JPH03161942A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH03161942A
JPH03161942A JP30256389A JP30256389A JPH03161942A JP H03161942 A JPH03161942 A JP H03161942A JP 30256389 A JP30256389 A JP 30256389A JP 30256389 A JP30256389 A JP 30256389A JP H03161942 A JPH03161942 A JP H03161942A
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semiconductor
pellet
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Hajime Inoue
肇 井上
Yoshiyuki Nakagome
中込 義之
Shinichi Yamada
伸一 山田
Yasuhiko Ikeda
池田 泰彦
Isao Nakamura
功 中村
Kiyokazu Miyasaka
宮坂 紀代一
Fukashi Kono
河野 深
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    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法および装置技術に関し
、特に、半導体装置の後工程において、電気的特性の揃
った半導体ペレット(以下、単にペレットという〉を選
別する技術に適用して有効な技術に関するものである。
〔従来の技術゛ 例えば電子チューナ用の可変容量ダイオード(以下、バ
リキャップダイオードという)は、チューナ調整の容易
性を考慮する観点から電気的特性の揃ったバリキャップ
ダイオードで複数のペアを作ることが要求されている。
そこで、バリキャップダイオードは、電気的特性を揃え
るため、後述するようにリードフレームから切断した後
、電気的特性を検査してカテゴリ毎に分類されている。
カテゴリは、例えば第l5図に示すように、電圧V1 
 において容量C2 〜CS ,電圧V2 において容
量C,〜C3 の範囲に入るバリキャップダイオードを
カテゴIJA,電圧V1  においてC5 〜C6電圧
v2 においてC3 〜C5 の範囲に入るバリキャッ
プダイオードをカテゴリBというように、ある逆方向電
圧における所定容量範囲毎に分類される。
ところで、本発明者は、バリキャップダイオードの電気
的特性を揃えるといった観点から従来のバリキャップダ
イオードを形或する際のペレット付け方法およびその後
の組立工程について検討した。以下は公知とされた技術
ではないが、本発明者によって検討された技術であり、
その概要は、次のとおりである。
すなわち、まず、ダイシング処理前に、プローバ検査に
より不良ペレットを検出するとともに、半半導体ウェハ
(以下、単にウェハという)における所定箇所のペレッ
ト群の電気的特性をサンプリングしてウェハ上のペレッ
トの大まかな電気的特性を調査する。そして、その測定
データに基づい7 て不良ペレットに不良マークを付けるとともに、ウェハ
マップを作成する。
次いで、ウェハのダイシング処理および引き伸ばし処理
の後、そのウェハをペレット付け装置のXYテーブルに
載置する。続いて、ウェハマップに基づいてウェハ上で
必要と思われるペレットの大まかなピックアップエリャ
を作業者が設定し、ビックアップエリャ内の良品ペレッ
トのみをウェハをピッチ送りしながら一筆書きで取り上
げる。
この際、ペレット取り上げ位置は、その前の取り上げペ
レットの位置を基準にピッチ送りして決めている。
このようにして取り上げられたペレットをリードフレー
ムにペレット付けした後、封止、メッキ、マーク、切断
等の処理を順に行う。ところで、ペレット付け以降の処
理は、通常、リードフレームを数百枚単位でバッチ処理
するため、リードフレームの順番等がバラバラになって
しまう。そこで、従来は、ペレットがリードフレームか
ら切断された後、多区分選別処理により、各ペレットの
電気的特性を検査し、個々のペレットの電気的特性が揃
うように各ペレットをカテゴリ毎に分類していた。
なお、ペレット付け方法およびペレット付け装置につい
ては、例えば特開昭6 0−2 3 5 4 3 1号
公報に記載がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、上記従来の技術においては、以下の問題があ
ることを本発明者は見い出した。
すなわち、第1に、従来は、ウェハからペレットを取り
出す段階において、各ペレットの電気的特性を揃えるこ
とについて充分な考慮がなされておらず、ペアにならな
いペレットもペレット付け以降の工程を経ることになり
、■製造工数や選別工数が必要以上にかかる、■製造時
間や選別時間が必要以上にかかる、■電気的特性の揃っ
たペレットがペア数に満たない場合、良品でも捨てねば
ならず、多区分選別処理に到るまでの工程や材料が無駄
となる、■ベア製品の歩留りが低下する、等の問題があ
った。
第2に、ウェハからペレットを取り上げる際、取り上げ
ペレットの位置は、その前の取り上げペレットの位置を
基準にピッチ送りして決めるため、■取り上げペレット
が点在している場合、取り上げペレットの位置まで到着
するのに、不良マークの付いた数個のペレットを介して
何度もピンチ送りするようになり、要求するペレットに
到着するまでに時間を要する上、要求するペレットに到
達する信頼性が低い、■既にペレットが取り上げられて
いる場合、ガイドとなるペレットがないため次に取り上
げるペレットの位置確認が困難である、等の問題があっ
た。
第3に、従来は、ウェハ上のペレットを直線的に一筆書
きで取り上げペレット付けしているため、第16図に示
すように、例えばペアリングにn個のペレットを必要と
する場合、一番初めのペレット50aとn番目のペレッ
ト50nとでは、その間の距離が長いため、電気的特性
の違いが大きくなり、ベア製品の歩留りが低下する問題
があった。
第4に、例えばn個のベア製品の要求があった際、ペレ
ット付け以降の工程で数個の抜けが生じた場合、電気的
特性の揃ったペレットが確保できなくなり、ペア製品の
歩留りが低下する問題があった。
本発明は上記課題に着目してなされたものであり、その
目的は、ペアにすることを必要とする半導体装置の製造
歩留りを向上させることのできる技術を提供することに
ある。
本発明の他の目的は、半導体装置の製造工数を低減する
ことのできる技術を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、半導体装置の製造時間を短
縮することのできる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、明
細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
〔課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
すなわち、請求項1記載の発明は、ダイシング処理によ
ってウェハを複数のペレントに分割した後、予め測定さ
れた各ペレットの電気的特性データに基づいて、前記ペ
レットの電気的特性が揃うように各ペレン}の選択順を
作成し、その選択順に従ってペレットを選択する半導体
装置の製造方法とするものである。
請求項4記載の発明は、前記ペレットの選択順のデータ
を作成する際に、下記の(1). (2), (3),
 (4)の少なくとも1つのデータ作成方法に基づいて
ペレットの選択順のデータを作成する半導体装置の製造
方法とするものである。
(1)ウェハの内方から外方に向かって旋回する螺線に
沿ってペレットの選択順のデータを作成する、(2)電
気的特性を揃えることを必要とするペレットの個数の略
二分の一乗を一辺とする四角形状の選択領域を設定し、
前記選択領域内において、つづら折り状または螺線状の
線上に沿ってペレットの選択順のデータを作成する、(
3)良品ペレットのみを電気的特性が連続する、すなわ
ちC−■曲線の平行性を保つように半導体ペレットの選
択順のデータを作成する、(4)要求ベアリング数に、
選択処理後の工程において生じる不良ペレットの個数を
加えた分のペレットの電気的特性を揃えることを保証し
たペレットの選択順のデータを作成する。
請求項5記載の発明は、ダイシング処理および引き伸ば
し処理後のウェハ上における各ペレットの実際の位置を
ウェハ上に設定された原点ペレットに対する相対位置と
して検出する位置検出機構と、前記位置検出機構によっ
て検出されたペレットの実際の位置データおよび前記各
ペレットの番地や各ペレットの電気的特性を揃えるよう
に作戒されたペレットの選択順のデータを記憶する記憶
媒体を装着する記憶部と、前記選択順のデータによって
指定されるペレットを、前記位置データに基づいてペレ
ット取り出し位置に直接移動させる移動機構と、前記ペ
レット取り出し位置からペレットを取り出すヘッドとを
備える半導体装置の製造装置構造とするものである。
請求項6記載の発明は、ダイシング処理によってウェハ
から分割された複数のペレットを、その電気的特性が揃
うように、ウェハから順に選択してリードフレーム上に
ペレット付けした後、前記リードフレームの一部にペレ
ットの電気的特性を認識するための情報を刻印し、その
後の処理工程において前記刻印に基づいてペレットの電
気的特性が揃うようにリードフレームを再整列させる半
導体装置の製造方法とするものである。
〔作用〕
上記した請求項1記載の発明によれば、ダイシング処理
および引き伸ばし処理後、ウェハからペレットを選択す
る段階で、ペアリングの管理をすることができるので、
例えばペアにできない不要な製品に対してワイヤボンデ
ィング処理、封止処理、メッキ処理、さらには選別処理
等の処理を施さないで済む。
上記した請求項4記載の(1), (2). (3),
 (4)によれば、次の作用が得られる。
(1)通常、ウェハの中心から略等距離にあるペレット
は電気的特性が揃っているので、螺線に沿ってペレット
の選択順を設定すれば、電気的特性のバラッキの少ない
、ペレットの選択順のデータを作成することが可能とな
る。
(2)ペレットの選択順を設定する際のペレット間の距
離が最長でもFτ〒以内になるため、従来と異なり一番
目のペレットとn番目のペレットとの電気的特性が大き
く異なるということもないので、電気的特性のバラツキ
の少ない、ベレー/ }の選択順のデータを作成するこ
とが可能となる。
(3) C − V曲線の平行性を保ってペレットの選
択順を設定すれば、途中で電気的特性のとぎれることの
ないデータを作成することが可能となる。
(4)ペレット付け以降の生産工程で不良等により抜け
が生じても、ペアを作る分のペレットの電気的特性は揃
うように保証されているため、最終的にペア数に満たな
い製品が生じることのない、ペレットの選択順のデータ
を作成することが可能となる。
上記した請求項5記載の発明によれば、ダシシング処理
後のウェハ段階において、ペレットの電気的特性が揃う
ようにペレットを順に選択することが可能となる。
また、原点ペレットに対する相対位置として検出された
各ペレットの位置データに基づいて指定されたペレット
をペレット取り出し位置に直接移動させることができる
ので、例えば■取り上げペレットが点在していても指定
されたペレットを素早くペレット位置に移動できる上、
指定されたペレットをペレット取り出し位置に移動させ
る信頼性も高い、■既にペレットが取り上げられていて
も次に取り上げるペレットの位置確認が困難となること
もない。
上記した請求項6記載の発明によれば、ウェハからペレ
ットを選択した段階で揃えたべレフトの電気的特性を崩
さずそのまま利用できるので、多区分選別処理工程を不
要とすることができる。
〔実施例1〕 第1図は本発明の一実施例である半導体装置の製造装置
におけるペレット付け装置を示す平面図、第2図は第1
図に示したウェハの拡大平面図、第゛3−は第1図に示
した刻印機構の側面図、第4図はペレットが実装された
リードフレームの平面図、第5図はこの半導体装置の製
造装置におけるIJ一ドフレームの整列装置を示す斜視
図、第6図はこの半導体装置の製造装置の構或図である
第6図に示すように、本実施例1の半導体装置の製造装
置1は、ペレット付け装置2と、ワイヤボンディング装
置3と、封止装置4と、メッキ処理装置5と、マーク装
置19と、フレーム整列装置く整列機構)6とから構或
されている。なお、第6図の矢印は処理順序を示してい
る。
ペレット付け装置2は、第l図に示すように、ダイシン
グ処理および引き伸ばし処理後のウェハWを載置し、か
つウェハWをペレット付けする位置へ移動させるXY方
向駆動テーブル7と、xY方向駆動テーブル7をX,Y
方向に各々移動させるX方向駆動モータ(移動機構)8
aおよびY方向駆動モータ(移動機構)8bと、リード
フレーム9を供給搬送するための搬送レール10と、後
述するペレソトをウェハWから取り上げリードフ?ーム
9にペレット付けずるボンディングヘッド11と、搬送
レール10の終端側に設けられ、ペレノト付け工程後の
リードフレーム9の一部に、例えばペレット付け番号や
ロフト番号を刻印する刻印器(刻印機構)12と、ウェ
ハW上のべレフトの電気的特性や実際の位置の情報等を
記録したフロッピィディスクを収容するフロッピディス
クドライバ13と、図示はしないが各ペレットの実際の
位置を検出するための位置検出機構とから構或されてい
る。Sは、後述する原点ペレットを示す。
ウェハWは、第2図に示すように、引き伸ばされた状態
となっており、各・ペレッ}14は互いに所定の間隔を
おいてXY方向駆動テーブル7 (第1図)上に載置さ
れている。各ペレット14には、例えばバリキャップダ
イオードが形或されている。
ペレットサイズは、例えばQ, 3mm x Q.3m
m程度である。原点ペレッ}Sは、各ペレットの実際の
位置を認識するための基準となるペレットであり、本実
施例1においては、例え■ばマスク等の位置合わせに用
いるクーゲソトを原点ペレットSとしている。
刻印器12は、第3図に示すように、リードフレーム9
に所定の刻印を付けるための下型12aおよび上型12
bと、」二型12bの上下動をガイドする上型スライド
軸12cと、上型12bを上下動させるエアシリンダ1
2dと、エアシリンダ12dを固定するエアシリンダ固
定板12eと、刻印に際してリードフレーム9を固定す
るストリッパ12fとから構威されている。
このような刻印器12によって刻印されたリードフレー
ム9を第4図に示す。リードフレーム9は、例えば厚さ
Q,lmm程度の42アロイからなる。
リードフレーム9を構或するフレーム本体9aの中央に
は、ペレット14のペレット付けされたマウント部9b
が、フレーム本体9aの長手方向に沿って複数形威され
ている。フレーム本体9aの長辺側近傍には、リードフ
レーム9を搬送するための送り孔9Cが、フレーム本体
9aの長手方向に沿って形威されている。そして、フレ
ーム本体9aの長辺の端部には、切り欠き部9dが刻印
されている。本実施例1のリードフレーム9は、フレー
ム本体9aに形或された切り欠き部9dによって与えら
れるビット情報を後述する検出部で読み取ることにより
、ペレット付けの順番やロフト番号等を認識することが
でき、リードフレーム9にペレット付けされたペレノト
14の電気的特性を認識することができるようになって
いる。
一方、上記したフレーム整列装置6は、第5図に示すよ
うに、リードフレーム9 (第4図)に形或された刻印
情報を読み取る検出部6aと、刻印情報を識別したリー
ドフレーム9を搬送ステージ(整列機構)6bへ押し出
す搬出プッシャ(整列機構)6cと、搬送ステージ6b
に送られたリードフレーム9を検出部6aによって検出
された刻印情報に基づいてマガジン(整列機構)6dの
所定の位置へ移動させるためのY方向駆動モータ(整列
機構)6eおよびZ方向駆動モータ(整列機構)6fと
、所定のマガジン6dの位置に移動されたリードフレー
ム9をマガジン6d内へ収納するための収納ブッシャ(
整列機構)6gとから構或されている。なお、検出部6
aは、例えば発光部と受光部とを備える光ファイバセン
サによって構或されている。
′次に、本実施例1の半導体装置の製造方法を第1図〜
第6図により説明する。
まず、ウェハ・ダイシング処理の前に各ペレット形威領
域の電極にブローブを当接して不良ペレットを検出する
とともに、良品ペレットの電気的特性(逆方向電圧に対
する静電容量の変化量)を測定し、その測定データに基
づいて各ペレット14をカテゴリ毎に分類し、そのカテ
ゴリに基づいて各ペレット14のペレット付け順(選択
順)を設定する。そして、各ペレット14のカテゴリお
よびペレット付け順のデータをフロッピィディスクの所
定ファイルに記憶する。ペレット付け順は、例えば容量
範囲の小さいカテゴリから容量範囲の大きいカテゴリと
なるようにする。そして、このフロッピィディスクをペ
レット付け装置2のフロッピィディスクドライバ13に
セットする。
次いて、ダイシング処理および引き伸ばし処理を施した
ウェハWをXY方向駆動テーブル7に載置する。そして
、X方向駆動モーク8aおよびY方向駆動モータ8bに
よりXY方向駆動テーブル7を移動させて図示しない位
置検出機構により所定位置におけるペレット14間の拡
張率をザンプリングし、そのサンプリングデータに基づ
いて各ペレット14の実際の位置を原点ペレットSに対
する相対位置として求め、それを上記したフロッピィデ
ィスクの所定ファイルに記憶する。この際、各ペレット
14の実際の位置のデータと、上記した各ペレット14
のカテゴリやペレット付け順の設定されたデータとの対
応がとられる。
続いて、上記したペレット付け順のデータに基づいてウ
ェハWからペレット14を順に取り出して、リードフレ
ーム9のマウント部9bにペレット付けする。したがっ
て、本実施例lにおいては、ウェハWから取り出したべ
レット14をリードフレーム9にペレット付けする段階
で、ペレット14のカテゴリを揃えることが可能となる
ペレット14を取り出すには、上記フロッピィディスク
に記憶されたペレット付け順のデータど、ペレット付け
ずるペレット14の実際の位置のデータとに基づいて、
XY方向駆動テーブル7を移動して該当するペレットl
4をペレット取り上げ位置に直接移動し、そのペレット
14をボンディングへッド11により取り出す。したが
って、従来と異なり、指定されたペレット14が点在し
ていても取り」二げ時間を要することがない。また、指
定されたべレット14に到達する間に数個のペレットを
介して何度もピッチ送りすることもない。
さらに、既に、数カ所のべレフトが取り上げられている
場合でも次に取り上げるペレット14の位置確認が不可
能となることもない。
次いで、リードフレーム9を刻印器12に搬送する。刻
印器12は、刻印信号を受けるとエアシリンダ12(i
を駆動して上型12bを上型スライド軸12cをガイド
にして押し下げ、リードフレーム9をストリッパ12f
により下型12aに押し付けて固定し、この状態で上型
12bと下型12aとを噛み合わせ、リードフレーム9
のフレーム本体9aにペレット付け番号やロフト番号等
を認識するための切り欠き部9dを刻印する。
次に、刻印情報が付けられたリードフレーム9をワイヤ
ボンディング装置3において、リードフレーム9のリー
ドとペレット14の電極とをワイヤにより接続する。次
に、リードフレーム9を封止i置4において、ペレッ}
14を樹脂等により封止する。次に、リードフレーム9
をメッキ処理装置5において、半田等のメッキ処理を施
す。その後、リードフレーム9をマーク装置19に送り
、樹脂部にカソードバンド等のマークを施す。これらワ
イヤボンディング処理、封止処理、メッキ処理、マーク
処理に際して、リードフレーム9の順番等は、従来と同
様、バラバラになる。
その後、マーク処理の施されたリードフレーム9をフレ
ーム整列装置6における搬出プッシャ6Cの後段に載置
する。フレーム整列装置6は、リードフレーム9に刻印
された刻印情報を検出部6aにより検出した後、そのリ
ードフレーム9を搬出プッシャ6Cにより搬送ステージ
6b上に搬送する。続いて、搬送ステージ6bにリード
フレーム9を載置したまま、搬送ステージ6bを検出さ
れた刻印情報に基づいてY,Z方向駆動モータ6e,5
fにより所定のマガジン6dの所定番地へ移送する。そ
して、搬送ステージ6b上のリードフレーム9を収納プ
ッシャ6gによりマガジン6dの所定番地に収納する。
したがって、本実施例1の半導体装置の製造方法によれ
ば、リードフレーム9に刻印された情報は、封止処理、
メッキ処理等が施されても消えることがないので、ペレ
ット付け以降の工程でバッチ処理を行いリードフレーム
9の順番等がバラバラとなっても、リードフレーム9に
形威された刻印情報を読み取ることにより、最終的には
リードフレーム9をペレット付けした順に再整列させる
ことができる。
次いで、リードフレーム9のリードを切断して個々のペ
レットを取り出し、電気的特性を検査した後、戒形、テ
ーピングする。
このように本実施例1によれば、以下の効果を得ること
が可能となる。
(1),ダイシング処理および引き伸ばし処理後、ウェ
ハWからペレット14をペレット付けする段階で、ペア
リングの管理ができるので、例えばペアにできない不要
な製品に対してワイヤボンディング処理、封止処理、メ
ッキ処理、マーク処理、さらには多区分選別処理等の処
理を施さないで済む。
(2).原点ペレッ}Sに対する相対位置として検出さ
れた各ペレット14の位置データに基づいて指定された
べレット14をペレット取り出し位置に直接移動させる
ことができるので、例えば■取り上げペレット14が点
在していても指定されたペレット14を素早くペレット
位置に移動できる上、指定されたべレット14をペレッ
ト取り出し位置に移動させる信頼性も高い、■既にペレ
ット14が取り上げられていても次に取り上げるペレッ
ト14の位置確認が困難となることもない。
(3).ペレット14を電気的特性が揃うようにリード
フレーム9上にペレット付けした後、ペレット14の電
気的特性を認識するための刻印情報をリ一ドフレーム9
に付け、その刻印情報に基づいてペレット付け以降のバ
ッチ処理でバラバラとなったリードフレーム9を再び整
列させることにより、ペレット付けの段階で揃えたペレ
ット14の電気的特性を崩すことなくそのまま利用でき
るので、従来の多区分選別処理が不要となる。
(4).上記(1)〜(3)により、バリキャップダイ
オードにおけるベア製品の製造歩留りを向上させること
が可能となる。
(5).上記(1), (3)により、無駄な製造工数
や材料を低減することができるため、バリキャップダイ
オードの製造コストを大幅に低減することが可能となる
(6).上記(1)〜(3)により、バリキャップダイ
オードの製造時間を大幅に短縮することが可能となる。
(7).ウェハWの段階でペアリングの管理が行えるの
で、例えば多区分選別処理では困難であったバリキャッ
プダイオードのC一■曲線の平行度に対する管理も行え
る等、より高度なペアリング管理を行うことが可能とな
る。
(8).電気的特性の揃った製品を製造できるので、バ
リキャップダイオードにおけるベア製品のヂューナ調整
を容易にすることが可能となる。
〔実施例2〕 第7図はバリキャップダイオードのC−■特性を示すグ
ラフ図である。
前記実施例1においては、良品ペレットの電気的特性デ
ータに基づいて、各ベレッ}14をカテゴリ毎に分類し
、さらにそのカテゴリ分類に基づいて各ペレット14の
ペレット付け順を作成した。
ところで、各ペレット14をカテゴリ毎に分類すると、
第7図に示すように、同一カテゴIJ A内に容量曲線
の傾きの異なるペレットも含まれる。
例えば容量曲線が交差するペレッ}14も含まれる。し
かし、このように容量曲線の交差するペレット14をペ
アにするとチューナ調整が困難となる。
そこで、本実施例2においては、カテゴリ毎にペレット
付け順を設定するのではなく、良品ペレットを電気的特
性の近似するペレットl4毎に分類し、さらに分類され
た電気的特性の近似するペレット14毎に、電気的特性
が連続するように、すなわち容量曲線の平行性を保つよ
うに容量値の低いペレット14から容量値の高いペレッ
ト14へとペレット付け順を作威した。
したがって、本実施例2のペレット付け順のデータによ
りペレット付けを行えば、容量曲線の交差するペレット
14を連続してペレット付けすることがなく、かつ電気
的特性の近似したペレット14を連続的にペレット付け
できるので、ペア性を良好にすることができ、ベア製品
のチューナ調整をさらに容易にすることが可能となる。
〔実施例3〕 第8図は本発明の他の実施例である半導体装置の製造方
法を説明するウェハ上のペレットの平面図である。
ところで、ペアリングに必要とするペレットl4の個数
分だけカテゴリを揃えたり、または電気的特性を連続的
にしても、例えばペレット付け以降の処理工程において
ペレット14が不良となると、カテゴリ分類や電気的特
性の連続性がどぎれ、ペアが組めなくなる場合がある。
そこで、本実施例3においては、プローバで測定した各
ペレット14の電気的特性データに基づいて、第8図に
示すように、ペアリングに必要とするペレット14の個
数nにペレット付け以降の工程で生じる不良ペレットの
抜け数mを加えたペアリング数N内においてカテゴリ分
類または電気的特性の連続性を保証したペレット付け順
のデータを作成した。
したがって、本実施例3のペレット付け順のデータによ
りペレット付けを行えば、ペレット付け以降の工程で不
良ペレットが発生しても、ペレット14のカテゴリ分類
や電気的特性の連続性がとぎれることがないので、最終
的にペア数に満たない製品が生じることがなく、ペア製
品の歩留りを向上させることが可能となる。
また、ペアリングが保証できないペレット14をペレッ
ト付け順のデータ作成の段階で検出し廃棄できるので、
ペレット付け以降の処理の工数や材料の無駄を大幅に低
減することが可能となる。
〔実施例4〕 第9図は本発明の他の実施例である半導体装置の製造方
法を説明するウェハの一領域におけるペレットの平面図
である。
本実施例4においては、第9図に示すように、電気的特
性を揃えることを必要とするペレット14の個数、すな
わちペアリングに必要とするペレット14の個数nの略
二分の一乗を一辺とする四角形状の選択領域15を設定
し、その選択領域15内において、例えばつづら折り状
の線上に沿ってペレット付け順のデータを作成した。ま
た、この際、図の二点鎖線で示すように、選択領域l5
をペレット14が配列する行毎にずらしてペレット付け
順のデータを作成しても良い。
したがって、本実施例4のペレット付け順のデータによ
りペレット付けを行えば、ペレットの選択順を作成する
際のペレット間の距離が最長でも(TTr以内になるた
め、すなわちペレッ}14間の距離の近いペレット14
をペレット付けできるため、従来と異なり一番目のペレ
ットとn番目のペレットとの電気的特性が大きく異なる
ということがないので、ペアリングが要求されるペレッ
ト14の電気的特性のバラツキを非常に少なくすること
ができ、ペア製品の歩留りを向上させることが可能とな
る。
また、ペレット付けされるのは常にペレット14間の距
離の近いペレット14となるので、ペアリングに必要と
するペレット14の個数を従来よりも多く設定すること
が可能となる。
〔実施例5〕 第lO図は本発明の他の実施例である半導体装置の製造
方法を説明するダイシング処理および引き伸ばし処理後
のウェハの平面図である。
ところで、本発明者の検討によれば、ウェハWの中心か
ら略等距離にあるペレット14の電気的特性は近似して
いることが見い出された。
そこで、本実施例5においては、電気的特性データに基
づいて、第10図に示すように、ウェハWの内方から外
方に向かって旋回する螺線l6に沿ってペレット付け順
のデータを作威した。
したがって、本実施例5のペレット付け順のデータによ
りペレット付けを行えば、ペレットの電気的特性のバラ
ッキを非常に少なくすることができ、ペア製品の歩留り
を向上させることが可能となる。
〔実施例6〕 第11図は本発明の他の実施例である半導体装置の製造
方法を説明するダイシング処理および弓き伸ばし処理後
のウェハの平面図、第12図はウェハ上の不良ペレット
領域によりペレットの電気的特性の連続性がとぎれてし
まうことを説明するウェハの平面図である。
前記実施例5におては、ウェハWの内方から外方に向か
って旋回する螺線16に沿ってペレット付け順のデータ
を作成した。しかし、本発明者の検討によれば、第12
図に示すように、螺線16の途中に、例えば2〜3mm
程度の不良ペレット領域17が存在すると、不良ペレッ
ト領域17を境に電気的特性の連続性がとぎれてしまう
ことが見い出された。なお、第l2図において実線と破
線とでは電気的特性がとぎれたものを示している。
そこで、本実施例6においては、電気的特性データに基
づいて、第11図に示すように、ウェハWの内方から外
方に向かって旋回する螺線16に沿ってペレット付け順
のデータを作成する際、螺線16の途中で不良ペレット
領域17が存在し、例えばそのまま前方へ3〜lO個程
、電気的特性を調査しても電気的特性の連続性が保証さ
れない場合には、不良ペレット領域17を境として一つ
外側の螺線16上を反対方向に旋回することにより、ペ
レット付け順のデータを作威した。
このように、本実施例6のペレット付け順のデータによ
りペレット付けを行えば、通常、ある螺線16上のペレ
ット14の電気的特性と、その螺線16の近傍の一つ外
側の螺線16上のべレット14の電気的特性とは近似し
ているので、螺線16上に不良ペレット領域17が存在
してもペレット14の電気的特性の連続性がとぎれるこ
とがない。このため、単純に螺旋16上に沿ってペレッ
ト付け順のデータを作成する前記実施例5の場合よりも
、ペレット14の電気的特性のバラツキを少なくするこ
とができ、かつペア製品の歩留りを大幅に向上させるこ
とが可能となる。
〔実施例7〕 第13図は本発明の他の実施例である半導体装置の製造
方法を説明するダイシング処理および弓き伸ばし処理後
のウェハの平面図、第14図はウェハ上の電気的特性の
近似するペレットの実際の配置状態を示すウェハの平面
図である。
前記実施例5においては、ウェハWの内方から外方に向
かって旋回する螺線16に沿ってペレット付け順のデー
タを作成した。しかし、本発明者の検討によれば、電気
的特性の近似するペレット14は、必ずしもきれいな螺
線16上に沿って配列しているとは言えないことが見い
出された。すなわち、電気的特性データに基づいて電気
的特性の近似するペレット14間を結線してみると、そ
の線は第14図に示すようにウネリを有する曲線(以下
、等高線という)18となっている。このため、単純に
螺線16に沿ってペレット付け順のデータを作成しても
ペレット14の電気的特性があまり揃わない場合が生じ
る。
そこで、本実施例7においては、第13図に示すように
、電気的特性データに基づいて電気的特性の近似するペ
レット14間を結ぶ等高線18を作成し、その等高線1
8に沿ってペレット付け順のデータを作成した。等高線
18は、微細なペレット14を結線して作成するため、
そのままでは非常に微細な凹凸を有する線となるので、
特性フィルタにより平均化すると良い。
このように本実施例7においては、電気的特性の近似す
るペレット14間を結線する等高線18に沿ってペレッ
ト14のペレット付け順のデータを作成するので、この
ペレット付け順のデータによりペレット付けを行えば、
単純に螺旋16上に沿ってペレット付け順のデータを作
成する前記実施例5の場合よりも、ペレット14の電気
的特性のバラツキを少なくすることができ、ペア製品の
歩留りを大幅に向上させることが可能となる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
例えば、前記実施例1〜7においては、ペレットにバリ
キャップダイオードが形或された場合について説明した
が、これに限定されるものではなく種々変更可能であり
、例えばペレットにオペアンプ用のトランジスタや光変
換素子等が形或された場合でも適用することが可能であ
る。
また、前記実施例4においては、選択領域内において、
つづら折り状の線上に沿ってペレット付け順のデータを
作成した場合について説明したが、これに限定されるも
のではなく、例えば螺線に沿ってペレット付け順のデー
タを作成しても良い。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるペレット付け装置に
適用した場合について説明したが、これに限定されず種
々適用可能であり、例えばペレット治具詰め装置等、他
の半導体装置の製造方法および装置に適用することが可
能である。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
すなわち、請求項1記載の発明によれば、ダイシング処
理および引き伸ばし処理後、ウェハからペレットを選択
する段階で、ペアリングの管理をすることができるので
、例えばペアにできない不要な製品に対してワイヤボン
ディング処理、封止処理、メッキ処理、さらには選別処
理等の処理を施さないで済み、ベア製品の歩留りを向上
させることができる上、無駄な製造工数や材料を低減す
ることが可能となり、かつ半導体装置の製造時間を大幅
に短縮することが可能となる 請求項4記載の(1). (2), (3), (4)
によれば、次の効果が得られる。
〔l〕.通常、ウェハの中心から略等距離にあるペレッ
トは電気的特性が揃っているので、螺線に沿ってペレソ
1・の選択順を設定すれば、電気的特性のバラツキの少
ない、ペレットの選択順のデータを作戒することができ
、ペア製品の歩留りを向−とさせることが可能となる。
(2).ヘレットの選択順を設定する際のペレット間の
距離が最長でも(’TT”=以内になるため、従来と異
なり一番目のペレットとn番目のペレットとの電気的特
性が大きく異なるということもないので、電気的特性の
バラッキの少ない、ベレン}の選択順のデータを作成す
ることができ、ペア製品の歩留りを向上させることが可
能となる。
(3).(,−V曲線の平行性を保ってペレットの選択
順を設定すれば、途中で電気的特性のとぎれることのな
いデータを作成することが可能となる。
(4).ペレット付け以降の生産工程で不良等により抜
けが生じても、ペアを作る分のペレットの電気的特性は
揃うように保証されているため、最終的にペア数に満た
ない製品が生じることのない、ペレットの選択順のデー
タを作成することができ、ペア製品の歩留りを向上させ
ることが可能となる。
請求項5記載の発明によれば、ダイシンク処理後のウェ
ハ段階において、ペレットの電気的特性が揃うようにペ
レットを順に選択することが可能となる。
また、原点ペレットに対する相対位置として検出された
各ペレットの位置データに基づいて指定されたペレット
をペレット取り出し位置に直接移動させることができる
ので、例えば■取り上げペレソトが点在していても指定
されたペレットを素早くペレット位置に移動できる上、
指定されたペレットをペレット取り出し位置に移動させ
る信頼性も高い、■既にペレットが取り上げられていて
も次に取り上げるペレットの位置確認が困難となること
もない。これらの結果、ペア製品の歩留りを向上させる
ことができ、かつ半導体装置の製造時間を大幅に短縮す
ることが可能となる。
請求項6記載の発明によれば、ウェハからペレットを選
択した段階で揃えたペレットの電気的特性を崩さずその
まま利用できるので、多区分選別処理工程を不要とする
ことができる。この結果、39 ペア製品の歩留りを向上させることができる上、無駄な
選別工数や材料を低減することが可能となり、かつ半導
体装置の製造時間を大幅に短縮することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である半導体装置の製造装置
におけるペレット付け装置を示す平面図、第2図は第1
図に示したウェハの拡大平面図、第3図は第1図に示し
た刻印機構の側面図、第4図はペレントが実装されたリ
ードフレームの平面図、 第5図はこの半導体装置の製造装置におけるリードフレ
ームの整列装置を示す斜視図、第6図はこの半導体装置
の製造装置つ構或図、第7図はバリキャップダイオード
のC−■特性を示すグラフ図、 第8図は本発明の他の実施例である半導体装置の製造方
法を説明するウェハ上のペレットの平面図、 第9図は本発明の他の実施例である半導体装置− 4 
U 一 の製造方法を説明ずるウェハの一領域におけるペレット
の平面図、 第10図は本発明の他の実施例である半導体装置の製造
方法を説明するダイシング処理および弓き伸ばし処理後
のウェハの平面図、 第11図は本発明の他の実施例である半導体装置の製造
方法を説明するダイシング処理および弓き伸ばし処理後
のウェハの平面図、 第12図はウェハ上の不良ペレット領域によりペレット
の電気的特性の連続性がとぎれてしまうことを説明する
ウェハの平面図、 第13図は本発明の他の実施例である半導体装置の製造
方法を説明ずるダイシング処理および弓き伸ばし処理後
のウェハの平面図、 第14図はウェハ上の電気的特性の近似するペレットの
実際の配置状態を示すウェハの平面図、第15図はバリ
キャップダイオードのカテゴリ分類を説明するC−■特
性を示すグラフ図、第l6図は従来のペレット付け順を
説明するペレットの平面図である。 1・・・半導体装置の製造装置、2・・・ペレット付け
装置、3・・・ワイヤボンディング装置、4・・・封止
装置、5・・・メッキ処理装置、6・・・フレーム整列
装置、6a・・・検出部、6b・・・搬送ステージ(整
列機構)、6C・・・搬出プッシャ〈整列機構)、6d
・・・マガジン(整列機構)、6e・・・Y方向駆動モ
ータ(整列機構)、6f・・・Z方向駆動モータ(整列
機構)、6g・・・収納プッシャ(整列機構)、7・・
・XY方向駆動テーブル、8a・・・X方向駆動モータ
(移動機構)、8b・・・Y方向駆動モータ(移動機構
)、9・・・リードフレーム、9a・・・フレーム本体
、9b・・・マウント部、9C・・・送り孔、9d・・
・切り欠き部、10・・・搬送レール、11・・・ボン
ディングヘッド、12・・・刻印器(刻印機構)、12
a・・・下型、12b・・・上型、12C・・・上型ス
ライド軸、12d・・・エアシリンダ、l2e・・・エ
アシリンダ固定板、12f・・・ストリッパ、l3・・
・フロンピディスクドライバ(記憶部)、14・・・ペ
レット、15・・・選択領域、l6・・・螺線、17・
・・不良ペレット領域、18・・・等高線、19・・・
マーク装置、A,B・・・カテゴリ、C1 〜C6  
・・・容量、S・・・原点ペレット、V,,V2 ・・
・電圧、W・・・ウェハ 50a,50n・・・ペレッ
ト。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ダイシング処理によって半導体ウェハを複数の半導
    体ペレットに分割した後、予め測定された各半導体ペレ
    ットの電気的特性データに基づいて、前記半導体ペレッ
    トの電気的特性が揃うように各半導体ペレットの選択順
    のデータを作成し、その選択順に従って半導体ペレット
    を選択することを特徴とする半導体装置の製造方法。 2、前記半導体ペレットの電気的特性を揃える際、前記
    半導体ペレットを前記電気的特性データに基づいてカテ
    ゴリ毎に分類し、そのカテゴリ毎に半導体ペレットの選
    択順のデータを作成することを特徴とする請求項1記載
    の半導体装置の製造方法。 3、前記半導体ペレットの電気的特性を揃える際、前記
    半導体ペレットを前記電気的特性データに基づいて電気
    的特性の近似した半導体ペレット毎に分類し、その中で
    電気的特性が連続するように半導体ペレットの選択順を
    作成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の
    製造方法。 4、前記半導体ペレットの選択順のデータを作成する際
    に、下記の(1)〜(6)の少なくとも1つのデータ作
    成方法に基づいて半導体ペレットの選択順のデータを作
    成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製
    造方法。 (1)半導体ウェハの内方から外方に向かって旋回する
    螺線に沿って半導体ペレットの選択順のデータを作成す
    る、(2)半導体ウェハの内方から外方に向かって旋回
    する螺線に沿って半導体ペレットの選択順のデータを作
    成する際、螺線途中に不良ペレット領域が存在する場合
    には、その不良ペレット領域を境に一つ外側の螺線上を
    反対方向に旋回することにより、半導体ペレットの選択
    順のデータを作成する、(3)電気的特性データに基づ
    いて、電気的特性の揃った半導体ペレットを結ぶ等高線
    を作成し、その等高線に沿って半導体ペレットの選択順
    のデータを作成する、(4)電気的特性を揃えることを
    必要とする半導体ペレットの個数の略二分の一乗を一辺
    とする四角形状の選択領域を設定し、前記選択領域内に
    おいて、つづら折り状または螺線状の線上に沿って半導
    体ペレットの選択順のデータを作成する、(5)電気的
    特性データに基づいて、良品ペレットのみを電気的特性
    が連続する、すなわちC−V曲線の平行性を保つように
    半導体ペレットの選択順のデータを作成する、(6)要
    求ペアリング数に、選択処理後の工程において生じる不
    良ペレットの個数を加えた分の半導体ペレットの電気的
    特性を揃えることを保証した半導体ペレットの選択順の
    データを作成する。 5、ダイシング処理および引き伸ばし処理後の半導体ウ
    ェハ上における各半導体ペレットの実際の位置を半導体
    ウェハ上に設定された原点ペレットに対する相対位置と
    して検出する位置検出機構と、前記位置検出機構によっ
    て検出された半導体ペレットの実際の位置データおよび
    前記各半導体ペレットの番地や各半導体ペレットの電気
    的特性を揃えるように作成された半導体ペレットの選択
    順のデータを記憶する記憶媒体を装着する記憶部と、前
    記選択順のデータによって指定される半導体ペレットを
    、前記位置データに基づいてペレット取り出し位置に直
    接移動させる移動機構と、前記ペレット取り出し位置か
    ら半導体ペレットを取り出すヘッドとを備えることを特
    徴とする半導体装置の製造装置。 6、ダイシング処理によって半導体ウェハから分割され
    た複数の半導体ペレットを、その電気的特性が揃うよう
    に半導体ウェハから順に選択してリードフレーム上にペ
    レット付けした後、前記リードフレームの一部に半導体
    ペレットの電気的特性を認識するための情報を刻印し、
    その後の処理工程において前記刻印に基づいて半導体ペ
    レットの電気的特性が揃うようにリードフレームを再整
    列させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 7、ダイシング処理および引き伸ばし処理後の半導体ウ
    ェハ上における各半導体ペレットの実際の位置を半導体
    ウェハ上に設定された原点ペレットに対する相対位置と
    して検出する位置検出機構と、前記位置検出機構によっ
    て検出された半導体ペレットの実際の位置データおよび
    前記各半導体ペレットの番地や各半導体ペレットの電気
    的特性を揃えるように作成された半導体ペレットの選択
    順のデータを記憶する記憶媒体を装着する記憶部と、前
    記選択順のデータによって指定される半導体ペレットを
    、前記位置データに基づいてペレット取り出し位置に直
    接移動させる移動機構と、前記ペレット取り出し位置か
    ら半導体ペレットを取り出し、かつリードフレーム上に
    ペレット付けするヘッドと、前記半導体ペレットがペレ
    ット付けされたリードフレームに対して半導体ペレット
    の電気的特性を認識するための情報を刻印する刻印機構
    とを備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。 8、リードフレームに刻印された情報を読み取る検出部
    と、前記検出部によって検出された情報に基づいてリー
    ドフレームを収納室の所定の位置に自動的に収納する整
    列機構とを備えることを特徴とする半導体装置の製造装
    置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100379084B1 (ko) * 1998-08-31 2003-07-07 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지제조방법
US8508795B2 (en) 2009-03-16 2013-08-13 Ricoh Company, Limited Information processing apparatus, information processing method, and computer program product for inserting information into in image data
US20140107822A1 (en) * 2012-10-11 2014-04-17 International Business Machines Corporation Methodology of grading reliability and performance of chips across wafer
WO2018163388A1 (ja) 2017-03-09 2018-09-13 株式会社Fuji 部品装着機
WO2018163389A1 (ja) 2017-03-09 2018-09-13 株式会社Fuji ウエハ供給装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100379084B1 (ko) * 1998-08-31 2003-07-07 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지제조방법
US8508795B2 (en) 2009-03-16 2013-08-13 Ricoh Company, Limited Information processing apparatus, information processing method, and computer program product for inserting information into in image data
US20140107822A1 (en) * 2012-10-11 2014-04-17 International Business Machines Corporation Methodology of grading reliability and performance of chips across wafer
US9575115B2 (en) * 2012-10-11 2017-02-21 Globalfoundries Inc. Methodology of grading reliability and performance of chips across wafer
WO2018163388A1 (ja) 2017-03-09 2018-09-13 株式会社Fuji 部品装着機
WO2018163389A1 (ja) 2017-03-09 2018-09-13 株式会社Fuji ウエハ供給装置
US11239101B2 (en) 2017-03-09 2022-02-01 Fuji Corporation Wafer supply device
US11417548B2 (en) 2017-03-09 2022-08-16 Fuji Corporation Component mounting machine

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