JPH03120358A - アーク放電によって部品をコーチングする装置及び方法 - Google Patents
アーク放電によって部品をコーチングする装置及び方法Info
- Publication number
- JPH03120358A JPH03120358A JP2241344A JP24134490A JPH03120358A JP H03120358 A JPH03120358 A JP H03120358A JP 2241344 A JP2241344 A JP 2241344A JP 24134490 A JP24134490 A JP 24134490A JP H03120358 A JPH03120358 A JP H03120358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- temperature
- coating
- vacuum
- item
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 229910011208 Ti—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はアーク放電によって部品をコーチングする装置
及び方法に関する。
及び方法に関する。
（従来の技術）
従来の方法においては、一般に、先ず真空を作り、次に
、部品を、アーク放電による陰極物質の高エネルギーイ
オン衝撃によって加熱し、そして陰極物質による所要の
厚さのフィルムを部品にコーチングするものであった。
、部品を、アーク放電による陰極物質の高エネルギーイ
オン衝撃によって加熱し、そして陰極物質による所要の
厚さのフィルムを部品にコーチングするものであった。
従来の技術におけるイオン衝撃法は、アーク放電によっ
て真空コーチングされたフィルムに多（の問題点がある
。
て真空コーチングされたフィルムに多（の問題点がある
。
（発明が解決しようとする問題点）
真空中で陽極からの電子によってＴｉ陰極からＴｉイオ
ン及びＴｉ滴を叩きだす所の、鋳造部品、道具類、時計
類のケース、装身具等の部品をコーチングする方法は周
知である。Ｔｉイオン及びＴｉ滴は蒸発し、高バイアス
電圧（約ＤＣ１００ＯＶ）によって加速される。このＴ
ｉイオン及びＴｉ滴は部品にその熱エネルギーを与えで
、部品の表面を加熱する。
ン及びＴｉ滴を叩きだす所の、鋳造部品、道具類、時計
類のケース、装身具等の部品をコーチングする方法は周
知である。Ｔｉイオン及びＴｉ滴は蒸発し、高バイアス
電圧（約ＤＣ１００ＯＶ）によって加速される。このＴ
ｉイオン及びＴｉ滴は部品にその熱エネルギーを与えで
、部品の表面を加熱する。
このメカニズムは、支持体を加熱することである。しか
しながら、これらのイオン及び滴は、表面上に移動する
だけで、表面に弱く付着するに過ぎない、最初に、衝突
した点における冷たい表面への滴のごとき比較的大きい
粒子は、表面に沈着することはできる。表面をさらに加
熱している間に、粒子の近傍にイオンが沈着すると、こ
れらのイオンは、一部は最初に沈着した粒子の下に移動
して粒子を外の方に押しやり、粒子の下に空間が形成さ
れ、コーチングが妨害されることが発見された。この方
法もまた、最初は、密度の限られたそしてくさび形の沈
着の粗いコーチングで、粗い凹凸した表面しか得られな
い。異なった構造のコーチングを積み重ねることによっ
ては、必要な固さのコーチングは達成されない、そして
、下層のコーチングによって剥脱が可能である。その上
、さらに加熱する場合は、最初のコーチングの上に稠密
なコーチングが沈着するけれども、それは最初の沈着の
凹凸を再現するだけのものである。
しながら、これらのイオン及び滴は、表面上に移動する
だけで、表面に弱く付着するに過ぎない、最初に、衝突
した点における冷たい表面への滴のごとき比較的大きい
粒子は、表面に沈着することはできる。表面をさらに加
熱している間に、粒子の近傍にイオンが沈着すると、こ
れらのイオンは、一部は最初に沈着した粒子の下に移動
して粒子を外の方に押しやり、粒子の下に空間が形成さ
れ、コーチングが妨害されることが発見された。この方
法もまた、最初は、密度の限られたそしてくさび形の沈
着の粗いコーチングで、粗い凹凸した表面しか得られな
い。異なった構造のコーチングを積み重ねることによっ
ては、必要な固さのコーチングは達成されない、そして
、下層のコーチングによって剥脱が可能である。その上
、さらに加熱する場合は、最初のコーチングの上に稠密
なコーチングが沈着するけれども、それは最初の沈着の
凹凸を再現するだけのものである。
本発明の目的は、均一な表面と良好な固着性を有する平
滑で稠密な固いコーチングを得ることのできるコーチン
グ装置及び方法を提供することにある。
滑で稠密な固いコーチングを得ることのできるコーチン
グ装置及び方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本願発明者は、この目的達成のため鋭意研究の結果、本
発明のアーク放電によって部品をコーチングする装置及
び方法を発明するに到った。
発明のアーク放電によって部品をコーチングする装置及
び方法を発明するに到った。
本発明に依れば、この問題点は、上記の装置において真
空室中に加熱設備を設けることによって解決される。か
くして、コーチングのための放電を行う前に、上記の不
利な点及びコーチングエラーを避けながら、稠密平滑な
表面コーチングが得られるように、部品を所望の温度に
加熱する０本発明のコーチング方法に依れば、アーク放
電の前に、部品を、陰極物質の融点の０．３〜０．５の
範囲の温度に加熱する。この範囲の温度において、薄い
柱を持った柱状コーチングが生成され、極めて僅かの粗
さを持った表面を有する高い密度のコーチングが得られ
ることが判った。
空室中に加熱設備を設けることによって解決される。か
くして、コーチングのための放電を行う前に、上記の不
利な点及びコーチングエラーを避けながら、稠密平滑な
表面コーチングが得られるように、部品を所望の温度に
加熱する０本発明のコーチング方法に依れば、アーク放
電の前に、部品を、陰極物質の融点の０．３〜０．５の
範囲の温度に加熱する。この範囲の温度において、薄い
柱を持った柱状コーチングが生成され、極めて僅かの粗
さを持った表面を有する高い密度のコーチングが得られ
ることが判った。
好ましい態様においては、この加熱設備は放熱器、又は
エミッターである。それは、放熱器乃至エミッターは発
生した熱を最も有効に部品に伝熱するからである。加熱
設備は鞘に入った管状加熱器であることができる。目的
は部品を加熱することであるので、温度は真空室の外側
の方に低下するが、本発明に依れば、加熱設備と真空室
の壁との間に加熱設備から壁への温度低下手段が設けら
れている。温度低下手段は、特に磨かれた高級ステンレ
ススチールから作られた反射板である。その結果、放射
熱が真空室の内部の中に反射して行く０本発明に依れば
、真空室には加熱設備の電源に接続した熱電対があり、
アーク放電の前に、部品は陰極物質の融点の０．３〜０
．５の範囲の温度に加熱される。その結果、後のコーチ
ング過程の場合においても、温度は過度に高くならない
、温度が過度に高くなると、個々の結晶によって不規則
な表面コーチングが形成される。
エミッターである。それは、放熱器乃至エミッターは発
生した熱を最も有効に部品に伝熱するからである。加熱
設備は鞘に入った管状加熱器であることができる。目的
は部品を加熱することであるので、温度は真空室の外側
の方に低下するが、本発明に依れば、加熱設備と真空室
の壁との間に加熱設備から壁への温度低下手段が設けら
れている。温度低下手段は、特に磨かれた高級ステンレ
ススチールから作られた反射板である。その結果、放射
熱が真空室の内部の中に反射して行く０本発明に依れば
、真空室には加熱設備の電源に接続した熱電対があり、
アーク放電の前に、部品は陰極物質の融点の０．３〜０
．５の範囲の温度に加熱される。その結果、後のコーチ
ング過程の場合においても、温度は過度に高くならない
、温度が過度に高くなると、個々の結晶によって不規則
な表面コーチングが形成される。
本発明の装置自体は、真空室の内部が、真空を生ずる真
空ポンプに通ずるバルブで結合された周知のＢｌｓの構
造である。真空室の外壁は二重壁の態様で構成され、壁
と壁の間の空隙を冷却液が循環し、外部の熱交換器によ
って冷却される。
空ポンプに通ずるバルブで結合された周知のＢｌｓの構
造である。真空室の外壁は二重壁の態様で構成され、壁
と壁の間の空隙を冷却液が循環し、外部の熱交換器によ
って冷却される。
本発明の方法に依れば、物品の温度はコーチング期間中
一定に制御される。
一定に制御される。
（実施例）
本発明の実施例として、−具体例について図面によって
説明する。但し、本発明は実施例によって限定されるも
のではない。
説明する。但し、本発明は実施例によって限定されるも
のではない。
真空中においてアーク放電によって部品をコーチングす
る本発明の装置は、真空室１から成り、真空導管２及び
バルブ３で真空ポンプ４に連結されている。真空室１は
円筒形で、円筒形の壁６を有している。真空室のトップ
は、蓋（図には示されていない）で、空密にシールされ
ている。
る本発明の装置は、真空室１から成り、真空導管２及び
バルブ３で真空ポンプ４に連結されている。真空室１は
円筒形で、円筒形の壁６を有している。真空室のトップ
は、蓋（図には示されていない）で、空密にシールされ
ている。
真空室ｌの壁６には、内側が陰極７で周囲が陽極８から
構成された中心対称性の電極が設けられており、電極は
電源に接続されている。数個の電極が列をなし、好まし
くは、３列以上の縦に並んだ電極の列が設けられている
。電極の列と列との間には、鞘に入った形状の管状加熱
器９が設けられている。加熱器は接続線１０によって電
源に接続されている。
構成された中心対称性の電極が設けられており、電極は
電源に接続されている。数個の電極が列をなし、好まし
くは、３列以上の縦に並んだ電極の列が設けられている
。電極の列と列との間には、鞘に入った形状の管状加熱
器９が設けられている。加熱器は接続線１０によって電
源に接続されている。
真空室の壁６は、好ましくは、２個の壁１１．１２から
成り、これらの壁と壁との間にはギャブがあり、その中
に循環ポンプによって循環し熱交換器を通る冷却水１３
が容れられている。壁１２と加熱器９との間には、好ま
しくは、磨かれたステンレススチール製の反射板１４．
１Ｇ、Ｉ７が設けられている。これらの反射板は１．加
熱器９の放射熱を真空室１の内側に向かって反射し、室
壁１２の方への熱を減少する０反射板１６及び１７は、
反射板１４に固定されたビン１８に取り付けられ、その
間に置かれたスペーサー１９によって間隔を保っている
。
成り、これらの壁と壁との間にはギャブがあり、その中
に循環ポンプによって循環し熱交換器を通る冷却水１３
が容れられている。壁１２と加熱器９との間には、好ま
しくは、磨かれたステンレススチール製の反射板１４．
１Ｇ、Ｉ７が設けられている。これらの反射板は１．加
熱器９の放射熱を真空室１の内側に向かって反射し、室
壁１２の方への熱を減少する０反射板１６及び１７は、
反射板１４に固定されたビン１８に取り付けられ、その
間に置かれたスペーサー１９によって間隔を保っている
。
鋳造部品、道具類、時計のケース、飾身具のごとき、コ
ーチングすべき部品を真空室１に入れ、ホルダー（図に
は示されていない）によって固定し、好ましくは、円筒
形真空室１の対称軸に置いて、軸の周りを回転可能にす
る。ホルダーは、特に、遊星歯車を持った遊星ホルダー
のごとき構造に作ることができ、中心の旋回ビンの周り
にさらに旋回ビンを設置することができ、部品はこれに
よって保持され、周りの旋回ビン、並びに中心の旋回ビ
ンの周りを回転する。この機構自体は周知であり、ここ
に詳細に記載する必要はない。
ーチングすべき部品を真空室１に入れ、ホルダー（図に
は示されていない）によって固定し、好ましくは、円筒
形真空室１の対称軸に置いて、軸の周りを回転可能にす
る。ホルダーは、特に、遊星歯車を持った遊星ホルダー
のごとき構造に作ることができ、中心の旋回ビンの周り
にさらに旋回ビンを設置することができ、部品はこれに
よって保持され、周りの旋回ビン、並びに中心の旋回ビ
ンの周りを回転する。この機構自体は周知であり、ここ
に詳細に記載する必要はない。
この陰極は、特に、Ｔｉ又はＴｉ−Ｎコーチング用のチ
タン陰極である。
タン陰極である。
先ず、コーチングすべき部品を真空室１の中に入れ、例
えばホルダーに吊り下げる０次に、真空室１を空密にシ
ールし、真空ポンプ４によって真空にする。加熱器９を
、熱を発するに到るまで加熱する。か（して、部品は、
コーチング物！（ここではチタン）の融点の０．３〜０
．５の範囲の所望の温度にまで加熱される。例えば、チ
タンコーチングの場合は、８００°Ｋ （５３０℃）、
この温度は次のコーチング工程の間一定に保たれる。
えばホルダーに吊り下げる０次に、真空室１を空密にシ
ールし、真空ポンプ４によって真空にする。加熱器９を
、熱を発するに到るまで加熱する。か（して、部品は、
コーチング物！（ここではチタン）の融点の０．３〜０
．５の範囲の所望の温度にまで加熱される。例えば、チ
タンコーチングの場合は、８００°Ｋ （５３０℃）、
この温度は次のコーチング工程の間一定に保たれる。
次に、電極７．８に、好ましくは、Ｄ、Ｃ，２０〜４０
ボルトの範囲の電圧を加えて、コーチングを行う、これ
によって、５０〜ＢＯＡのアーク放電電流でガス放射が
起こる。かくして、Ｔｉ−イオン及びＴｉ−滴が陰極か
ら蒸発し、真空のため、比較的長い自由路程の長さを有
し、部品の上に蒸着することができる。コーチング物質
の融点の０．３〜０、５の範囲の温度に予め加熱する本
発明の方法に依って、極めて僅かの荒さの実質的に滑ら
かな表面と９０％以上の高い物質密度を有する稠密な円
柱状の結晶構造のコーチング物質が得られる（第４図の
２の部分及び第５図のｂ）、しかし、少なくとも最初は
低温コーチングを行う従来の技術では、密度の低い面の
フィルムが得られる（第４図の１の部分及び第５図のａ
）。もし温度制御を行わないでコーチングが過度の温度
で為される場合は、第４図の３の部分又は第５図のＣに
連続転移があって、柱状構造が消失し、その代わり固体
構造が得られる。
ボルトの範囲の電圧を加えて、コーチングを行う、これ
によって、５０〜ＢＯＡのアーク放電電流でガス放射が
起こる。かくして、Ｔｉ−イオン及びＴｉ−滴が陰極か
ら蒸発し、真空のため、比較的長い自由路程の長さを有
し、部品の上に蒸着することができる。コーチング物質
の融点の０．３〜０、５の範囲の温度に予め加熱する本
発明の方法に依って、極めて僅かの荒さの実質的に滑ら
かな表面と９０％以上の高い物質密度を有する稠密な円
柱状の結晶構造のコーチング物質が得られる（第４図の
２の部分及び第５図のｂ）、しかし、少なくとも最初は
低温コーチングを行う従来の技術では、密度の低い面の
フィルムが得られる（第４図の１の部分及び第５図のａ
）。もし温度制御を行わないでコーチングが過度の温度
で為される場合は、第４図の３の部分又は第５図のＣに
連続転移があって、柱状構造が消失し、その代わり固体
構造が得られる。
第１図は、本発明の一具体例の説明図である。
第２図は、第１図の■−Ｈの横断面図である。
第３図は、第１図の■〜■の縦断面図である。。
第１〜３図において、
１ 真空室、 ２ 真空導管、
３ バルブ、 ４ 真空ポンプ、６ 真空室壁
（壁１１と１２から成る）、７ 陰極、 ８
陽極、 ９ 加熱器、 １０ 加熱器の接続線、１１
真空室の壁、 １２ 真空室の壁、１３ 冷却水、
１４ 反射板、 １６ 反射板、 １７ 反射板、１８ ピン、
１９ スペーサーである。 第４図は、支持体の温度の作用によるコーチングの構造
を示す図である。 第５図は、第４図のコーチング構造の縦断面図である。
（壁１１と１２から成る）、７ 陰極、 ８
陽極、 ９ 加熱器、 １０ 加熱器の接続線、１１
真空室の壁、 １２ 真空室の壁、１３ 冷却水、
１４ 反射板、 １６ 反射板、 １７ 反射板、１８ ピン、
１９ スペーサーである。 第４図は、支持体の温度の作用によるコーチングの構造
を示す図である。 第５図は、第４図のコーチング構造の縦断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）真空室１とその中に設けられた少なくとも一対の電
極から成り、該真空室中に加熱設備９を設けたことを特
徴とするアーク放電によって部品をコーチングする装置 ２）加熱設備９は放熱器であることを特徴とする第１項
の装置。 ３）加熱設備９は管状放熱器であることを特徴とする第
１項又は第２項の装置。 ４）加熱設備９と真空室１の壁１２との間に、加熱設備
９から壁１２へ温度を低下する手段が置かれていること
を特徴とする第１項〜第３項の装置。 ５）該温度低下手段は反射板１４、１６、１７であるこ
とを特徴とする第４項の装置。 ６）該反射板は磨かれた特殊鋼（ステンレススチール）
で作られたものであることを特徴とする第５項の装置。 ７）該反射板は数枚宛がスペーサー１８、１９によって
相前後して間隔を置いて保持されていることを特徴とす
る第５項又は第６項の装置。 ８）加熱設備９の熱源に接続したサーモスタットが真空
室１に設けられていることを特徴とする前記各項の装置
。 ９）真空を作り、保持された真空において、少なくとも
一つの陰極から、アーク放電によって、陰極物質、陰極
物質イオン、陰極物質の滴を生成して、物品の上に蒸着
させることから成り、該アーク放電を行う前に、該物品
を、陰極物質の融点の０．３〜０．５の範囲の温度に加
熱することを特徴とするアーク放電によって部品をコー
チングする方法。 １０）加熱は４００〜５５０℃の温度で行われることを
特徴とする第９項の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3930832.4 | 1989-09-15 | ||
| DE3930832A DE3930832A1 (de) | 1989-09-15 | 1989-09-15 | Vorrichtung und verfahren zum beschichten von werkstuecken mittels bogenentladung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03120358A true JPH03120358A (ja) | 1991-05-22 |
Family
ID=6389496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2241344A Pending JPH03120358A (ja) | 1989-09-15 | 1990-09-13 | アーク放電によって部品をコーチングする装置及び方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5154811A (ja) |
| EP (1) | EP0423486B1 (ja) |
| JP (1) | JPH03120358A (ja) |
| AT (1) | ATE103641T1 (ja) |
| DE (2) | DE3930832A1 (ja) |
| DK (1) | DK0423486T3 (ja) |
| ES (1) | ES2054182T3 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992014859A1 (de) * | 1991-02-19 | 1992-09-03 | Eifeler Werkzeuge Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur reduzierung von droplets bei der beschichtung von oberflächen mit hartstoffen nach dem pvd-verfahren |
| US5441623A (en) * | 1994-01-03 | 1995-08-15 | Industrial Technology Research Institute | Sputtering apparatus for making high temperature superconducting oxide films |
| DE4443740B4 (de) * | 1994-12-08 | 2005-09-15 | W. Blösch AG | Vorrichtung zum Beschichten von Substraten |
| US6495002B1 (en) * | 2000-04-07 | 2002-12-17 | Hy-Tech Research Corporation | Method and apparatus for depositing ceramic films by vacuum arc deposition |
| US20080302653A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-12-11 | Applied Materials Inc. | Method And Device For Producing An Anti-Reflection Or Passivation Layer For Solar Cells |
| CN107406973A (zh) * | 2015-01-19 | 2017-11-28 | 欧瑞康表面解决方案股份公司，普费菲孔 | 用于提高热输出的带有特别设计的真空腔 |
| CN105780000B (zh) * | 2016-05-10 | 2018-05-22 | 航天材料及工艺研究所 | 一种发动机燃烧室表面复合硅化物涂层的制备方法 |
| CN111530118B (zh) * | 2020-05-21 | 2021-12-10 | 郑州大学 | 一种超高真空设备 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3560252A (en) * | 1968-08-13 | 1971-02-02 | Air Reduction | Vapor deposition method including specified solid angle of radiant heater |
| DE2820286C2 (de) * | 1978-05-10 | 1985-12-19 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Durchlauf-Heizeinrichtung für diskontinuierlichen Betrieb als Vorschalteinrichtung für Vakuumbeschichtungsanlagen |
| US4511593A (en) * | 1983-01-17 | 1985-04-16 | Multi-Arc Vacuum Systems Inc. | Vapor deposition apparatus and method |
| SE453265B (sv) * | 1983-02-14 | 1988-01-25 | Vni Instrument Inst | Skerverktyg med slitbestendig beleggning samt forfarande for framstellning av detta |
| IL74360A (en) * | 1984-05-25 | 1989-01-31 | Wedtech Corp | Method of coating ceramics and quartz crucibles with material electrically transformed into a vapor phase |
-
1989
- 1989-09-15 DE DE3930832A patent/DE3930832A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-09-13 EP EP90117611A patent/EP0423486B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-13 AT AT90117611T patent/ATE103641T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-09-13 JP JP2241344A patent/JPH03120358A/ja active Pending
- 1990-09-13 ES ES90117611T patent/ES2054182T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-13 DK DK90117611.5T patent/DK0423486T3/da active
- 1990-09-13 DE DE90117611T patent/DE59005181D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-14 US US07/582,360 patent/US5154811A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0423486A1 (de) | 1991-04-24 |
| US5154811A (en) | 1992-10-13 |
| ATE103641T1 (de) | 1994-04-15 |
| EP0423486B1 (de) | 1994-03-30 |
| DE3930832A1 (de) | 1991-03-28 |
| DE59005181D1 (de) | 1994-05-05 |
| DK0423486T3 (da) | 1994-08-08 |
| ES2054182T3 (es) | 1994-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1140078A (en) | Method and apparatus for pretreating and depositing thin films on substrates | |
| US4749587A (en) | Process for depositing layers on substrates in a vacuum chamber | |
| JPH0211669B2 (ja) | ||
| JPH03120358A (ja) | アーク放電によって部品をコーチングする装置及び方法 | |
| US4747922A (en) | Confined ion beam sputtering device and method | |
| US4269137A (en) | Pretreatment of substrates prior to thin film deposition | |
| Witke et al. | Comparison of filtered high-current pulsed arc deposition (φ-HCA) with conventional vacuum arc methods | |
| CN212223086U (zh) | 一种电子束蒸发台 | |
| Sidelev et al. | Deposition of Cr films by hot target magnetron sputtering on biased substrates | |
| JPS60204626A (ja) | 酸化鉄薄膜の形成方法および装置 | |
| US20020063054A1 (en) | Low temperature cathodic magnetron sputtering | |
| US3838031A (en) | Means and method for depositing recrystallized ferroelectric material | |
| Sung et al. | The morphology and mechanical properties of Al2O3, ZrO2 and SiC laser-assisted physically vapour deposited films | |
| CN103866241A (zh) | 一种离子辅助热蒸发复合磁控溅射镀膜装置 | |
| JP3584096B2 (ja) | 酸化珪素の製造方法 | |
| US9103018B2 (en) | Sputtering target temperature control utilizing layers having predetermined emissivity coefficients | |
| RU2110606C1 (ru) | Устройство для формирования поверхностных слоев на изделиях методом обработки в плазме газового разряда | |
| US3274372A (en) | Solid vaporization | |
| Onishi et al. | Transparent and highly oriented ZnO films grown at low temperature by sputtering with a modified sputter gun | |
| US4290875A (en) | Sputtering apparatus | |
| JPH06158301A (ja) | スパッタリング装置 | |
| Massara et al. | Preparation and characterisation of High Oriented Pyrolytic Graphite backed targets for the NUMEN project | |
| JPH01205066A (ja) | 真空成膜装置 | |
| Ryan et al. | A study of the unipolar arcing damage mechanism on selected conductors and semiconductors | |
| JPS61279674A (ja) | スパツタ装置 |