JPH03150432A - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサInfo
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- JPH03150432A JPH03150432A JP29046089A JP29046089A JPH03150432A JP H03150432 A JPH03150432 A JP H03150432A JP 29046089 A JP29046089 A JP 29046089A JP 29046089 A JP29046089 A JP 29046089A JP H03150432 A JPH03150432 A JP H03150432A
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 11
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ダイアフラムを用いた圧力センサに関する。
本発明は、ダイアフラムを用いた相対圧型圧力センサに
おいて、基準圧力導入路をセンサ内部に作製し、導入口
をダイアフラムから遠ざけることにより、ダイアフラム
内部への測定圧力媒体及びパンケーシング時の固定十A
の侵入を防ぐようにした。
おいて、基準圧力導入路をセンサ内部に作製し、導入口
をダイアフラムから遠ざけることにより、ダイアフラム
内部への測定圧力媒体及びパンケーシング時の固定十A
の侵入を防ぐようにした。
従来の技術としては、TRANSDICER5’87
P334〜347がある。これは、■平面基板上にシリ
コンダイアフラムと信号処理回路を持つ圧力センサで、
基準圧力導入口がガラス基台−にに設置されている。
P334〜347がある。これは、■平面基板上にシリ
コンダイアフラムと信号処理回路を持つ圧力センサで、
基準圧力導入口がガラス基台−にに設置されている。
この圧力センサの使用例には、ダイアフラムだけが測定
圧力媒体にさらされる形でカテーテル内及び先端に設置
したものがあり、これを体内へ挿入することにより各部
属力を測定する。
圧力媒体にさらされる形でカテーテル内及び先端に設置
したものがあり、これを体内へ挿入することにより各部
属力を測定する。
圧力センサを測定媒体に対し、L111記七ン勺のダイ
アフラムと水平方向に挿入する形で使用する場合、従来
用いられてるダイアフラムとガラス基台間に基準圧力導
入口を持つセンサでは、そのパッケージングが困難であ
り、ダイアフラム内部への固定材の侵入及び測定圧力媒
体の侵入の危険がある。
アフラムと水平方向に挿入する形で使用する場合、従来
用いられてるダイアフラムとガラス基台間に基準圧力導
入口を持つセンサでは、そのパッケージングが困難であ
り、ダイアフラム内部への固定材の侵入及び測定圧力媒
体の侵入の危険がある。
本発明では、ダイアフラム下部に穴のある基台の裏側に
、穴と会合する溝を持ったカバーを接合し、圧力センサ
端部に基準を設ける構造にした。
、穴と会合する溝を持ったカバーを接合し、圧力センサ
端部に基準を設ける構造にした。
fl、1 基準圧力導入路をセンサ内部に設け、基準
圧力導入口を前記センサの端面に設けることによって、
導入口を測定圧力媒体からさけることができる。また、
センサのパッケージングを容易に行うことができる。
圧力導入口を前記センサの端面に設けることによって、
導入口を測定圧力媒体からさけることができる。また、
センサのパッケージングを容易に行うことができる。
(2)取り出し電極と基準圧導入口を1ケ所に集めてい
るので、測定場所の移動、固定を問わず、微細部への設
置も容易に行える。
るので、測定場所の移動、固定を問わず、微細部への設
置も容易に行える。
第1図は本発明の一実施例を示す。凹型シリコンダイア
フラム1にはP形の不純物を拡散しており、電導性を持
たせである。ガラス基台3に対向したダイアフラム1内
部となる面には、ガラス基台3上の対向電極5と短絡す
ることのないようにSiO□膜6をつけている。また、
ダイアフラム1と短絡せずに対向電極5を取り出すため
に、ダイアフラム1の1側面に小さな溝がある。このダ
イアフラム1と、基準圧力導入口となる穴を持ち片面に
ダイアフラム側パッド7、対向電極5を取り出し電極8
となる金属膜がつけであるガラス基台3とを陽極接合し
ている。さらに、ガラス基台3の他面には、穴と会合す
るように異方性エツチングにより溝の切っであるソリコ
ンカバー4を陽極接合しである。これにより、ダイアフ
ラム1下部にある基準圧力導入口(穴)をダイアフラム
1の水平方向に逃がしている。信号処理回路であるC「
コンバータ2は、ガラス基台−にの2種の電極とダイア
フラム側バット上に取り付けである。このセンサは、測
定場所を固定して使用することも可能であるが、断面積
が小さいことから次のような特殊な使い方もある。まず
、このセンサを細く硬い管の先端に取り付けた場合、微
細部への挿入が可能であり、また針のように差し込んで
の使用も可能である。次に、フレキシブルな管の先端に
取り付けた場合、微細で複雑な形状の測定部への挿入が
可能であるほか、軟らかく動きのある部分での測定も可
能である。
フラム1にはP形の不純物を拡散しており、電導性を持
たせである。ガラス基台3に対向したダイアフラム1内
部となる面には、ガラス基台3上の対向電極5と短絡す
ることのないようにSiO□膜6をつけている。また、
ダイアフラム1と短絡せずに対向電極5を取り出すため
に、ダイアフラム1の1側面に小さな溝がある。このダ
イアフラム1と、基準圧力導入口となる穴を持ち片面に
ダイアフラム側パッド7、対向電極5を取り出し電極8
となる金属膜がつけであるガラス基台3とを陽極接合し
ている。さらに、ガラス基台3の他面には、穴と会合す
るように異方性エツチングにより溝の切っであるソリコ
ンカバー4を陽極接合しである。これにより、ダイアフ
ラム1下部にある基準圧力導入口(穴)をダイアフラム
1の水平方向に逃がしている。信号処理回路であるC「
コンバータ2は、ガラス基台−にの2種の電極とダイア
フラム側バット上に取り付けである。このセンサは、測
定場所を固定して使用することも可能であるが、断面積
が小さいことから次のような特殊な使い方もある。まず
、このセンサを細く硬い管の先端に取り付けた場合、微
細部への挿入が可能であり、また針のように差し込んで
の使用も可能である。次に、フレキシブルな管の先端に
取り付けた場合、微細で複雑な形状の測定部への挿入が
可能であるほか、軟らかく動きのある部分での測定も可
能である。
このセンサを使用する場合、ダイアフラムの側面に切っ
である対向電極の取り出し口を絶縁性の固定材で埋めて
やる必要がある。本発明により、この工程と同時に、あ
るいは後に行われるセンサのパッケージングの作業が、
基準圧力導入口とダイアフラムとが離れているため容易
となった。これは、より微小で、より複雑なセンサを組
み上げる作業が行えることを意味する。この点が、本発
明によるセンサの優れている所である。従来例のように
ダイアフラム側面の溝を対向電極の取り出し口と基準圧
力導入口として共用している場合、この口をつぶすこと
なくダイアフラム外部だけを測定圧力媒体にさらすよう
にパッケージングすることは困難である。
である対向電極の取り出し口を絶縁性の固定材で埋めて
やる必要がある。本発明により、この工程と同時に、あ
るいは後に行われるセンサのパッケージングの作業が、
基準圧力導入口とダイアフラムとが離れているため容易
となった。これは、より微小で、より複雑なセンサを組
み上げる作業が行えることを意味する。この点が、本発
明によるセンサの優れている所である。従来例のように
ダイアフラム側面の溝を対向電極の取り出し口と基準圧
力導入口として共用している場合、この口をつぶすこと
なくダイアフラム外部だけを測定圧力媒体にさらすよう
にパッケージングすることは困難である。
上記仕様圧力センサの応用として次の実施例がある。
第3図は、複数のセンサをフレキシブルな管でつないだ
センサである。これは、先端にくるセンサが第1図と同
じ仕様で、他のセンサはシリコンカバーの溝が両端面に
出るように切っであるものを使っている。ごのセンサは
、前記の第1図のセンサでフレキシブル管を用いたもの
と同様の使い方ができるが、第1図のセンサが一度に1
点の測定しかできないのに対し第3図のセンサは複数の
点の測定を一度に行うことができる。
センサである。これは、先端にくるセンサが第1図と同
じ仕様で、他のセンサはシリコンカバーの溝が両端面に
出るように切っであるものを使っている。ごのセンサは
、前記の第1図のセンサでフレキシブル管を用いたもの
と同様の使い方ができるが、第1図のセンサが一度に1
点の測定しかできないのに対し第3図のセンサは複数の
点の測定を一度に行うことができる。
第4図は、1つの基準圧力導入路を共用した複数のセン
サを持つセンサである。これは、複数の連続したセンサ
のガラス基台の各人が、シリコンカバーの1本の溝の上
にくるようにしたものである。このセンサは、第1図の
センサの測定点が固定である場合、差し込んで使用する
場合に対応し、測定点が複数であるところに有利な点が
ある。
サを持つセンサである。これは、複数の連続したセンサ
のガラス基台の各人が、シリコンカバーの1本の溝の上
にくるようにしたものである。このセンサは、第1図の
センサの測定点が固定である場合、差し込んで使用する
場合に対応し、測定点が複数であるところに有利な点が
ある。
第5図は、複数のセン勺が別々の基準圧力導入路を持つ
センサである。これは、シリコンカバに複数の溝が切っ
てあり、複数のセンサのガラス基台の穴が、いずれかの
溝に会合するように開けられている。このセンサは、第
4図のセンサに対応し、各センサの相対圧を変えて測定
することができる点が有利である。
センサである。これは、シリコンカバに複数の溝が切っ
てあり、複数のセンサのガラス基台の穴が、いずれかの
溝に会合するように開けられている。このセンサは、第
4図のセンサに対応し、各センサの相対圧を変えて測定
することができる点が有利である。
第6図は、1つの基準圧力導入路を共用した両面にセン
サを持つセンサである。これは、シリコンカバーの溝を
両面から切り、貫通させたものを使っている。このセン
サの使い方は第1図のセンサと同様であるが、測定点の
周りに圧力差がある場合に有利である。
サを持つセンサである。これは、シリコンカバーの溝を
両面から切り、貫通させたものを使っている。このセン
サの使い方は第1図のセンサと同様であるが、測定点の
周りに圧力差がある場合に有利である。
第7図は、両面にあるセンサが別々の基準圧力導入路を
持つセンサである。これは、シリコンカバーの溝の両面
から重ならないように切ることによって作製する。この
センサは、第6図のセンサに対応し、背合わせにある個
々のセンタの相対圧を変化させて測定することができる
点で有利である。
持つセンサである。これは、シリコンカバーの溝の両面
から重ならないように切ることによって作製する。この
センサは、第6図のセンサに対応し、背合わせにある個
々のセンタの相対圧を変化させて測定することができる
点で有利である。
前記実施例では、異方性エツチングによって溝を切った
シリコンカバーを用いて基準圧力導入路を設けているが
、他の方法により設置、Jることも可能である。また、
基準圧力導入路を側端部に設ける圧カセンザの作製は、
他の物質によっても可能である。
シリコンカバーを用いて基準圧力導入路を設けているが
、他の方法により設置、Jることも可能である。また、
基準圧力導入路を側端部に設ける圧カセンザの作製は、
他の物質によっても可能である。
以上のように、本発明によれば、センサの数の大小にか
かわらず、パッケージングが容易となり、かつ取り出し
電極、基準圧力導入口を1ケ所に集中させることにより
、設置場所の移動、固定を問わず、微細部の圧力測定、
複数センサによる同・異条件による圧力測定も容易に行
うことができる。
かわらず、パッケージングが容易となり、かつ取り出し
電極、基準圧力導入口を1ケ所に集中させることにより
、設置場所の移動、固定を問わず、微細部の圧力測定、
複数センサによる同・異条件による圧力測定も容易に行
うことができる。
第1図は本発明による圧力センサの一実施例の断面図、
第2図は前記圧力センサを上から見た図、第3図、第4
図、第5図、第6図、及び第7図はその他の実施例であ
る。また、第3図、第4図、第5図、第6図、及び第7
図は簡略化のため、2種電極、ダイアフラム側パノ)”
、5i02膜、 SiNx膜を省略している。 1 ・・シリコンダイアフラム 2 ・ C−fコンバータ 3・・・ガラス基台 4・・・シリコンカバ 5 ・ ・対向電極 6 ・ 絶縁膜 ・ダイアフラム側パッド 8 ・ 取り出し電極 以 一ヒ
第2図は前記圧力センサを上から見た図、第3図、第4
図、第5図、第6図、及び第7図はその他の実施例であ
る。また、第3図、第4図、第5図、第6図、及び第7
図は簡略化のため、2種電極、ダイアフラム側パノ)”
、5i02膜、 SiNx膜を省略している。 1 ・・シリコンダイアフラム 2 ・ C−fコンバータ 3・・・ガラス基台 4・・・シリコンカバ 5 ・ ・対向電極 6 ・ 絶縁膜 ・ダイアフラム側パッド 8 ・ 取り出し電極 以 一ヒ
Claims (1)
- 1平面基台上にダイアフラムと信号処理回路を持つセン
サにおいて、前記基台に基準圧力導入の為の基準圧力導
入口を設け、前記基準圧力導入口が基台側端部につなが
っていることを特徴とする圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1290460A JP2632223B2 (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 静電容量方式相対圧型圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1290460A JP2632223B2 (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 静電容量方式相対圧型圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03150432A true JPH03150432A (ja) | 1991-06-26 |
JP2632223B2 JP2632223B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=17756308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1290460A Expired - Fee Related JP2632223B2 (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 静電容量方式相対圧型圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2632223B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005172432A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-30 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | マイクロ構造体とその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5921495A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-03 | Nippon Steel Corp | 溶接用充填ワイヤの製造方法 |
JPS60152949U (ja) * | 1984-03-21 | 1985-10-11 | 株式会社東海理化電機製作所 | セラミツク圧力センサ |
-
1989
- 1989-11-08 JP JP1290460A patent/JP2632223B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5921495A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-03 | Nippon Steel Corp | 溶接用充填ワイヤの製造方法 |
JPS60152949U (ja) * | 1984-03-21 | 1985-10-11 | 株式会社東海理化電機製作所 | セラミツク圧力センサ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005172432A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-30 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | マイクロ構造体とその製造方法 |
JP4529431B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2010-08-25 | 株式会社豊田中央研究所 | マイクロ構造体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2632223B2 (ja) | 1997-07-23 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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