JPH03148136A - 半導体素子および半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子および半導体素子の製造方法Info
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- JPH03148136A JPH03148136A JP28704189A JP28704189A JPH03148136A JP H03148136 A JPH03148136 A JP H03148136A JP 28704189 A JP28704189 A JP 28704189A JP 28704189 A JP28704189 A JP 28704189A JP H03148136 A JPH03148136 A JP H03148136A
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Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜を含む半導体膜によって形成される半導体
素子およびその製造方法に関する。
素子およびその製造方法に関する。
従来の技術
従来、薄膜を含む半導体素子は半導体薄膜の保護を目的
とする絶縁体薄膜を堆積してから加工していた。絶縁体
薄膜は半導体薄膜保護のためにいくつかの制約条件があ
った。
とする絶縁体薄膜を堆積してから加工していた。絶縁体
薄膜は半導体薄膜保護のためにいくつかの制約条件があ
った。
発明が解決しようとする課題
このような絶縁体薄膜例えばチン化シリコン（以下５ｉ
ＮＸと略す）を用いると微細加工途中でＳｉＮｘの表面
が変質し、この上に半導体薄膜のオーミック接触となる
Ｐ型またはｎ型ａ−３ｉ＋Ｈを堆積すると剥がれること
があった。
ＮＸと略す）を用いると微細加工途中でＳｉＮｘの表面
が変質し、この上に半導体薄膜のオーミック接触となる
Ｐ型またはｎ型ａ−３ｉ＋Ｈを堆積すると剥がれること
があった。
課題を解決するための手段
制約条件の厳しい絶縁体７ｉＲ１１９の上に特性の安定
な絶縁体薄膜または半導体薄膜または導電体薄膜を堆積
するか、プラズマ処理をすることによって、保護を目的
とする絶縁体薄膜の表面状態を安定化させる。
な絶縁体薄膜または半導体薄膜または導電体薄膜を堆積
するか、プラズマ処理をすることによって、保護を目的
とする絶縁体薄膜の表面状態を安定化させる。
作用
絶縁体薄膜の安定化によって、絶縁体薄膜を微細加工し
た後も安定に、半導体薄膜を堆積することができ、ゴミ
、キズの発生確率も減少し、不良発生確率を小さくでき
る。
た後も安定に、半導体薄膜を堆積することができ、ゴミ
、キズの発生確率も減少し、不良発生確率を小さくでき
る。
実施例
本発明による１実施例について図面を用いて詳しく説明
する。本実施例は液晶テレビの液晶駆動スイッチング素
子アレイとなる薄膜トランジスタ（Ｔ Ｐ Ｔ）の製造
方法である。図に工程順の断面図を示した。
する。本実施例は液晶テレビの液晶駆動スイッチング素
子アレイとなる薄膜トランジスタ（Ｔ Ｐ Ｔ）の製造
方法である。図に工程順の断面図を示した。
基板１、例えばガラスやセラミックス等、の上に次の工
程で熱的機械的に耐え得る金属例えばＣｒ２を蒸着し微
細加工した後、ＴＰＴのゲート絶縁膜としてＴａ０Ｘま
たはＴａＣＸ０ｕ３、第１ＳＩＮＸ４、さらにＴＦＴの
半導体層としてａＳｉ：Ｈ５、半導体保護膜としての絶
縁体膜、ここでは第２ＳｉＮＸ６を順に堆積した。（第
１図）次に本発明によって、第２３ｉＮＸ６の上に堆積
条件を変えた第３３ｉＮＸ７（第２図）、または酸化シ
リコン（以下５ｉＯＸと略す）、炭化シリコン（以下Ｓ
＋ ＣＸと略す）、酸化窒化シリコン（以下５ｉＮＸ
Ｏｕと略す）、酸化タンタル（以下Ｔａ０Ｘと略す）、
酸化炭化クンタル（以下ＴａＣＸ０ｕと略す）のいずれ
か（以下第２保護層と略す）８、または導電体薄膜を堆
積した（第３図）。または本発明による、水素、窒素、
酸素、弗素を含むプラズマによる処理を行った（第４図
）。９はプラズマ処理層を示す。
程で熱的機械的に耐え得る金属例えばＣｒ２を蒸着し微
細加工した後、ＴＰＴのゲート絶縁膜としてＴａ０Ｘま
たはＴａＣＸ０ｕ３、第１ＳＩＮＸ４、さらにＴＦＴの
半導体層としてａＳｉ：Ｈ５、半導体保護膜としての絶
縁体膜、ここでは第２ＳｉＮＸ６を順に堆積した。（第
１図）次に本発明によって、第２３ｉＮＸ６の上に堆積
条件を変えた第３３ｉＮＸ７（第２図）、または酸化シ
リコン（以下５ｉＯＸと略す）、炭化シリコン（以下Ｓ
＋ ＣＸと略す）、酸化窒化シリコン（以下５ｉＮＸ
Ｏｕと略す）、酸化タンタル（以下Ｔａ０Ｘと略す）、
酸化炭化クンタル（以下ＴａＣＸ０ｕと略す）のいずれ
か（以下第２保護層と略す）８、または導電体薄膜を堆
積した（第３図）。または本発明による、水素、窒素、
酸素、弗素を含むプラズマによる処理を行った（第４図
）。９はプラズマ処理層を示す。
次に、第３ＳｉＮＸ７または第２保護Ｎ８またはプラズ
マ処理層９と、第２３ ＋ Ｎｘ ６を微細加工した（
第５図）。
マ処理層９と、第２３ ＋ Ｎｘ ６を微細加工した（
第５図）。
次に、ａ−３ｉ：Ｈ５とオーミックコンタクトをとるた
めにｎ型ａ−３ｉ：ＨＩＯを堆積し、ＴＦＴ部のａ−Ｓ
ｉ：Ｈ５とｎ型ａ−３ｉ：ＨＩＯを残すように島状に選
択的にエツチングした（第６図）。
めにｎ型ａ−３ｉ：ＨＩＯを堆積し、ＴＦＴ部のａ−Ｓ
ｉ：Ｈ５とｎ型ａ−３ｉ：ＨＩＯを残すように島状に選
択的にエツチングした（第６図）。
次に、液晶駆動用電極となる透明導電膜ここではＩＴ○
（Ｉｎ２０３と５ｎ０２との混合物）１１を堆積し、微
細加工した後、ＴＦＴ部のソース、ドレインとなる金属
電極１２を堆積し、微細加工した（第７図）。
（Ｉｎ２０３と５ｎ０２との混合物）１１を堆積し、微
細加工した後、ＴＦＴ部のソース、ドレインとなる金属
電極１２を堆積し、微細加工した（第７図）。
第２ＳｉＮｘ６の上に形成されている第３ＳｉＮＸ７ま
たは第２保護層８、またはプラズマ処理層９が絶縁層で
あれば、このままの状態でＴＦＴ部は完成するが、半導
体層やＴＰＴ駆動時に導電体となる、例えばａ−３ｉ：
Ｈや、ｎ型ａＳｉ ：Ｈであれば、またそのままの状態
で導電体であるものは勿論、第７図で金属電極１２の微
細加工時にエツチングした。エツチング部を１３で示す
。第７図（ａ）はエツチング部１３が第２５ｉｔＪ＋＋
６に至るまでに止めたもの、すなわち第７図（ａ）は
本発明の第３ＳｉＮｘ７または第２保護層８、またはプ
ラズマ処理Ｎ９が絶縁体に対応する。第７図（ｂ）はエ
ツチング部１３が第２３ｉＮｘ６が現われるまでエンチ
ングしたもので、第７図（ｂ）は本発明の第３ＳｉＮＸ
７または第２保護層８、またはプラズマ処理層９が半導
体層や金属などの導体に対応する。
たは第２保護層８、またはプラズマ処理層９が絶縁層で
あれば、このままの状態でＴＦＴ部は完成するが、半導
体層やＴＰＴ駆動時に導電体となる、例えばａ−３ｉ：
Ｈや、ｎ型ａＳｉ ：Ｈであれば、またそのままの状態
で導電体であるものは勿論、第７図で金属電極１２の微
細加工時にエツチングした。エツチング部を１３で示す
。第７図（ａ）はエツチング部１３が第２５ｉｔＪ＋＋
６に至るまでに止めたもの、すなわち第７図（ａ）は
本発明の第３ＳｉＮｘ７または第２保護層８、またはプ
ラズマ処理Ｎ９が絶縁体に対応する。第７図（ｂ）はエ
ツチング部１３が第２３ｉＮｘ６が現われるまでエンチ
ングしたもので、第７図（ｂ）は本発明の第３ＳｉＮＸ
７または第２保護層８、またはプラズマ処理層９が半導
体層や金属などの導体に対応する。
発明の効果
本発明に於て、第２ＳｉＮＸ６の上に形成されてた第３
３ｊＮｘ７または第２保護層８、またはプラズマ処理層
９によって、ｎ型ａ−３ｉ：１（１０は安定に堆積され
、はがれなどによる不良は発生しなかった。またｎ型ａ
−３ｉ：ＨＩＯの堆積温度を第２ＳｉＮＸ６と同程度ま
で上昇させることが出来たため、ａ−３ｉ：Ｈ５とｎ型
ａＳｔ ：Ｈｌｏとのオーミックコンタクトも完全に取
ることが出来た。
３ｊＮｘ７または第２保護層８、またはプラズマ処理層
９によって、ｎ型ａ−３ｉ：１（１０は安定に堆積され
、はがれなどによる不良は発生しなかった。またｎ型ａ
−３ｉ：ＨＩＯの堆積温度を第２ＳｉＮＸ６と同程度ま
で上昇させることが出来たため、ａ−３ｉ：Ｈ５とｎ型
ａＳｔ ：Ｈｌｏとのオーミックコンタクトも完全に取
ることが出来た。
方法の工程断面図である。
Ｉ・・・・・・基板、３・・・・・・第１ Ｓ ｉ Ｎ
Ｘ、４・・・・・・Ｓｉ：Ｈ，５・・・・・・第２Ｓｉ
Ｎｘ、６・・・・・・第２ＮＸ、７・・・・・・第３Ｓ
ｉＮｘ、８・・・・・・第２保護９・・・・・・プラズ
マ処理層、１０・・・・・・ｎ型ａｊ：Ｈ，１１・・・
・・・ＩＴＯＸ １２・・・・・・金属電極、３・・・
・・・エツチング部。
Ｘ、４・・・・・・Ｓｉ：Ｈ，５・・・・・・第２Ｓｉ
Ｎｘ、６・・・・・・第２ＮＸ、７・・・・・・第３Ｓ
ｉＮｘ、８・・・・・・第２保護９・・・・・・プラズ
マ処理層、１０・・・・・・ｎ型ａｊ：Ｈ，１１・・・
・・・ＩＴＯＸ １２・・・・・・金属電極、３・・・
・・・エツチング部。
Claims (10)
- （１）第一の絶縁膜、半導体膜、第二の絶縁膜、第三の
絶縁膜を構成要素として順に含み、前記第二、第三の絶
縁膜を前記半導体膜の保護膜として構成することを特徴
とする半導体素子。 - （２）第一の絶縁膜、第一の半導体膜、第二の絶縁膜、
第二の半導体膜または導電体、第三の半導体膜を構成要
素として順に含み、前記第二の絶縁膜を前記第一の半導
体膜の保護膜として、前記第二の半導体膜または導電体
を前記第二の絶縁膜の保護膜として構成することを特徴
とする半導体素子。 - （３）第一の絶縁体薄膜を堆積し、第二の絶縁体薄膜を
堆積した後、前記第一、第二の絶縁体薄膜を微細加工し
、半導体薄膜を堆積する工程を含むことを特徴とする半
導体素子の製造方法。 - （４）第一の絶縁体薄膜、第二の絶縁体薄膜にチッ化シ
リコンを用いることを特徴とする請求項（３）記載の半
導体素子の製造方法。 - （５）第一の絶縁体薄膜にチッ化シリコン、第二の絶縁
体薄膜に酸化シリコン、炭化シリコン、酸化窒化シリコ
ン、酸化タンタル、酸化炭化タンタルのいずれかを用い
ることを特徴とする請求項（３）記載の半導体素子の製
造方法。 - （６）絶縁体薄膜を堆積し、第一の半導体薄膜を堆積し
た後、前記絶縁体薄膜、第一の半導体薄膜を微細加工し
、第二の半導体薄膜を堆積する工程を含むことを特徴と
する半導体素子の製造方法。 - （７）絶縁体薄膜にチッ化シリコンを用いることを特徴
とする請求項（６）記載の半導体素子の製造方法。 - （８）半導体薄膜にアモルファスシリコンを用いること
を特徴とする請求項（６）記載の半導体素子の製造方法
。 - （９）絶縁体薄膜を堆積し、導電体薄膜を堆積した後、
前記絶縁体薄膜、導電体薄膜を微細加工し、半導体薄膜
を堆積する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製
造方法。 - （１０）絶縁体薄膜を堆積し、水素、窒素、酸素、弗素
を含むプラズマで処理した後、前記絶縁体薄膜を微細加
工し、半導体薄膜を堆積する工程を含むことを特徴とす
る半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28704189A JPH03148136A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28704189A JPH03148136A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148136A true JPH03148136A (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=17712284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28704189A Pending JPH03148136A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03148136A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2010024279A1 (ja) * | 2008-08-29 | 2012-01-26 | 株式会社アルバック | 電界効果型トランジスタの製造方法及び製造装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183561A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JPS62235784A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-15 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPS639156A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Canon Inc | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPH023231A (ja) * | 1988-06-20 | 1990-01-08 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| JPH02199842A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-08 | Nec Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ素子の製造方法 |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP28704189A patent/JPH03148136A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183561A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
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| JPH02199842A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-08 | Nec Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ素子の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2010024279A1 (ja) * | 2008-08-29 | 2012-01-26 | 株式会社アルバック | 電界効果型トランジスタの製造方法及び製造装置 |
| JP5417332B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2014-02-12 | 株式会社アルバック | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
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