JPH03142794A - 不揮発性メモリへのデータ書き込み方法 - Google Patents

不揮発性メモリへのデータ書き込み方法

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JPH03142794A
JPH03142794A JP1280294A JP28029489A JPH03142794A JP H03142794 A JPH03142794 A JP H03142794A JP 1280294 A JP1280294 A JP 1280294A JP 28029489 A JP28029489 A JP 28029489A JP H03142794 A JPH03142794 A JP H03142794A
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JP
Japan
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write
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area
writing
pointer value
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Pending
Application number
JP1280294A
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English (en)
Inventor
Hidetaka Shibata
柴田 秀隆
Satoru Ozaki
覚 尾崎
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Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP1280294A priority Critical patent/JPH03142794A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、マイクロコンピュータを使用した制御システ
ムが不揮発性メモリを装備しており、そのメモリ領域へ
比較的頻繁にデータの書き込みを行なう際の、不揮発性
メモリへのデータ書き込み方法に関する。
(従来の技術) マイクロコンピュータを使用した制御システムにおいて
は、制御に必要な各種演算用定数値や、制御システムが
稼働した時間等に関する履歴情報、RAS(信頼性、稼
働性、保守性)機能の一つとしてこれまでに制御システ
ム上で発生した故障に関する情報等を保存する必要があ
るため、不揮発性メモリを装備している。
上記各種のデータを不揮発性メモリに書き込む従来の方
法としては、データを保存する際に不揮発性メモリ内の
特定の領域にデータとそのデータの全加算値(サムデー
タ)とを書き込む方法が一般的に行なわれている。そし
て、不揮発性メモリに保存しであるデータを用いる際に
、データを全加算した値と予め保存してあったサムデー
タとを比較することにより、そのデータが有効か無効か
を判断するといった方法がとられている。
(発明が解決しようとする課題) 一般に不揮発性メモリには、書き込み回数がある特定の
回数(保証回数)を越えると、書き込みにおける信頼性
が低下するという特徴がある。従来の方法では、この点
に関して特に対処されておらず、書き込みの信頼性は書
き込み回数にもっばら依存していることになる。また、
データの書き込み領域を特定の領域に限定しているため
、何らかの原因によって当該書き込み領域にメモリ異常
が発生し、仮りにこれを検知できたとしても対処できな
いという問題がある。
本発明は上記問題点を解消するために提案されたもので
、その目的とするところは、データ書き込みの信頼性を
高め、しかもメモリ異常(書き込み領域の異常)が発生
した場合には、当該書き込み領域への以後の書き込みを
禁止して他の領域に書き込みを行なわせる等の方法によ
り対処可能とした。不揮発性メモリへのデータ書き込み
方法を提供することにある。
(課題を解決するための手段) 上記目的を達成するため、本発明では、不揮発性メモリ
内に、データを書き込むための複数の書き込み領域とそ
の領域を指示するポインタ値を書き込むポインタ値領域
とを用意する。なお、前記書き込み領域には、各領域毎
にその領域への書き込み回数値と、その書き込んだデー
タのサムデータと、メモリが異常であるかどうかを示す
フラグとを付加する。
そして、ポインタ値が指示する書き込み領域にデータを
書き込むと同時にその書き込み回数値を更新する。更に
、別処理によって書き込み回数値を読み出し、その値が
特定の制限値(不揮発性メモリの書き込み保証回数の1
0分の1ぐらいの値)を越えていた場合には、その書き
込み回数値を初期化し、書き込み領域を変更するために
ポインタ値を変更する。もし、全ての領域に関してポイ
ンタ値を変更した場合には、最初に指定した領域を指示
するようにポインタ値を変更する。
また、ポインタ値が指示する書き込み領域にデータを書
き込むと同時に、その書き込んだデータのサムデータも
保存する。そして、書き込んだデータを用いる際に、ポ
インタが指示する書き込み領域のデータの全加算値と一
緒に保存されていたそのサムデータとを比較し、データ
が有効か無効かを判断する。もしそのデータが無効の場
合には、当該書き込み領域が異常であることを示すため
にフラグをセットし、異常でない書き込み領域を指示す
るようにポインタ値を変更する。
(作用) 例えば、不揮発性メモリの書き込み保証回数がn回であ
ったとして、従来のように特定の一領域に対しn回以上
書き込んだ場合には、書き込み保証回数を越えるために
メモリの信頼性が低下する。
しかるに本発明によれば、ポインタを変更する一領域あ
たりの書き込み回数値を例えばm回(m=n/10)と
し、かつ、書き込み領域をに個用窓したとして、m回書
き込む毎に書き込み領域を変更するため、全体でm X
 k回書き込んだとして仮りに(m X k )) n
となっても、一つの書き込み領域に対する書き込み回数
値は全てm回以下であつて保証回数nを越えることはな
い、すなわち本発明では、いわゆるデイレ−ティングを
行なうことで書き込み回数値が保証回数nを越えるのを
防ぎ。
信頼性の低下を防止することができる。
また、k個ある書き込み領域の全てにm回書き込んだ場
合には、最初に書き込んだ領域から再び上記の動作を繰
り返す。その結果、一つの書き込み領域に対する書き込
み回数値はm回以上となるが、この回数が保証回数nを
越えない限り、信頼性が低下するおそれは少ない、仮り
に一つの書き込み領域への書き込み回数値が保証回数n
を越えた場合でも、ポインタが一巡する毎に、個々の書
き込み領域の書き込み回数値は高々m回増加するだけで
あるから、従来のように特定のデータ領域に集中して書
き込む場合に比べて、全書き込み回数値の総計の増加に
対する個々の領域の書き込み回数値の超過(信頼性の低
下)度合いを低減することができる。
更に、ポインタの更新回数はm回に一回の割合であるか
ら、データの更新回数に比べて十分に少なく、保証回数
nを越える心配はない。また、ポインタを変更する書き
込み回数値及び書き込み領域数は、対象となるデータの
書き込み頻度によって書き込み保証回数と照らし合わせ
て設定される。
もし、仮りに何らかの原因でメモリに支障をきたし、メ
モリを読み出す際の有効性チエツクにおいて無効と判断
された場合には書き込み領域が異常であると判断し、異
常と判断された書き込み領域へのそれ以降の書き込みを
禁止し、次回からは書き込み領域を残りの領域の中から
選択する。
(実施例) 以下1図に沿って本発明の一実施例を説明する。
なお、この実施例は、制御システムが稼働した総時間量
をデータとして不揮発性メモリに保存する場合のもので
ある。
まず、第1図はこの実施例で用いられる不揮発性メモリ
内の、前記総時間量等を書き込むための領域構成を、ま
た、第2図はこの実施例において前記総時間量等を不揮
発性メモリ内に書き込む第1のプログラムのフローチャ
ートを、更に第3図は、不揮発性メモリに格納されたデ
ータの有効/無効の判定、及び、書き込み領域を指定す
るポインタを管理、更新する第2のプログラムのフロー
チャートをそれぞれ示している。
始めに第1図において、全部でに個の書き込み領域L□
、L2.・・・・・・、Lkには、制御システムが稼働
した総時間量(日2時2分)としての稼働時間データ1
と、データの書き込み回数値2と、これらを加算したサ
ムデータ3(=稼働時間データl+データの書き込み回
数値2)と、領域の有効性を判断するためのフラグ4と
がそれぞれ確保される。
更に、不揮発性メモリには、上記書き込み領域L1.L
、、・・・・・・、Lkとは別個に、これらの書き込み
領域を指示するポインタ値5を書き込むためのポインタ
値領域Lpが設けられる。
しかして、第Iのプログラムは、図示されていない制御
装置の電源断もしくは瞬時停電が発生したときに実行さ
れる。また、第2のプログラムは。
制御装置に電源が投入されたときのイニシャル処理の一
つとして行なわれる。
まず、第1のプログラムにおいては、上記サムデータ3
の演算と書き込み回数値2の更新、そしてこれらのデー
タと稼働時間データ1との書き込みを行なう、すなわち
第2図において、始めにポインタ値5が指示するところ
の書き込み回数値2を読み出してこれをインクリメント
することにより、書き込み回数値2を更新する(SL)
、次に、現在の稼働時間データ1と上記の更新した書き
込み回数値2とを加算してサムデータ3を求め(S2)
、更に、ポインタ値5が指示する所定の位置に現在の稼
働時間データ1と更新した書き込み回数値2と上記サム
データ3とを書き込む(S3)。
次に、第2のプログラムでは、まずポインタ値5が指示
するところの稼働時間データ1と書き込み回数値2とを
読み出して加算しくS 11)、この加算値がポインタ
値5が指示するところのサムデータ3に等しいか否かを
判定して書き込み領域の有効性をチエツクする(S12
)。仮りに、上記加算値とサムデータ3とが等しい場合
には、領域が有効と判断してポインタ値5が指示すると
ころの書き込み回数値2を読み出しく5131)、また
、加算値とサムデータ3とが等しくない場合には領域が
無効と判断して当該書き込み領域が異常であることを示
すフラグ4をセットしく5132)、後述するステップ
S16に進む。
前述したステップ5131の後、書き込み回数値2がポ
インタ値5を変更するべき書き込み回数値を越えたか否
かを判断する(S14)。ここで、ポインタ値5を変更
するべき書き込み回数値とは、前述したように不揮発性
メモリの書き込み保証回数のIO分の工程液の値である
このステップS14において、書き込み回数値2が制限
値を越えていなければそのまま終了し、制限値を越えて
いればポインタ値5が指示するところの書き込み回数値
2をゼロクリアする(S15)。
その後、ポインタ値5が最後の書き込み領域(例えば、
全部でに個の書き込み領域があればに番目の書き込み領
域Lk)を指示しているか否かを判断しく516)、指
示していなければ次の書き込み領域を示すようにポイン
タ値5をインクリメントして更新する(S171)、ま
た、指示していれば、ポインタ値5が最初の書き込み領
域を指示するようにポインタ値5を初期化する(S17
2)。
ステップS 171. S 172の後、ポインタ値が
指示する書き込み領域からフラグ4を読み出しく818
)。
このフラグ4から対象となる領域は有効か否かを判断す
る(S19)、そして、有効であれば処理を終了し、無
効であれば全ての書き込み領域について無効か否かを判
断する(S20)、この判断において全ての書き込み領
域について無効であれば処理を終了し、また、そうでな
ければ他の書き込み領域を選択するべく前記ステップS
16に戻る。
(発明の効果) 以上のように本発明によれば、データを不揮発性メモリ
へ書き込む総書き込み回数が増加した場合でも、複数の
書き込み領域に分散してデータを書き込むため、−領域
あたりの書き込み回数が大幅に増加するのを防止して信
頼性の低下を防ぐことができる。また、−領域あたりの
書き込み回数値が不揮発性メモリの書き込み保証回数を
越えた場合においても、固定された特定の領域に集中し
て書き込む場合に比べて、全書き込み回数の総計の増加
に対する個々の領域の書き込み回数の超過(すなわち信
頼性の低下)の度合いを低減することができる。
更に、何らかの原因によるメモリ(書き込み領域)の異
常に対しても、書き込み領域を変更して対処することで
装置全体としての故障率を低減することができる等の効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第工図ないし第3図は本発明の一実施例を示すもので、
第1図は不揮発性メモリの領域構成図、第2図は第1の
プログラムのフローチャート、第3図は第2のプログラ
ムのフローチャートである。 1・・・稼働時間データ 2・・・書き込み回数値3・
・・サムデータ   4・・・フラグ5・・・ポインタ
値   L1〜Lk・・・書き込み領域Lp・・・ポイ
ンタ値領域 第 図 第 2 図 第 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)データの書き込み及び消去が可能であって、書き
    込み回数に限度がある不揮発性メモリへのデータ書き込
    み方法において、 前記不揮発性メモリ内に、データ及び当該データの書き
    込み回数値を書き込む書き込み領域を複数設けると共に
    、前記書き込み領域を指示するポインタ値を書き込むポ
    インタ値領域を設け、前記ポインタ値が指示する前記書
    き込み領域にデータを書き込むと同時に前記書き込み回
    数値を更新し、この書き込み回数値が前記不揮発性メモ
    リの書き込み保証回数よりも少ない制限値を越えた場合
    に、前記書き込み回数値を初期化して前記ポインタ値を
    変更し、全ての前記書き込み領域に関して前記ポインタ
    値が変更された場合には、最初に指定した前記書き込み
    領域を指示するように前記ポインタ値を変更することを
    特徴とする不揮発性メモリへのデータ書き込み方法。
  2. (2)各書き込み領域毎に、メモリチェックのためのデ
    ータの全加算値であるサムデータと当該書き込み領域が
    異常であるかどうかを示すフラグとを書き込む領域を設
    け、ポインタ値が指示する書き込み領域にデータを書き
    込むと同時に当該データに対する前記サムデータも保存
    しておき、ポインタ値が指示する前記書き込み領域のデ
    ータを用いる際に、当該書き込み領域のデータの有効/
    無効をデータの全加算値及びサムデータにより判断し、
    結果が無効と判断された場合には前記フラグをセットし
    て当該書き込み領域が異常であることを示すと共に、前
    記ポインタ値を、異常でない他の書き込み領域を指示す
    るように変更する請求項(1)記載の不揮発性メモリへ
    のデータ書き込み方法。
JP1280294A 1989-10-27 1989-10-27 不揮発性メモリへのデータ書き込み方法 Pending JPH03142794A (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62245600A (ja) * 1986-04-17 1987-10-26 Fanuc Ltd 不揮発性メモリを用いるデ−タ記憶方式
JPS636600B2 (ja) * 1978-11-30 1988-02-10 Showa Sangyo Co
JPH01277397A (ja) * 1988-04-28 1989-11-07 Sony Corp 情報記憶読出方法とその装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS636600B2 (ja) * 1978-11-30 1988-02-10 Showa Sangyo Co
JPS62245600A (ja) * 1986-04-17 1987-10-26 Fanuc Ltd 不揮発性メモリを用いるデ−タ記憶方式
JPH01277397A (ja) * 1988-04-28 1989-11-07 Sony Corp 情報記憶読出方法とその装置

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