JPH03122532U - - Google Patents

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JPH03122532U
JPH03122532U JP3091490U JP3091490U JPH03122532U JP H03122532 U JPH03122532 U JP H03122532U JP 3091490 U JP3091490 U JP 3091490U JP 3091490 U JP3091490 U JP 3091490U JP H03122532 U JPH03122532 U JP H03122532U
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air supply
reaction tube
exhaust
boat
pipe
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、実施例の概略説明図、第2図は、実
施例の部分横断面図、第3図は、給気管と排気管
の拡大説明図である。 1…縦型熱処理装置、2…反応管、3…加熱器
、4…ボート、5…回転機構、6…給気管、7…
排気管、8…ガス供給部、9…排気ダクト、10
…給気孔、11…排気孔、20…ウエハ(被処理
体)、X…回転軸。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 縦置きにした反応管と、 前記反応管の周囲に設けた加熱器と、 被処理体を収納するものであつて、前記反応管
    に対し遊挿自在に設けたボートと、 前記ボートに接続した回転機構と、 前記反応管の内部に設けた給気管と、 前記給気管に形成した複数の給気孔と、 前記給気管に接続したガス供給部と、 前記ボートの収納部を介して前記給気管に対向
    する位置でかつ前記反応管の内部に設けた排気管
    と、 前記排気管に形成した複数の排気孔と、 前記排気管に接続した排気部とにより成ること
    を特徴とする縦型熱処理装置。 (2) 前記給気孔を前記ボートの回転軸に対して
    直角方向に形成するとともに、前記排気孔を前記
    給気孔に対向させてかつ前記給気孔と同一高さに
    形成したことを特徴とする請求項1記載の縦型熱
    処理装置。
JP3091490U 1990-03-26 1990-03-26 Pending JPH03122532U (ja)

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JPH03122532U true JPH03122532U (ja) 1991-12-13

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012559A (ja) * 1996-06-07 1998-01-16 Samsung Electron Co Ltd 半導体製造用化学気相蒸着装置
US6953739B2 (en) 1997-04-22 2005-10-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device having hemispherical grains at very low atmospheric pressure using first, second, and third vacuum pumps

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012559A (ja) * 1996-06-07 1998-01-16 Samsung Electron Co Ltd 半導体製造用化学気相蒸着装置
US6953739B2 (en) 1997-04-22 2005-10-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device having hemispherical grains at very low atmospheric pressure using first, second, and third vacuum pumps

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