JPH03148828A - 半導体ウェーハの裏側に損傷を与える方法と治具 - Google Patents
半導体ウェーハの裏側に損傷を与える方法と治具Info
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- JPH03148828A JPH03148828A JP2185143A JP18514390A JPH03148828A JP H03148828 A JPH03148828 A JP H03148828A JP 2185143 A JP2185143 A JP 2185143A JP 18514390 A JP18514390 A JP 18514390A JP H03148828 A JPH03148828 A JP H03148828A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明はシリコン・ウェーハを処理する方法と装置、
更に具体的に云えば、動く研摩性粉末を用いて、シリコ
ン・ウェーハの裏側１．ｍｉｎを与える方法と装置に関
する。
更に具体的に云えば、動く研摩性粉末を用いて、シリコ
ン・ウェーハの裏側１．ｍｉｎを与える方法と装置に関
する。
来の技術及び課題
金属不純物の外因性ゲッタ作用の源とする為に、シリコ
ン半導体ウェーハの裏側にＩｉ傷を与えることは、液体
ホーニング、条翰形外因性ゲッタ作用、乾式吹付は研摩
性粉末、蓄音器方式、渦巻形粒子研摩紙、レーザ技術及
びポリシリコン成長を含む幾つかの方法によって行なわ
れてきた。
ン半導体ウェーハの裏側にＩｉ傷を与えることは、液体
ホーニング、条翰形外因性ゲッタ作用、乾式吹付は研摩
性粉末、蓄音器方式、渦巻形粒子研摩紙、レーザ技術及
びポリシリコン成長を含む幾つかの方法によって行なわ
れてきた。
液体ホーニング及び乾式吹付は研摩性粉末を用いる方式
は、普通は制御能力の観点から問題である。これは研摩
粒子の寸法が極めて小さい為である。研摩粒子が−騎小
さくなると、塊又は「群がるＪ傾向があり、研摩の条を
詰らせる原因となり、それがこう云う種類の裏側のｉｉ
＊を本質的に不安定なものにする。こう云う種類の裏側
の損傷によって作られた横方向のひび割れ及びビットは
、損傷を受けた側からウェーハの粒子を掃除するのを困
難にする。粒子は、艶出し工程の慢、ウェーハの粒子状
汚染を招き、これはウェーハの歩留まりにとって有害で
あることがある。乾式吹付は方式に使われるＮ摩材シリ
カも、露出が長びくと、硅肺症を１１１りことが知られ
ている。
は、普通は制御能力の観点から問題である。これは研摩
粒子の寸法が極めて小さい為である。研摩粒子が−騎小
さくなると、塊又は「群がるＪ傾向があり、研摩の条を
詰らせる原因となり、それがこう云う種類の裏側のｉｉ
＊を本質的に不安定なものにする。こう云う種類の裏側
の損傷によって作られた横方向のひび割れ及びビットは
、損傷を受けた側からウェーハの粒子を掃除するのを困
難にする。粒子は、艶出し工程の慢、ウェーハの粒子状
汚染を招き、これはウェーハの歩留まりにとって有害で
あることがある。乾式吹付は方式に使われるＮ摩材シリ
カも、露出が長びくと、硅肺症を１１１りことが知られ
ている。
条線形外囚性ゲッタ作用、蓄音器方式及び渦巻形粒子紙
方法は、何れもつＩ−八面の深いひっかき傷を作ること
により、シリコン・ウェーハに損傷を作る。シリコンの
表面にひっかき傷を作ることが、シリコン面にビット及
び横方向のひび割れを１１＜、表面レベルにあるシリコ
ンのかけらを「叩き出す」ことにより、シリコン・ウェ
ーハにビットが形成される。この様にしてはみ出したシ
リコンは、この俊、′粒子状汚染の形で、優のウェーハ
・プ０瞼スを悩ませる。蓄音器方式は、生成のスループ
ットが低い為、殆ど使いものにならない。この方式はダ
イヤモンドの先端を付けた針を用いて、針をつｌ−への
中心から外向きに向かってゆっくりと仙かすことにより
、１転しているウェーハに１１−を与え、渦巻形パター
ンの１１（！を作る。
方法は、何れもつＩ−八面の深いひっかき傷を作ること
により、シリコン・ウェーハに損傷を作る。シリコンの
表面にひっかき傷を作ることが、シリコン面にビット及
び横方向のひび割れを１１＜、表面レベルにあるシリコ
ンのかけらを「叩き出す」ことにより、シリコン・ウェ
ーハにビットが形成される。この様にしてはみ出したシ
リコンは、この俊、′粒子状汚染の形で、優のウェーハ
・プ０瞼スを悩ませる。蓄音器方式は、生成のスループ
ットが低い為、殆ど使いものにならない。この方式はダ
イヤモンドの先端を付けた針を用いて、針をつｌ−への
中心から外向きに向かってゆっくりと仙かすことにより
、１転しているウェーハに１１−を与え、渦巻形パター
ンの１１（！を作る。
ウェーハの裏側ｃｉｉ＊を与える為の渦巻形粒子紙方払
は、生成のスループットが低い為、広く用いられていな
い。この方法はサンドベーパ様の条片を使って、ウェー
ハの表面を研摩性条片と接触させ、ウェーハを円形通路
に沿って回転させることにより、ウェーハを両岸する。
は、生成のスループットが低い為、広く用いられていな
い。この方法はサンドベーパ様の条片を使って、ウェー
ハの表面を研摩性条片と接触させ、ウェーハを円形通路
に沿って回転させることにより、ウェーハを両岸する。
こう云う形の研摩作用は、つＩ−への中心に盛上がりを
残す。後でウェーハを艶出しすると、ウェーハの裏側の
盛上がりの為、ウェーハの前面の渦巻形パターンの中心
に凹みを生ずる。
残す。後でウェーハを艶出しすると、ウェーハの裏側の
盛上がりの為、ウェーハの前面の渦巻形パターンの中心
に凹みを生ずる。
レーザによって裏側に損傷を与えることが、研摩性のブ
ラシ、粉末及び紙の代わりとして追及されてきた。シリ
コンがつＩ−への表面で溶融し、それがポリシリコン層
を作る。レーずによって裏側に１傷を与える場合の主な
ａｍは、溶融したシリコンの再結晶化の際である。ｗＩ
融したシリコンが再結晶して、もとの材料と似た結晶構
造を形成する。これは、溶融直後に作られたポリシリコ
ンの性質の大部分を「消去」する為、望ましくないこと
である。
ラシ、粉末及び紙の代わりとして追及されてきた。シリ
コンがつＩ−への表面で溶融し、それがポリシリコン層
を作る。レーずによって裏側に１傷を与える場合の主な
ａｍは、溶融したシリコンの再結晶化の際である。ｗＩ
融したシリコンが再結晶して、もとの材料と似た結晶構
造を形成する。これは、溶融直後に作られたポリシリコ
ンの性質の大部分を「消去」する為、望ましくないこと
である。
ポリシリコンによって裏側にｌ［を与えることが、これ
まで知られている内で大体最も良い種類の裏側の損傷で
ある。都合の悪いことに、これは最も費用と時間のかか
るものである。つＩ−ハの裏側にポリシリコンを成長さ
せる。この方法は、裏側が研摩作用を受けることが決し
てないから、一粒子の観点から見ると優れている。裏側
を処理する方法としては、価格が主な欠点である。
まで知られている内で大体最も良い種類の裏側の損傷で
ある。都合の悪いことに、これは最も費用と時間のかか
るものである。つＩ−ハの裏側にポリシリコンを成長さ
せる。この方法は、裏側が研摩作用を受けることが決し
てないから、一粒子の観点から見ると優れている。裏側
を処理する方法としては、価格が主な欠点である。
課題を解決する為の手段及び作用
この発明は、シリコン・ウェーハを動く研摩性粉末の作
用にかけることにより、シリコン・ウェーハの裏側に損
傷を与える方法と装置に関する。
用にかけることにより、シリコン・ウェーハの裏側に損
傷を与える方法と装置に関する。
ウェーハを炭化シリコン粉末の中に浸漬し、振動タンブ
ラ−装置によって攪拌する。浸漬されたウェーハが炭化
シリコン粉末内で回転する。過剰のひっかき傷、粒子又
はビットを伴わずに、シリコン・ウェーハに表面のｉａ
ｉが作られる。こう云う種類の表面の損傷は、損傷密度
を１／１０００に減らしながら、Ｗ４重ね欠陥の数を１
０倍に増やし、こうしてウェーハのゲッタ能力を＾める
ことによりて、ウェーハの歩留まりをよくする。この方
法は、従来の方法に比べると、設定及び保守が低廉であ
る。
ラ−装置によって攪拌する。浸漬されたウェーハが炭化
シリコン粉末内で回転する。過剰のひっかき傷、粒子又
はビットを伴わずに、シリコン・ウェーハに表面のｉａ
ｉが作られる。こう云う種類の表面の損傷は、損傷密度
を１／１０００に減らしながら、Ｗ４重ね欠陥の数を１
０倍に増やし、こうしてウェーハのゲッタ能力を＾める
ことによりて、ウェーハの歩留まりをよくする。この方
法は、従来の方法に比べると、設定及び保守が低廉であ
る。
この発明Ｂもたらす技術的な進歩健びにその目的は、以
下図面についてこの発明の好ましい実施例を説明すると
ころから明らかになろう。この発明の新規な特徴は特許
請求のｉ！囲に記載しである。
下図面についてこの発明の好ましい実施例を説明すると
ころから明らかになろう。この発明の新規な特徴は特許
請求のｉ！囲に記載しである。
実施例
この発明は半導体つＩ−ハの裏側に損傷を与える方法と
、その方法に使う装置に関する。半導体ウェーハの裏側
にｉｌｌを与えることが、ウェーハを物く研摩性粉末の
作用にかけることによって達成される。１つ又は更に多
べのシリコン・ウェーハを研摩性粉末、例えば炭化シリ
コンの中に配置し、攪拌する。攪拌は炭化シリコンを振
動させることによって行なわれる。こうすると、過剰な
ひっかき傷、、粒子又はビットを作らずに、ウェーハに
表面の損傷ができる。
、その方法に使う装置に関する。半導体ウェーハの裏側
にｉｌｌを与えることが、ウェーハを物く研摩性粉末の
作用にかけることによって達成される。１つ又は更に多
べのシリコン・ウェーハを研摩性粉末、例えば炭化シリ
コンの中に配置し、攪拌する。攪拌は炭化シリコンを振
動させることによって行なわれる。こうすると、過剰な
ひっかき傷、、粒子又はビットを作らずに、ウェーハに
表面の損傷ができる。
第１ｖ４はシリコン・ウェーハに表面のａＳを与える一
実施例の振動室を示す、装置ｆ１０が、炭化シリコン１
２を満した１１１を有する。炭化シリコンは、例えば１
２５ミクロンと云う寸法の炭化シリコン粒子であってよ
い。梢１１は線１２ａまで、炭化シリコンを満たす。シ
リコン・ウェーハ１３を炭化シリコン粉末内に浸漬して
、ウェーハが炭化シリコンによって完全に覆われる様に
する。
実施例の振動室を示す、装置ｆ１０が、炭化シリコン１
２を満した１１１を有する。炭化シリコンは、例えば１
２５ミクロンと云う寸法の炭化シリコン粒子であってよ
い。梢１１は線１２ａまで、炭化シリコンを満たす。シ
リコン・ウェーハ１３を炭化シリコン粉末内に浸漬して
、ウェーハが炭化シリコンによって完全に覆われる様に
する。
梢１１を振動用電気コイル１４（接続する。］イル１４
がワイヤ１５によって電力Ｉｊｊ ＩＩＩ源１６に接続
される。コイル集成体１４に対する電力を調節して、ｍ
ｉｉ並びにその中にある炭化シリコン粒子に加えられる
振動又は攪拌の程度を変えることができる。
がワイヤ１５によって電力Ｉｊｊ ＩＩＩ源１６に接続
される。コイル集成体１４に対する電力を調節して、ｍ
ｉｉ並びにその中にある炭化シリコン粒子に加えられる
振動又は攪拌の程度を変えることができる。
シリコン・ウェーハは例えば１分間、振動する炭化シリ
コン内で処理される。処理の間、つアームはウェーハを
回転させる治具の中に保持され、こうしてウェーハの表
面を一様に研摩する。
コン内で処理される。処理の間、つアームはウェーハを
回転させる治具の中に保持され、こうしてウェーハの表
面を一様に研摩する。
第２図は、裏側に損傷を与える過程の聞、複数個のシリ
コン・ウェーハを保持する治具を示す。
コン・ウェーハを保持する治具を示す。
治具２０が取手２３を持ら、これは２つのフーム２１．
２２により、治具ホルダに取付けられる。
２２により、治具ホルダに取付けられる。
治具の側面部材２７．２８がビン３０．３１によりてア
ーム２１．２２に取付けられ、側面部材をビン３０及び
３１の廻りに回転させることができる様にする。
ーム２１．２２に取付けられ、側面部材をビン３０及び
３１の廻りに回転させることができる様にする。
３木のレール２４．２５．２６が側面部材２フ。
２８の間を伸び、半導体ウェーハ２９を治具ホルダ内の
所定位置に保持する。レール２４．２５゜２６の内の１
つ又は更に多くは着脱自在であって、ウェーハ２９を治
具ホルダ内で位置ぎめすることができる様にしている。
所定位置に保持する。レール２４．２５゜２６の内の１
つ又は更に多くは着脱自在であって、ウェーハ２９を治
具ホルダ内で位置ぎめすることができる様にしている。
第３図は第２図に示した治具ホルダの斜視図である。取
手４３は、２つの取手アーム４１．４２の問を伸びるダ
ボであってよい。取手アームがビン５０．−５１によっ
て、治具ホルダの側面部材４４．４５に回転自在に取付
けられでいる。レール４６．４７．４８は、ダボであっ
てよいが、側面部材４４．４５の間を伸びて、ウェーハ
４９を所定位置に保持する。第１図に示した様に、半導
体ウェーハを治具内に取付けた時、治具ホルダを炭化シ
リコン粉末内に配置する。半導体ウェーハが炭化カーバ
イドで完全に覆われる様にして、粉末を振動させ、治具
ホルダをビン５０．５１の廻りに回転させ、ウェーハの
裏側に損傷を作る。
手４３は、２つの取手アーム４１．４２の問を伸びるダ
ボであってよい。取手アームがビン５０．−５１によっ
て、治具ホルダの側面部材４４．４５に回転自在に取付
けられでいる。レール４６．４７．４８は、ダボであっ
てよいが、側面部材４４．４５の間を伸びて、ウェーハ
４９を所定位置に保持する。第１図に示した様に、半導
体ウェーハを治具内に取付けた時、治具ホルダを炭化シ
リコン粉末内に配置する。半導体ウェーハが炭化カーバ
イドで完全に覆われる様にして、粉末を振動させ、治具
ホルダをビン５０．５１の廻りに回転させ、ウェーハの
裏側に損傷を作る。
この発明によって裏側に与える損傷の改良を例示する為
、この発明の［ゲッタ能力１と従来の方法とを比較する
。
、この発明の［ゲッタ能力１と従来の方法とを比較する
。
＜１００＞及び〈１１１〉配向のウェーハのサンプルを
この発明の方法ＭＡＰ（動く研摩性粒子）と、従来の方
法ＳＷＡＭ （シリコン・ウェーハ研摩機械）及びＳＥ
Ｇ （条線形外囚性ゲッタ作用）を用いて処理した。試
論は、蒸気０１３Ｆ（酸素誘起積重ね欠陥）試験で、８
０分間１１００℃で裏側に損傷を与えたウェーハを処理
することによって行なわれた。ＯＩＳＦ試験は、裏側の
ＯＩＳＦ密度が、裏側のＮＷＡがシリコンの自己割込み
物質を捕配する能力の目安であるので、機械的に裏側に
損傷を与える方法の「ゲッタ能力」を比較するのに信頼
性のある方法であると思われる。ＯＩＳＦ密度が大きけ
れば大きい程、シリコンの自己割込み物質を捕捉する能
力が大きく、移仙性不純５Ｉ！Ｊ原子を捕捉する能力も
最大になる。
この発明の方法ＭＡＰ（動く研摩性粒子）と、従来の方
法ＳＷＡＭ （シリコン・ウェーハ研摩機械）及びＳＥ
Ｇ （条線形外囚性ゲッタ作用）を用いて処理した。試
論は、蒸気０１３Ｆ（酸素誘起積重ね欠陥）試験で、８
０分間１１００℃で裏側に損傷を与えたウェーハを処理
することによって行なわれた。ＯＩＳＦ試験は、裏側の
ＯＩＳＦ密度が、裏側のＮＷＡがシリコンの自己割込み
物質を捕配する能力の目安であるので、機械的に裏側に
損傷を与える方法の「ゲッタ能力」を比較するのに信頼
性のある方法であると思われる。ＯＩＳＦ密度が大きけ
れば大きい程、シリコンの自己割込み物質を捕捉する能
力が大きく、移仙性不純５Ｉ！Ｊ原子を捕捉する能力も
最大になる。
＜ｉｏｏ＞サンプルでは、評価順序は、アルゴン中での
０．２又は４時間の間の１１７５℃でのアニール、１１
００℃で８０分間のＯＩＳＦ試験蒸気酸化、ＷＩｔ物の
剥がし、４５秒間のシンメル−・エッチ、及び裏側のＯ
ＩＳＦ密度の計数で構成される。１１７５℃でのアルゴ
ン中でのアニールは、ＯＩＳＦ試験の前に、損傷の内の
どれだ番ノがアニールによって無くなるかを見る為のも
のである。
０．２又は４時間の間の１１７５℃でのアニール、１１
００℃で８０分間のＯＩＳＦ試験蒸気酸化、ＷＩｔ物の
剥がし、４５秒間のシンメル−・エッチ、及び裏側のＯ
ＩＳＦ密度の計数で構成される。１１７５℃でのアルゴ
ン中でのアニールは、ＯＩＳＦ試験の前に、損傷の内の
どれだ番ノがアニールによって無くなるかを見る為のも
のである。
＜１００＞サンプルに対するデータに対し、第４図及び
第５図（表１）は、１１７５℃のアニールをしなかった
場合、ＳＷ八Ｍ （Ｃ）及びＳＥＧ（Ｂ）では、裏側の
ＯＩＳＦ密度は１．０Ｅ＋０５ ＯＩＳＦ／α２と云
う目標密度を僅かに越えるだけであったが、ＭＡＰ （
Ａ）方法でできたＯｆＳＦ密度は、殆んど１桁高いこと
を示している。
第５図（表１）は、１１７５℃のアニールをしなかった
場合、ＳＷ八Ｍ （Ｃ）及びＳＥＧ（Ｂ）では、裏側の
ＯＩＳＦ密度は１．０Ｅ＋０５ ＯＩＳＦ／α２と云
う目標密度を僅かに越えるだけであったが、ＭＡＰ （
Ａ）方法でできたＯｆＳＦ密度は、殆んど１桁高いこと
を示している。
予想通り、ＯＴＳＦの前に、アルゴン中で１１７５℃で
アニールした＜１００＞サンプルは密度が低下した。ど
の場合も、ＭＡＰサンプルはＯＩＳＦ密度がＩｌ高であ
り、ＳＥＧが次に高い密度であリ、ＳＷＡＭ方法では、
できた密度が最も低かった。
アニールした＜１００＞サンプルは密度が低下した。ど
の場合も、ＭＡＰサンプルはＯＩＳＦ密度がＩｌ高であ
り、ＳＥＧが次に高い密度であリ、ＳＷＡＭ方法では、
できた密度が最も低かった。
＜１１１＞配向のウェーハを評価する場合、その評価順
序は１１００℃で９０分間のＯＩＳＦ蒸気酸化、酸化獅
の剥がし、３分間のレオ（変形サートル）・エッチ、及
び裏側のＯ［ＳＦ密度の計数で構成された。
序は１１００℃で９０分間のＯＩＳＦ蒸気酸化、酸化獅
の剥がし、３分間のレオ（変形サートル）・エッチ、及
び裏側のＯ［ＳＦ密度の計数で構成された。
表２の＜１１１＞データは、３種類のどの損傷も、ＯＩ
Ｓ ＦＬ［カ、１、ＯＥ５ｆａｆｉネ欠陥／α２と云
う目標密度より高いことを示している。
Ｓ ＦＬ［カ、１、ＯＥ５ｆａｆｉネ欠陥／α２と云
う目標密度より高いことを示している。
＜１００＞ザンプルの場合と同じく、ＭＡＰではＯＩＳ
Ｆ密度が最高であり、ＳＥＧが次に高く、ＳＷＡＭが最
も低い。
Ｆ密度が最高であり、ＳＥＧが次に高く、ＳＷＡＭが最
も低い。
１１７５℃のフニールが無い場合の平均のＯＩＳＦ密度
は次の様にまとめることができる。
は次の様にまとめることができる。
ＭＡＰ ＳＷＡＭ ＳＥＧ
＜１００＞ ９．ＩＥ５ １．２Ｅ５ １．５Ｅ５＜
１１１＞ ６．３Ｅ５ １．１Ｅ５ ３．３Ｅ５０１
８Ｆ密度で測定すると、ＭＡＰによる裏側の損傷は最も
よい［ゲッタ能力１であることが分かった。ＭＡＰ方法
によって作られたひっかき傷は、ＳＥＧによるひっかき
傷に比べると穏やかであり、ＭＡＲ方法はＳＷＡＭ方法
でできる脱落したシリコンの［ショット・ホールＪが全
くできない様に思われる。
１１１＞ ６．３Ｅ５ １．１Ｅ５ ３．３Ｅ５０１
８Ｆ密度で測定すると、ＭＡＰによる裏側の損傷は最も
よい［ゲッタ能力１であることが分かった。ＭＡＰ方法
によって作られたひっかき傷は、ＳＥＧによるひっかき
傷に比べると穏やかであり、ＭＡＲ方法はＳＷＡＭ方法
でできる脱落したシリコンの［ショット・ホールＪが全
くできない様に思われる。
この発明は以上の説明に関連して、更に下記の実施ｍｓ
をとり得る。
をとり得る。
（１） 半導体つｌ−ハの裏側にｉｌｌを与える方法
に於いて、該半導体ウェーバを少なくとも部分的に研摩
性粉末の中に浸漬し、該研摩性粉末を振動させて、半導
体ウェーハの裏側にｌＥｉｍを作る工程を含む方法。
に於いて、該半導体ウェーバを少なくとも部分的に研摩
性粉末の中に浸漬し、該研摩性粉末を振動させて、半導
体ウェーハの裏側にｌＥｉｍを作る工程を含む方法。
（２） （１）項に記載した方法に於いて、研摩性粉
末が、酸化アルミニウム、二酸化シリコン、ダイヤモン
ド、炭化硼素及び炭化シリコンを含む研摩材の群から選
ばれる方法。
末が、酸化アルミニウム、二酸化シリコン、ダイヤモン
ド、炭化硼素及び炭化シリコンを含む研摩材の群から選
ばれる方法。
（３） （１）項に記載した方法に於いて、ｉｓ性粉
末を振動させながら、半導体ウ−エーハを動かす工程を
含む方法。
末を振動させながら、半導体ウ−エーハを動かす工程を
含む方法。
（４） （２）項に記載した方法に於いて、炭化シリ
コンが５乃至５００ミクロンの粒子寸法である方法。
コンが５乃至５００ミクロンの粒子寸法である方法。
（５） （１）項に記載した方法に於いて、ウェーハ
を振動させたＴｊ＃摩性粉末の中で回転させる方法。
を振動させたＴｊ＃摩性粉末の中で回転させる方法。
（６） （１）項に記載した方法に於いて、半導体ウ
ェーハが、ウェーハ・カセット内にある間に研摩される
方法。
ェーハが、ウェーハ・カセット内にある間に研摩される
方法。
（７） （１）項に記載した方法に於いて、半導体ウ
ェーハが、研摩材によって覆われた動くベルト上にある
圏に研摩される方法。
ェーハが、研摩材によって覆われた動くベルト上にある
圏に研摩される方法。
（８） 半導体ウェーハの裏側にＩｍを与える方法に
於いて、１つ又は更に多くの半導体ウェーハを治具ホル
ダに取付け、半導体ウェーハを炭化シリコンの研摩性粉
末内に浸漬し、炭化シリコンを振動させて、半導体ウェ
ーハの裏側に損傷を作る工程を含む方法。
於いて、１つ又は更に多くの半導体ウェーハを治具ホル
ダに取付け、半導体ウェーハを炭化シリコンの研摩性粉
末内に浸漬し、炭化シリコンを振動させて、半導体ウェ
ーハの裏側に損傷を作る工程を含む方法。
（９） （８）項に記載した方法に於いて、炭化シリ
コンを振動させながら、半導体ウェーハを回転させる工
程を含む方法。
コンを振動させながら、半導体ウェーハを回転させる工
程を含む方法。
（１０） （８）項に記載した方法に於いて、炭化シ
リコンが１２５ミクロンの粒子寸法である方法。
リコンが１２５ミクロンの粒子寸法である方法。
（１１） （８）項に記載した方法に於いて、ウェー
ハが約１分間、振動させる炭化シリコン粉末内で研摩さ
れる方法。
ハが約１分間、振動させる炭化シリコン粉末内で研摩さ
れる方法。
（１２）ウェーハの裏側にＩＮ傷を与える間、半導体つ
Ｉｍハを保持する治具に於いて、２つの側面Ｓ材と、３
つのダボ支持体と、取手とを有し、３つのダボ支持体は
２つの側面部材に接続されていて、３つのダボの間に半
導体ウェーハを支持し、取手は２つの側面部材に接続さ
れている治具。
Ｉｍハを保持する治具に於いて、２つの側面Ｓ材と、３
つのダボ支持体と、取手とを有し、３つのダボ支持体は
２つの側面部材に接続されていて、３つのダボの間に半
導体ウェーハを支持し、取手は２つの側面部材に接続さ
れている治具。
（１３） （１２）項に！２ＩＥした治具に於いて、
各々のダボがその周囲で半導体ウェーハと接触して、処
理の闇、ウェーハを所定位置に保持する様に、３つのダ
ボが側面部材に接続される治具。
各々のダボがその周囲で半導体ウェーハと接触して、処
理の闇、ウェーハを所定位置に保持する様に、３つのダ
ボが側面部材に接続される治具。
（１４） （１２）項ニｔｉｉ！ｆＥＬりｔ［Ｉニ於
イｒ、少ナクとも１つのダボが着脱自在であって、半導
体ウェーハの取付けができる様にした治具。
イｒ、少ナクとも１つのダボが着脱自在であって、半導
体ウェーハの取付けができる様にした治具。
（１５） （１２）項に記載した治具に於いて、取手
が側面部材に回転自在に取付けられている治具。
が側面部材に回転自在に取付けられている治具。
（１６）ウェーハの側面にＨａを与える間、半導体ウェ
ーハを保持する治具に於いて、２つの側面部材を有し、
各々の側面部材は中心点から伸びる３つの脚を有し、該
脚は前記中心点を中心とする仮想円に沿って等間隔であ
り、更に側面部材の脚の間を伸びる３つのダボ支持体と
、前記側面部材に回転自在に取付けられた取手とを有し
、３つのダボ支持体は２つの側面部材に接続されていて
３つのダボの間で半導体ウェーハを支持し、取手が２つ
の側面部材に接続されている治具。
ーハを保持する治具に於いて、２つの側面部材を有し、
各々の側面部材は中心点から伸びる３つの脚を有し、該
脚は前記中心点を中心とする仮想円に沿って等間隔であ
り、更に側面部材の脚の間を伸びる３つのダボ支持体と
、前記側面部材に回転自在に取付けられた取手とを有し
、３つのダボ支持体は２つの側面部材に接続されていて
３つのダボの間で半導体ウェーハを支持し、取手が２つ
の側面部材に接続されている治具。
（１７） （１Ｇ）項に記載した治具に於いて、各々
のダボがその周囲で半導体ウェーハに接触して、処理の
間、ウェーハを所定位置に保持する様に、３つのダボが
側面部材に接続されている治具。
のダボがその周囲で半導体ウェーハに接触して、処理の
間、ウェーハを所定位置に保持する様に、３つのダボが
側面部材に接続されている治具。
（１８） （１７）項に記載した治具に於いて、少な
くとも１つのダボが着脱自在であって、半導体ウェーハ
の取付けができる様にした治具。
くとも１つのダボが着脱自在であって、半導体ウェーハ
の取付けができる様にした治具。
（１９） ウェーハを研摩性粉末１２内で研摩するこ
とによって、シリコン半導体ウェーハ１３の裏側にｎ？
！を与える方法を説明したゆ粉末１２を振動させる間、
ウェーハ１３を粉末１２内で回転させ又は並進させる。
とによって、シリコン半導体ウェーハ１３の裏側にｎ？
！を与える方法を説明したゆ粉末１２を振動させる間、
ウェーハ１３を粉末１２内で回転させ又は並進させる。
処理の間、治具が１つ又は更に多くの半導体つＩ−ハ１
３を保持し、希望によっては、処理の間、ウェーハ１３
を回転することができる様にする。
３を保持し、希望によっては、処理の間、ウェーハ１３
を回転することができる様にする。
第１図はこの発明に使われる装置の斜視図、第２図はこ
の発明で使われる半導体支持治具の側面図、第３図は第
２図の支持治具の斜視図、第４図は３種類のウェーハの
裏側のｌａ！を比較すだ線図、第５図は第４図の縮図に
使われた試験データの表の図面、第６図はく１１１〉配
向の半導体ウェーハに対する試験データの表の図面であ
る。 主な符号の説明 １０：装置 １１：槽 １２：炭化シリコン １３ニジリコン・ウェーハ １４：振動用電気コイル １５：ワイヤ １６二電力ｆＩ１１ＩＩＩ源 ２０：治具 ２１．２２：アーム ２３：取手 ３０．３１ ：ビン
の発明で使われる半導体支持治具の側面図、第３図は第
２図の支持治具の斜視図、第４図は３種類のウェーハの
裏側のｌａ！を比較すだ線図、第５図は第４図の縮図に
使われた試験データの表の図面、第６図はく１１１〉配
向の半導体ウェーハに対する試験データの表の図面であ
る。 主な符号の説明 １０：装置 １１：槽 １２：炭化シリコン １３ニジリコン・ウェーハ １４：振動用電気コイル １５：ワイヤ １６二電力ｆＩ１１ＩＩＩ源 ２０：治具 ２１．２２：アーム ２３：取手 ３０．３１ ：ビン
Claims (2)
- （１）半導体ウェーハの裏側に損傷を与える方法に於い
て、該半導体ウェーハを少なくとも部分的に研摩性粉末
の中に浸漬し、該研摩性粉末を振動させて、半導体ウェ
ーハの裏側に損傷を作る工程を含む方法。 - （２）ウェーハの裏側に損傷を与える間、半導体ウェー
ハを保持する治具に於いて、２つの側面部材と、３つの
ダボ支持体と、取手とを有し、３つのダボ支持体は２つ
の側面部材に接続されていて、３つのダボの間に半導体
ウェーハを支持し、取手は２つの側面部材に接続されて
いる治具。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US378632 | 1982-05-17 | ||
| US07/378,632 US5006475A (en) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | Method for backside damage of silicon wafers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148828A true JPH03148828A (ja) | 1991-06-25 |
Family
ID=23493904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2185143A Pending JPH03148828A (ja) | 1989-07-12 | 1990-07-12 | 半導体ウェーハの裏側に損傷を与える方法と治具 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5006475A (ja) |
| EP (1) | EP0408341B1 (ja) |
| JP (1) | JPH03148828A (ja) |
| KR (1) | KR0180901B1 (ja) |
| DE (1) | DE69031553T2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2575545B2 (ja) * | 1990-07-05 | 1997-01-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2719113B2 (ja) * | 1994-05-24 | 1998-02-25 | 信越半導体株式会社 | 単結晶シリコンウェーハの歪付け方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3923567A (en) * | 1974-08-09 | 1975-12-02 | Silicon Materials Inc | Method of reclaiming a semiconductor wafer |
| US4018626A (en) * | 1975-09-10 | 1977-04-19 | International Business Machines Corporation | Impact sound stressing for semiconductor devices |
| DE2927220A1 (de) * | 1979-07-05 | 1981-01-15 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur stapelfehlerinduzierenden oberflaechenzerstoerung von halbleiterscheiben |
| JPH01143223A (ja) * | 1987-11-28 | 1989-06-05 | Toshiba Corp | 半導体基板の表面処理方法 |
| FR2631630B1 (fr) * | 1988-05-18 | 1990-08-31 | Rhone Poulenc Chimie | Abrasifs a base de terres rares |
-
1989
- 1989-07-12 US US07/378,632 patent/US5006475A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-07-11 DE DE69031553T patent/DE69031553T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-11 EP EP90307589A patent/EP0408341B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-11 KR KR1019900010458A patent/KR0180901B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-07-12 JP JP2185143A patent/JPH03148828A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69031553D1 (de) | 1997-11-13 |
| KR920003420A (ko) | 1992-02-29 |
| EP0408341B1 (en) | 1997-10-08 |
| US5006475A (en) | 1991-04-09 |
| KR0180901B1 (ko) | 1999-04-15 |
| EP0408341A1 (en) | 1991-01-16 |
| DE69031553T2 (de) | 1998-02-12 |
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