JPH03150964A

JPH03150964A - 光源駆動装置および光走査装置

Info

Publication number: JPH03150964A
Application number: JP1290913A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Inoue; 仁司井上
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1989-11-07
Filing date: 1989-11-07
Publication date: 1991-06-27
Also published as: DE4035389A1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］本発明は、半導体レーザ等の光源を変調駆動する装置、
及び該光源を用いて記録媒体上へ光走査する光走査装置
に関する。［従来の技術］デジタルで表現されたハーフトーン画像を感光性の記録
媒体上へ記録する装置として、従来から広く用いられて
いるものにレーザビームプリンタがある。これは画素濃
度に比例して強度変調されたレーザビームを光偏向器に
より偏向し主走査とし、フィルムやドラム等の記録媒体
を主走査方向と垂直に移動させて副走査として、該記録
媒体上に画像記録するものである。上記のレーザビームを発生する手段として、半導体レー
ザは現在量も安価で小型であり、駆動電流によって直接
強度変調が行える特徴を持つ。しかしながら半導体レーザの欠点として、駆動電流−光
出力特性が著しい温度負性特性を持っている事が上げら
れる。第１２図は半導体レーザの駆動電流−光出力特性
の一例であり、横軸に半導体レーザの駆動電流（ｍＡ）
、縦軸には光出力（ｍ　Ｗ　）をとり、ケース温度を０
℃、２５℃。５０℃にして測定したものである。グラフから読み取る
と、約−０，１ｍＷ／℃の温度負性特性が見いだせる。この事は外気温の変動により光出力が大きく変動する事
を意味している。また、半導体レーザチップは自らの発
光損失により温度上昇し、そのための光出力の低下が起
こる。レーザプリンタは主走査が１〜２ｍ５ｅｃ、１ペ一ジ数
秒という速度で記録を行うため、少なくとも１主走査期
間では外気温は変化せず、その間の温度変化による光出
力変化は半導体レーザ自身の発光損失による熱上昇に起
因するもののみで与えられる。第５図は半導体レーザの光出力の時間的な変動の一例を
示したものであり、横軸に時間［μｓｅｃ　］　、縦軸
には光出力［ｍＷ］及び駆動電流［ｍＡ］をとったグラ
フである。３５は駆動電流を示し、時間Ｏにおいて０か
ら９０ｍＡまで急峻に変化し、時間５１２μｓｅｃで９
０ｍＡから６０ｍＡまで再び急峻に変化している。３６
は３５の駆動電流に対する光出力を示している。３６を
見ると、発光による半導体レーザチップの温度上昇によ
り次第に光出力が低下しているのがわかる（以下この特
性をドループ特性と呼ぶ）。このドループ特性を観察す
ると、急峻な変化の後の時定数１００μｓｅｃ程度の光
出力変動とその後の時定数１００ｍ５ｅｃ程度のゆっく
りした光出力変化が認められる。これは単純な２次系で
シミュレートでき、初めの変化は半導体レーザチップの
熱容量と熱抵抗によるもので、後の変化は半導体レーザ
のケース及びヒートシンクの熱容量と熱抵抗によるもの
と考えられる。上記温度変化による光出力変動を補償する手段として、
従来より半導体レーザの発光レベルが所定レベルに一致
するか逐次フォトダイオードでモニタし駆動電流へフィ
ードバックする回路（以下ＡＰＣ回路という）が知られ
ている。第６図は基本的なＡＰＣ回路の構成ブロック図であり、
１は発光量に比例させようとする設定電圧、２は電圧加
算回路、３は半導体レーザ駆動電圧Ｖｄ、４は３の駆動
電圧Ｖｄを実際の駆動電流Ｉｄに変換する電圧／電流変
換回路、５は駆動電流１ｄ、６は半導体レーザ、フはレ
ーザ発光量をモニタするＰＩＮフォトダイオード、８は
モニタｔ　ｍ　Ｉ　Ｉｔ　、　９はモニタ電流１ｔｔｒ
を１０のモニタ電圧Ｖｍに変換する電流／電圧変換回路
である。半導体レーザ６の光出力をＰＩＮフォトダイオ
ード７でモニタするため、図では省略しであるが、Ｐ！
Ｎフォトダイオード７は、レーザチップの後端部で半導
体レーザの後面発光量をモニタするか、もしくはレーザ
チップの前面にビームスプリッタを設け、分光された光
をモニタするように構成されている。第６図は典型的な
単一ループフィードバック制御系を成しており、１の設
定電圧Ｖｓとモニタ電圧Ｖｍの誤差分が３の駆動電圧Ｖ
ｄになることにより、光出力が温度変化により変動して
も、常に１の設定電圧Ｖｓに比例するように制御される
。［発明が解決しようとする課題］半導体レーザの欠点としてレーザ発振の最低光出力が約
１ｍＷと比較的高いことが挙げられる。現在比較的安価な半導体レーザの定格最大光出力は１５
〜２０ｍＷであり、光出力のダイナミックレンジ（消光
比）は１：１５と狭くなり良好な変調が行えない。そこ
で、消光比を大きくとるために光出力を一定として１画
素のパルス幅／数を変化させて強度変調を行なう方式（
パルス幅／数変調）、もしくは光出力変化（振幅変調）
とパルス幅／数変調を組み合わせた方式が提案されてい
る。しかし、レーザビームプリンタの１画素当たりの記録速
度（画素クロック周波数）は数ＭＨｚと高速であり、例
えば８ビツトの階調を持つパルス幅変調を行えばパルス
幅は最小のもので数ｎ　ｓｅｃと非常に短いものになる
。この様な短いパルス幅を発する半導体レーザの強度変
調を該ＡＰＣ回路で行なおうとすると、制御速度を数１
０ＧＨｚと極めて高くしなければならない。そのような
高速な制御を行なうことは非常に困難である。また、通常の安定した制御速度のＡＰＣ回路を用いると
、半導体レーザ駆動回路全体の駆動速度を落すことにな
り、高速なパルス幅／数変調が行えない。本発明は半導体レーザ等の光源の変調方式の種類によら
ず露光量の補正が高速に行える光源駆動装置及びこれを
用いた光走査装置の提供を目的とする。［課題を解決するための手段］上述の課題を解決する本発明の要旨は、所望の露光量設
定値を設定する手段と、前記露光量設定値に応じて光源
を駆動する手段と、該駆動される光源の光出力を検知す
る手段と、該先出力を所定時間内で積分して、前記所定
時間内での露光量の実効値を求める手段と、前記露光量
設定値から前記所定時間内での露光量の推定値を求める
手段と、前記露光量の実効値と推定値を比較して次回の
露光量設定値の補正値を求める手段を有することを特徴
とする光源駆動装置である。［実施例コ本発明の詳細な説明するにあたり、まず本発明の原理に
ついて説明する。本発明においては下記の３つの性質を利用することを前
提とする。

【性質１］前述の通り半導体レーザチップの温度変動はせいぜい時
定数１００μｓｅｃ程度の比較的ゆっくりしたものであ
り、レーザビームプリンタの数画素（数μｓｅｃ　）の
間を見ればほぼ一定値とみなすことができる。【性′ｘ２】第４図から分かる通り半導体レーザの光出力のスロープ
効率η［ｍ　Ｗ　／　ｍ　Ａ　］は、温度変動が少なけ
れば（約±１０℃）はぼ一定である。（電流−光出力特
性が温度変動に対して平行移動する）つまり、光出力ｐ
　（ｔ）は、駆動電流１　（１）によって次式で表わす
ことができる。ｐ（ｔ）＝ηｉ　（ｔ）＋ξΔＴ（ｔ）＋Ｐ。・−（１）ここで、ΔＴ　（ｔ）は温度変動分［℃］、ξは温度変
動率［ｍ　Ｗ　／　’Ｃ］であり通常負の値である。また、Ｐｏは定数である。（１）式において、ｉ　　（ｔ）を次式のように変換す
ることにより、温度変動分ΔＴ　（ｔ）の影響は打ち消
すことができる。入力を新たにｘ　（ｔ）とおく。（２）式を（１）式に代入すると次式のようになる。ｐ　　（ｔ）＝ｎｘ　　（ｔ）＋Ｐｏ　　　　　　・”
　　（３）即ち、温度変動ΔＴ（ｔ）、ηおよびξが分
かれば、半導体レーザの温度変動による光出力変動は補
正できることになる。ηおよびξは測定可能であるが、
温度変動ΔＴ　（ｔ）は直接測定が不可能である。しか
し、次の手法により推定は可能である。（１）式で温度変動ΔＴ　（ｔ）＝Ｏとおき、その時の
出力をｐ’　　（ｔ）とする。ｐ”（ｔ）＝ηｉ　（ｔ）＋Ｐｏ　　　・・・（４）（
４）式は、温度変動が無いものとした時の光出力の推定
値であり、計算可能である。しかし、実際の光出力ｐ　
（ｔ）は、（１）式にしたがっているはずであり、光出
力を測定すれば（１）式のｐ（１）が得られる。そこで、推定値である（２）式のｐ“　（１）から実測
値である（１）式のｐ　（ｔ）を引き去れば、次式のよ
うに温度変動分子（ｔ）が計算できる。（５）式を（２）式に代入すると次式になる。・・・　（６）（６）式より実測された光出力と予測された光出力の差
分をオフセットとして加えることにより、光出力の温度
変動は補正できる事が分かる。また、

【性質１】にあるように、温度変動分ΔＴ（ｔ）
はレーザプリンタの数画素の間は一定値とみなすことが
でき、（６）式のオフセットを加える操作は、逐次行う
必要はなく数画素毎に行えば良いことになる。また実際
には数画素記録する間には０．１％程度の微小な温度変
化はあり、光出力も影響を受けるが、通常、感光材料上
での濃度誤差が人眼の濃度分解能より下回るため影響を
無視できる。

【性質３】一般に感光材料の記録濃度は光の露光量で決まる。光の
露光量は光出力［ｍＷ］を時間で積分したものである。従って、レーザビームプリンタで感光材料の濃度を制御
するのには逐一光出力を制御する必要はなく、画素当た
りの露光量つまり光出力の時間積分を制御すれば良いこ
とになる。すなわち、１画素中にその画素より短い幅の
パルスが存在しても、その画素の露光量即ち濃度は１画
素分をまとめて積分したもので代表され、露光量の制御
速度はパルス幅変調のパルス幅に無関係になる。また温
度変動は低速であるため積分値でも性質２の考え方は変
わらない。本発明では、上記３つの性質を利用し以下に述べる操作
で半導体レーザの光出力の温度補正を行なう。レーザビームプリンタにおいて、記録画素濃度の設定値
に応じて半導体レーザを強度変調し、画素ないし数画素
間の光出力をモニタしてその積分値を求める。即ち被照
射体の露光量の実効値を求める。それと同時に、記録画
素濃度に応じた記録信号の設定値を累積することで露光
量の推定値を求める。上記露光量の実効値と推定値の差
分が温度変動による誤差であり補正すべき値である。よフてこの値を次からの設定値のオフセット値として加
える。この操作を繰り返す事により、数画素毎の補正で半導体
レーザによる露光量制御が行える。本発明の考え方の特徴は、レーザビームプリンタの画像
データ即ち記録画素濃度は、半導体レーザの光出力を規
定しているものと考えず、露光量を規定していると考え
る事にある。すると必°然的に半導体レーザの光出力は
画素単位の時間積分値で扱わなければならなくなる。ま
た従来のＡＰＣ回路のように、逐次光出力をフィードバ
ックするのではなく、温度変動のみを推定し、温度変動
に見合った比較的ゆっくりした速度でオフセットとして
フィードバックする所に特徴がある。［実施例１］次に以上の本発明の原理に基づいた実施例を説明する。第１図は本発明の第１の実施例の半導体レーザ駆動回路
のブロック図である。１５は半導体レーザであり、３７は半導体装置ザ１５が
発生した光出力を表わす。１６は半導体レーザ１５の光
出力をモニタするためのＰＩＮフォトダイオードであり
半導体レーザ１５内部のチップの後端部で後面発光量を
モニタするか、半導体レーザ１５の外部にビームスプリ
ッタを設けて前面発光量の一部をモニタするように構成
しである。半導体レーザ１５から発生されたレーザビー
ムは、ここでは図示していない光学系、光偏向器等を用
いてフィルムやドラム等の感光材料上に走査され、感光
材料が走査方向と交差する方向に相対的に移動すること
で感光材料上に画像を形成する。１１は記録画素濃度に
応じた露光量設定値であり、８ビット以上のデジタルデ
ータである。１２は、露光量設定値に後述の操作で得ら
れる補正データであるオフセット値３３を加える加算器
であり、３４はその出力で以下画素データと呼ぶ。１３は変調手段を表わし、デジタル値である画素データ
３４を入力して振幅変調又はパルス幅／数変調もしくは
それらの組み合わせ等の変調された電圧を出力するもの
である。１４は、１３で得られた電圧を半導体レーザ１
５の駆動電流に変換する電圧／電流変換器である。１７
は、１６で得られたＰＩＮフォトダイオードの検出電流
を電圧値に変換する電流／電圧変換器である。１８は露光量の実効値を測定するための積分回路であり
、２０は該積分回路のゲインを調節する可変抵抗器であ
り、また１９は該積分回路をリセット（放電）させるＦ
ＥＴ等の手段である。２２は積分回路１８の出力が反転
出力であるために再び反転させる手段である。２３は２
２の出力をアナログ／デジタル変換するためのサンプル
／ホールド回路である。２４はサンプル／ホールド回路
２３の出力をデジタル値に変換するアナログ／デジタル
変換器であり、３８はその出力を表わし、以下Ａ／Ｄ出
力と呼ぶ。２６はもとの画素データ１１（露光量設定値
）を累積する累積器、３９はその出力であり、以下露光
量推定値と呼ぶ。２５は露光量推定値３９からＡ／Ｄ出
力３８を減する減算器であり、その出力４０が温度変動
分による誤差になる。２７は、１つ前の補正データ３３と現在の補正データ４
０を加える加算器であり、新たな補正データ３２を出力
する。２８は新たな補正データ３２を次のタイミングで
補正データ３３へ伝えるためのデータラッチである。２９は積分器１８、サンプル／ホールド２３、累積器２
６およびデータラッチ２８を制御するコントロール手段
を表わし、２０が積分器の充放電を制御する積分制御信
号、２１がサンプル／ホールド回路２３のサンプル／ホ
ールド制御信号、３１が累積器２６を制御するクリア信
号、３０がデータラッチ２８を制御するラッチ信号であ
る。また、図には明示してないが、コントローラ２９、変調
手段１３等は画素クロックに同期して動作している。まず、第１図において露光量設定値１１に適当な値を設
定し、回路全体を動作させ、積分器の可変抵抗器２０を
変化させ積分器のゲインを調節する。調節の目安として
は半導体レーザの光量の安定した時点で温度変動分誤差
４０がほぼゼロになるようにし、露光量推定値と測定さ
れた露光量３８のゲインがほぼ等しくなるようにする。この値（温度変動分誤差４０）は加算器２７もしくは１
２の出力がオーバーフローしないような値ならば、適当
に調整してよい。次に実施例の動作を第２図に従って説明する。第２図は第１図の各部の信号のタイミイングを示したタ
イミングチャートである。Ａは数ＭＨｚの画素クロック
である。Ｂは第１図の画素データ３４、Ｃは変調された
半導体レーザの光出力３７である。Ｄは積分器の充放電
を制御する積分制御信号２０、Ｅはサンプル／ホールド
回路を制御するサンプル／ホールド信号。ＦはＡ／Ｄ出
力３８を表わす。Ｇは累積器のクリアを行うクリア信号
３１、Ｈは累積器の出力３９、即ち露光量推定値である
。■は補正データ３２、Ｊはデータラッチ信号３０％に
はラッチされた補正データ３３をそれぞれ表わす。第２
図では温度変動分を抽出し、補正データを出力するまで
の期間を補正サイクルと呼んでいる。まず、温度変動を抽出するためのＢのｎ個の画素データ
ｄｐ（１）〜ｄｐ（ｎ）に対する光出力ａＰ（１）〜ａ
ｐ（ｎ）を積分する。（ここで添字ｐは１番目の補正サ
イクルであることを示すものでそれより１つ前の補正サ
イクルは添字ｐ−１、次の補正サイクルは添字ｐ＋ｌで
表現する）これは第２図において、積分制御り中の４１
で示した（ｃｈａｒｇｅ）期間で行う。ここでｎは１・
ないし２０画素程度の数にする。この積分器の出力はＥ
のサンプル／ホールド信号中の４２で示した（　ｓａｍ
ｐｌｅ）でサンプルされ、４３で示す（ｈｏｌｄ）でホ
ールドされた後アナログ／デジタル変換され、Ａ／Ｄ出
力Ｆ中のａｐを出力する。積分器の出力は一旦ホールド
されると、次の積分のため積分制御り中の４４で示した
（　ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　）でリセット（放電）される
。上記積分動作と同時にｎ個の露光量設定値１１を累積し
、露光量推定値３９を計算する（第２図Ｈ中のΣｅｐ）
。また、このΣｅｐは第２図Ｇ中の（ｃｌｅａｒ　）信
号で次の累積に備えたクリアされる。そして、ひとつ前の補正データをＣｐ−１とすると今回
の補正データＣ，は第１図の２５および２７の減／加算
器によって、次式で求められ第２図■の補正データ３２
が出力される。ｃｐ＝＝Ｃｐ−、＋Σｅｐ−８，”’（７）この値Ｃは
今回の補正サイクルの半導体レーザの温度変動に比例し
ており、Ｃを次の補正サイクルでのオフセット値として
用いるため第２図Ｊ中の４５で示される（　１ａｔｃｈ
　）でラッチされ補正データ３３となり、次の補正サイ
クルでのデータのオフセット値として用いられる。１つの補正サイクルは前半の露光量の実効値を光出力の
積分で測定する期間（以下ｃｈａｒｇｅ期間）と、後半
の積分器を放電しながら推定値との誤差分を計算する期
間（以下ｄｉｓｃｈａｒｇｅ期間）に分けられる。−補
正サイクルの間は温度変動の補正が成されないため、補
正サイクルの時間は短かいほど良いのは明らかである。最小の補正サイクルの期間は、ｃｈａｒｇｅ期間１画素
／　ｄｉｓｃｈａｒｇｅ期間１画素の計２画素分である
。しかし、露光量の実効値測定のＳ／Ｎを上げるためには
、ｃｈａｒｇｅ期間は数画素分とることが望ましい、ま
たＡ／Ｄ変換の速度及び誤差分計算の速度に制約がある
ためｄｉｓｃｈａｒｇｅ期間も数画素分必要になる。［実施例２］次に本発明の第２の実施例を説明する。上記実施例１での補正サイクルはせいぜい数μｓｅｃで
ある。その間の半導体レーザチップの温度変動量は必然
的に限られる。即ち、半導体レーザチップの温度が上昇
したか下降したかを検出すれば、その補正量は計算する
までもなくほぼ一定値で推測できる。本実施例では実施例１で使用した誤差分を計算する減算
器の代りにコンパレータを用い、露光量実効値が露光量
推定値より大きいか小さいかのみを判断する。そして、
大きければ予め設定しておいた温度変動分を減じ、小さ
ければ加算するような構成とする。言い換えれば、大小
比較の結果に応じて正負の符号を付けた所定値を補正デ
ータとして与える。第３図は本実施例の構成を表わすブロック図である。第
１図と同じ構成をとる部分は説明を省略する。第１図と異なる部分はサンプル／ホールド回路２３の出
力をＡ／Ｄ変換器に入力せずコンパレータ４８に入力し
ている点である。また、累積器２６の出力である露光量
推定値３９はデジタル／アナログ変換器４７でアナログ
値に変換されコンパレータ４８のもう一方の入力端子へ
つながっている。コンパレータ４８の出力は、半導体レ
ーザチップの温度が、１つ前の補正サイクルより上昇し
たか下降したかを示す信号となり、マルチプレクサ４９
のセレクト信号となる。マルチプレクサ４９には２つの
温度補正データ＋ｑ・−９が接緒され、上記セレクト信
号４９により、選択されて実施例１で説明した加算器２
７へ入力される。以下の動作は実施例１と全く同様であ
る。マルチプレクサ４９、加算器２７、データラッチ２８の
構成は、ラッチ信号３０をクロックとし、セレクト信号
５２をアップ／ダウンの選択に用いるアップダウンカウ
ンタとみなすこともできる。この場合、アップ／ダウン
する値は５０゜５１で可変となっている。動作のタイミングは第２図の補正データ３２をマルチプ
レクサ４９の出力とみなし、３３をアップダウンカウン
タの出力と見なせば、第２図とほぼ同じであり、実施例
１と同様であるため説明は省略する。本実施例では、補正データ５０．５１　（＋ｑ。 −ｑ）の設定を行わなけれ・ばならない。実験的に行っ
た所、１２ビツト（４０９６階調）のデータを補正サイ
クル５μＳｅＣで補正するのに±ｑＬｒ±３であった。 ±９の値が小さいと、光出力の急激な変化に追従できな
くなり、大きいと制御系が発振状態になるため、光出力
を見ながら±ｑの値を調節するようにする。本実施例の利点は、アナログ／デジタル変換器を用いて
いないため、実施例１に比べてコストが低いことがある
。（一般的にアナログ／デジタル変換器よりデジタル／
アナログ変換器の方がコストが低い）また、露光量測定
系・制御系等に外乱による雑音が混入しても、補正量は
一定であるため外乱の大きな影響を受けにくい。本発明は以上の実施例で示したレーザ記録装置以外にも
、レーザ読取り装置やレーザ加工機、あるいは医療用の
レーザ治療装置等、様々な分野でレーザ光源を使用した
様々な装置に広く通用することができる。更に駆動する光源は半導体レーザに限定されるものでは
なく、一般的な光源であっても光量変動の影響を受けず
に露光量制御が可能である。［発明の効果］本発明によれば変調方式に無関係に露光量の補正が行え
るという効果がある。又、温度変動分のみを抽出してフィードバックしている
ため、比較的低コストな制御系で高速変調を実現できる
効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施した半導体レーザ駆動装置のブロ
ック図、第２図は第１図の動作を説明するためのタイミングチャ
ート、第３図は他の実施例の構成図、第４図は半導体レーザの駆動電流−光出力特性の一例、第５図は半導体レーザのドループ特性の一例、第６図は
従来のＡＰＣ回路のブロック図、であり、図中の主な符
号は、１２・・・・加算器、１３・・・・半導体レーザの変調手段、１４・・・・電
圧／電流変換器、１５・・・・半導体レーザ、１６・・・・ＰＩＮフォトダイオード、１７・・・・電
流／電圧変換器、１８・・・・積分器、２３・・・・サンプル／ホールド回路、２４・・・・ア
ナログ／デジタル変換器、２６・・・・累積器、２５・・・・減算器、２７・・・・加算器、２８・・・・データラッチ、２９・・・・積分器・サンプル／ホールド回路・累積器
・データラッチをそれぞれコントロールする手段荒土カー・慣電シ厄特性クリ員電充ＩＦ（ｒｎＡ”）箋ろ図ら

Claims

【特許請求の範囲】

（１）所望の露光量設定値を設定する手段と、前記露光
量設定値に応じて光源を駆動する手段と、該駆動される光源の光出力を検知する手段と、該光出力を所定時間内で積分して、前記所定時間内での
露光量の実効値を求める手段と、前記露光量設定値から
前記所定時間内での露光量の推定値を求める手段と、前記露光量の実効値と推定値を比較して次回の露光量設
定値の補正値を求める手段を有することを特徴とする光源駆動装置。
（２）前記光源は半導体、レーザ光源である請求項（１
）記載の光源駆動装置。
（３）前記露光量の実効値及び推定値の差分を求め、こ
れを前記補正値とする請求項（１）記載の光源駆動装置
。
（４）前記露光量の実効値及び推定値の大小を比較し、
比較に基づいて正負の符号を付けた所定値を前記補正値
として与える請求項（１）記載の光源駆動装置。
（５）光源と、所望の露光量設定値を設定する手段と、前記露光量設定値に応じて前記光源を駆動する手段と、該駆動される光源の光出力を検知する手段と、該光出力を所定時間内で積分して、前記所定時間内での
露光量の実効値を求める手段と、前記露光量設定値から
前記所定時間内での露光量の推定値を求める手段、前記露光量の実効値と推定値を比較して次回の露光量設
定値の補正値を求める手段と、前記光出力を被走査面に走査する手段、を有することを特徴とする光走査装置。
（６）前記被走査面を前記走査方向と交差する方向に相
対的に移動させる手段を有し、被走査面に画像を形成す
る請求項（５）記載の光走査装置。
（７）前記所定時間は１画素あるいは複数画素分の記録
時間である請求項（６）記載の光走査装置。