JPH03153013A - レジストパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はレジストパターン形成方法に関し、例えばゲ
ートパターンや配線パターンをリフトオフプロセスによ
り形成するときに用いられるレジストパターン形成方法
に関する。

〔従来の技術〕

リフトオフプロセスで用いられるレジストパターンは、
レジストパターンのヌキ部分に形成されるゲートパター
ンや配線パターンを構成する金属膜と、レジストパター
ン上に形成される金属膜とが接触しないようその断面が
オーバーハング（逆テーパ−）状であることが要求され
る。第２Ａ図ないし第２Ｅ図はこのようなリフトオフプ
ロセスによりゲートパターンや配線パターンを形成する
従来のパターン形成方法を説明するための断面工程図で
ある。まず、基板１上にｉ線（波長が３Ｂ５．０１　ｎ
厘の光線）用のポジ型レジスト２を形成する。その後、
第２Ａ図に示すように所望のパターンを有するフォトマ
スク３を介してポジ型レジスト２上にｉ線４を照射する
。すると、ポジ型レジスト２は所望のパターンに露光さ
れ、ポジ型レジスト２に露光部５が形成される。

次に、クロロベンゼンやキシレンなどの溶液に露光され
たポジ型レジスト２を数十分間浸す。すると第２Ｂ図に
示すようにポジ型レジスト２の表面には厚さ１０００〜
３０００人の難溶化層６が形成される。次に現像液に浸
すことにより現像を行う。難溶化層６は現像液に溶けに
くいため、また、露光部５以外のポジ型レジスト２が少
し侵食されるため、ポジ型レジスト２には第２Ｃ図に示
すようにオーバーハング状のパターンが形成される。次
に第２Ｄ図に示すように金属膜７をポジ型レジスト２の
オーバーハング状パターンの側面に付着しないように蒸
着させる。その後、ポジ型レジスト２を除去することに
よりその上に形成された難溶化層６及び金属膜７も同時
に除去する。すると、第２Ｅ図に示すような金属膜７の
所望のパターンが形成される。

〔発明が解決しようとする課題〕

以上のようにリフトオフプロセスに用いられる従来のレ
ジストパターン形成方法においては、ポジ型レジスト２
をオーバーハング状のパターンに形成するのにクロロベ
ンゼン等の溶液に浸すというウェットプロセスを必要と
するため、ウェットプロセス特有の欠陥が発生したり、
処理時間が長いという問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、欠陥の発生が少なくかつ処理時間が短いレジ
ストパターン形成方法を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係るレジストパターン形成方法は、第１の照
射線を比較的透過させやすく、かつ、第１の照射線が照
射された場合にポジ型となる一方、第２の照射線を比較
的透過させに＜＜、かつ、第２の照射線が照射された場
合にネガ型となるレジストを下地上に形成する工程と、
レジスト上に第１の照射線を所望のパターンに露光する
工程と、第１の照射線により所望のパターンに照射され
たレジストの表面全面に第２の照射線を照射する工程と
、レジストを現像液に浸すことにより現像する工程とを
備えている。

〔作用〕

この発明におけるレジストは、第１の照射線を比較的透
過させやすく、かつ、第１の照射線が照射された場合に
ポジ型となる一方、第２の照射線を比較的透過させに＜
＜、かつ、第２の照射線が照射された場合にネガ型とな
る。従って、第２の照射線をレジスト表面に照射すると
レジスト表面のみがネガ型となり、従来のようにウェッ
トプロセスを用いることなくレジスト表面に難溶化層を
形成することができる。

〔実施例〕

第１Ａ図ないし第１Ｅ図はこの発明に係るレジストパタ
ーン形成方法をリフトオフプロセスに用いた場合の一実
施例を示す断面工程図である。

まず第１Ａ図に示すように基板１上にｉ線用のノボラッ
ク系のポジ型レジスト１０を形成する。

ところで、このｌ線用のノボラック系のポジ型レジスト
１０は、連続で光強度が比較的弱い光である例えばｉ線
（水銀灯より発生されるもの）やｄｅｅｐ−ＵＶ光によ
り露光された場合にはポジ型となり、非連続（パルス的
）で、パルス当りの光強度が比較的大きい（数１００　
ＫＷ／ｃＪ）光である例えばＫｒＦレーザー（波長は２
４８　ｎｗ）やＡｒＦレーザー（波長は１９３　ｎｍ）
などのエキシマレーザ−光により露光された場合にはノ
ボラックが架橋してネガ型となることが実験により確認
された。

また、ｉ線用のノボラック系のポジ型レジスト１０は、
ｉ線やｄｅｅｐ−ＵＶ光は比較的透過させやすいが、エ
キシマレーザ−光は比較的透過させにくいということも
確認された。このような性質を有するレジストとして、
市販されているものでは、マクダーミット社のＰＲ１０
２４やヘキスト社のＡｚ５２１４等がある。

第１Ａ図に戻って、所望のパターンを有するフォトマス
ク３を介して、レジスト１０上に水銀灯２０よりｉ線４
（第１の照射線）を照射する。すると、レジスト１０は
所望のパターンに露光され、レジスト１０には露光部１
１が形成される。上述したようにレジスト１０は水銀灯
２０からのｉ線により露光された場合はポジ型となるの
で、後に行われる現像により露光部１１は現像液に溶け
ることになる。

次に、エキシマレーザ−光１００（第２の照射線）によ
りレジスト１０の表面全面を露光する。

上述したようにレジスト１０はエキシマレーザ−光１０
０により露光された場合はネガ型となる。

またレジスト１０はエキシマレーザ−光１００は比較的
透過させにくい。従って、レジスト１０の表面は難溶化
層６となる。

次に現像液に浸すことにより現像を行う。難溶化層３は
現像液に溶けず、露光部１１は溶ける。

また、露光部１１以外のレジスト１０も現像液により侵
食される。そのため第１Ｃ図に示すようにレジスト１０
には従来と同様オーバーハング状のパターンが形成され
る。そして、従来と同様に金属膜７をレジスト１０のオ
ーバーハング状パターンの側面に付着しないように蒸着
させ（第１Ｄ図）、その後、レジスト１０を除去するこ
とにより金属膜７の所望のパターンを形成する（第１Ｅ
図）。

上記実施例によれば、ウェットプロセスを用いずエキシ
マレーザ−光１００を照射することにより難溶化層６を
形成するようにしているので、ウェットプロセス特有の
欠陥がなくなるとともに処理時間を短くすることができ
る。

なお、上記実施例ではレジスト１０としてｉ線用のノボ
ラック系のポジ型のものを使用した場合について説明し
たが、レジストに所望のパターンを形成するために照射
する第１の照射線としてｇ線、Ｘ線あるいは電子線など
を用いた場合、これら第１の照射線を比較的透過させや
すく、かつ、第１の照射線が照射された場合にポジ型と
なる一方、エキシマレーザ−光などの第２の照射線を比
較的透過させに＜＜、かつ、第２の照射線が照射された
場合にネガ型となるレジストならばいかなるレジストで
もよい。

またこの発明によりレジストパターン形成方法はリスト
オフプロセスによるゲートパターンや配線パターンの形
成以外にも適用できることは勿論である。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、第１の照射線を比較
的透過させやすく、かつ、第１の照射線が照射された場
合にポジ型となる一方、第２の照射線を比較的透過させ
に＜＜、かつ、第２の照射線が照射された場合にネガ型
となるレジストを下地上に形成したので、第２の照射線
をレジスト表面に照射するとレジスト表面のみがネガ型
となり、従来のようにウェットプロセスを用いることな
くレジスト表面に難溶化層を形成することができる。

その結果、ウェットプロセス特有の欠陥が生じず、処理
時間の短縮が図れるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図ないし第１Ｅ図はこの発明に係るレジストパタ
ーン形成方法を用いたリフトオフプロセスによるパター
ン形成方法を示す断面工程図、第２八図ないし第２Ｅ図
は従来のリフトオフプロセスによるパターン形成方法を
示す断面工程図である。 図において、１は基板、４はｉ線、１０はｉ線用ノボラ
ック系ポジ型レジスト、１００はエキシマレーザ−光で
ある。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）第１の照射線を比較的透過させやすく、かつ、第
   １の照射線が照射された場合にポジ型となる一方、第２
   の照射線を比較的透過させにくく、かつ、第２の照射線
   が照射された場合にネガ型となるレジストを下地上に形
   成する工程と、 前記レジスト上に前記第１の照射線を所望のパターンに
   照射する工程と、 前記第１の照射線により所望のパターンに照射された前
   記レジストの表面全面に前記第２の照射線を照射する工
   程と、 前記レジストを現像液に浸すことにより現像する工程と
   を備えたレジストパターン形成方法。