JPH03157902A - Noise filter - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電圧非直線性を示す半導体セラミックスを用
いたノイズフィルタに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a noise filter using semiconductor ceramics exhibiting voltage nonlinearity.
〔従来の技術］
バリスタは、トランジェントノイズを吸収する素子とし
て知られているが、一般には、その電圧電流特性のみに
注目して用いられており、静電容量特性は有効に利用さ
れていない。半導体セラミックスを用いたバリスタの場
合、そのほとんどは、半導体粒子間の粒界に形成された
ショットキー障壁によりバリスタ特性が得られているが
、その粒界においては、ブレイクダウン電圧以下の′ｖ
ｋ圧ではコンデンサとしての機能が得Ｃしれる。このコ
ンデンサ特性を積極的に利用して、ノイズを吸収するこ
とも可能である。[Prior Art] Varistors are known as elements that absorb transient noise, but they are generally used with attention focused only on their voltage-current characteristics, and their capacitance characteristics are not effectively utilized. In the case of varistors using semiconductor ceramics, most of them obtain varistor characteristics due to Schottky barriers formed at grain boundaries between semiconductor particles.
At k pressure, it can function as a capacitor. It is also possible to actively utilize this capacitor characteristic to absorb noise.
しかしながら、現実には、セラミンク・バリスタの静電
容量は、信号ライン用としては大き過ぎ、電源用ノイズ
吸収素子として、または低周波信号ライン用ノイズ吸収
素子としてしか用いられていない。信号ライン用として
は、ツ、ナーダイオート等の他のノイズ吸収素子が用い
られているのが現状である。However, in reality, the capacitance of ceramic varistors is too large for use in signal lines, and they are only used as noise absorbing elements for power supplies or as noise absorbing elements for low frequency signal lines. At present, other noise absorbing elements such as TS and NAD-AUTO are used for signal lines.
ツェナーダイオードのようなダイオードは電圧抑制能力
こそ高いものの、サージ等には弱く、また抑制能力が高
いことが裏目となり、エネルギーが消耗されずに、グラ
ンド配線等を介してノイズが発生することがある。また
、もっともよく用いられているコンデンサーインダクタ
複合素子では、トランジェントな高電圧ノイズを吸収す
ることはできない。Although diodes such as Zener diodes have high voltage suppression ability, they are weak against surges, etc., and their high suppression ability may backfire, causing noise to be generated via ground wiring etc. without wasting energy. . Furthermore, the most commonly used capacitor-inductor composite element cannot absorb transient high-voltage noise.
〔発明が解決しようとする技術的課題〕そごで、本願発
明者らは、特願平１−１７６３７０号において、バリス
タの静電容量を有効に利用したコンデンサーバリスタの
複合機能素子からなり、信号ライン用として好適なノイ
ズフィルタを提案した。この未だ公知ではないノイズフ
ィルタでは、半導体セラミックス内に、少なくとも１の
共通電極と、該共通電極と半導体セラミック層を介して
交差するように形成された少なくとも１の貫通電極とが
設けられている。[Technical problem to be solved by the invention] Therefore, in Japanese Patent Application No. 1-176370, the inventors of the present invention have proposed a multi-functional device consisting of a capacitor varistor that effectively utilizes the capacitance of the varistor, and a signal We proposed a noise filter suitable for line use. In this as-yet-unknown noise filter, at least one common electrode and at least one through electrode formed to intersect with the common electrode via the semiconductor ceramic layer are provided in the semiconductor ceramic.
共通電極と貫通電極とを半導体セラミックス内で交差す
るように配置することにより、バリスタ特性部分におけ
る電極型なり面積を低減し、それによって信号ライン用
として好適な比較的小さな静電容量が得られるように構
成されている。By arranging the common electrode and the through electrode so that they intersect within the semiconductor ceramic, the area of the electrode shape in the varistor characteristic part is reduced, and a relatively small capacitance suitable for signal lines can be obtained. It is composed of
また、バリスタ特性を有する半導体セラミックスの誘電
体としての性質をも利用することにより、コンデンサと
してのノイズ吸収能力と、バリスタとしてのノイズ吸収
能力の双方を発揮するように構成されており、それによ
ってトランジェントノイズを含む種々のノイズを効果的
に吸収することが可能とされている。In addition, by utilizing the dielectric properties of semiconductor ceramics that have varistor characteristics, it is configured to exhibit both the noise absorption ability of a capacitor and the noise absorption ability of a varistor. It is said that it is possible to effectively absorb various types of noise including noise.
ところで、上記のようなノイズフィルタでは、現実に信
号ライン用として用いるには、共通電極貫通電極間で取
り出される静電容量を少なくとも数１００ｐＦ以内に抑
える必要がある。従って、電極有効面積が、従来の積層
バリスタ等に比べてかなり小さくなるため、漏れ電流が
比較的大きく、高電流領域における電圧非直線性が十分
でないという問題があった。By the way, in the above-described noise filter, in order to actually use it for a signal line, it is necessary to suppress the capacitance extracted between the common electrode through electrodes to at least several hundred pF. Therefore, since the effective area of the electrode is considerably smaller than that of conventional multilayer varistors, there are problems in that the leakage current is relatively large and the voltage nonlinearity in the high current region is insufficient.
本発明の目的は、上記のような種々の利点を有するコン
デンサーバリスタ複合機能素子を用いた新規なノイズフ
ィルタにおいて、さらに漏れ電流を低減し、かつ高電流
域における電圧非直線特性を改善し得るものを提供する
ことにある。An object of the present invention is to provide a novel noise filter using a capacitor-varistor multifunctional element having various advantages as described above, which can further reduce leakage current and improve voltage nonlinear characteristics in a high current range. Our goal is to provide the following.
上述したようなコンデンサーバリスタ複合機能素子を用
いたノイズフィルタでは、信号ライン用として用いるに
は静電容量を少なくとも数１００ｐｒ以内に抑える必要
がある。従って、内部電極すなわち共通電極及び貫通電
極の有効型なり面積が積層バリスタ等の場合に比べてか
なり小さくなる。In a noise filter using a capacitor-varistor multifunctional element as described above, it is necessary to suppress the capacitance to at least several hundred pr in order to use it for a signal line. Therefore, the effective area of the internal electrodes, that is, the common electrode and the through electrode, is considerably smaller than that of a multilayer varistor.
ところで、バリスタの電圧非直線特性は、半導体セラミ
ック層内の半導体粒子−半導体粒子間の界面に形成され
るショットキー障壁の他、電極（金属）−半導体セラミ
ック層間の界面に形成されるショットキー障壁に由来す
るものがあると考えられている。上記のような構造のノ
イズフィルタでは、内部電極の有効面積が小さいため、
バリスタとしての特性は後者の電極−半導体接触に由来
するショットキー障壁により大きく決定される傾向があ
る。By the way, the voltage nonlinear characteristics of a varistor include Schottky barriers formed at the interface between semiconductor particles in the semiconductor ceramic layer, as well as Schottky barriers formed at the interface between the electrode (metal) and the semiconductor ceramic layer. It is thought that it originates from. In the noise filter with the above structure, the effective area of the internal electrode is small, so
The characteristics as a varistor tend to be largely determined by the Schottky barrier resulting from the latter electrode-semiconductor contact.
そこで、本願発明者らは、上記バリスターコンデンサ複
合機能素子を用いたノイズフィルタにおいて、電極−半
導体セラミック層間の界面に形成されるショットキー障
壁を十分に発現させる方法につき、種々の検討を行った
結果、電極と半導体との界面に酸素を供給し得る物質を
電極内に含有させればよいことに着目し、上記のような
物質として希土類酸化物が最も適していることを見出し
、本発明をなすに至った。Therefore, the inventors of the present application conducted various studies on a method for sufficiently expressing the Schottky barrier formed at the interface between the electrode and the semiconductor ceramic layer in a noise filter using the above-mentioned varistor capacitor multifunctional element. As a result, we focused on the fact that a substance capable of supplying oxygen to the interface between the electrode and the semiconductor should be contained in the electrode, and found that rare earth oxides were the most suitable as the above-mentioned substance, and developed the present invention. I arrived at the eggplant.
すなわち、本発明は、半導体セラミックスと、この半導
体セラミックス内に設けられた少なくとも１個の共通電
極と、該共通電極と半導体セラミック層を隔てられて交
差するように設けられた少なくとも１個の貫通電極と、
共通電極及び貫通電極を外部と接続するための少なくと
も３個の入出力電極とを備えるノイズフィルタであって
、半導体セラミックスが酸化亜鉛を主成分とした材料に
より構成されており、かつ共通電極及び貫通電極が希土
類酸化物を０．０１〜１０重量％含有゛づる金属材料よ
りなることを特徴とするものである。That is, the present invention provides a semiconductor ceramic, at least one common electrode provided in the semiconductor ceramic, and at least one through electrode provided to intersect with the common electrode separated from the semiconductor ceramic layer. and,
A noise filter comprising a common electrode and at least three input/output electrodes for connecting the through electrode to the outside, the semiconductor ceramic being made of a material containing zinc oxide as a main component, and the common electrode and the through electrode connected to the outside. The electrode is characterized in that it is made of a metal material containing 0.01 to 10% by weight of rare earth oxide.
本発明において、希土類酸化物含有量を０．０１〜１０
重量％に限定したのは以下の理由による。In the present invention, the rare earth oxide content is 0.01 to 10
The reason why it is limited to % by weight is as follows.
すなわち、０．０１重量％よりも少ない場合には、共通
電極及び貫通電極と半導体セラミック層との界面に十分
な量の酸素が拡散されないため、電圧非直線係数か小さ
くなるからであり、他方、ｌ （］重量％を超えると、
半導体セラミックスの焼結が抑制されるためバリスタ電
圧が著しく高くなるからである。That is, if it is less than 0.01% by weight, a sufficient amount of oxygen will not be diffused into the interface between the common electrode and the through electrode and the semiconductor ceramic layer, resulting in a small voltage nonlinear coefficient. If it exceeds l (]% by weight,
This is because sintering of the semiconductor ceramics is suppressed, resulting in a significantly higher varistor voltage.
本発明では、内部電極、ずなわら共通電極及び貫通電極
を構成する金属材料に、希土類酸化物が上記の割合で含
有されているため、電橋〜半導体セラミンク層間の界面
に十分な量の酸素が供給される。従って、電極−半導体
セラミック層間のショットキー障壁を十分に発現させる
ことができ、それによって、電極有効面積が小さくされ
ている構造であるにも関わらず、漏れ電流が低減され、
かつ高電流域におりる電圧非直線性が高められる。In the present invention, the rare earth oxide is contained in the metal material constituting the internal electrode, the Zunawara common electrode, and the through electrode in the above ratio, so that a sufficient amount of oxygen is present at the interface between the electric bridge and the semiconductor ceramic layer. is supplied. Therefore, the Schottky barrier between the electrode and the semiconductor ceramic layer can be sufficiently developed, thereby reducing leakage current even though the effective area of the electrode is small.
In addition, voltage nonlinearity in the high current range is enhanced.
以下、本発明の非限定的な実施例を説明することにより
、本発明を明らかにする。The present invention will now be elucidated by describing non-limiting examples thereof.
実施例１
原料として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化コハル） （Ｃ
ｏ３０４ ）、酸化カルシウム（Ｃａ Ｏ）酸化クロム
（Ｃｒ２０：＋）及び炭酸カリウム（Ｋ、ＣＯ，）を、
それぞれ、９８．９０モル％５０８０モル％ ０．１０
モル％、０１０モル％０．１０モル％及びホウケイ酸亜
鉛ガラスを１゜０重量％秤量し、イオン交換水を用いて
２４時間混合した。次に、濾過乾燥した後、７００〜９
００°Ｃで２時間仮焼し、再度粉砕した。Example 1 As raw materials, zinc oxide (ZnO), cohar oxide (C
o304), calcium oxide (CaO), chromium oxide (Cr20:+) and potassium carbonate (K, CO,),
98.90 mol% 5080 mol% 0.10 respectively
Mol%, 0.10% by mole, 0.10% by mole and 1°0% by weight of zinc borosilicate glass were weighed out and mixed for 24 hours using ion-exchanged water. Next, after filtering and drying, 700-9
The mixture was calcined at 00°C for 2 hours and ground again.
粉砕された原料に、有機バインダを混合してドクター・
プレート法により、約２０μ丁ηの程度の厚みの均一な
グリーンシートを形成した後、該グリーンシートを矩形
状に切断した。The pulverized raw materials are mixed with an organic binder and treated with a doctor.
After forming a uniform green sheet with a thickness of about 20 μm by the plate method, the green sheet was cut into rectangular shapes.
他方、銀とパラジウムとからなる合金にビヒクルを混合
してなるペーストに対して、酸化プラナオジウム（Ｐ
ｒ、Ｏ，、）を０〜３０重量％添加し、複数種の電極ペ
ーストを調製した。On the other hand, for a paste made by mixing a vehicle with an alloy consisting of silver and palladium, planaodium oxide (P
A plurality of types of electrode pastes were prepared by adding 0 to 30% by weight of r, O, .
次に、第２図（ａ）〜（ｃ）に示すように、上記のよ・
うにして得られたグリーンシート２〜４に電極ペースＩ
・をスクリーン印刷し、共通電極７及び貫通電極６を形
成した。このようにして得られたグリーンシートを、電
極の形成されていないグリーンシー１１．５と共に、第
１図に示すように重ねて圧着した後、所定の大きさに切
断し、空気中にて９５０〜１１００°Ｃで加熱焼成して
焼結体８（第３図）を得た。Next, as shown in Fig. 2 (a) to (c), the above-mentioned
Electrode paste I was applied to the green sheets 2 to 4 obtained in the above manner.
The common electrode 7 and the through electrode 6 were formed by screen printing. The thus obtained green sheet was stacked and crimped together with the green sheet 11.5 on which no electrode was formed as shown in Fig. 1, cut into a predetermined size, and placed in air for 950 minutes. The sintered body 8 (FIG. 3) was obtained by heating and firing at ~1100°C.
得られた焼結体に銀ペーストをスクリーン印刷し空気中
６００°Ｃで焼き付けて、素子端部に入出力電極として
の外部電橋９，１０を形成した（第４図）。A silver paste was screen printed on the obtained sintered body and baked at 600°C in air to form external bridges 9 and 10 as input and output electrodes at the ends of the element (FIG. 4).
このようにして得られた素子の電気的特性を第１表に示
す。なお、表中の＊印がついている試料は共通電極７及
び貫通電極６中のＰｒｂＯ＋＋含有量が限定範囲外の試
料であるもの、＊＊印がついている試料番号１０（比較
例）は素体の組成がＺｎＯが９８．８０モル％、Ｐｒ６
０ｚがＯ，１，０モル％ Ｃｏｚｅｎが０．８０モル％
、ＣａＯが０．１０モル％、Ｃｒ２Ｏ，が０．１０モル
％に、ＣＯ３が０．１０モル％及びホウケイ酸亜鉛ガラ
スが１．０重量％であるものである。The electrical characteristics of the device thus obtained are shown in Table 1. In addition, samples marked with * in the table are samples in which the PrbO++ content in the common electrode 7 and through electrode 6 are outside the limited range, and sample number 10 (comparative example) marked with ** is the element body. The composition is 98.80 mol% ZnO, Pr6
0z is O, 1.0 mol% Cozen is 0.80 mol%
, 0.10 mol% of CaO, 0.10 mol% of Cr2O, 0.10 mol% of CO3, and 1.0% by weight of zinc borosilicate glass.
第５図に第１表中の試料番号２，４．８．１０の試料（
試料番号４が実施例、試料番号２．８が本発明の限定範
囲外の試料、試料番号１０が比較例）の電圧−電流特性
を示す。第５図から明らかなように、各比較例のノイズ
フィルタでは漏れ電流が大きいのに対し、本実施例によ
り製造されたノイズフィルタでは各比較例に比べて漏れ
電流が低減されており、高電流域における電圧非直線性
についても優れていることがわかる。Figure 5 shows sample numbers 2, 4, 8, and 10 in Table 1 (
Sample number 4 shows the voltage-current characteristics of an example, sample number 2.8 a sample outside the limited range of the present invention, and sample number 10 a comparative example. As is clear from FIG. 5, the leakage current is large in the noise filter of each comparative example, whereas the leakage current of the noise filter manufactured according to this example is reduced compared to each comparative example, and the leakage current is reduced compared to each comparative example. It can be seen that the voltage nonlinearity in the basin is also excellent.
第１表から明らかなように、希土類酸化物の添加量が０
．０１重量％よりも少な（なるとαが小さくなり電圧抑
制能力が低下する。他方、希土類酸化物が１０重量％を
超えるとバリスタ電圧が著しく高くなるので、内部電極
中の希土類酸化物の添加量は０．０１〜１０重量％の範
囲が望ましい。As is clear from Table 1, the amount of rare earth oxide added is 0.
．． If the amount of rare earth oxide is less than 01% by weight (then α becomes smaller and the voltage suppression ability decreases.On the other hand, if the amount of rare earth oxide exceeds 10% by weight, the varistor voltage becomes significantly high, so the amount of rare earth oxide added in the internal electrodes is A range of 0.01 to 10% by weight is desirable.
第１表
原料として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化コバル） （Ｃ
Ｏ３０４）、Ｍ化カルシウム（Ｃａｂ）。Table 1 As raw materials, zinc oxide (ZnO), cobal oxide) (C
O304), calcium Mide (Cab).
酸化クロム（Ｃｒｇ Ｏｓ ）、炭酸カリウム（Ｋ２Ｃ
Ｏ，）をそれぞれ９８．９０モル％、０．８０モル％、
０． １０モ）Ｌｔ％、 Ｏ，Ｉ ０−ｒ−ル％、０
゜１０モル％、及びホウケイ酸亜鉛ガラスを１．０重量
％秤量し、イオン交換水を用いて２４時間混合した。次
に、濾過乾燥した後、７００〜９００℃の温度で２時間
仮焼し、再度粉砕した。Chromium oxide (CrgOs), potassium carbonate (K2C
O,) respectively 98.90 mol% and 0.80 mol%,
0. 10m) Lt%, O, I 0-r-le%, 0
10 mol % of zinc borosilicate glass and 1.0 wt % of zinc borosilicate glass were weighed and mixed for 24 hours using ion-exchanged water. Next, after being filtered and dried, it was calcined at a temperature of 700 to 900°C for 2 hours, and then ground again.
粉砕された原料に、有機バインダを混合してドクター・
ブレード法により、約２０ＩＩｍ程度の厚みの均一なグ
リーンシートを形成した後、該グリーンシートを矩形状
に切断した。The pulverized raw materials are mixed with an organic binder and treated with a doctor.
After forming a uniform green sheet with a thickness of about 20 II m by the blade method, the green sheet was cut into rectangular shapes.
−・方、銀とパラジウムとからなる合金にビヒクルを混
合してなるペーストに対して、第２表に示したように希
土類酸化物を０．１重量％添加して電極ペーストを形成
した。- On the other hand, an electrode paste was formed by adding 0.1% by weight of a rare earth oxide as shown in Table 2 to a paste made by mixing a vehicle with an alloy consisting of silver and palladium.
次に、実施例１の場合と同様にして、共通電極及び貫通
電極が形成されたグリーンシートを、電極の形成されて
いないグリーンシートと共に第１図に示すように重ねて
圧着した後、所定の大きさに切断し、空気中にて９５０
〜１１００’Ｃの温度で加熱焼成し、焼結体を得た。こ
の焼結体に銀ペーストをスクリーン印刷し、空気中６０
０″Ｃで焼き付けて、素子端部に外部電極を形成し、第
４図に示す素子を得た。Next, in the same manner as in Example 1, the green sheet on which the common electrode and the through electrode were formed was stacked and crimped together with the green sheet on which no electrode was formed as shown in FIG. Cut to size and store in air at 950°C.
A sintered body was obtained by heating and firing at a temperature of ~1100'C. This sintered body was screen-printed with silver paste, and
Baking was carried out at 0''C to form external electrodes at the ends of the element to obtain the element shown in FIG.
１１
このようにして得られた素子の電気的特性を第２表に示
す。第２表から明らがなように、共通電極及び貫通電極
に含有した希土類元素の種類を問わず、何れの場合も、
はぼ同程度の特性を示すことがわかる。11 The electrical characteristics of the device thus obtained are shown in Table 2. As is clear from Table 2, regardless of the type of rare earth element contained in the common electrode and the through electrode, in any case,
It can be seen that the two have almost the same characteristics.
なお、本実施例では共通電極及び貫通電極に含有する希
土類酸化物として、１ａ２−０３’、ＣｅｘＯ＊ 、Ｓ
ｍｚ ０３ ’、Ｅｕｚ’ ０３’＋ ’ｒｂ２’ｏ３
、’Ｉ）Ｖｚ Ｃ１＋ 、 Ｅ ｒ ｚ ０３及び
Ｌｕ２’ｏ３を例にとって説明したが、本発明の主旨か
ら他の希土類酸化物を用いてもよいことは言うまでもな
い。In this example, 1a2-03', CexO*, S
mz 03', Euz'03'+'rb2'o3
, 'I) Vz C1+ , E r z 03 and Lu2'o3 have been described as examples, but it goes without saying that other rare earth oxides may be used in view of the spirit of the present invention.
（以下、余白）
２
第２表
〔発明の効果〕
以上のように、本発明によれば、半導体セラミックス内
に共通電極と貫通電極とを交差させるように配置するこ
とにより、コンデンサとしてのノイズ吸収能力及びバリ
スタとしてのノイズ吸収能力の双方を併せ持つノイズフ
ィルタが提供され、さらに電極が、希土類酸化物を０．
０１〜１０重量％含有されている金属材料で構成されて
いるため、電極−半導体セラミック層間のショノトキ−
障壁を十分に発現させることが可能とされており、それ
によって漏れ電流の低減及び高電流域における電圧非直
線特性の改善が図られている。(Hereinafter, blank space) 2 Table 2 [Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, noise absorption as a capacitor is achieved by arranging the common electrode and the through electrode in the semiconductor ceramic so as to intersect with each other. A noise filter is provided that has both the noise absorbing ability of a varistor and the noise absorbing ability of a varistor.
Since it is composed of a metal material containing 0.1 to 10% by weight, there is no bond between the electrode and the semiconductor ceramic layer.
It is said that it is possible to sufficiently develop a barrier, thereby reducing leakage current and improving voltage nonlinear characteristics in a high current range.
従って、コンデンサーバリスタ複合機能素子により、信
転性に優れた信号ライン用ノイズフィルタを実現するこ
とが可能となる。Therefore, by using the capacitor-varistor multifunctional element, it is possible to realize a signal line noise filter with excellent reliability.
第１図は本発明の実施例によるノイズフィルタを作製す
るのに用いるグリーンシート及びその上に形成される電
極の平面形状を説明するための分解斜視図、第２図（ａ
）〜（ｃ）は、グリーンシート状に形成される電極形状
を示す各平面図、第３図は本発明の一実施例を得るにあ
たり用意される焼結体を示す斜視図、第４図は本発明の
一実施例によるノイズフィルタの斜視図、第５図は実施
例１における試料番号２．４．８及び１０の電圧電流特
性を示す図である。
図において、６は貫通電極、７は共通電極、８は半導体
セラミックスとしての焼結体、９．１０は入出力電橋と
しての外部電極を示す。
５
一FIG. 1 is an exploded perspective view for explaining the planar shape of a green sheet and electrodes formed on the green sheet used to produce a noise filter according to an embodiment of the present invention, and FIG.
) to (c) are plan views showing electrode shapes formed in a green sheet shape, FIG. 3 is a perspective view showing a sintered body prepared for obtaining an embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 5 is a perspective view of a noise filter according to an embodiment of the present invention, and is a diagram showing voltage-current characteristics of sample numbers 2.4.8 and 10 in embodiment 1. In the figure, 6 indicates a through electrode, 7 indicates a common electrode, 8 indicates a sintered body as a semiconductor ceramic, and 9.10 indicates an external electrode as an input/output bridge. 5 one
Claims (1)
の共通電極と、 前記共通電極と半導体セラミック層を隔てて交差するよ
うに設けられた少なくとも１個の貫通電極と、 前記共通電極及び貫通電極を外部に接続するための少な
くとも３個の入出力電極とを備えるノイズフィルタにお
いて、 前記半導体セラミックスが酸化亜鉛を主成分とした材料
からなり、かつ 前記共通電極及び貫通電極が希土類酸化物を０．０１〜
１０重量％含有する金属材料からなることを特徴とする
ノイズフィルタ。[Scope of Claims] A semiconductor ceramic, at least one common electrode provided within the semiconductor ceramic, and at least one through electrode provided to intersect with the common electrode across the semiconductor ceramic layer. , a noise filter comprising at least three input/output electrodes for connecting the common electrode and the through electrode to the outside, wherein the semiconductor ceramic is made of a material containing zinc oxide as a main component, and the common electrode and the through electrode is rare earth oxide from 0.01 to
A noise filter comprising a metal material containing 10% by weight.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1297890A JPH03157902A (en) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | Noise filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP1297890A JPH03157902A (en) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | Noise filter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03157902A true JPH03157902A (en) | 1991-07-05 |
Family
ID=17852436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1297890A Pending JPH03157902A (en) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | Noise filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03157902A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003532284A (en) * | 2000-04-25 | 2003-10-28 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | ELECTRICAL STRUCTURE ELEMENT, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME AND USING THE STRUCTURE ELEMENT |
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-
1989
- 1989-11-16 JP JP1297890A patent/JPH03157902A/en active Pending
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