JPH03162972A - Thermal head - Google Patents

Thermal head

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JPH03162972A
JPH03162972A JP30449489A JP30449489A JPH03162972A JP H03162972 A JPH03162972 A JP H03162972A JP 30449489 A JP30449489 A JP 30449489A JP 30449489 A JP30449489 A JP 30449489A JP H03162972 A JPH03162972 A JP H03162972A
Authority
JP
Japan
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drive control
thermal expansion
resin
expansion coefficient
chip
Prior art date
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Pending
Application number
JP30449489A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ikuo Takahashi
孝橋 生郎
Takayuki Taminaga
民長 隆之
Katsuyasu Deguchi
出口 勝康
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP30449489A priority Critical patent/JPH03162972A/en
Publication of JPH03162972A publication Critical patent/JPH03162972A/en
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Abstract

PURPOSE:To improve reliability at a bonding part by placing a drive control IC chip for driving a plurality of heat generating resistors together with a plurality of heat generating resistors and conductors on a board having a specific thermal expansion coefficient, and covering connecting bumps to be connected with synthetic resin having specific thermal expansion coefficient. CONSTITUTION:A plurality of heat generating resistors 3 and conductors are formed on a board 4 having thermal expansion coefficient of 12 X 10-<6> deg.C or lower, and a drive control IC chip 1 for driving the resistors 3 are placed thereon. The input/output terminal of the chip 1 and the conductors are connected with solders as connecting bumps 8 by a face-down bonding system, and covered with synthetic resin having thermal expansion coefficient of 25 - 30 X 10-<6>/ deg.C. Accordingly, since a stress generated at the bump due to the difference of the coefficients of the board 4 and a silicon wafer for forming the IC 1 is alleviated and dispersed by the resin, a stress by the coefficient difference between both is reduced. Thus, the reliability of bonding is improved.

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 この発明は、主に感熱印字記録装置に使用されるサーマ
ルヘッドに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Field of Industrial Application This invention relates primarily to a thermal head used in a thermal printing and recording device.

(ロ)従来の技術 第5図〜第7図に従来のサーマルヘッド全体の構威を示
す。第5図に示す従来例では駆動制御用一l 集積回路チップ(以下ICという)+01はit印刷配
線板+02(通常ガラスエボキシ基板が使用される。ま
た以下PWBという)の上に接着ペースト(図示しない
)によってグイボンドされる。
(b) Prior Art FIGS. 5 to 7 show the overall structure of a conventional thermal head. In the conventional example shown in FIG. 5, a drive control integrated circuit chip (hereinafter referred to as IC) +01 is mounted on an IT printed wiring board +02 (usually a glass epoxy board, hereinafter referred to as PWB) with adhesive paste (as shown in the figure). Guibond by (not).

発熱抵抗体103はセラミックス基板104上に形成さ
れ、セラミックス基板+04とPWB l 02が放熱
板105上へ貼付けられる。次に、駆動制御用ICIO
Iの出力端子106が、セラミックス基板104上で発
熱抵抗体+03に配線された個別電!+07と金線+0
8によって接続される。また、駆動制御用ICIOI上
の人力端子l06aはPWB I O 2上の電極10
9と金線l08aによって、ワイヤボンドさ乙て電気的
に接続される。そして、駆動制御用ICIOIと金線l
08.+08aはシリコーン樹脂113によって保護コ
ートされる。
The heating resistor 103 is formed on a ceramic substrate 104, and the ceramic substrate +04 and PWB l 02 are pasted onto a heat sink 105. Next, the ICIO for drive control
The output terminal 106 of I is an individual electric wire wired to the heating resistor +03 on the ceramic substrate 104! +07 and gold wire +0
Connected by 8. In addition, the human power terminal l06a on the drive control ICIOI is connected to the electrode 10 on the PWB IO2.
9 and gold wire 108a, electrical connection is made across the wire bond. Then, drive control ICIOI and gold wire l
08. +08a is protectively coated with silicone resin 113.

第6図に示す他の従来例では、駆動制御用IC201が
セラミックス基板204の上に接着ペースト(図示しな
い)によってグイボンドされる。
In another conventional example shown in FIG. 6, a drive control IC 201 is firmly bonded onto a ceramic substrate 204 using an adhesive paste (not shown).

発熱抵抗体203らセラミックス基板204上に2一 形成されている。駆動制御用IC20+上の出力端子2
06は、セラミックス基板204上で発熱抵抗体203
に配線された個別電極207と金線208によって接続
される。また、駆動制御用IC201上の入力端子20
6aはセラミックス基板204上の電極209と金線2
08aによってワイヤボンドされ電気的に接続される。
A heating resistor 203 and the like are formed on a ceramic substrate 204 . Output terminal 2 on drive control IC20+
06 is a heating resistor 203 on a ceramic substrate 204.
The individual electrodes 207 and the gold wires 208 are connected to each other. In addition, the input terminal 20 on the drive control IC 201
6a is the electrode 209 on the ceramic substrate 204 and the gold wire 2
08a for wire bonding and electrical connection.

セラミックス基板204は浦強板210を貼付けたFP
C(フレキノプル基板)2l1が放熱板205上におい
てゴム212を介して押圧されることにより圧接され、
セラミックス基板204とFPC2 11とは電気的に
接続される。そして、駆動制御用IC201と全線20
8.208aはノリコーン樹脂213によって保護コー
トされている。
Ceramic substrate 204 is FP with Ura hard plate 210 attached.
C (flexible board) 2l1 is pressed onto the heat sink 205 through the rubber 212,
The ceramic substrate 204 and the FPC 2 11 are electrically connected. Then, drive control IC 201 and all lines 20
8.208a is protectively coated with Noricone resin 213.

ここで第5図と第6図の構成を比較すると、第5図のサ
ーマルヘッドは第6図のものより高価なセラミックス基
板の使用量が少なくてすみ、材料的に安価な構成になっ
ている。しかし、第6図の構成でワイヤボンディングに
よる電気的接続をバンプによる電気的接続(以下、フェ
イスダウンボ3 ンディングという)に代えん方式が実用化されている。
Comparing the configurations in Figures 5 and 6, the thermal head in Figure 5 uses less of the expensive ceramic substrate than the one in Figure 6, and has a cheaper configuration in terms of materials. . However, in the configuration shown in FIG. 6, a system has been put into practical use in which the electrical connection by wire bonding is replaced by electrical connection by bumps (hereinafter referred to as face-down bonding).

第7図にその構戚を示す。電極上に接続用のバンプ30
8(はんだに上り構成)を形成した駆動制御用IC30
1は、発熱抵抗体303を形成したセラミックス基仮3
04の上にフエイスダウンボンディングにより搭載され
、駆動制御用IC30lの出力端子306}よ、発熱抵
抗体303に配線されf二個別電極307にバンプ30
8によりセラミックス基板304上で接続される。また
、駆動制御用IC301の入力端子306aは、セラミ
ックス基仮304上の電極309に電気的に接続されて
いる。駆動制御用IC301とセラミックス基板304
間には、エボキノ樹脂313が封入され、接続バンプ3
08は保護コートされる。
Figure 7 shows the structure. Bump 30 for connection on the electrode
8 (solder-mounted configuration) for drive control IC30
1 is a ceramic base material 3 on which a heating resistor 303 is formed.
The output terminal 306 of the drive control IC 30l is mounted on the f2 individual electrode 307 by face-down bonding, and the output terminal 306 of the drive control IC 30l is wired to the heating resistor 303.
8 on the ceramic substrate 304. Further, the input terminal 306a of the drive control IC 301 is electrically connected to the electrode 309 on the ceramic base 304. Drive control IC 301 and ceramic substrate 304
Evokino resin 313 is sealed between the connection bumps 3
08 is protective coated.

セラミックス基板304には補強板310を貼付けたF
PC3 1 1が放熱仮305上でゴム312を介して
押圧さ杷て圧接され、セラミックス基板304とFPC
3 1 1とは電気的に接続される。
A reinforcing plate 310 is attached to the ceramic substrate 304.
The PC3 1 1 is pressed onto the heat dissipation temporary 305 via the rubber 312 and is pressed into contact with the ceramic substrate 304 and the FPC.
3 1 1 is electrically connected.

(ハ)発明が解決しようとする課題 4 従来、発熱抵抗体部分を形或するには、製造プロセス上
、少tくとも500〜600℃の熱を加える必要があり
、ま几、サーマルヘッドとして使用時には、発熱抵抗体
付近は400゜C程度の耐熱性が必要であるため、これ
に適合する絶縁基板としてセラミックス基板が使用さ.
!1ている。しかし、セラミックス基板は高価であり、
また加工性が悪いため、サーマルヘットの構威としては
、既に述べた様にセラミックス基仮とPWBやFPCと
組合わせた形となっている。これに対して本願出願人は
、セラミックス基板の代わりに、耐熱性クロスに耐熱樹
脂を含浸させて形成した絶縁基板(例えば、ガラス繊維
にポリイミド樹晰を含浸させた絶縁基板)上に発熱抵抗
体用及び制御回路部品用の接続配線層と発熱抵抗体を形
成し、さらに制御回路部品を前記基板上に一体実装した
サーマルヘッドを既に特願平1−86480号として出
願した。
(c) Problem 4 to be solved by the invention Conventionally, in order to shape the heat generating resistor part, it was necessary to apply heat of at least 500 to 600 degrees Celsius in the manufacturing process. When in use, the area near the heating resistor must be heat resistant to about 400°C, so a ceramic substrate is used as an insulating substrate that meets this requirement.
! There are 1. However, ceramic substrates are expensive;
In addition, because of poor workability, the structure of the thermal head is a combination of a ceramic base material and PWB or FPC, as described above. In contrast, the applicant of the present application proposed a heating resistor on an insulating substrate formed by impregnating a heat-resistant cloth with a heat-resistant resin (for example, an insulating substrate made of glass fiber impregnated with polyimide resin) instead of a ceramic substrate. A thermal head in which a connecting wiring layer and a heating resistor are formed for use and control circuit components, and control circuit components are integrally mounted on the substrate has already been filed as Japanese Patent Application No. 1-86480.

ところで、駆動制御用ICの入力端子と絶縁基板上の電
極との電気的接続は、前述した様にワイヤボンディング
方式とフエイスダウンボンデイング方式があるか、両方
式を比較すると、以下に示す如くフエイスダウンボンデ
イング方式の利点がある。
By the way, for the electrical connection between the input terminal of the drive control IC and the electrode on the insulating substrate, as mentioned above, there are two methods: wire bonding method and face-down bonding method. Comparing both methods, it is found that the wire bonding method and the face-down bonding method are used as shown below. There are advantages to the bonding method.

■ワイヤボンディング方式は先立って駆動制御用ICを
基板上にグイホンデイングしなければならないが、フエ
イスダウンボンデイング方式は、先立って駆動制御用I
Cを基板上にグイボンデイングする必要はなく、フエイ
スダウンボンデイング自体がダイポ゛ンディングとワイ
ヤボンデイングを兼ねており、工曜が短縮できる。
■The wire bonding method requires the drive control IC to be bonded onto the board in advance, but the face-down bonding method requires the drive control IC to be bonded on the board in advance.
There is no need to carefully bond C onto the substrate, and the face-down bonding itself serves as both die bonding and wire bonding, which can shorten the manufacturing time.

■ワイヤボンディング方式は、駆動制御用ICの各電極
と基板の各ii極を1本づつ順番にワイヤボンディング
しなけれ:fならず、1本のワイヤボンディングには約
0.2秒かかり、例えば、入出力用電極を89側もった
駆動制御用ICを27個搭載した印字密度8dot/m
m、印字幅216mm ( A 4タイプ)ではワイヤ
ボンデイング時間は、0.2秒×89X 27= 48
0.6秒#8分らかかる。これ対し、フエイスダウンボ
ンディング方式は、lgIの駆動制御用IC上の入出力
用の全ての電極を一挙に基板上6一 の電極にボンディングできるので、1個の駆動制御用I
Cのボンディングには約2秒かかり、例えば、上記と同
じく駆動制御用ICを27個搭載した印字密度8dot
/mm、印字幅216mm ( A 4タイプ)で:よ
ボンディング時間は、2秒x27=54秒ミI分てあり
、ワイヤホンディング方式の約1/8の時間て済む。印
字密度がさらに高密度の12dat/mm,  I 6
dat/mmとなれば、それぞれワイヤボンディング方
式の約1/12.約1/16の時間で済むことにべろ。
■With the wire bonding method, each electrode of the drive control IC and each II pole of the board must be wire-bonded one by one in sequence, and it takes about 0.2 seconds to bond one wire. Printing density of 8 dots/m equipped with 27 drive control ICs with 89 input/output electrodes.
m, printing width 216 mm (A4 type), wire bonding time is 0.2 seconds x 89 x 27 = 48
It takes 0.6 seconds #8 minutes. On the other hand, in the face-down bonding method, all the input/output electrodes on the IgI drive control IC can be bonded to one electrode on the substrate at once, so one drive control I
Bonding of C takes about 2 seconds, and for example, the printing density is 8 dots with 27 drive control ICs as above.
/mm, printing width 216mm (A4 type): The bonding time is 2 seconds x 27 = 54 seconds, which is about 1/8 the time of the wire bonding method. Print density is even higher at 12 dat/mm, I 6
dat/mm, about 1/12 of the wire bonding method. It's amazing that it takes about 1/16th of the time.

■ワイヤホンディング方式では、ホンデイング後の外的
力により、ホンディングワイヤの曲がりや倒れを生し、
ワイヤ同士の短絡不良をおこすことかあるか、フェイス
ダウンボンディング方式は、ボンディングワイヤが不要
であり、電極間の短絡不良を起こすことはない。
■With the wire honding method, external forces after honding may cause the honding wire to bend or fall.
The face-down bonding method does not require bonding wires and does not cause short-circuits between electrodes.

■ワイヤポンディング方式はICが不良の場合、そのI
Cだけを交換することはまず不可能であり、その為、ヘ
ッド全体が不良となるが、フェイスダウンボンディング
方式は、ICの交換が可能であ7 り、ヘッド全体が不良になることはない。
■With the wire bonding method, if the IC is defective, its I
It is almost impossible to replace only IC, and the entire head will be defective, but with the face-down bonding method, it is possible to replace the IC, and the entire head will not become defective.

上記の様なフエイスダウンボンディングの利点により、
耐熱性クロスに耐熱樹脂を含浸させて形成した絶縁基板
上へ、駆動制御用ICをフェイスダウンボンディング方
式によりボンディングを行っている。
Due to the advantages of face down bonding as mentioned above,
A drive control IC is bonded by a face-down bonding method onto an insulating substrate formed by impregnating a heat-resistant cloth with a heat-resistant resin.

しかしながら、耐熱性クロスに耐熱樹脂を含浸させて形
成した絶縁基板の熱膨張係数は、従来のセラミックス基
W (2.5xlO−’/℃)よりやや大きく、12×
10−’/’C程度であり、この絶縁基板上に搭載する
駆動制御用ICを形成するシリコンウエハー( 2.6
X to−I′/’C )との膨張係数の差により、特
に熱衝撃試験において、駆動制御用ICと絶縁基板とを
電気的に接続しているバンプ部が接続不良を発生し、信
頼性上不満足なものである。
However, the coefficient of thermal expansion of an insulating substrate formed by impregnating a heat-resistant cloth with a heat-resistant resin is slightly larger than that of the conventional ceramic base W (2.5xlO-'/°C), which is 12x
10-'/'C, and the silicon wafer (2.6
Due to the difference in expansion coefficient between This is unsatisfactory.

この発明はこのような事情を考慮してなされたもので、
耐熱性クロスに耐熱樹晰を含浸させて形成した絶縁基板
上へ駆動制御用ICをフエイスダウンボンディング方式
によって実装した場合に、ボンディング部が高い信頼性
を有するサーマルヘツ8 ドを提供するものてある。
This invention was made in consideration of these circumstances,
The present invention provides a thermal head in which the bonding part has high reliability when a drive control IC is mounted by a face-down bonding method on an insulating substrate formed by impregnating a heat-resistant cloth with a heat-resistant resin.

(二)課題を解決するkめの手段 この発明は、12×10−’/℃以下の熱膨張係数を有
する基板上に、複数の発熱抵抗体及び導体を形成すると
共に発熱抵抗体を駆動する駆動制御用ICチップを搭載
してなり、はんだを接続バンプとして前記駆動制御用I
Cチップの入出力端子と前記導体とをフェイスダウンボ
ンディング方式により接続し、前記接続バンプを25〜
30×10−”/℃の熱膨張係数を有する合威樹脂によ
って被覆してなるサーマルヘッドである。
(2) Means for Solving the Problems This invention forms a plurality of heating resistors and conductors on a substrate having a coefficient of thermal expansion of 12×10-'/°C or less, and drives the heating resistors. It is equipped with a drive control IC chip, and uses solder as a connection bump to connect the drive control IC chip.
The input/output terminals of the C chip and the conductor are connected by a face-down bonding method, and the connection bumps are
This is a thermal head coated with a resin having a thermal expansion coefficient of 30 x 10-''/°C.

前記基板には、耐熱性クロスに耐熱樹脂を含浸させて形
成した絶縁基板を使用することが好ましい。前記フエイ
スダウンボンディング方式よる接続バンプには、例えば
、60−Snはんだが使用される。また、合威樹脂には
エポキシ樹脂を使用することができる。
Preferably, the substrate is an insulating substrate formed by impregnating a heat-resistant cloth with a heat-resistant resin. For example, 60-Sn solder is used for the face-down bonding connection bump. In addition, epoxy resin can be used as the hewei resin.

(ホ)作用 複数の発熱抵抗体を設けた熱膨張係数12X 10−’
/℃以下の絶縁基板上に駆動制御用ICをフェイ9一 スダウンボンディング方式により搭載し、その接続には
はんだにより形成されたバンプが用いられる。さらに、
接続部のバンプは、前記駆動制御用ICと前記絶縁基板
間に封入されたエボキン樹脂で被われる。前記エボキノ
樹脂は、前記駆動制御用ICと前記絶縁基板並びに前記
接続部のバンプに強い接着性を有し、熱膨張係数がフィ
ラー調整によりバンプを形成しているのはんたに近い2
5〜3oX1o−6,/℃に設定される。従って、前記
絶縁基板と前記駆動制御用ICを形成するシリコンウェ
ハーとの熱膨張係数の差によりバンプ部に生ずる応力は
、合成樹脂によって緩和、分散させるので、両者間の熱
膨張差に伴う応力は小さくなる。
(e) Effect Thermal expansion coefficient with multiple heating resistors 12X 10-'
A drive control IC is mounted on an insulating substrate with a temperature of /°C or less by a face-9-down bonding method, and bumps formed by solder are used for connection. moreover,
The bump of the connection portion is covered with Evokin resin sealed between the drive control IC and the insulating substrate. The Evokino resin has strong adhesion to the drive control IC, the insulating substrate, and the bumps of the connection portion, and has a coefficient of thermal expansion close to that of solder 2, which forms the bumps by adjusting the filler.
It is set at 5 to 3oX1o-6,/°C. Therefore, the stress generated in the bump portion due to the difference in thermal expansion coefficient between the insulating substrate and the silicon wafer forming the drive control IC is relaxed and dispersed by the synthetic resin, so that the stress caused by the difference in thermal expansion between the two is reduced. becomes smaller.

この結果、絶縁基板上へ駆動制御用ICをフエイスダウ
ンボンディング方式によって搭載しても、ボンディング
部の信頼性が向上する。
As a result, even if the drive control IC is mounted on the insulating substrate by the face-down bonding method, the reliability of the bonding portion is improved.

(へ)実施例 図面に示す実施例に基づいて、この発明を詳述する。こ
れによってこの発明が限定されろものではない。
(f) Example This invention will be explained in detail based on the example shown in the drawings. This invention is not limited by this.

l0 第l図(a)は本発明の一実施例のサーマルヘソドの平
面図、第1図(b)は第1図に示すサーマルヘッドの断
面図、第2図は第1図(a)の部分拡大図、第3図は第
1図(b)の部分拡大図である。
10 FIG. 1(a) is a plan view of a thermal head according to an embodiment of the present invention, FIG. 1(b) is a sectional view of the thermal head shown in FIG. 1, and FIG. 2 is a portion of FIG. 1(a). The enlarged view, FIG. 3, is a partial enlarged view of FIG. 1(b).

第1図において、駆動制御用ICIは、発為抵抗体3を
有ずろ絶縁基板4の上にフェイスダウンポンディングに
より搭載される。60−Snのはんたで構成されたバン
プ8により、駆動制御用rClの出力111+1電極(
端子)6と発熱抵抗体3への個別電極7が接続され、ま
た、駆動制御用ICIの入力側電極(端子)6aと絶縁
基板4上の電極9が接続されている。ここで絶縁基板4
は、耐熱性クロスに耐熱樹脂を含浸せて形成し乙もので
、例えば、ガラス繊維にポリイミド樹脂を含浸させ、熱
膨張係数が12X to−6/’C以下のものが用いら
れる。
In FIG. 1, the drive control ICI is mounted with a resistor 3 on an insulating substrate 4 by face-down bonding. The bump 8 made of 60-Sn solder connects the drive control rCl output 111+1 electrode (
The terminal) 6 is connected to an individual electrode 7 to the heating resistor 3, and the input side electrode (terminal) 6a of the drive control ICI is connected to an electrode 9 on the insulating substrate 4. Here, insulating substrate 4
The material is formed by impregnating a heat-resistant cloth with a heat-resistant resin. For example, a material made of glass fiber impregnated with a polyimide resin and having a coefficient of thermal expansion of 12X to -6/'C or less is used.

駆動制御用rc1と絶縁基板4間はエボキシ樹ロ旨l3
が封入され、それによって、接続バンプ8は保護コート
される。
Between the drive control rc1 and the insulating board 4 is an epoxy resin l3.
is encapsulated, thereby providing the connection bump 8 with a protective coating.

ここで、エボキシ樹指13は、駆動制御用IC1と絶縁
基板4並びにバンプ8に対して強い接着+1 性を有し、Si02等のフィラー混合により、その熱膨
張係数かバンプ8を形成している80−Snはんだの熱
膨張係数よりやや大きい、25〜30XlO−’/℃の
ちのが用いらる。絶縁基板4には駆動制御用ICIの他
にも電気部品および外部回路との接続用コネクターむど
がはんだ付に上り実装され、基板4は放熱板5上へ貼付
けられる。
Here, the epoxy resin 13 has strong adhesion +1 to the drive control IC 1, the insulating substrate 4, and the bumps 8, and by mixing filler such as Si02, the bumps 8 are formed due to its thermal expansion coefficient. A coefficient of thermal expansion of 25 to 30XlO-'/°C, which is slightly larger than that of 80-Sn solder, is used. In addition to the drive control ICI, electrical components and connectors for connection with external circuits are soldered and mounted on the insulating substrate 4, and the substrate 4 is pasted onto the heat sink 5.

第2図;よ、駆動制御用lC1の基板4への搭載状態を
示す。この図は駆動制御用ICIの搭載部上方から見て
おり、バンプ8は見えないが、便宜上、丸の実線で示す
。駆動制御用[Clは、Siチップからなり大きさは約
7 mmX I mmX 0.6mmtであり、64個
の出力側電極6を備えている。
FIG. 2 shows how the drive control IC1 is mounted on the board 4. This figure is viewed from above the mounting part of the drive control ICI, and although the bump 8 is not visible, it is shown by a solid circle line for convenience. [Cl for drive control] is made of a Si chip, has a size of approximately 7 mm x I mm x 0.6 mm, and is provided with 64 output side electrodes 6.

第3図は第2図のA−A部の断面を示す。バンプ8は直
径約100μmの太鼓型の形状を有し、エボキン樹脂l
3により完全に被われている。ここて熱膨張係数は、駆
動制御用[C(Siチップ)が2.6X 10−8/℃
、バンプ8 (60−Snはんだ)が25xlQ−s/
℃、エボキシ樹11N+3(:7イラ−R合エボキシ)
が30X1G−@/℃、絶縁基仮4(ガラス繊l2 維に耐熱樹指を含浸させ八基阪)が+2×10−’/’
Cとなるように設定し、熱衝撃ザイクル試験を行った。
FIG. 3 shows a cross section taken along line AA in FIG. 2. The bump 8 has a drum-shaped shape with a diameter of about 100 μm, and is made of Evokin resin.
It is completely covered by 3. Here, the thermal expansion coefficient for drive control [C (Si chip) is 2.6X 10-8/℃
, bump 8 (60-Sn solder) is 25xlQ-s/
°C, epoxy tree 11N+3 (:7ira-R combined epoxy)
is 30X1G-@/℃, and the insulating base 4 (glass fiber impregnated with heat-resistant resin) is +2×10-'/'
C, and a thermal shock cycle test was conducted.

尚、エボキン樹脂l3および絶縁基仮4の熱膨張係数は
、それぞれ25〜30×10−6/℃およびl2xlO
−’/℃以下の範囲にあることか好ましく、また、その
範囲内でら値の小さい方が信頼性上有利であるが、ここ
では熱膨張係数が前記の範囲で信頼性上不利な最大値の
もので作製し、それでも従来に比べて信頼性が大きく改
善されることを第4図に示す熱衝撃サイクル試験結果に
よって確認した。
The thermal expansion coefficients of Evokin resin l3 and insulating group Kari 4 are 25 to 30 x 10-6/°C and l2xlO, respectively.
It is preferable that the coefficient of thermal expansion be within the range of −'/°C or less, and the smaller the value within that range, the more advantageous it is in terms of reliability. However, it was confirmed by the thermal shock cycle test results shown in FIG. 4 that the reliability was greatly improved compared to the conventional method.

第4図の(イ)はこの実施例による試験結果であり、熱
衝撃サイクルが500サイクル迄不良は発生していない
。(ハ)はエボキシ樹脂の封入なきもの、(ロ)は従来
のエボキシ樹暗(熱膨張係数65X 10−6/’C 
)で封入したものであり、(口)はエボキシ樹晰の封入
により、(ハ)よりいく分改善されるが、いずれも30
0サイクル這に不良率かlOO%となっている。
FIG. 4(a) shows the test results of this example, with no defects occurring up to 500 thermal shock cycles. (c) is without epoxy resin encapsulation, (b) is a conventional epoxy resin (thermal expansion coefficient 65X 10-6/'C
), and (mouth) is somewhat improved from (c) by the inclusion of epoxy resin, but both are 30
The defective rate is close to 0 cycles or 100%.

この実施例では耐熱性クロスに耐熱樹脂を含浸13一 ざせて形成し几基板を用い、その一枚基板でのサマルヘ
ットの構戊を示しf二か、第7図に示す従来例のセラミ
ックス基板を使用しf二場合にも、本発明を同様に適用
できることはいうまてらない。
In this example, a heat-resistant cloth is impregnated with a heat-resistant resin (13) and a heat-resistant substrate is used. It goes without saying that the present invention is equally applicable to the case where f2 is used.

(ト)発明の効果 この発明によれば、耐熱クロスに耐熱樹脂を含浸させて
形成した絶縁基板上へ駆動制御用ICをフエイスダウン
ボンディング方式によって搭載するとき、ボンディング
部の信頼性が向上する。従って、高価なセラミックス基
板を用いずに信頼性の高いサーマルヘッドが提供される
(G) Effects of the Invention According to the present invention, when a drive control IC is mounted by face-down bonding onto an insulating substrate formed by impregnating a heat-resistant cloth with a heat-resistant resin, the reliability of the bonding portion is improved. Therefore, a highly reliable thermal head can be provided without using an expensive ceramic substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(a)はこの発明の一実施飼を示すサーマルヘッ
ドの部分上面図、第l図(b)は第1図(a)の断面図
、第2図は第1図(a)の部分拡大図、第3図は第2図
のA−A断面図、第4図は熱衝撃サイクル試験結果を示
すグラフ、第5図(a)、第6図(a)および第7図(
a)は従来例を示す上面図、第5図(b)、第6図(b
)および第7図(b)はそれぞれ第5図(a)、第6図
(a)および第7図(a)の断面図であ14 l ・・・・駆動制御用rc、 3・・ ・・発熱低抗体、 4・ 絶縁基板、 8・・ ・接続バンプ、 l3・・・・・・エボキン樹脂。 ー15一
FIG. 1(a) is a partial top view of a thermal head showing one implementation of this invention, FIG. 1(b) is a sectional view of FIG. 1(a), and FIG. Partially enlarged view, Figure 3 is a sectional view taken along line A-A in Figure 2, Figure 4 is a graph showing the thermal shock cycle test results, Figures 5(a), 6(a) and 7(
a) is a top view showing the conventional example, FIG. 5(b), FIG. 6(b)
) and FIG. 7(b) are cross-sectional views of FIG. 5(a), FIG. 6(a), and FIG. 7(a), respectively. - Low fever antibody, 4. Insulating substrate, 8... - Connection bump, l3...Evokin resin. -15-1

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、12×10^−^6/℃以下の熱膨張係数を有する
基板上に、複数の発熱抵抗体及び導体を形成すると共に
前記発熱抵抗体を駆動する駆動制御用ICチップを搭載
してなり、はんだを接続バンプとして前記駆動制御用チ
ップの入出力端子と前記導体とをフェイスダウンボンデ
ィング方式により接続し、前記接続バンプを25〜30
×10^−^6/℃の熱膨張係数を有する合成樹脂によ
って被覆してなるサーマルヘッド。
A plurality of heat generating resistors and conductors are formed on a substrate having a thermal expansion coefficient of 1,12 x 10^-^6/°C or less, and a drive control IC chip for driving the heat generating resistors is mounted. , connect the input/output terminals of the drive control chip and the conductor using solder as connection bumps by a face-down bonding method, and connect the connection bumps to 25 to 30
A thermal head coated with a synthetic resin having a coefficient of thermal expansion of ×10^-^6/°C.
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