JPH031425A - マグネトロン用陰極構体 - Google Patents
マグネトロン用陰極構体Info
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- JPH031425A JPH031425A JP13453089A JP13453089A JPH031425A JP H031425 A JPH031425 A JP H031425A JP 13453089 A JP13453089 A JP 13453089A JP 13453089 A JP13453089 A JP 13453089A JP H031425 A JPH031425 A JP H031425A
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Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マグネトロン用の陰極構体における熱電子放
射体に関するものである。
射体に関するものである。
従来、電子管陰極構体して、特にマグネトロンのような
直熱式のものでは、第３図に示すような構造のものが一
般的に採用あれでいる。この図において２１は約１％の
ドリア（ＴｈＯ□）を含む、いわゆるトリウム入りタン
グステン線をらせん状に巻回したフィラメントであり、
その両端には軸方向への熱電子の逸脱を防止するための
上エンドシールド２２．下エンドシールド２３が高融点
金属のモリブデンなどのより形成され固着されている。
直熱式のものでは、第３図に示すような構造のものが一
般的に採用あれでいる。この図において２１は約１％の
ドリア（ＴｈＯ□）を含む、いわゆるトリウム入りタン
グステン線をらせん状に巻回したフィラメントであり、
その両端には軸方向への熱電子の逸脱を防止するための
上エンドシールド２２．下エンドシールド２３が高融点
金属のモリブデンなどのより形成され固着されている。
また、これら上下エンドシールド２２．２３には各々、
陰極電流を供給するためのセンタリード２４゜サイドリ
ード２５が接続されており、この両リードはセラミック
スで形成されたステム２６に、端子２７と共に銀ろう付
けで固着されている。
陰極電流を供給するためのセンタリード２４゜サイドリ
ード２５が接続されており、この両リードはセラミック
スで形成されたステム２６に、端子２７と共に銀ろう付
けで固着されている。
また、特開昭６２−１１３３３５号公報には筒状絶縁体
を基体とし、該筒状絶縁体の両端には軸方向への熱電子
の逸脱を防止する一対のエンドシ−ルドを有するマグネ
トロン陰極構体において、前記筒状絶縁体に１％以上の
ドリアを含むトリウム入りタングステンの被覆層を形成
して熱電子放射体としてなることを特徴とするマグネト
ロン陰極構体について記載されている。
を基体とし、該筒状絶縁体の両端には軸方向への熱電子
の逸脱を防止する一対のエンドシ−ルドを有するマグネ
トロン陰極構体において、前記筒状絶縁体に１％以上の
ドリアを含むトリウム入りタングステンの被覆層を形成
して熱電子放射体としてなることを特徴とするマグネト
ロン陰極構体について記載されている。
さらに、特開昭６３−２２６８５１号公報には、高融点
金属による筒状の含浸型カソードをフィラメントで加熱
して電子を放出させる構造の低電圧駆動マグネトロン陰
極構体が記載されている。
金属による筒状の含浸型カソードをフィラメントで加熱
して電子を放出させる構造の低電圧駆動マグネトロン陰
極構体が記載されている。
しかしながら、第３図に示す陰極構体では、タングステ
ンフィラメン）２１の表面を炭化させているため跪く、
断線し易い、また、フィラメントとしてタングステンカ
ーバイドを使用した場合には、該フィラメントは酸化物
セラミックスによるものに比べて仕事関数が高く、しか
も電子放射率が低いという欠点がある。
ンフィラメン）２１の表面を炭化させているため跪く、
断線し易い、また、フィラメントとしてタングステンカ
ーバイドを使用した場合には、該フィラメントは酸化物
セラミックスによるものに比べて仕事関数が高く、しか
も電子放射率が低いという欠点がある。
前記特開昭６２−１１３３３５号公報記載のものでは、
前記被覆層がトリウム入りタングステンによるものであ
るため高価である。また、被覆層形成装置や、該被覆層
が前記筒状絶縁体から剥離しないようにするための配慮
が必要であるだけでなく、電子放射効率も不十分である
などの問題点がある。
前記被覆層がトリウム入りタングステンによるものであ
るため高価である。また、被覆層形成装置や、該被覆層
が前記筒状絶縁体から剥離しないようにするための配慮
が必要であるだけでなく、電子放射効率も不十分である
などの問題点がある。
さらに、特開昭６３−２２６８５１号公報記載のもので
は、やはり前記被覆層の剥離が懸念されるし、フィラメ
ントでの加熱が必要となるなどの問題点がある。
は、やはり前記被覆層の剥離が懸念されるし、フィラメ
ントでの加熱が必要となるなどの問題点がある。
本発明は、これら従来の問題点を解決することを目的と
するものである。
するものである。
本発明は、半導体セラミックスを電子放射体としたマグ
ネトロン用陰極構体である。
ネトロン用陰極構体である。
半導体セラミックスは発熱体と電子放射体とが一体的で
あるから剥離、断線のおそれは全くな（、これを筒状体
で形成すると放射面積を大きくでき、仕事関数が低く、
電子放射効率がよいものである。
あるから剥離、断線のおそれは全くな（、これを筒状体
で形成すると放射面積を大きくでき、仕事関数が低く、
電子放射効率がよいものである。
本発明の実施例を図面により説明すると、第１図におい
て２，３は第３図のものと同一機能を有する上および下
エンドシールドで、第２図と同様にセンタリード４．サ
イドリード５に固定されており、この上エンドシールド
２．下エンドシールド３がそれぞれ筒状半導体セラミッ
クス１の円筒部両端に嵌合されており、該半導体セラミ
ックス１の表層部、又は表層部及び内層部を多孔質のも
の（第２図）または波型（第３図）に形成し、電子放射
面積の拡大を図っている。第１図において下エンドシー
ルド３より下方部（図示せず）の構造は第３図の従来例
と同様でセンタリード４．サイドリード５は絶縁ステム
の底板部に機密封着され、かつ該底板部の下端面におい
て各端子に固着されている。
て２，３は第３図のものと同一機能を有する上および下
エンドシールドで、第２図と同様にセンタリード４．サ
イドリード５に固定されており、この上エンドシールド
２．下エンドシールド３がそれぞれ筒状半導体セラミッ
クス１の円筒部両端に嵌合されており、該半導体セラミ
ックス１の表層部、又は表層部及び内層部を多孔質のも
の（第２図）または波型（第３図）に形成し、電子放射
面積の拡大を図っている。第１図において下エンドシー
ルド３より下方部（図示せず）の構造は第３図の従来例
と同様でセンタリード４．サイドリード５は絶縁ステム
の底板部に機密封着され、かつ該底板部の下端面におい
て各端子に固着されている。
前記筒状半導体セラミックス１の材質としては、Ｂａｔ
Ｓｒ＋ Ｃａなど仕事関数の低い元素からなるＢａＴ
ｔＯｉ＋５ｒＴｉ０３． ＣａＴｉＯｓ等を含む１種ま
たは２種以上の固溶体を母材とし、焼結性の改善及びセ
ラミックスの比抵抗の低下させるための添加物として５
ｔＯｚ＋希土類元素、遷移金属＋Ｚｒ＋ Ｎｂ＋ Ｔａ
、 ＡＩ、 Ｉｔ Ｓｃ等を加えた酸化物セラミックス
を採用する。また、該セラミックスの製造は通常の慣用
手法により行えばよく、不活性ガスまたは還元性ガス中
で、あるいは希には空気中で焼成して半導体化するもの
である。
Ｓｒ＋ Ｃａなど仕事関数の低い元素からなるＢａＴ
ｔＯｉ＋５ｒＴｉ０３． ＣａＴｉＯｓ等を含む１種ま
たは２種以上の固溶体を母材とし、焼結性の改善及びセ
ラミックスの比抵抗の低下させるための添加物として５
ｔＯｚ＋希土類元素、遷移金属＋Ｚｒ＋ Ｎｂ＋ Ｔａ
、 ＡＩ、 Ｉｔ Ｓｃ等を加えた酸化物セラミックス
を採用する。また、該セラミックスの製造は通常の慣用
手法により行えばよく、不活性ガスまたは還元性ガス中
で、あるいは希には空気中で焼成して半導体化するもの
である。
次に、本発明に係る試験例を従来例と比較して説明する
。
。
〔実施例１〕
本発明に従いマグネトロン陰極構体の電子放射体をＢａ
Ｔ１０３系半導体セラミックス及び５ｒＴｉＯｓ系半導
体セラミックスにより構成すると共に、従来のＷＣ（炭
化タングステ）による電子放射体を有するマグネトロン
管を用意し、仕事関数の比較を行った。その結果、第１
表のとおりで本発明による電子放射体ではＷＣによるも
のに比べて仕事関数が低く、電子放射効率が良好である
ことがわかる。
Ｔ１０３系半導体セラミックス及び５ｒＴｉＯｓ系半導
体セラミックスにより構成すると共に、従来のＷＣ（炭
化タングステ）による電子放射体を有するマグネトロン
管を用意し、仕事関数の比較を行った。その結果、第１
表のとおりで本発明による電子放射体ではＷＣによるも
のに比べて仕事関数が低く、電子放射効率が良好である
ことがわかる。
以下余白
第 １ 表
・第 ２ 表
〔実施例２〕
本発明に従う電子放射体を有するマグネトロン管と、従
来の一〇による電子放射体を有するマグネトロン管を用
意して、４ＫＶ駆動時及びＩＫＶ駆動時の出力を比較し
た。結果は第２表に示すとおりで、本発明の電子放射体
を使用したもの（特に、多孔質の半導体セラミックスを
用いたもの）では出力が大幅に向上する利点がある。低
電圧駆動マグネトロン管にも適用可能であることがわか
る。
来の一〇による電子放射体を有するマグネトロン管を用
意して、４ＫＶ駆動時及びＩＫＶ駆動時の出力を比較し
た。結果は第２表に示すとおりで、本発明の電子放射体
を使用したもの（特に、多孔質の半導体セラミックスを
用いたもの）では出力が大幅に向上する利点がある。低
電圧駆動マグネトロン管にも適用可能であることがわか
る。
以下余白
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明ではペロブスカイト構造ＡＢ
Ｏｓを有し、ＡサイトにＢａ＋ Ｓｒ、 Ｃａ又はｙ等
の希土類元素が位置し、ＢサイトにはＴｉ、 Ｚｒ、
Ｎｂ。
Ｏｓを有し、ＡサイトにＢａ＋ Ｓｒ、 Ｃａ又はｙ等
の希土類元素が位置し、ＢサイトにはＴｉ、 Ｚｒ、
Ｎｂ。
Ｔａ又は■が位置し、添加物としてＳｉＯ２，遷移金属
。
。
Ｈ，Ｓｃ等を添加してなる半導体セラミックスを電子放
射体とすることにより、その仕事関数が低いうえに電子
放射効率が高く、低電圧駆動のマグネトロン管用に有効
であり自己発熱するため加熱用フィラメントが不要であ
り、発熱体と電子放射体が一体のものであるから被覆層
の形成も不要で、その剥離のトラブルが生じることはな
く、堅牢で断線の心配もないなどの効果がある。
射体とすることにより、その仕事関数が低いうえに電子
放射効率が高く、低電圧駆動のマグネトロン管用に有効
であり自己発熱するため加熱用フィラメントが不要であ
り、発熱体と電子放射体が一体のものであるから被覆層
の形成も不要で、その剥離のトラブルが生じることはな
く、堅牢で断線の心配もないなどの効果がある。
さらに、電子放射体の表層を多孔質としたり、第３図に
示すように波型とすることにより、その電子放射面積が
拡大されるので、電子放射効率が大幅に向上する効果が
ある。
示すように波型とすることにより、その電子放射面積が
拡大されるので、電子放射効率が大幅に向上する効果が
ある。
第１図は本発明の実施例を示す拡大部分縦断面図、第２
図は同図Ａ部の拡大図、第３図＋ａ＋、 （ｂｌは電子
放射体の横断面図であって、異なる実施態様を示す、第
４図は従来例の拡大部分縦断面図である。 １・・・筒状半導体セラミックス、２，３・・・上およ
び下エンドシールド、４・・・センタリード、５・・・
サイドリード。 特許出願人 ティーデイ−ケイ株式会社代理人
弁理士 薬 師 稔（Ｃ１） （ｂ）
図は同図Ａ部の拡大図、第３図＋ａ＋、 （ｂｌは電子
放射体の横断面図であって、異なる実施態様を示す、第
４図は従来例の拡大部分縦断面図である。 １・・・筒状半導体セラミックス、２，３・・・上およ
び下エンドシールド、４・・・センタリード、５・・・
サイドリード。 特許出願人 ティーデイ−ケイ株式会社代理人
弁理士 薬 師 稔（Ｃ１） （ｂ）
Claims (4)
- （１）半導体セラミックスを電子放射体としたマグネト
ロン用陰極構体。 - （２）前記半導体セラミックスは、ペロブスカイト構造
ＡＢＯ＿３を有し、ＡサイトにＢａ，Ｓｒ，Ｃａ又はＹ
等の希土類元素が位置し、ＢサイトにはＴｉ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｔａ又はＶが位置し、添加物としてＳｉＯ＿２，遷
移金属，Ｗ，Ｓｃ等を添加してなる請求項１記載のマグ
ネトロン用陰極構体。 - （３）前記半導体セラミックスは、筒状体形状である請
求項１または２記載のマグネトロン用陰極構体。 - （４）前記電子放射体の少なくとも表層を多孔質または
波型とした請求項１または２記載のマグネトロン用陰極
構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13453089A JPH031425A (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | マグネトロン用陰極構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13453089A JPH031425A (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | マグネトロン用陰極構体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH031425A true JPH031425A (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=15130473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13453089A Pending JPH031425A (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | マグネトロン用陰極構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH031425A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015216006A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 旭硝子株式会社 | マグネトロンの陰極、マグネトロン、およびマイクロ波加熱装置 |
-
1989
- 1989-05-30 JP JP13453089A patent/JPH031425A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015216006A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 旭硝子株式会社 | マグネトロンの陰極、マグネトロン、およびマイクロ波加熱装置 |
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