JPH03120044U - - Google Patents

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JPH03120044U
JPH03120044U JP1990030316U JP3031690U JPH03120044U JP H03120044 U JPH03120044 U JP H03120044U JP 1990030316 U JP1990030316 U JP 1990030316U JP 3031690 U JP3031690 U JP 3031690U JP H03120044 U JPH03120044 U JP H03120044U
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Japan
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lsi
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heat sink
stud
heat
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例を示す縦断面図、第
２図はスタツド部の詳細図、第３図は第１図の
−矢視図、第４図は第３図の−線断面図、
第５図は第３図の−線断面図、第６図ａ，ｂ
はヒートシンクのベースへの取付順序を示す断面
図、第７図は従来のＬＳＩのヒートシンク取付構
造を示す縦断面図である。 １……プリント板、１０……ＬＳＩ組立体、１
１……ＬＳＩケース、１２……リード、１３……
接着剤、１４……ＬＳＩ素子、１５……ベース、
１６……スリツト、１７……キヤツプ、２０……
ヒートシンク組立体、２１……ヒートシンク、２
２……スタツド、２２ａ……鍔部、２３……スプ
リング。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ＬＳＩ組立体と、ヒートシンクとの組合せ
    からなるＬＳＩのヒートシンク取付け構造であつ
    て、 前記ＬＳＩ組立体は、発熱するＬＳＩを含み、
    その放熱面に、断面形状が略鳩尾状に形成された
    複数の円弧状スリツトを同一円上に配列して設け
    たものであり、該円弧状スリツトはその始端側に
    大径の案内孔を備えており、 前記ヒートシンク組立体は、前記ＬＳＩ組立体
    の放熱面に搭載されて放熱作用を行うものであり
    、前記ＬＳＩ組立体の円弧状スリツトにそれぞれ
    差込むスタツドと、該スタツドの軸端に一体に取
    付けられ、前記大径の案内孔より円弧状スリツト
    内に誘導される鍔部とを有しており、 前記ＬＳＩ組立体とヒートシンク組立体とを相
    対回動させることにより、前記スタツドの鍔部を
    前記円弧状スリツトの開口縁内端に係止させて前
    記ＬＳＩ組立体に前記ヒートシンク組立体を脱着
    可能に密着締結したことを特徴とするＬＳＩのヒ
    ートシンク取付構造。 (2) 前記ヒートシンク組立体は、該ヒートシン
    ク組立体の受熱面を前記ＬＳＩ組立体の放熱面に
    密着させるスプリングを装備していることを特徴
    とする請求項第(1)項に記載のＬＳＩのヒートシ
    ンク取付構造。 (3) 前記ＬＳＩ組立体は、ＬＳＩの搭載位置を
    中心とした軌跡の同一円上に前記複数の円弧状ス
    リツトを配列して設けたことを特徴とする請求項
    第(1)項に記載のＬＳＩのヒートシンク取付構造
    。
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JP2501583Y2 JP2501583Y2 (ja) 1996-06-19

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010103493A (ja) * 2008-09-25 2010-05-06 Sharp Corp 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
JP2010103492A (ja) * 2008-09-25 2010-05-06 Sharp Corp 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
JP2010103491A (ja) * 2008-09-25 2010-05-06 Sharp Corp 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
JP2010103490A (ja) * 2008-09-25 2010-05-06 Sharp Corp 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
JP2013098328A (ja) * 2011-10-31 2013-05-20 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置

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JP2010103492A (ja) * 2008-09-25 2010-05-06 Sharp Corp 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
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JP2501583Y2 (ja) 1996-06-19

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