JPH03155092A - 分散型el素子の製造方法 - Google Patents
分散型el素子の製造方法Info
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- JPH03155092A JPH03155092A JP1291134A JP29113489A JPH03155092A JP H03155092 A JPH03155092 A JP H03155092A JP 1291134 A JP1291134 A JP 1291134A JP 29113489 A JP29113489 A JP 29113489A JP H03155092 A JPH03155092 A JP H03155092A
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Landscapes
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は分散型エレクトロルミネセンス素子(以下、分
散型EL素子と略す。)の製造方法に関し、より詳しく
は、対向電極上に絶縁層を介して設けられた発光層と透
明導電層を有する透明樹脂フィルムの透明導電層とを熱
ロールにより加熱圧着する分散型EL素子の製造方法に
関する。
散型EL素子と略す。)の製造方法に関し、より詳しく
は、対向電極上に絶縁層を介して設けられた発光層と透
明導電層を有する透明樹脂フィルムの透明導電層とを熱
ロールにより加熱圧着する分散型EL素子の製造方法に
関する。
分散型EL素子は一般に交流電圧を印加すると発光する
面発光素子であり、低コスト、低消費電力で且つ大面積
が容易なことから、液晶表示装置のバックライトや各種
表示デバイスに用いられている。
面発光素子であり、低コスト、低消費電力で且つ大面積
が容易なことから、液晶表示装置のバックライトや各種
表示デバイスに用いられている。
従来、分散型EL素子は、At箔等の対向電極上に、シ
アノエチルポリビニルアルコール等の高誘電率を有する
有機バインダーとBaTiO3等の高誘電率微粒子とか
らなる絶縁層と、シアノエチルポリビニルアルコール等
の高誘電率を有する有機バインダーとZnS; Cu、
C1等の螢光体微粒子とからなる発光層を順次積層し、
ITO層等の透明導電層を有するポリエチレンテレフタ
レート等の透明樹脂フィルムからなる透明導電性フィル
ムを所定の寸法に切断後、前記透明導電層上に、分散型
EL素子が複数制得られるように、Agペースト等の導
電性塗料をスクリーン印刷等により透明導電層端部に印
刷して複数の集電帯を形成し、更に各集電帯にリード端
子を電気接続し、前記発光層と前記透明導電層とを対向
させて、リード端子辺を先頭にして熱ロールラミネータ
ーに投入することにより加熱圧着した後、対向電極にリ
ード端子を電気接続し、複数個の素子本体を形成し、個
々の素子に切断した後、フッ素フィルム等の防湿性フィ
ルムで素子本体を覆い熱ロールラミネーター等により気
密封止していた。
アノエチルポリビニルアルコール等の高誘電率を有する
有機バインダーとBaTiO3等の高誘電率微粒子とか
らなる絶縁層と、シアノエチルポリビニルアルコール等
の高誘電率を有する有機バインダーとZnS; Cu、
C1等の螢光体微粒子とからなる発光層を順次積層し、
ITO層等の透明導電層を有するポリエチレンテレフタ
レート等の透明樹脂フィルムからなる透明導電性フィル
ムを所定の寸法に切断後、前記透明導電層上に、分散型
EL素子が複数制得られるように、Agペースト等の導
電性塗料をスクリーン印刷等により透明導電層端部に印
刷して複数の集電帯を形成し、更に各集電帯にリード端
子を電気接続し、前記発光層と前記透明導電層とを対向
させて、リード端子辺を先頭にして熱ロールラミネータ
ーに投入することにより加熱圧着した後、対向電極にリ
ード端子を電気接続し、複数個の素子本体を形成し、個
々の素子に切断した後、フッ素フィルム等の防湿性フィ
ルムで素子本体を覆い熱ロールラミネーター等により気
密封止していた。
しかしながら、前述のようにして得られる分散型EL素
子は、素子本体を作製する工程において、ロールラミネ
ートする被加熱圧着物、即ち対向電極上に絶縁層を介し
て設けられた発光層と、透明導電層を有する透明樹脂フ
ィルムの寸法が大きくなると、その素子特性値である誘
電損失係数(以下、janδ値と略す。)が大きな値を
示すと共にバラツキも大きくなることがあり、当該素子
の電気特性、発光特性の低下に大きな一因を成していた
。また、これらの素子て−は、多くの場合、著しい輝度
ムラを伴っており、発光素子である分散型EL素子にお
いて輝度ムラがあるということは重大欠点である。また
、分散型EL素子は、液晶のバックライトとして、1つ
の電子部品として扱われることが多く、前述したような
janδ値が変動することは品質管理上問題であり、j
an8faが小さく、輝度ムラの少ない同一品質の素子
を安定して製造することが困難であった。
子は、素子本体を作製する工程において、ロールラミネ
ートする被加熱圧着物、即ち対向電極上に絶縁層を介し
て設けられた発光層と、透明導電層を有する透明樹脂フ
ィルムの寸法が大きくなると、その素子特性値である誘
電損失係数(以下、janδ値と略す。)が大きな値を
示すと共にバラツキも大きくなることがあり、当該素子
の電気特性、発光特性の低下に大きな一因を成していた
。また、これらの素子て−は、多くの場合、著しい輝度
ムラを伴っており、発光素子である分散型EL素子にお
いて輝度ムラがあるということは重大欠点である。また
、分散型EL素子は、液晶のバックライトとして、1つ
の電子部品として扱われることが多く、前述したような
janδ値が変動することは品質管理上問題であり、j
an8faが小さく、輝度ムラの少ない同一品質の素子
を安定して製造することが困難であった。
本発明者らは前述の問題点に鑑み、鋭意検討した結果、
素子本体を作製する工程において、熱a−ルラミネータ
ーに投入する際の透明導電層を有する透明樹脂フィルム
のMD/TD方向が、分散型EL素子のtanδ値およ
び輝度ムラに関係していることをつきとめ、本発明に至
ったものである。
素子本体を作製する工程において、熱a−ルラミネータ
ーに投入する際の透明導電層を有する透明樹脂フィルム
のMD/TD方向が、分散型EL素子のtanδ値およ
び輝度ムラに関係していることをつきとめ、本発明に至
ったものである。
即ち本発明は、対向電極上に絶縁層を介して設けられた
発光層と、端部に集電帯を介してリード端子を設けた透
明導電層を有する透明樹脂フィルムの透明導電層とを熱
ロールラミネーターにより加熱圧着する分散型EL素子
の製造工程において、前記透明導電層を有する透明樹脂
フィルムのMD力方向、熱ロールラミネーターのMD力
方向を平行にして加熱圧着を行うことを特徴とする高品
質分散型EL素子の製造方法である。
発光層と、端部に集電帯を介してリード端子を設けた透
明導電層を有する透明樹脂フィルムの透明導電層とを熱
ロールラミネーターにより加熱圧着する分散型EL素子
の製造工程において、前記透明導電層を有する透明樹脂
フィルムのMD力方向、熱ロールラミネーターのMD力
方向を平行にして加熱圧着を行うことを特徴とする高品
質分散型EL素子の製造方法である。
分散型EL素子のjanδ値が大きくなったり、著しい
輝度ムラを生じる原因としては、以下のことが考えられ
る。即ち、透明導電層を有する透明樹脂フィルムの前記
透明樹脂フィルムには、二軸延伸ポリエチレンテレフタ
レートフィルムが一般に用いられており、このフィルム
は熱収縮率に異方性がみられ、例えば150℃のオーブ
ン中で30分間熱処理したときの熱収縮率はMD方向=
0.2〜0.4%、TD方向=θ〜0.1%が一般的な
値である。
輝度ムラを生じる原因としては、以下のことが考えられ
る。即ち、透明導電層を有する透明樹脂フィルムの前記
透明樹脂フィルムには、二軸延伸ポリエチレンテレフタ
レートフィルムが一般に用いられており、このフィルム
は熱収縮率に異方性がみられ、例えば150℃のオーブ
ン中で30分間熱処理したときの熱収縮率はMD方向=
0.2〜0.4%、TD方向=θ〜0.1%が一般的な
値である。
即ち、加熱圧着工程において、特にフィルムのMD力方
向熱ロールラミネーターのMD力方向直交した場合に、
この透明樹脂フィルムの熱収縮と、熱ロールによる加熱
及び加圧、更に、ラミネート時の応力等の複合作用によ
り、透明導電層が特に損傷を受は易く、電極としての機
能が低下するため、素子のjanδ値が大きくなったり
、著しい輝度ムラを生じるものと考えられる。
向熱ロールラミネーターのMD力方向直交した場合に、
この透明樹脂フィルムの熱収縮と、熱ロールによる加熱
及び加圧、更に、ラミネート時の応力等の複合作用によ
り、透明導電層が特に損傷を受は易く、電極としての機
能が低下するため、素子のjanδ値が大きくなったり
、著しい輝度ムラを生じるものと考えられる。
また、前記透明樹脂フィルムとして、温度寸法安定性が
良好なフィルム、例えばポリエーテルサルフォンフィル
ム等を用いる場合においても、透明導電層を有する透明
樹脂フィルムのMD力方向、熱ロールラミネーターのM
D力方向を平行になるようにして加熱圧着を行う方が好
ましい。
良好なフィルム、例えばポリエーテルサルフォンフィル
ム等を用いる場合においても、透明導電層を有する透明
樹脂フィルムのMD力方向、熱ロールラミネーターのM
D力方向を平行になるようにして加熱圧着を行う方が好
ましい。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を説明するが本発明はこれら
に限定されるものではない。
に限定されるものではない。
実施例l
BaTiO3微粒子15重量部、シアノエチルポリビニ
ルアルコール6重量部、N、N−ジメチルアセトアミド
13重ffigBからなるペーストを厚さ0.1mmの
アルミニウム箔上に乾燥後の膜厚が108mになるよう
に絶縁層を形成し、更に該絶縁層上に硫化亜鉛系螢光体
(ZnS; Cu、C1)粉末30重量部、シアノエチ
ルポリビニールアルコール8重量部、N、N−ジメチル
アセトアミド14重量部からなるペーストを乾燥後の膜
厚が45μmとなるように発光層を形成し、7cmX4
0cmの寸法に切断した。
ルアルコール6重量部、N、N−ジメチルアセトアミド
13重ffigBからなるペーストを厚さ0.1mmの
アルミニウム箔上に乾燥後の膜厚が108mになるよう
に絶縁層を形成し、更に該絶縁層上に硫化亜鉛系螢光体
(ZnS; Cu、C1)粉末30重量部、シアノエチ
ルポリビニールアルコール8重量部、N、N−ジメチル
アセトアミド14重量部からなるペーストを乾燥後の膜
厚が45μmとなるように発光層を形成し、7cmX4
0cmの寸法に切断した。
次に、150°Cのオーブン930分間の加熱処理にお
ける熱収縮率がMD=0.3%、TD=0.0%、厚さ
75μmの透明ポリエチレンテレフタレートフィルムを
用いたITO被覆透明ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムを7cmX40cmの寸法に、長辺方向がTD力方
向なるように切断し、該フィルムのITO層表面端部に
銀ペーストを乾燥後の膜厚が10μmになるように、幅
2 m m。
ける熱収縮率がMD=0.3%、TD=0.0%、厚さ
75μmの透明ポリエチレンテレフタレートフィルムを
用いたITO被覆透明ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムを7cmX40cmの寸法に、長辺方向がTD力方
向なるように切断し、該フィルムのITO層表面端部に
銀ペーストを乾燥後の膜厚が10μmになるように、幅
2 m m。
長さ55mmの集電帯6素子分を第1図に示すように等
間隔で、ポリエチレンテレフタレートフィルムのTD力
方向平行になるように形成し、更に各集電帯にリン青銅
からなる厚さ100μmのリード端子を電気接続した。
間隔で、ポリエチレンテレフタレートフィルムのTD力
方向平行になるように形成し、更に各集電帯にリン青銅
からなる厚さ100μmのリード端子を電気接続した。
次に、前記アルミニウム箔上に絶縁層を介して形成した
発光層の発光層と、前記ITO被覆ポリエチレンテレフ
タレートフィルムのITO層を対向させて、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルムのMD力方向熱ロールラミネ
ーターのMD力方向平行にした状態で加熱圧着を行った
後、アルミニウム箔に前記同様のリード端子を6素子分
電気接続して分散型EL素子本体を6素子分作製した。
発光層の発光層と、前記ITO被覆ポリエチレンテレフ
タレートフィルムのITO層を対向させて、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルムのMD力方向熱ロールラミネ
ーターのMD力方向平行にした状態で加熱圧着を行った
後、アルミニウム箔に前記同様のリード端子を6素子分
電気接続して分散型EL素子本体を6素子分作製した。
アルミニウム箔上に絶縁層を介して設けられた発光層と
、ITO被覆ポリエチレンテレフタレートフィルムとの
加熱圧着工程前後におけるITO側の各リード端子間(
第1図中のa−b間、b〜C間、c−d間、d −e間
、e−f間)の抵抗値の変化率は0〜3%でほとんど増
加しておらず、熱ロールラミネーターによる加熱圧着工
程において、ITO層はほとんど損傷を受けていないも
のと推測される。
、ITO被覆ポリエチレンテレフタレートフィルムとの
加熱圧着工程前後におけるITO側の各リード端子間(
第1図中のa−b間、b〜C間、c−d間、d −e間
、e−f間)の抵抗値の変化率は0〜3%でほとんど増
加しておらず、熱ロールラミネーターによる加熱圧着工
程において、ITO層はほとんど損傷を受けていないも
のと推測される。
次に、片面に厚さ20μmのポリアミド系シーラントを
有する厚さ80μmのポリアミドフィルムからなる吸湿
層(7cmX40cm)2枚のシーラント層を互いに対
面するように合わせた間に前記素子本体を挟み、熱ロー
ルラミネーターにより加熱圧着を行い、素子本体と吸湿
層を積層させた。
有する厚さ80μmのポリアミドフィルムからなる吸湿
層(7cmX40cm)2枚のシーラント層を互いに対
面するように合わせた間に前記素子本体を挟み、熱ロー
ルラミネーターにより加熱圧着を行い、素子本体と吸湿
層を積層させた。
この積層体から6cmX6cmの寸法のサンプル6素子
を切取り、片面に厚さ50μmのポリオレフィン系シー
ラントを有する厚さ100μmのポリクロロテトラフル
オロエチレンフィルムからなる防湿性フィルム(7cm
X7cm)2枚のシーラント層を互いに向い合わせその
中間に前記の分散型EL素子のサンプルを挟持し、熱ロ
ールラミネーターにより加熱圧着を・行い、分散型EL
素子を作製した。
を切取り、片面に厚さ50μmのポリオレフィン系シー
ラントを有する厚さ100μmのポリクロロテトラフル
オロエチレンフィルムからなる防湿性フィルム(7cm
X7cm)2枚のシーラント層を互いに向い合わせその
中間に前記の分散型EL素子のサンプルを挟持し、熱ロ
ールラミネーターにより加熱圧着を・行い、分散型EL
素子を作製した。
得られた6つの分散型EL素子のI V、 1 kl
lz駆動におけるjanδ値は0.059〜0.062
の範囲内であり、品質上問題とならない程度であった。
lz駆動におけるjanδ値は0.059〜0.062
の範囲内であり、品質上問題とならない程度であった。
また、100V、400Hz駆動における素子の輝度ム
ラは、6素子共に同一素子において平均輝度±3%以内
であり品質上問題とならない程度であった。
ラは、6素子共に同一素子において平均輝度±3%以内
であり品質上問題とならない程度であった。
実施例2
実施例1において、透明ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムの代わりに、150°Cのオーブン930分間の
加熱処理における熱収縮率がMD=0.0%、TD=0
.0%、厚さ75.umの透明ポリエーテルサルフオン
フイルムを使用したITO被覆被覆透明ポリエーテルサ
ルジオンフィルムいた以外は、実施例1と同様にして6
素子分の分散型EL素子本体を作製した。
ィルムの代わりに、150°Cのオーブン930分間の
加熱処理における熱収縮率がMD=0.0%、TD=0
.0%、厚さ75.umの透明ポリエーテルサルフオン
フイルムを使用したITO被覆被覆透明ポリエーテルサ
ルジオンフィルムいた以外は、実施例1と同様にして6
素子分の分散型EL素子本体を作製した。
アルミニウム箔上に絶縁層を介して設けられた発光層と
、ITO被覆被覆ポリエーテルサルジオンフィルム加熱
圧着工程前後におけるITO側の各リード端子間の抵抗
値の変化率は0〜2%でほとんど増加しておらず、熱ロ
ールラミネーターによる加熱圧着工程において、ITO
層はほとんど損傷を受けていないものと推測される。
、ITO被覆被覆ポリエーテルサルジオンフィルム加熱
圧着工程前後におけるITO側の各リード端子間の抵抗
値の変化率は0〜2%でほとんど増加しておらず、熱ロ
ールラミネーターによる加熱圧着工程において、ITO
層はほとんど損傷を受けていないものと推測される。
次に、実施例1と同様にして6つの分散型EL素子を作
製した。
製した。
得られた6つの分散型EL素子のI V、 1 kl
lz駆動におけるjanδ値は0.054〜0.059
の範囲内であり、品質上問題とならない程度であった。
lz駆動におけるjanδ値は0.054〜0.059
の範囲内であり、品質上問題とならない程度であった。
また、100V、40011z駆動における素子の輝度
ムラは、6素子共に同一素子において平均輝度±2%以
内であり品質上問題とならない程度であった。
ムラは、6素子共に同一素子において平均輝度±2%以
内であり品質上問題とならない程度であった。
比較例1
実施例1において、1′rO被覆ポリエチレンテレフタ
レートフイルムを7cmX40cmの寸法に、長辺方向
がMD力方向なるように切断し、該フィルムのITOF
’上にフィルムのMD力方向平行になるように集電帯を
形成したこと以外は、実施例1と同様にして6素子分の
分散型EL素子本体を作製した。
レートフイルムを7cmX40cmの寸法に、長辺方向
がMD力方向なるように切断し、該フィルムのITOF
’上にフィルムのMD力方向平行になるように集電帯を
形成したこと以外は、実施例1と同様にして6素子分の
分散型EL素子本体を作製した。
アルミニウム箔上に絶縁層を介して設けられた発光層と
、I T O被覆ポリエチレンテレフタレートフィルム
との加熱圧着工程前後におけるITO側の各リード端子
間の抵抗値は8〜60%の範囲で増加しており、熱ロー
ルラミネーターによる加熱圧着工程において、170層
が損傷を受けたことが推測される。
、I T O被覆ポリエチレンテレフタレートフィルム
との加熱圧着工程前後におけるITO側の各リード端子
間の抵抗値は8〜60%の範囲で増加しており、熱ロー
ルラミネーターによる加熱圧着工程において、170層
が損傷を受けたことが推測される。
次に、実施例1と同様にして6つの分散型EL素子を作
製した。
製した。
得られた6つの分散型EL素子のIV、1kHz駆動に
おけるjanδ値は0.070〜0.120の範囲内で
あり、全体的に大きな値であり、値のバラツキも大きか
った。また、100V、4001(z駆動における素子
の輝度ムラは、6素子共に同一素子において平均輝度±
12%以内と大きいものであった。
おけるjanδ値は0.070〜0.120の範囲内で
あり、全体的に大きな値であり、値のバラツキも大きか
った。また、100V、4001(z駆動における素子
の輝度ムラは、6素子共に同一素子において平均輝度±
12%以内と大きいものであった。
本発明によると、対向電極上に絶縁層を介して設けられ
た発光層と、透明導電性フィルムとの加熱圧着工程にお
いて、透明導電性フィルムのMD力方向熱ロールラミネ
ーターのMD力方向を平行にすることにより、透明導電
層の損傷を抑え、janδ値が小さく、輝度ムラの少な
い品質の安定した分散型EL素子が得られる。
た発光層と、透明導電性フィルムとの加熱圧着工程にお
いて、透明導電性フィルムのMD力方向熱ロールラミネ
ーターのMD力方向を平行にすることにより、透明導電
層の損傷を抑え、janδ値が小さく、輝度ムラの少な
い品質の安定した分散型EL素子が得られる。
第1図は実施例1及び2における透明導電性フィルムの
透明導電層上に集電体、リード端子を設置した状態を示
す概略図であり、第2図は実施例1及び2における透明
導電性フィルムの透明導電層と、対向電極(アルミニウ
ム箔)上に絶縁層を介して設けられた発光層とを熱ロー
ルラミネーターにより加熱圧着する工程を示す概略図で
ある。 第3図は比較例1における透明導電性フィルムtに集電
帯、リート端子を設置した状態を示す概略図であり、第
4図は比較例1における透明導電性フィルムの透明導電
層と、対向電極(アルミニウム箔)上に絶縁層を介して
設けられた発光層とを、熱ロールラミネーターにより加
熱圧着する工程を示す概略図である。 尚、図中の符号は下記のものを示す。 1・・・透明導電層を有する透明樹脂フィルム(透明導
電性フィルム) 2・・・集電帯 a−f・・・ITO側の各リード端子 3・・・集電帯及びリード端子が設けられた透明導電性
フィルム 4・・・絶縁層及び発光層が積層された対向電極5・・
・熱ロールラミネーター 一テMv
透明導電層上に集電体、リード端子を設置した状態を示
す概略図であり、第2図は実施例1及び2における透明
導電性フィルムの透明導電層と、対向電極(アルミニウ
ム箔)上に絶縁層を介して設けられた発光層とを熱ロー
ルラミネーターにより加熱圧着する工程を示す概略図で
ある。 第3図は比較例1における透明導電性フィルムtに集電
帯、リート端子を設置した状態を示す概略図であり、第
4図は比較例1における透明導電性フィルムの透明導電
層と、対向電極(アルミニウム箔)上に絶縁層を介して
設けられた発光層とを、熱ロールラミネーターにより加
熱圧着する工程を示す概略図である。 尚、図中の符号は下記のものを示す。 1・・・透明導電層を有する透明樹脂フィルム(透明導
電性フィルム) 2・・・集電帯 a−f・・・ITO側の各リード端子 3・・・集電帯及びリード端子が設けられた透明導電性
フィルム 4・・・絶縁層及び発光層が積層された対向電極5・・
・熱ロールラミネーター 一テMv
Claims (2)
- (1) 対向電極上に絶縁層を介して設けられた発光層
と、端部に集電帯を介してリード端子を設けた透明導電
層を有する透明樹脂フイルムの透明導電層とを熱ロール
ラミネーターにより加熱圧着する分散型EL素子の製造
工程において、前記透明導電層を有する透明樹脂フイル
ムのMD方向と、熱ロールラミネーターのMD方向とを
平行にして加熱圧着を行うことを特徴とする分散型EL
素子の製造方法。 - (2) 前記透明樹脂フイルムがポリエチレンテレフタ
レートフイルム又はポリエーテルサルフオンフイルムで
あることを特徴とする請求項1記載の分散型EL素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1291134A JPH03155092A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 分散型el素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1291134A JPH03155092A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 分散型el素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03155092A true JPH03155092A (ja) | 1991-07-03 |
Family
ID=17764891
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1291134A Pending JPH03155092A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 分散型el素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03155092A (ja) |
-
1989
- 1989-11-10 JP JP1291134A patent/JPH03155092A/ja active Pending
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