JPH03139902A - マイクロ波結合装置 - Google Patents
マイクロ波結合装置Info
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- JPH03139902A JPH03139902A JP2270657A JP27065790A JPH03139902A JP H03139902 A JPH03139902 A JP H03139902A JP 2270657 A JP2270657 A JP 2270657A JP 27065790 A JP27065790 A JP 27065790A JP H03139902 A JPH03139902 A JP H03139902A
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- JP
- Japan
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- coupling device
- horn
- quartz glass
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- microwave
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- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title claims abstract description 37
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32229—Waveguides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/04—Coupling devices of the waveguide type with variable factor of coupling
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マイクロ波発生器、中空導体および石英ガラ
スドームからなる、とくにプラズマ発生のためにマイク
ロ波を処理空間に結合するためのマイクロ波結合装置に
関するものである。
スドームからなる、とくにプラズマ発生のためにマイク
ロ波を処理空間に結合するためのマイクロ波結合装置に
関するものである。
本発明は処理空間へのマイクロ波の結合のためのコンパ
クトな構造の装置を提供する目的に基礎を置いている。
クトな構造の装置を提供する目的に基礎を置いている。
この目的は、本発明によれば、ホーン型放射器が中空導
体と石英ガラス板との間に接続される特徴を有ｒる装置
の場合に達成される。本発明による結合装置の好都合な
さらに他の開発は従属する特許請求の範囲の請求項の主
題である。
体と石英ガラス板との間に接続される特徴を有ｒる装置
の場合に達成される。本発明による結合装置の好都合な
さらに他の開発は従属する特許請求の範囲の請求項の主
題である。
とくにプラズマ発生のための、処理空間へのマイクロ波
の結合のための本発明による装置はしたがってマイクロ
発生器、ホーン型放射器および石英ガラス板からなる。
の結合のための本発明による装置はしたがってマイクロ
発生器、ホーン型放射器および石英ガラス板からなる。
中空導体とのホーン型放射器の組み合わせにより、とく
に好都合なマイクロ波の結合が達成される。ホーン円錐
角およびホーン長さの選択により、マイクロ波放射の所
望の方向特性が達成されることができる。加えて、ホー
ン型放射器の広げられた端部が石英ガラス板に比較的近
接して配置されることができ、それは同様に空間要求の
減少を結果として生じる。本発明による結合装置はそれ
ゆえ極めてコンパクトでありかつまた高い結合要因によ
り識別される。２．５ｍ’までの大容量ののプラズマの
発生、例えば高周波放電におけるプラズマエツチングに
とくに良好に適する。
に好都合なマイクロ波の結合が達成される。ホーン円錐
角およびホーン長さの選択により、マイクロ波放射の所
望の方向特性が達成されることができる。加えて、ホー
ン型放射器の広げられた端部が石英ガラス板に比較的近
接して配置されることができ、それは同様に空間要求の
減少を結果として生じる。本発明による結合装置はそれ
ゆえ極めてコンパクトでありかつまた高い結合要因によ
り識別される。２．５ｍ’までの大容量ののプラズマの
発生、例えば高周波放電におけるプラズマエツチングに
とくに良好に適する。
石英ガラス板は好ましくは石英ガラスドームとして設計
され、それはプラズマ発生に好都合である。石英ガラス
ドームの大きな開口幅はとくにプラズマが考え得る最高
の効率で発生されることができる処理室の場合において
結合装置の好都合な使用を許容する。
され、それはプラズマ発生に好都合である。石英ガラス
ドームの大きな開口幅はとくにプラズマが考え得る最高
の効率で発生されることができる処理室の場合において
結合装置の好都合な使用を許容する。
本発明による結合装置の好適な実施例の場合において、
中空導体は！またはそれ以上の、とくに３つの同調ネジ
を備えている。外部からの同調ネジの調整はインピーダ
ンスの適合を許容する。
中空導体は！またはそれ以上の、とくに３つの同調ネジ
を備えている。外部からの同調ネジの調整はインピーダ
ンスの適合を許容する。
マイクロ波発生器は好都合には中空導体の」−万端区域
で横方向に配置される。これは本発明による結合装置の
垂直構造の減少を結果として生じる。
で横方向に配置される。これは本発明による結合装置の
垂直構造の減少を結果として生じる。
本発明による結合装置の実際の実施の場合に、ホーン型
放射器の前方端は好都合には取付は坂と面一に適合させ
られる。これは関連するユニットとのホーン型放射器の
取付けを簡単化しかつ石英ガラス板等の保持手段に最適
に適合させられる。
放射器の前方端は好都合には取付は坂と面一に適合させ
られる。これは関連するユニットとのホーン型放射器の
取付けを簡単化しかつ石英ガラス板等の保持手段に最適
に適合させられる。
中空導体とのホーン型放射器の一体設計が好都合である
。結果として、取付は作用が減少されかつ構造はとくに
簡単である。
。結果として、取付は作用が減少されかつ構造はとくに
簡単である。
本発明による結合装置のさらに他の好適な実施例は石英
ガラスドームが保持ブロックによって横方向に取り囲ま
れ、該保持ブロックが−１−側にホーン型放射器の取付
は板を受容するための凹所を有するということによって
識別される。
ガラスドームが保持ブロックによって横方向に取り囲ま
れ、該保持ブロックが−１−側にホーン型放射器の取付
は板を受容するための凹所を有するということによって
識別される。
保持ブロックは好都合にはホーン型放射器に向かって円
錐状にテーパが付いている内壁を有し、その結果として
結合装置の方向特性がさらに改涛される。
錐状にテーパが付いている内壁を有し、その結果として
結合装置の方向特性がさらに改涛される。
石英ガラスドームが好ましくは実質］二処理空間の壁と
而−に終端し、その結果本発明に３１−る結合装置の軸
方向の大きさが小さく保持される。
而−に終端し、その結果本発明に３１−る結合装置の軸
方向の大きさが小さく保持される。
以下に本発明の好適な実施例を図面に基づき説明する。
図面には、結合装置２が処理室６の壁４に据え付けられ
た状態において示しである。壁４は比較的大きな開口８
を有し、該開口８は関連の保持装置等とともに石英ガラ
スドーノ、１ｏによって閉止される。石英ガラスドーム
１ｏは結合装置２の終端を形成する。
た状態において示しである。壁４は比較的大きな開口８
を有し、該開口８は関連の保持装置等とともに石英ガラ
スドーノ、１ｏによって閉止される。石英ガラスドーム
１ｏは結合装置２の終端を形成する。
結合装置２はマイクロ波発生器！２からなり、該マイク
ロ波発生器１２は図示実施例において、２．４５ＧＨｚ
を有するマグネトロンである。マイクロ波発生器はその
結合端１４によりマイクロ波結合用の中空導体１６内に
突出する。中間および下方領域において、中空導体１６
は外周から半径方向外方に延在する３つのブツシュ２０
を有し、該ブツシュ２０は外部でケース上に互いに軸方
向に配置される。ブツシュ２０内には中空導体１６の壁
を通って内方に延在する同調ネジ１８が着座される。同
調ネジはインピーダンスの適合のために設けられる。
ロ波発生器１２は図示実施例において、２．４５ＧＨｚ
を有するマグネトロンである。マイクロ波発生器はその
結合端１４によりマイクロ波結合用の中空導体１６内に
突出する。中間および下方領域において、中空導体１６
は外周から半径方向外方に延在する３つのブツシュ２０
を有し、該ブツシュ２０は外部でケース上に互いに軸方
向に配置される。ブツシュ２０内には中空導体１６の壁
を通って内方に延在する同調ネジ１８が着座される。同
調ネジはインピーダンスの適合のために設けられる。
下方端において、中空導体Ｉ６は一体にホーン型放射器
２２に移行し、その円錐角および円錐長さはとくに処理
室６に関して計算される。下方端の区域において、ホー
ン型放射器２２は取付は板２４と面一にされる。保持は
一方で堅固な座によってかつ他方で溶接によって行なわ
れる。処理室６の壁４の開口８には壁４に溶接される保
持インサート２６が着座される。保持インサート２６は
下方端区域に半径方向に内方に延在する突起３０を有す
る筒形状の環状体２８からなる。突起３０は下側で斜角
をつけられかつ上側で凹所３２を有する平らな台を有し
ている。突起３０の平らな台上には石英ガラスドームＩ
Ｏの下方半径方向フランジ３４が載置する。固定装置３
６は半径方向フランジ３４を通って凹所３２に延在する
。石英ガラスドームＩＯの内方曲率は突起３０の端面と
面一に延びる。
２２に移行し、その円錐角および円錐長さはとくに処理
室６に関して計算される。下方端の区域において、ホー
ン型放射器２２は取付は板２４と面一にされる。保持は
一方で堅固な座によってかつ他方で溶接によって行なわ
れる。処理室６の壁４の開口８には壁４に溶接される保
持インサート２６が着座される。保持インサート２６は
下方端区域に半径方向に内方に延在する突起３０を有す
る筒形状の環状体２８からなる。突起３０は下側で斜角
をつけられかつ上側で凹所３２を有する平らな台を有し
ている。突起３０の平らな台上には石英ガラスドームＩ
Ｏの下方半径方向フランジ３４が載置する。固定装置３
６は半径方向フランジ３４を通って凹所３２に延在する
。石英ガラスドームＩＯの内方曲率は突起３０の端面と
面一に延びる。
保持インサート２６上には石英ガラスドームＩＯを横方
向に取り囲む保持ブロック３８が着座される。保持ブロ
ック３８は円板形状設計からなりかつホーン型放射器２
２の取付は板２４を受容するための凹所４２を備えた環
状体４０を有している。該環状体４０から半径方向側部
で下方に筒状リング４４が延在し、筒状リング４４はそ
の下方端面に固定装置３６の１部分を受容するための凹
所４６を有している。図示実施例において、筒状リング
４４は内部で円錐状に下方に、ずなわら、処理室６に向
かって広げられる。保持ブロック３８は必要な密封によ
り保持インサート２６上に堅固に着座させられる。
向に取り囲む保持ブロック３８が着座される。保持ブロ
ック３８は円板形状設計からなりかつホーン型放射器２
２の取付は板２４を受容するための凹所４２を備えた環
状体４０を有している。該環状体４０から半径方向側部
で下方に筒状リング４４が延在し、筒状リング４４はそ
の下方端面に固定装置３６の１部分を受容するための凹
所４６を有している。図示実施例において、筒状リング
４４は内部で円錐状に下方に、ずなわら、処理室６に向
かって広げられる。保持ブロック３８は必要な密封によ
り保持インサート２６上に堅固に着座させられる。
上述した結合装置２は大容量のプラズマの発生に使用さ
れる。他の用途もまた可能であることは言うまでもない
。
れる。他の用途もまた可能であることは言うまでもない
。
図面は本発明による結合装置を示す長手方向断面図であ
る。 図中、符号２は結合装置、６は処理室、１０は石英ガラ
スドーム、１２はマイクロ波発生器、！６は中空導体、
１８は同調ネジ、２２はホーン型放射器、２４は取付は
板、３８は保持ブロック、４２は凹所である。
る。 図中、符号２は結合装置、６は処理室、１０は石英ガラ
スドーム、１２はマイクロ波発生器、！６は中空導体、
１８は同調ネジ、２２はホーン型放射器、２４は取付は
板、３８は保持ブロック、４２は凹所である。
Claims (10)
- （１）マイクロ波発生器、中空導体および石英ガラスド
ームからなる、とくにプラズマ発生のためにマイクロ波
を処理空間に結合するためのマイクロ波結合装置におい
て、ホーン型放射器（２２）が前記中空導体（１６）と
前記石英ガラス板（１０）との間に接続されることを特
徴とするマイクロ波結合装置。 - （２）前記石英ガラス板（１０）は石英ガラスドームで
あることを特徴とする請求項１に記載のマイクロ波結合
装置。 - （３）前記中空導体（１６）は１またはそれ以上の同調
ネジ（１８）を備えていることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載のマイクロ波結合装置。 - （４）３つの同調ネジ（１８）が設けられることを特徴
とする請求項３に記載のマイクロ波結合装置。 - （５）前記マイクロ波発生器（１２）は前記中空導体（
１６）の上方端区域で横方向に配置されることを特徴と
する請求項１に記載のマイクロ波結合装置。 - （６）前記ホーン型放射器（２２）の前方端は取付け板
（２４）と面一に適合させられることを特徴とする請求
項１ないし５のいずれか１項に記載のマイクロ波結合装
置。 - （７）前記ホーン型放射器（２２）は前記中空導体（１
６）と一体に設計されることを特徴とする請求項１ない
し６のいずれか１項に記載のマイクロ波結合装置。 - （８）前記石英ガラスドーム（１０）は保持ブロック（
３８）によって横方向に取り囲まれ、該保持ブロック（
３８）は上側にホーン型放射器（２２）の取付け板（２
４）を受容するための凹所（４２）を有しそして前記石
英ガラスドーム（Ｉ０）、前記取付け板（２４）および
ホーン型放射器（２２）とユニットを形成することを特
徴とする請求項２および６または７のいずれか１項に記
載のマイクロ波結合装置。 - （９）前記保持ブロック（３８）は前記ホーン型放射器
（２２）に向かって円錐状にテーパが付いている内壁を
有することを特徴とする請求項８に記載のマイクロ波結
合装置。 - （１０）前記石英ガラスドーム（１０）は実質上前記処
理空間（６）の壁と面一に終端することを特徴とする請
求項１ないし９のいずれか１項に記載のマイクロ波結合
装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3933875.4 | 1989-10-11 | ||
| DE19893933875 DE3933875A1 (de) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | Vorrichtung zum einkoppeln von mikrowellen in einen behandlungsraum zur plasmaerzeugung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03139902A true JPH03139902A (ja) | 1991-06-14 |
Family
ID=6391232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2270657A Pending JPH03139902A (ja) | 1989-10-11 | 1990-10-11 | マイクロ波結合装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0422430A3 (ja) |
| JP (1) | JPH03139902A (ja) |
| DE (1) | DE3933875A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006166399A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-22 | Maspro Denkoh Corp | Ｅｍｃ試験用アンテナ装置、試験信号発生装置及び送信装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4202734A1 (de) * | 1992-01-31 | 1993-08-05 | Leybold Ag | Strahlungsquelle, insbesondere fuer strahlungs-induzierte aetz- und cvd-anlagen |
| FR2691035B1 (fr) * | 1992-05-07 | 1994-06-17 | France Telecom | Dispositif et machine a plasma de traitement chimique et procede utilisant ce dispositif. |
| DE102011006710A1 (de) * | 2011-04-04 | 2012-10-04 | Siemens Aktiengesellschaft | HF-Generator |
| DE102011006983A1 (de) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Siemens Aktiengesellschaft | HF-Generator |
| DE102011075480A1 (de) * | 2011-05-09 | 2012-11-15 | Siemens Ag | HF-Generator |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0740566B2 (ja) * | 1986-02-04 | 1995-05-01 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法及びその装置 |
| DE3705666A1 (de) * | 1987-02-21 | 1988-09-01 | Leybold Ag | Einrichtung zum herstellen eines plasmas und zur behandlung von substraten darin |
| US4866346A (en) * | 1987-06-22 | 1989-09-12 | Applied Science & Technology, Inc. | Microwave plasma generator |
-
1989
- 1989-10-11 DE DE19893933875 patent/DE3933875A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-09-21 EP EP19900118205 patent/EP0422430A3/de not_active Withdrawn
- 1990-10-11 JP JP2270657A patent/JPH03139902A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006166399A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-22 | Maspro Denkoh Corp | Ｅｍｃ試験用アンテナ装置、試験信号発生装置及び送信装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3933875A1 (de) | 1991-04-18 |
| EP0422430A2 (de) | 1991-04-17 |
| EP0422430A3 (en) | 1991-08-14 |
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