JPH0313542B2 - - Google Patents

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JPH0313542B2
JPH0313542B2 JP20757384A JP20757384A JPH0313542B2 JP H0313542 B2 JPH0313542 B2 JP H0313542B2 JP 20757384 A JP20757384 A JP 20757384A JP 20757384 A JP20757384 A JP 20757384A JP H0313542 B2 JPH0313542 B2 JP H0313542B2
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JP
Japan
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sample
insulating film
light
refractive index
annealing
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JP20757384A
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Sunao Nishioka
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体素子に用いられる絶縁膜の
膜質を評価する装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an apparatus for evaluating the film quality of an insulating film used in a semiconductor element.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来この種の装置としてエリプソメトリ アン
ド ポーラライズド ライト
(“ELLIPSOMETRY AND POLARIZED
LIGHT”,R.M.A.AZZAM AND N.M.
BASHARA,NORTH−HOLLAND
PUBLISHING COMPANY−AMSTERDAM,
NEW YORK,OXFORD,1977,page 412)に
記載された装置があり、これは第5図に示すもの
であつた。図において100は膜質を評価すべき
試料、1は単一波長の光を放射する測定用光源、
2は該測定用光源1からの光を偏光する偏光子、
3は該偏光子2を通過した光の位相を変えたい場
合に用いられる附加的な1/4波長板、4は光の断
面形状を規制するアパーチヤ、5は光が試料10
0の表面で望ましい角度で反射されているかどう
かをチエツクするための試料アライメントターゲ
ツト、61は同期モータ(図示せず)により一定
速度で回転される検光子、62は該検光子61の
回転角度θを検出する角度エンコーダ、6は検光
子61と角度エンコーダ62が一体となつて構成
された回転検光子、7は回転検光子6を通過した
光の強度を検出する光電検出器、8は回転検光子
6からの角度に関するデータパルスによつて光電
検出器7からの光強度に関するアナログ信号をデ
ジタル信号に変換するA−Dコンバータ、9は該
A−Dコンバータ8からのデジタル信号と、検光
子61の初角度を示す角度エンコーダ62からの
スタートパルス信号とが入力され、試料100の
膜厚、屈折率を算出するコンピユータである。
Traditionally, this type of device was called ellipsometry and polarized light (“ELLIPSOMETRY AND POLARIZED”).
LIGHT”,RMAAZZAM AND NM
BASHARA, NORTH−HOLLAND
PUBLISHING COMPANY−AMSTERDAM,
NEW YORK, OXFORD, 1977, page 412), which is shown in FIG. In the figure, 100 is a sample whose film quality is to be evaluated, 1 is a measurement light source that emits light of a single wavelength,
2 is a polarizer that polarizes the light from the measurement light source 1;
3 is an additional 1/4 wavelength plate used when it is desired to change the phase of the light that has passed through the polarizer 2; 4 is an aperture that regulates the cross-sectional shape of the light;
61 is an analyzer rotated at a constant speed by a synchronous motor (not shown); 62 is the rotation angle θ of the analyzer 61; 6 is a rotary analyzer configured by integrating an analyzer 61 and an angle encoder 62, 7 is a photoelectric detector that detects the intensity of light passing through the rotary analyzer 6, and 8 is a rotary analyzer. An A-D converter 9 converts an analog signal regarding the light intensity from the photoelectric detector 7 into a digital signal by means of data pulses regarding the angle from the photon 6; This computer receives a start pulse signal from the angle encoder 62 indicating the initial angle of the sample 100, and calculates the film thickness and refractive index of the sample 100.

第6図は上記試料100の詳細を示し、図にお
いて、101は絶縁膜、102は該絶縁膜101
がその上面に形成された基板である。
FIG. 6 shows details of the sample 100. In the figure, 101 is an insulating film, and 102 is an insulating film 101.
is the substrate formed on the top surface.

次に動作について説明する。測定用光源1から
の光は、偏光子2によつて偏光された後、試料1
00の絶縁膜101面の法線に対し一定の角度、
この場合は70゜、で試料100に入射する。この
入射した光は試料100で反射し、回転検光子6
の検光子61を経て光電検出器7に入射する。同
期モータにより検光子61が回転しはじめると、
角度エンコーダ62は第7図aに示すスタートパ
ルス信号S1を出力するとともに、検光子61の
1回転に対し第7図bに示す複数個の等間隔のデ
ータパルスS2を出力し、また上記光電検出器7
は第7図cに示すアナログ信号S3を出力する。
Next, the operation will be explained. After the light from the measurement light source 1 is polarized by the polarizer 2, it is applied to the sample 1.
A certain angle with respect to the normal to the insulating film 101 surface of 00,
In this case, the beam is incident on the sample 100 at an angle of 70°. This incident light is reflected by the sample 100, and the rotating analyzer 6
The light passes through the analyzer 61 and enters the photoelectric detector 7 . When the analyzer 61 begins to rotate by the synchronous motor,
The angle encoder 62 outputs a start pulse signal S1 shown in FIG. 7a, and also outputs a plurality of equally spaced data pulses S2 shown in FIG. Vessel 7
outputs an analog signal S3 shown in FIG. 7c.

そして上記アナログ信号S3は上記データパル
スS2によりA−Dコンバータ8において第7図
dに示すデジタル信号S4に変換される。そして
検光子61の1回転毎に第7図aのスタートパル
ス信号S1と第7図dのデジタル信号S4とがコ
ンピユータ9に入力され、この入力がある毎に該
コンピユータ9において試料100への入射光の
光学的条件と基板102の光学的性質とから絶縁
膜101の膜厚と屈折率が公知の偏光解析法によ
つて算出される。
The analog signal S3 is converted by the data pulse S2 into the digital signal S4 shown in FIG. 7d in the AD converter 8. The start pulse signal S1 shown in FIG. 7a and the digital signal S4 shown in FIG. The thickness and refractive index of the insulating film 101 are calculated from the optical conditions of the light and the optical properties of the substrate 102 by a known ellipsometry method.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

従来の絶縁膜の膜質評価装置は以上のように上
記動作を検光子61が1回転する毎に繰り返すよ
うに構成されているので、もし検光子61を連続
して回転させれば、連続して膜厚と屈折率の値を
コンピユータ9で計算できる。しかしながら試料
100を他の膜質の試料に変えないかぎり、膜
厚、屈折率は時間が経過してもほとんど変化せ
ず、従つて回転検光子6を連続動作させても、略
同値の膜厚、屈折率しか得られず、その結果上記
従来装置では、同じ試料100については、膜質
に関する多面的な情報は得られない欠点があつ
た。
The conventional insulating film quality evaluation device is configured to repeat the above operation every time the analyzer 61 rotates once, so if the analyzer 61 is rotated continuously, The computer 9 can calculate the film thickness and refractive index values. However, unless the sample 100 is changed to a sample with a different film quality, the film thickness and refractive index hardly change over time. Only the refractive index can be obtained, and as a result, the conventional apparatus described above has the disadvantage that multifaceted information regarding the film quality cannot be obtained for the same sample 100.

本発明は、上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、絶縁膜の膜厚、屈
折率の時間的変化をとらえることができ、絶縁膜
の膜質を多面的に評価できる膜質評価装置を提供
することを目的をしている。
The present invention was made in order to eliminate the drawbacks of the conventional methods as described above, and it is possible to detect temporal changes in the thickness and refractive index of an insulating film, and to evaluate the film quality of an insulating film from many aspects. The purpose is to provide a membrane quality evaluation device.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、絶縁膜の膜質評価装置において、試
料絶縁膜に測定用光源からの光とは別のアニール
用光源からの光を照射するとともに、該試料を所
定温度に昇温保持するようにしたものである。
The present invention is an insulating film quality evaluation device in which a sample insulating film is irradiated with light from an annealing light source that is different from light from a measurement light source, and the sample is heated and maintained at a predetermined temperature. It is something.

〔作用〕[Effect]

本発明では、試料が所定温度に保持された状態
で測定用光とともにアニール用光が照射され、こ
れにより膜厚、屈折率を時間的に変化させる光刺
激が試料に与えられ、さらに該膜厚、屈折率の時
間的変化が加熱により促進される。
In the present invention, the annealing light is irradiated together with the measurement light while the sample is maintained at a predetermined temperature, thereby providing optical stimulation to the sample that changes the film thickness and refractive index over time. , the temporal change in refractive index is promoted by heating.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例を図について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例による絶縁膜の膜質
評価装置を示す。図において、第5図と同一符号
は同一又は相当部分を示し、10は測定用光源1
の光とは別のアニール用光を試料100に照射す
るためのアニール光源であり、例えば高圧水銀
灯、ハロゲンランプ等が用いられる。11aは試
料100を昇温させるための試料加熱部、12は
試料加熱部11aに接続され、試料100の温度
を調節するための温度コントローラであり、この
加熱部11a、コントローラ12により試料10
0を所定温度に昇温保持する加熱装置11が構成
されている。13はコンピユータ9によつて算出
された試料100の絶縁膜101の膜質、屈折率
の時間的変化を記録、表示する表示部である。
FIG. 1 shows an apparatus for evaluating the quality of an insulating film according to an embodiment of the present invention. In the figure, the same reference numerals as in FIG. 5 indicate the same or corresponding parts, and 10 indicates the measurement light source 1.
This is an annealing light source for irradiating the sample 100 with annealing light different from the light, and for example, a high-pressure mercury lamp, a halogen lamp, or the like is used. 11a is a sample heating unit for raising the temperature of the sample 100; 12 is a temperature controller connected to the sample heating unit 11a to adjust the temperature of the sample 100;
A heating device 11 is configured to raise and maintain the temperature of 0 at a predetermined temperature. Reference numeral 13 denotes a display section for recording and displaying temporal changes in film quality and refractive index of the insulating film 101 of the sample 100 calculated by the computer 9.

次に作用効果について説明する。 Next, the effects will be explained.

まず、本実施例装置の作動原理について説明す
れば、高圧水銀灯からなるアニール光源10から
アニール用光を試料100の絶縁膜101に照射
すると、これが例えばプラズマ窒化シリコン膜の
如きものである場合はその膜質の如何によつて膜
厚、屈折率の時間的変化に差異が現れる。これ
は、光刺激を与えると例えば窒素−水素、シリコ
ン−水素、シリコン−窒素などの結合状態が変化
し、この変化量は膜質によつて異なり、しかもこ
の光刺激を与える時間的経過に伴う上記結合状態
の推移、即ち時間的変化量も膜質によつて異なる
からである。そして、試料加熱部11aによつて
試料100を昇温せしめて、上述の膜質、屈折率
の光刺激による変化を促進すればこの膜厚、屈折
率が時間的にさらに確実に変化し、その結果絶縁
膜101の膜質に関する多面的な情報が得られる
こととなる。
First, to explain the operating principle of the apparatus of this embodiment, when annealing light is irradiated from an annealing light source 10 consisting of a high-pressure mercury lamp to an insulating film 101 of a sample 100, if the insulating film 101 is a plasma silicon nitride film, for example, the annealing light source 10 is a high pressure mercury lamp. Differences appear in the film thickness and temporal changes in refractive index depending on the film quality. This is because when light stimulation is applied, the bonding state of nitrogen-hydrogen, silicon-hydrogen, silicon-nitrogen, etc. changes, and the amount of this change varies depending on the film quality. This is because the transition of the bond state, that is, the amount of change over time, also differs depending on the film quality. If the temperature of the sample 100 is raised by the sample heating section 11a to promote the above-mentioned changes in film quality and refractive index due to optical stimulation, the film thickness and refractive index will change more reliably over time, and as a result, Multifaceted information regarding the film quality of the insulating film 101 can be obtained.

次に、本実施例の動作について第2図及び第7
図を用いて説明する。本実施例装置では、試料1
00を試料加熱部11a上に載置し、該試料加熱
部11aからの熱伝導によつて昇温させ、しかる
後アニール光源10からの光を試料100の表面
に垂直に照射する。
Next, the operation of this embodiment will be explained in Figs. 2 and 7.
This will be explained using figures. In this example device, sample 1
00 is placed on the sample heating section 11a, the temperature is raised by heat conduction from the sample heating section 11a, and then the surface of the sample 100 is irradiated with light from the annealing light source 10 perpendicularly.

上記試料100の昇温制御は、時刻t1にコン
ピユータ9から出力される第2図aのパルス信号
S5によつて温度コントローラ12が始動して開
始され、試料加熱部11aは、まず試料100を
一定の昇温速度で予め設定された温度に昇温する
よう温度コントローラ12により制御され、その
後は上記設定温度を維持するよう制御される。
The temperature increase control of the sample 100 is started when the temperature controller 12 is started by the pulse signal S5 of FIG. The temperature controller 12 controls the temperature to rise to a preset temperature at a heating rate of , and thereafter controls to maintain the set temperature.

そして上記設定温度に達した時刻t2に、コン
ピユータ9から第2図bのパルス信号S6がアニ
ール光源10に与えられ、これにより該アニール
光源10が動作を開始し、これが安定な動作状態
に移つた時刻t3に第2図cのパルス信号S7がコ
ンピユータ9から角度エンコーダ62に与えら
れ、回転検光子6はこの時刻t3から連続動作状
態になる。
Then, at time t2 when the set temperature is reached, the computer 9 gives the pulse signal S6 shown in FIG. At time t3, the pulse signal S7 shown in FIG. 2c is applied from the computer 9 to the angle encoder 62, and the rotary analyzer 6 is in continuous operation from this time t3.

上記回転検光子6の動作状態においては、検光
子61は回転を続け、角度エンコーダ62は検光
子61が1回転する毎に第7図aに示すスタート
パルス信号S1をコンピユータ9に出力し、ま
た、測定用光による光電検出器7からのアナログ
信号S3及び第7図bに示すデータパルスS2が
A−Dコンバータ8に出力され、該A−Dコンバ
ータ8、コンピユータ9により既述の如く、検光
子61の1回転毎に膜厚、屈折率が算出される。
検光子61は連続回転しているので、上記膜厚、
屈折率も連続して算出される。そしてこの際に試
料100にアニール光による光刺激が与えられ、
また昇温によつて該光刺激が促進され、これによ
り絶縁膜101の膜厚、屈折率は照射時間の経過
に伴つて変化することとなり、またこれらの値は
表示部13へ出力され、該表示部13において例
えば第3図に示す膜厚、屈折率の出力プロツト
A,Bが表示される。
In the operating state of the rotary analyzer 6, the analyzer 61 continues to rotate, and the angle encoder 62 outputs the start pulse signal S1 shown in FIG. 7a to the computer 9 every time the analyzer 61 rotates once. , the analog signal S3 from the photoelectric detector 7 by the measuring light and the data pulse S2 shown in FIG. The film thickness and refractive index are calculated for each rotation of the photon 61.
Since the analyzer 61 is continuously rotating, the above film thickness,
The refractive index is also calculated continuously. At this time, optical stimulation by annealing light is applied to the sample 100,
In addition, the optical stimulation is promoted by increasing the temperature, and as a result, the film thickness and refractive index of the insulating film 101 change as the irradiation time elapses, and these values are output to the display section 13 and displayed. For example, output plots A and B of film thickness and refractive index shown in FIG. 3 are displayed on the display section 13.

このように本実施例では、測定用光により絶縁
膜101の膜厚、屈折率を測定する際に、アニー
ル用光を試料100に照射するとともに、試料1
00を試料加熱装置により所定温度に保持するよ
うにしたので、アニール用光の光刺激により上記
膜厚、屈折率を時間の経過に伴つて変化させるこ
とができ、しかも上記温度保持により光刺激を促
進でき、膜厚等の時間的変化を確実に得ることが
でき、その結果絶縁膜101の特性を多面的に評
価できることとなる。
In this example, when measuring the film thickness and refractive index of the insulating film 101 using measurement light, the sample 100 is irradiated with annealing light and the sample 100 is irradiated with the annealing light.
00 is maintained at a predetermined temperature by the sample heating device, the above film thickness and refractive index can be changed over time by optical stimulation of the annealing light, and the optical stimulation can be changed by maintaining the temperature. This makes it possible to reliably obtain temporal changes in film thickness, etc., and as a result, the characteristics of the insulating film 101 can be evaluated from multiple angles.

第4図は上記実施例の変形例を示す。図におい
て第1図と同一符号は同一部分を示し、上記第1
図の実施例では、試料100は大気中に置かれて
いたが、この変形例は試料100を所定の雰囲気
ガス中に保持するようにしたものである。第4図
において、14は試料100を覆うように設けら
れた試料フードであり、この試料フード14には
光の入射、射出の妨げにならぬよう光路に窓14
aが設けられ、また試料フード14内に望ましい
気体を流入せしめた後フード14外に流出せしめ
るための気体導入、排気通路14b,14cが設
けられている。
FIG. 4 shows a modification of the above embodiment. In the figure, the same reference numerals as in Figure 1 indicate the same parts.
In the illustrated embodiment, the sample 100 was placed in the atmosphere, but in this modification, the sample 100 is kept in a predetermined atmospheric gas. In FIG. 4, reference numeral 14 is a sample hood provided to cover the sample 100, and this sample hood 14 has a window 14 in the optical path so as not to obstruct the incidence and exit of light.
In addition, gas introduction and exhaust passages 14b and 14c are provided for causing a desired gas to flow into the sample hood 14 and then flow out of the hood 14.

この変形例では、試料100をとりまく雰囲気
ガスを所望のガスに変えることができ、絶縁膜1
01の膜質をより多面的に評価することができ
る。
In this modification, the atmospheric gas surrounding the sample 100 can be changed to a desired gas, and the insulating film 1
The film quality of No. 01 can be evaluated from more aspects.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、この発明に係る絶縁膜の膜質評
価装置によれば、試料を所定温度に昇温保持し、
アニール用光による光刺激を試料に与えつつ、連
続して膜厚と屈折率を測定するようにしたので、
この膜厚等の時間の経過に伴う変化をとらえるこ
とができ、絶縁膜に関して多面的な情報が得られ
る効果がある。
As described above, according to the insulating film quality evaluation device according to the present invention, the sample is heated and held at a predetermined temperature,
The film thickness and refractive index were continuously measured while applying optical stimulation to the sample using annealing light.
It is possible to detect changes in film thickness, etc. over time, and has the effect of obtaining multifaceted information regarding the insulating film.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例による絶縁膜の膜
質評価装置を示すブロツク図、第2図及び第3図
はその動作を説明するための図、第4図は上記第
1図の実施例の変形例を示すブロツク図、第5図
は従来の絶縁膜の膜質評価装置を示すブロツク
図、第6図は試料の断面図、第7図は上記第1
図、第4図の実施例及び従来装置の動作を説明す
るための図である。 図において、1は測定用光源、10はアニール
光源、11は試料加熱装置である。なお図中同一
符号は同一又は相当部分を示す。
FIG. 1 is a block diagram showing an insulating film quality evaluation apparatus according to an embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 3 are diagrams for explaining its operation, and FIG. 4 is an embodiment of the insulating film quality evaluation apparatus shown in FIG. 5 is a block diagram showing a conventional insulating film quality evaluation device, FIG. 6 is a cross-sectional view of a sample, and FIG.
FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the embodiment of FIG. 4 and the conventional device. In the figure, 1 is a measurement light source, 10 is an annealing light source, and 11 is a sample heating device. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 測定用光を試料絶縁膜に所定角度で照射し該
試料からの反射光を検知し、該検知した反射光か
ら上記絶縁膜の膜厚及び屈折率の時間的変化を得
て上記絶縁膜の膜質を評価する装置であつて、上
記試料に上記測定用光と同時にアニール用光を照
射するアニール光源と、上記試料を所定温度に保
持するための試料加熱装置とを備えたことを特徴
とする絶縁膜の膜質評価装置。 2 上記アニール光源は、試料に法線方向からア
ニール用光を照射する高圧水銀灯であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の絶縁膜の膜
質評価装置。
[Scope of Claims] 1. Irradiating measurement light onto a sample insulating film at a predetermined angle, detecting the reflected light from the sample, and determining temporal changes in the film thickness and refractive index of the insulating film from the detected reflected light. and a sample heating device for maintaining the sample at a predetermined temperature. An insulating film quality evaluation device characterized by: 2. The insulating film quality evaluation apparatus according to claim 1, wherein the annealing light source is a high-pressure mercury lamp that irradiates the sample with annealing light from the normal direction.
JP20757384A 1984-10-02 1984-10-02 Evaluating device for film quality of insulation film Granted JPS6184508A (en)

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