である。
き、貫通孔２０１に対応して設けられた放射温度計１３
＋の出力１は、 Ｉ＝εＥ （Ｔｗ）＋ＲＥ （ＴＨ） （１
）となる。ここに、εは基板２４の放射率、Ｒは基板２
４の裏面での反射率、Ｅ（１ｗ）は基板２４の温度［Ｗ
を関数にもつ放射エネルギ、Ｅ（ＴＨ）は加熱ステージ
２０の温度ＴＨを関数にもつ放射１ネルギを示す。即ち
、（１）式の第１項は基板２４からの放射エネルギの寄
与分、第２項は加熱ステージ２０の貫通孔２０＋の内壁
からの放射エネルギが基板２４の裏面で反射したものの
寄与分である。
この場合、基板２４をヒータブロック１２に当接した直
後、基板２４はまだ加熱されていないため、基板２４の
温度Ｔｗは加熱ステージ２０の温度ＴＨに比して十分小
さいため、放射エネルギＥ （ｒｗ）、Ｅ （ＴＨ）は
、Ｅ （Ｔｗ ） ＜Ｅ（ＴＨ）となる。一方、基板２
４の透過率をμ０とすると、一般に、ε＋Ｒ十μ。−１
なる関係にあるが、測定測長として基板２４を透過しな
い波長（例えば０．９μ園）を選べば透過率μ０ｓａＱ
となり、Ｒ−１−εとなる。従って、基板２４を加熱ス
テージ２０前面に当接した直後の放射温度計１３＋の出
力ｉｏは、Ｅ （Ｔｗ ） ＜Ｅ（ＴＨ）より巾式の第
１項を無視して、 １゜〜（１−ε）Ｅ（ＴＨ） となり、放射率εは、 ε−１（Ｉｏ／Ｅ（ＴＨ）） ■となる。
後、基板２４はまだ加熱されていないため、基板２４の
温度Ｔｗは加熱ステージ２０の温度ＴＨに比して十分小
さいため、放射エネルギＥ （ｒｗ）、Ｅ （ＴＨ）は
、Ｅ （Ｔｗ ） ＜Ｅ（ＴＨ）となる。一方、基板２
４の透過率をμ０とすると、一般に、ε＋Ｒ十μ。−１
なる関係にあるが、測定測長として基板２４を透過しな
い波長（例えば０．９μ園）を選べば透過率μ０ｓａＱ
となり、Ｒ−１−εとなる。従って、基板２４を加熱ス
テージ２０前面に当接した直後の放射温度計１３＋の出
力ｉｏは、Ｅ （Ｔｗ ） ＜Ｅ（ＴＨ）より巾式の第
１項を無視して、 １゜〜（１−ε）Ｅ（ＴＨ） となり、放射率εは、 ε−１（Ｉｏ／Ｅ（ＴＨ）） ■となる。
０式の右辺中、１０は放射温度計１３＋の出力、Ｅ（Ｔ
Ｈ）は加熱ステージ２０の補助孔２０２に対応した放射
温度計１３２による測定温度°丁Ｈから求められるので
、放射率εを算出できる。これらの演算は演算部１４に
て行なわれる。
Ｈ）は加熱ステージ２０の補助孔２０２に対応した放射
温度計１３２による測定温度°丁Ｈから求められるので
、放射率εを算出できる。これらの演算は演算部１４に
て行なわれる。
放射率εは第６図（Ａ） （酸化シリコン膜（ＰＳＧｌ
ｌ）の場合）、（Ｂ） （窒化シリコン膜の場合）に示
す如く、基板２４の表面に形成された躾の種類やその膜
厚によって大幅に変化する。
ｌ）の場合）、（Ｂ） （窒化シリコン膜の場合）に示
す如く、基板２４の表面に形成された躾の種類やその膜
厚によって大幅に変化する。
このようにして放射率εを求められた基板２４は放射率
篩用モジュール４から取出され、中間ロード０ツク５を
介して急速熱処理室６に入れられる。急速熱処理室６は
第５図に示す構成とされており、基板２４はチャンバ３
０内に設置され、ランプ光源３１からの放射熱によって
急速熱処理される。このとき、放射温度計３２にて基板
２４の放射エネルギが測定され、この測定値ＩＴ＋は第
３Ｎに示すモジュール４で算出された放射率εと共に演
算部３３（例えばマイクロコンピュータで構成されてい
る）に入れられ、演算部３３では、放射率ε、測定値１
１をもとに、ＩＴｌ＝εＥ （Ｔ）から温度［が算出さ
れる。これにより、急速熱処理を行なう基板２４に対し
て適切な温度（例えば１０００℃）となるようにランプ
電源３４を制御する。
篩用モジュール４から取出され、中間ロード０ツク５を
介して急速熱処理室６に入れられる。急速熱処理室６は
第５図に示す構成とされており、基板２４はチャンバ３
０内に設置され、ランプ光源３１からの放射熱によって
急速熱処理される。このとき、放射温度計３２にて基板
２４の放射エネルギが測定され、この測定値ＩＴ＋は第
３Ｎに示すモジュール４で算出された放射率εと共に演
算部３３（例えばマイクロコンピュータで構成されてい
る）に入れられ、演算部３３では、放射率ε、測定値１
１をもとに、ＩＴｌ＝εＥ （Ｔ）から温度［が算出さ
れる。これにより、急速熱処理を行なう基板２４に対し
て適切な温度（例えば１０００℃）となるようにランプ
電源３４を制御する。
前述のように放射率εは各基板表面の凹凸状態。
膜質、膜厚等によって異なるが、これを無視して放射率
εが例えば０．６〜０．９にばらつ０て（′％る基板を
例えば０．６の値に固定して１０００℃で急速熱処理を
行なうと第７図に破線で示すように基板温度に大ぎなば
らつきを示す。然るに、本発明のように各基板に夫々対
応した放射率に基づいて適正な温度管理を行なった場合
は、同図に実線で示すように基板温度のばらつきが大幅
に減少する。このように、各基板の因子に依存する放射
率に左右されずに各基板の温度管理を適正に行なってい
るので、急速熱処理を安定に行なうことができる。
εが例えば０．６〜０．９にばらつ０て（′％る基板を
例えば０．６の値に固定して１０００℃で急速熱処理を
行なうと第７図に破線で示すように基板温度に大ぎなば
らつきを示す。然るに、本発明のように各基板に夫々対
応した放射率に基づいて適正な温度管理を行なった場合
は、同図に実線で示すように基板温度のばらつきが大幅
に減少する。このように、各基板の因子に依存する放射
率に左右されずに各基板の温度管理を適正に行なってい
るので、急速熱処理を安定に行なうことができる。
以上説明した如く、本発明によれば、急速熱処理の前に
各基板の放射率を求めてこれに基づいて各基板に対して
所定温度になるように熱処理しているので、各基板の放
射率が種々の因子により変動しても適正な温度管理がで
き、急速熱処理を安定に行なうことができる。
各基板の放射率を求めてこれに基づいて各基板に対して
所定温度になるように熱処理しているので、各基板の放
射率が種々の因子により変動しても適正な温度管理がで
き、急速熱処理を安定に行なうことができる。
第１図は本発明の原理図、
第２図は本発明によるプロセスを説明する図、第３図は
放射率算出モジュールの構成図、第４図はヒータブロッ
クの構成図、 第５図は急速熱処理室の構成図、 第６図は膜厚、膜質の違いによる放射率の違いを説明す
る図、 第７図は従来及び本発明における処理基板温度のばらつ
きを示す因である。 図において、 １は入口側カセット室、 ４は放射率算出モジュール、 ６は急速熱処理室、 ８は出口側カセット室、 １０は貴空チャンバ、 １２はヒータブロック、 １３＋ 、１３２．３２は放射温度計、１４．３３は演
算部、 ２０は加熱ステージ、 ２０１は貫通孔、 ２０２は補助孔、 ２３はガス導入口、 ２４は半導体基板、 ３０はチャンバ、 ３１はランプ光源、 ３４はランプ電源、 ４０は放射率算出手段、 ４１は急速熱処理手段 をホす。
放射率算出モジュールの構成図、第４図はヒータブロッ
クの構成図、 第５図は急速熱処理室の構成図、 第６図は膜厚、膜質の違いによる放射率の違いを説明す
る図、 第７図は従来及び本発明における処理基板温度のばらつ
きを示す因である。 図において、 １は入口側カセット室、 ４は放射率算出モジュール、 ６は急速熱処理室、 ８は出口側カセット室、 １０は貴空チャンバ、 １２はヒータブロック、 １３＋ 、１３２．３２は放射温度計、１４．３３は演
算部、 ２０は加熱ステージ、 ２０１は貫通孔、 ２０２は補助孔、 ２３はガス導入口、 ２４は半導体基板、 ３０はチャンバ、 ３１はランプ光源、 ３４はランプ電源、 ４０は放射率算出手段、 ４１は急速熱処理手段 をホす。
Claims (2)
- （１）半導体基板に急速熱処理を施すプロセスにおいて
、 該半導体基板の放射率を該急速熱処理直前に算出する工
程と、 該放射率を算出された半導体基板を急速熱処理するに際
し、該算出された放射率に基づいて急速熱処理室におけ
る半導体基板の温度を算出し、各半導体基板を所定の温
度で熱処理するよう制御する工程とを含むことを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - （２）半導体基板に急速熱処理を施すプロセスにおいて
、 該半導体基板の放射率を算出する放射率算出手段（４０
）と、 該算出された放射率に基づいて急速熱処理室における半
導体基板の温度を算出し、各半導体基板を所定の温度で
熱処理するように制御する急速熱処理手段（４１）とを
設けてなることを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30631089A JPH03165514A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30631089A JPH03165514A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03165514A true JPH03165514A (ja) | 1991-07-17 |
Family
ID=17955569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30631089A Pending JPH03165514A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03165514A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04297054A (ja) * | 1990-04-09 | 1992-10-21 | Anelva Corp | 半導体ウエハーの処理方法および装置 |
| WO1997034318A1 (fr) * | 1996-03-12 | 1997-09-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de traitement thermique et dispositif de chauffage a rayonnement |
-
1989
- 1989-11-24 JP JP30631089A patent/JPH03165514A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04297054A (ja) * | 1990-04-09 | 1992-10-21 | Anelva Corp | 半導体ウエハーの処理方法および装置 |
| WO1997034318A1 (fr) * | 1996-03-12 | 1997-09-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de traitement thermique et dispositif de chauffage a rayonnement |
| US6072164A (en) * | 1996-03-12 | 2000-06-06 | Shin-Estu Handotai Co., Ltd. | Heat-treating method and radiant heating device |
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