JPH03160765A - 受光装置 - Google Patents
受光装置Info
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- JPH03160765A JPH03160765A JP1299515A JP29951589A JPH03160765A JP H03160765 A JPH03160765 A JP H03160765A JP 1299515 A JP1299515 A JP 1299515A JP 29951589 A JP29951589 A JP 29951589A JP H03160765 A JPH03160765 A JP H03160765A
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- superlattice
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- light receiving
- light
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高速大容量光通信用のアバランシェホトダイ
オードからなる受光装置に関するものである。
オードからなる受光装置に関するものである。
低雑音化を目的とした第２種超格子を用いるアバランシ
ェホトダイオード（ＡＰＤ）が、従来、Ｔａｎｏｕｅら
によって提案されてきた（アプライド・フィジックス・
レターズ（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ）土
上巻６７頁（１ ９ ８ ２年））．ただし、構造は？
型であり、基板に対して平行方向に電界をかけるもので
あった。なお，上記第２種超格子は、超格子を構成する
第１半導体と第２半導体とにおいて、上記第１半導体の
電子親和力をｘ，，禁制帯幅をＥｇ■とし、上記第２半
導体の電子親和カをＸ２、禁ＩＩＪ 帯幅をＥｓ２とし
たとき、ｘ，）ｚ２であって．Ｅｇ■十Ｘ■＞Ｅｆ２＋
ｘ，の関係を有している．また，特定の結晶面から傾け
た基板（オフ基板）を用いて、量子細線構造の素子を作
製する方法については． Ｐｅｔｒｏｆｆらによって示
されている（アプライド・フィジックス・レターズ（Ａ
ｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ． ） ４ ５巻６２０
頁（１９８４年））．〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来技術による第２種超格子を用いたＡＰＤは横型
の構成であるため、キャリアが走行する方向の増倍層の
長さを制御することが困難であった．また、平行方向に
電界を印加する構造であるために、増倍層に対して均一
に電界を印加することが難しかった。
ェホトダイオード（ＡＰＤ）が、従来、Ｔａｎｏｕｅら
によって提案されてきた（アプライド・フィジックス・
レターズ（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ）土
上巻６７頁（１ ９ ８ ２年））．ただし、構造は？
型であり、基板に対して平行方向に電界をかけるもので
あった。なお，上記第２種超格子は、超格子を構成する
第１半導体と第２半導体とにおいて、上記第１半導体の
電子親和力をｘ，，禁制帯幅をＥｇ■とし、上記第２半
導体の電子親和カをＸ２、禁ＩＩＪ 帯幅をＥｓ２とし
たとき、ｘ，）ｚ２であって．Ｅｇ■十Ｘ■＞Ｅｆ２＋
ｘ，の関係を有している．また，特定の結晶面から傾け
た基板（オフ基板）を用いて、量子細線構造の素子を作
製する方法については． Ｐｅｔｒｏｆｆらによって示
されている（アプライド・フィジックス・レターズ（Ａ
ｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ． ） ４ ５巻６２０
頁（１９８４年））．〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来技術による第２種超格子を用いたＡＰＤは横型
の構成であるため、キャリアが走行する方向の増倍層の
長さを制御することが困難であった．また、平行方向に
電界を印加する構造であるために、増倍層に対して均一
に電界を印加することが難しかった。
本発明は、第２種超格子を基板に対して垂直に設け，縦
型のＡＰＤとすることによって、上記問題を解消し、広
帯域低雑音のＡＰＤを受光装置として得ることを目的と
する。
型のＡＰＤとすることによって、上記問題を解消し、広
帯域低雑音のＡＰＤを受光装置として得ることを目的と
する。
上記目的は、光を受けてキャリアを発生し、上記キャリ
アを増倍して信号電流とする受光装置において，上記キ
ャリア増倍領域にオーミック接触により電場を印加する
電極を設け、上記キャリア増倍領域を形成する第１半導
体と第２半導体との積層構造のヘテロ界面を、基板に対
して垂直に設け、増倍されたキャリアの走行方向に対し
、上記オーミック接触の接触面をほぼ垂直に配置するこ
とによって達成される。
アを増倍して信号電流とする受光装置において，上記キ
ャリア増倍領域にオーミック接触により電場を印加する
電極を設け、上記キャリア増倍領域を形成する第１半導
体と第２半導体との積層構造のヘテロ界面を、基板に対
して垂直に設け、増倍されたキャリアの走行方向に対し
、上記オーミック接触の接触面をほぼ垂直に配置するこ
とによって達成される。
すなわち，増倍層を形成する超格子のヘテロ界面が基板
に対して垂直になるように設け、上記超格子をいわゆる
第２種超格子とし、上記超格子がＩ ｎＧａＡｓあるい
はＩ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｑ Ａ ｓとＧａＡｓＳｂもし
くはＧａＡｌＡｓＳｂの組合わせからなるようにした．
さらに、特定の結晶面から傾けた基板上にできる階段構
造を利用して，上記構戊の縦型超格子を形成し、上記目
的を再現性よく実現するようにした．さらにまた，上記
受光装置および製造方法を用いて、光受信システムある
いは光通信システムを考案した． 〔作 用〕 従来の横型第２種超格子ＡＰＤの断面模式図を第２図に
示すが，本構造ではｐｔ領域１７とｎ↑領域１８をイオ
ン注入もしくは不純物拡散，あるいはエッチング除去後
再結晶して形成される。したがって，超格子増倍層ｌ３
の横Ｉｌｌ（キャリアが走行する長さ）を、プロセスで
精度よく制御することは困難であった。また，ｐ電極１
９とｎ電極２０との間に逆バイアスを印加した場合，上
記超格子増倍［１３に均一に電界をかけることは，通常
、横型構造では難しい。
に対して垂直になるように設け、上記超格子をいわゆる
第２種超格子とし、上記超格子がＩ ｎＧａＡｓあるい
はＩ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｑ Ａ ｓとＧａＡｓＳｂもし
くはＧａＡｌＡｓＳｂの組合わせからなるようにした．
さらに、特定の結晶面から傾けた基板上にできる階段構
造を利用して，上記構戊の縦型超格子を形成し、上記目
的を再現性よく実現するようにした．さらにまた，上記
受光装置および製造方法を用いて、光受信システムある
いは光通信システムを考案した． 〔作 用〕 従来の横型第２種超格子ＡＰＤの断面模式図を第２図に
示すが，本構造ではｐｔ領域１７とｎ↑領域１８をイオ
ン注入もしくは不純物拡散，あるいはエッチング除去後
再結晶して形成される。したがって，超格子増倍層ｌ３
の横Ｉｌｌ（キャリアが走行する長さ）を、プロセスで
精度よく制御することは困難であった。また，ｐ電極１
９とｎ電極２０との間に逆バイアスを印加した場合，上
記超格子増倍［１３に均一に電界をかけることは，通常
、横型構造では難しい。
本発明の構造では、第１図に示すとおり超格子増倍層３
が縦形に形成されているため、電極９，１０を垂直方向
に対向させることができる。したがって，キャリアが走
行する方向の超格子増倍層３の長さを精度よく制御する
ことができ、がっ，電界を均一に増倍層にかけることが
できる。
が縦形に形成されているため、電極９，１０を垂直方向
に対向させることができる。したがって，キャリアが走
行する方向の超格子増倍層３の長さを精度よく制御する
ことができ、がっ，電界を均一に増倍層にかけることが
できる。
さらに第３図に示すとおり，特定の結晶面から傾けた基
板（オフ基板）上にできる原子の階段構造を利用すると
、上記の構造を再現性よく実現できる。結晶の成長機構
に従うと、階段の立上り角から横方向（ラテラル方向）
に成長速度が速いため、まず第１半導体２１は第３図（
ｂ）に示すように成長する．同じ原理により．つぎに成
長する第２半導体２２は（Ｃ）に示すように形成される
．上記の繰り返しにより（ｄ）に示すような縦型の超格
子を得ることができる．このような成長方法はＰ．Ｍ．
Ｐｅｔｒｏｆｆらのアプライド・フィジックス・レター
ズ４５巻６２０頁（１９８４年）に記されている．本手
法によると、上記縦型ＡＰＤを再現性よく実現できる． 〔実施例〕 つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する．第１図
は本発明による受光装置の第１実施例を示す断面図、第
３図はオフ基板を用いた縦型超格子増倍層の成長過程説
明図、第４図は本発明による受光装置の第２実施例を示
す断面図である。
板（オフ基板）上にできる原子の階段構造を利用すると
、上記の構造を再現性よく実現できる。結晶の成長機構
に従うと、階段の立上り角から横方向（ラテラル方向）
に成長速度が速いため、まず第１半導体２１は第３図（
ｂ）に示すように成長する．同じ原理により．つぎに成
長する第２半導体２２は（Ｃ）に示すように形成される
．上記の繰り返しにより（ｄ）に示すような縦型の超格
子を得ることができる．このような成長方法はＰ．Ｍ．
Ｐｅｔｒｏｆｆらのアプライド・フィジックス・レター
ズ４５巻６２０頁（１９８４年）に記されている．本手
法によると、上記縦型ＡＰＤを再現性よく実現できる． 〔実施例〕 つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する．第１図
は本発明による受光装置の第１実施例を示す断面図、第
３図はオフ基板を用いた縦型超格子増倍層の成長過程説
明図、第４図は本発明による受光装置の第２実施例を示
す断面図である。
第↓実施例
第１図に示す第１実施例の作製方法を説明する．（１１
０）方向に１度傾いた（００１）ｎ型ＩｎＰ基板１上に
、分子線エビタキシ（ＭＢＥ）法により、ｎ−ＩｎＰバ
ソファ層２（１μｍ）を成長したのち、第３図に示した
上記成長機構を用いて縦型の第２種超格子増倍層３を形
或する．電子に対してポテンシャルが低い暦（電子チャ
ネルと呼ぶ）４はＩｎＰに格子整合したＩ ｎ Ｇ ａ
Ａ ｓ、また、正孔に対してポテンシャルが倣い層（
正孔チャネルと呼ぶ）５は、ａ ａ１−ｚＡ ＱｚＡ
ｓ，−．Ｓ ｂｙとした。ただし、ＡＱ混晶比Ｚは０．
７とし、ｓｂ混晶比ＷはＩｎＰと格子整合するように選
んだ．また、超格子の周期は８ ｎ ｒｎ ／ ８ ｎ
ｍとし，キャリアが走行する方向の増倍層の厚さは０
．５μｍとした。この超格子増倍層の上にｐ−ＩｎＰ電
界緩和７３６ （ｐ＝５Ｘ１０１Ｇａ＋＋−３、厚さ０
．２μｍ） 、ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収暦７（厚さ１．
２μｍ） ，ｐ−Ｉ ｎＡＱＡｓバッファ層８（厚さ１
．０μｍ）を順次成長する。つぎに通常のウェットエッ
チング法によりメサ形状にする。
０）方向に１度傾いた（００１）ｎ型ＩｎＰ基板１上に
、分子線エビタキシ（ＭＢＥ）法により、ｎ−ＩｎＰバ
ソファ層２（１μｍ）を成長したのち、第３図に示した
上記成長機構を用いて縦型の第２種超格子増倍層３を形
或する．電子に対してポテンシャルが低い暦（電子チャ
ネルと呼ぶ）４はＩｎＰに格子整合したＩ ｎ Ｇ ａ
Ａ ｓ、また、正孔に対してポテンシャルが倣い層（
正孔チャネルと呼ぶ）５は、ａ ａ１−ｚＡ ＱｚＡ
ｓ，−．Ｓ ｂｙとした。ただし、ＡＱ混晶比Ｚは０．
７とし、ｓｂ混晶比ＷはＩｎＰと格子整合するように選
んだ．また、超格子の周期は８ ｎ ｒｎ ／ ８ ｎ
ｍとし，キャリアが走行する方向の増倍層の厚さは０
．５μｍとした。この超格子増倍層の上にｐ−ＩｎＰ電
界緩和７３６ （ｐ＝５Ｘ１０１Ｇａ＋＋−３、厚さ０
．２μｍ） 、ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収暦７（厚さ１．
２μｍ） ，ｐ−Ｉ ｎＡＱＡｓバッファ層８（厚さ１
．０μｍ）を順次成長する。つぎに通常のウェットエッ
チング法によりメサ形状にする。
最後に電子ビームを用いた真空蒸着法によりＴｉ／ Ａ
ｕのＰ側電極９を設け、さらに、抵抗線加熱方式の真
空蒸着法によりＡ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉ ／ Ａ ｕの
ｎ側電極１０を設けることで、第１実施例の縦型超格子
ＡＰＤを作製することができる．上記実施例において，
入射光１．５５μｍでの量子効率は６０％であった。ま
た、雑音測定から求めたイオン化率比α／βは，増倍率
１０で約５０と極めて大きな値が得られた。さらに、ネ
ットワークアナライザを用いて高周波特性を調べた結果
、増倍率１０での３ｄＢダウンの遮断周波数は１ ２
Ｇ Ｈ ｚであった。上記結果から，本発明の構造が、
ＡＰＤの高速化、低雑音化に極めて有効であることが判
った。
ｕのＰ側電極９を設け、さらに、抵抗線加熱方式の真
空蒸着法によりＡ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉ ／ Ａ ｕの
ｎ側電極１０を設けることで、第１実施例の縦型超格子
ＡＰＤを作製することができる．上記実施例において，
入射光１．５５μｍでの量子効率は６０％であった。ま
た、雑音測定から求めたイオン化率比α／βは，増倍率
１０で約５０と極めて大きな値が得られた。さらに、ネ
ットワークアナライザを用いて高周波特性を調べた結果
、増倍率１０での３ｄＢダウンの遮断周波数は１ ２
Ｇ Ｈ ｚであった。上記結果から，本発明の構造が、
ＡＰＤの高速化、低雑音化に極めて有効であることが判
った。
また、本発明の素子を用いて伝送実験を行った。
発振波長１．５５μｍの半導体レーザを用いた帯域１
０ Ｇ ｂ ／ ｓの伝送実験において、ピットエラー
レート１０−９での最小受信感度−３０ｄＢｍを得た。
０ Ｇ ｂ ／ ｓの伝送実験において、ピットエラー
レート１０−９での最小受信感度−３０ｄＢｍを得た。
第２実施例
本発明の第２実施例を第４図により説明する．本発明の
作製方法は，〔丁１０〕方向に１度傾いた（００１）ｎ
型ＩｎＰ基板３ｌ上に、ＭＢＥ法により、ｎ−ＩｎＰバ
ッフｙ Ｎ ３ ２ （厚さｌμｍ）、ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層３３ （２μｍ） 、ｎ−ＩｎＰ電界緩和Ｎ
３ ４ （ ｎ ＝ ５ Ｘ １ ０”ａｍ−’、厚
さ０．２μｍ）を或長じたのち、第３図で示した成長機
構を用いて、縦型の第２種超格子増倍層３５を形或する
。電子チャネル３６はＩｎ，−ｙ（Ｇ ａ １ −ｘ
Ａ Ｑ ｘ）ｙ Ａ ｓとし，Ａｆｌ混晶比Ｘを０．７
とし、混晶比ｙはＩｎＰと格子整合するように選んだ。
作製方法は，〔丁１０〕方向に１度傾いた（００１）ｎ
型ＩｎＰ基板３ｌ上に、ＭＢＥ法により、ｎ−ＩｎＰバ
ッフｙ Ｎ ３ ２ （厚さｌμｍ）、ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層３３ （２μｍ） 、ｎ−ＩｎＰ電界緩和Ｎ
３ ４ （ ｎ ＝ ５ Ｘ １ ０”ａｍ−’、厚
さ０．２μｍ）を或長じたのち、第３図で示した成長機
構を用いて、縦型の第２種超格子増倍層３５を形或する
。電子チャネル３６はＩｎ，−ｙ（Ｇ ａ １ −ｘ
Ａ Ｑ ｘ）ｙ Ａ ｓとし，Ａｆｌ混晶比Ｘを０．７
とし、混晶比ｙはＩｎＰと格子整合するように選んだ。
正孔チャネル３７はＩｎＰに格子整合したＧ ａ Ａ
ｓ Ｓ ｂとした。また、超格子の周期は８ｎｍ／８ｎ
ｍとし，キャリアが走行する方向の増倍層の厚さは０．
４μｍとした。上記超格子増倍層の上にｐ − Ｉ ｎ
Ａ Ｑ Ａ ｓバッファ層３８を成長した。その後、
第１実施例と同様にメサ形状にし，Ｐ電極３９、ｎ電極
４０を設ける．さらに、上記基板３１に深さ約３５０μ
ｍの穴４１をあけ、光入射部とする。また、本素子の接
合径は２０μｍφとした。本実施例のＡＰＤは、いわゆ
る正孔注入型である。
ｓ Ｓ ｂとした。また、超格子の周期は８ｎｍ／８ｎ
ｍとし，キャリアが走行する方向の増倍層の厚さは０．
４μｍとした。上記超格子増倍層の上にｐ − Ｉ ｎ
Ａ Ｑ Ａ ｓバッファ層３８を成長した。その後、
第１実施例と同様にメサ形状にし，Ｐ電極３９、ｎ電極
４０を設ける．さらに、上記基板３１に深さ約３５０μ
ｍの穴４１をあけ、光入射部とする。また、本素子の接
合径は２０μｍφとした。本実施例のＡＰＤは、いわゆ
る正孔注入型である。
本実施例において、入射光ｌ．５５μｍでの量子効率は
５０％であった。また、雑音測定から求めたイオン化率
比α／βは、増倍率１０で約０．０４と極めて小さな値
が得られた。３ｄＢ遮断周波数は１２ＧＨｚ （増倍率
１０）であった。
５０％であった。また、雑音測定から求めたイオン化率
比α／βは、増倍率１０で約０．０４と極めて小さな値
が得られた。３ｄＢ遮断周波数は１２ＧＨｚ （増倍率
１０）であった。
上記結果から第２実施例においても、本発明がＡＰＤの
高速化や低雑音化に対し、非常に有効であることが判っ
た。
高速化や低雑音化に対し、非常に有効であることが判っ
た。
以上はＩｎＰに格子整合した材料系に対しての適用につ
いて記載したが、上記の他に本発明は、ＧａＡｓ系ある
いはＧａＳｂ系に対しても適用できる。さらに，格子不
整合な系（歪系）に対しても有効である。また、オフ基
板の傾き角度も１度に限らない。なお、本実施例では第
２種超格子に限って記載したが、第１種超格子、例えば
ＩｎＡ Ｑ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｓ ｂ等に
対しても有効である．〔発明の効果〕 上記のように本発明による受光装置は，光を受けてキャ
リアを発生し、上記キャリアを増倍して信号電流とする
受光装置において、上記キャリア増倍領域にオーミック
接触により電場を印加するＷ！．極を設け、上記キャリ
ア増倍領域を形戊する第１半導体と第２半導体の積層構
造のヘテロ界面を、基板に対し垂直に設け，増倍された
キャリアの走行方向に対し、上記オーミック接触の接触
面をほぼ垂直に配置したことにより、上記キャリアが走
行する方向の超格子増倍層の長さを制御でき、かつ、増
倍層に対して均一に電界をかけることができるので、広
帯域・低雑音の第２種超格子ＡＰＤを実現できる．さら
に、オフ基板上のラテラル或長を用いれば、再現性よく
上記ＡＰＤを製造することができる。
いて記載したが、上記の他に本発明は、ＧａＡｓ系ある
いはＧａＳｂ系に対しても適用できる。さらに，格子不
整合な系（歪系）に対しても有効である。また、オフ基
板の傾き角度も１度に限らない。なお、本実施例では第
２種超格子に限って記載したが、第１種超格子、例えば
ＩｎＡ Ｑ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｓ ｂ等に
対しても有効である．〔発明の効果〕 上記のように本発明による受光装置は，光を受けてキャ
リアを発生し、上記キャリアを増倍して信号電流とする
受光装置において、上記キャリア増倍領域にオーミック
接触により電場を印加するＷ！．極を設け、上記キャリ
ア増倍領域を形戊する第１半導体と第２半導体の積層構
造のヘテロ界面を、基板に対し垂直に設け，増倍された
キャリアの走行方向に対し、上記オーミック接触の接触
面をほぼ垂直に配置したことにより、上記キャリアが走
行する方向の超格子増倍層の長さを制御でき、かつ、増
倍層に対して均一に電界をかけることができるので、広
帯域・低雑音の第２種超格子ＡＰＤを実現できる．さら
に、オフ基板上のラテラル或長を用いれば、再現性よく
上記ＡＰＤを製造することができる。
第１図は本発明による受光装置の第工実施例を示す断面
図、第２図は従来のＡＰＤの断面を示す図、第３図（ａ
）、（ｂ）、（ｃ），（ｄ）はオフ基板を用いた縦型超
格子増倍層の成長過程をそれぞれ示す図、第４図は本発
明による受光装置の第２実施例を示す断面図である。 ３、３５・・超格子増倍層 ４、３６・・電子チャネル ５、３７・・正孔チャネル ９、３９・・・Ｐ電極 １０、４０・・・ｎ電極
図、第２図は従来のＡＰＤの断面を示す図、第３図（ａ
）、（ｂ）、（ｃ），（ｄ）はオフ基板を用いた縦型超
格子増倍層の成長過程をそれぞれ示す図、第４図は本発
明による受光装置の第２実施例を示す断面図である。 ３、３５・・超格子増倍層 ４、３６・・電子チャネル ５、３７・・正孔チャネル ９、３９・・・Ｐ電極 １０、４０・・・ｎ電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光を受けてキャリアを発生し、上記キャリアを増倍
して信号電流とする受光装置において、上記キャリア増
倍領域にオーミック接触により電場を印加する電極を設
け、上記キャリア増倍領域を形成する第１半導体と第２
半導体とによる積層構造のヘテロ界面を、基板に対し垂
直に設け、増倍されたキャリアの走行方向に対し、上記
オーミック接触の接触面をほぼ垂直に配置したことを特
徴とする受光装置。 ２、上記第１半導体と第２半導体とは、相互に第２種超
格子を構成していることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載した受光装置。 ３、上記第１半導体と第２半導体とは、第１半導体がＩ
ｎＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｌＡｓであり、第２半導体
がＧａＡｓＳｂまたはＧａＡｌＡｓＳｂであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に記載した
受光装置。 ４、上記第１半導体と第２半導体との積層構造は、特定
の結晶面から傾けた基板上に生じる、原子の階段構造を
用いた超格子層であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載した受光装置。 ５、特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記
載した受光装置を用いた光通信システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1299515A JPH03160765A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1299515A JPH03160765A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03160765A true JPH03160765A (ja) | 1991-07-10 |
Family
ID=17873589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1299515A Pending JPH03160765A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03160765A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3664164A1 (fr) * | 2018-12-07 | 2020-06-10 | Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives | Photodiode de type spad |
-
1989
- 1989-11-20 JP JP1299515A patent/JPH03160765A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3664164A1 (fr) * | 2018-12-07 | 2020-06-10 | Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives | Photodiode de type spad |
| FR3089684A1 (fr) * | 2018-12-07 | 2020-06-12 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Photodiode de type SPAD |
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