JPH03118546A - Photoresist processor - Google Patents
Photoresist processorInfo
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- JPH03118546A JPH03118546A JP25524289A JP25524289A JPH03118546A JP H03118546 A JPH03118546 A JP H03118546A JP 25524289 A JP25524289 A JP 25524289A JP 25524289 A JP25524289 A JP 25524289A JP H03118546 A JPH03118546 A JP H03118546A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置を製造するとき、所望の膜または
基板表面のパターニングを行うホトリソグラフィー工程
において用いられるフォトレジスト処理装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a photoresist processing apparatus used in a photolithography process for patterning a desired film or substrate surface when manufacturing a semiconductor device.
〔従来の技術］
半導体装置の製造工程においては、半導体ウェハ表面を
所定のパターンにエツチングするのに、フォトレジスト
を被エツチング面上に塗布し、該フォトレジスト膜をフ
ォトリソグラフィー技術により露光、現像してパターニ
ングした後、このフォトレジスト膜をマスクとして被エ
ツチング面を所定のパターンにエツチングする。[Prior Art] In the manufacturing process of semiconductor devices, when etching the surface of a semiconductor wafer into a predetermined pattern, a photoresist is coated on the surface to be etched, and the photoresist film is exposed and developed using photolithography technology. After patterning, the surface to be etched is etched into a predetermined pattern using this photoresist film as a mask.
従来のポジ型フォトレジストの現像装置は、現像部と、
その下流側に設けられ、フォトレジストの耐ドライエツ
チ耐性を向上させるためのボストベーク部を有する。な
お、フォトレジストのｍｌ・１ドライエツチ耐性を向上
させ、高温ベークによるフォトレジストのダレを防止し
、寸法精度を安定させるために、紫外線照射を行うＵＶ
キュア部を設けたものもある。A conventional positive photoresist development device has a development section,
A post bake section is provided on the downstream side of the photoresist to improve the dry etching resistance of the photoresist. In addition, in order to improve the dry etch resistance of the photoresist, prevent sagging of the photoresist due to high temperature baking, and stabilize the dimensional accuracy, UV irradiation is performed.
Some have a cure section.
なお、この種の装置については、工業調査会発行、電子
材料・別冊、超Ｔ、、 Ｓ １製造・試験ガイドブック
、１９８９年版、８９〜９４頁に記載されている。This type of device is described in Kogyo Kenkyukai, Electronic Materials/Special Issue, Cho-T, S1 Manufacturing/Test Guidebook, 1989 edition, pages 89-94.
［発明が解決しようとする課題］
従来は、フォトリソグラフィー工程およびエッて配慮さ
れていなかった。すなわち、フォトレジストを剥離する
には、プラズマを用いたアッシャ−あるいは専用の剥離
液を用いた工程が必要であり、装置が大型化するという
問題があった。また、これらの工程を経ると被加工物に
ダメージが生じ易い問題があった。[Problems to be Solved by the Invention] Conventionally, no consideration has been given to the photolithography process and the like. That is, in order to peel off the photoresist, a process using an asher using plasma or a special stripping liquid is required, which poses a problem of increasing the size of the apparatus. Furthermore, there is a problem in that the workpiece is likely to be damaged after these steps.
本発明の目的は、フォトレジストの剥離を容易に行うこ
とができ、またフォトレジストの剥離による被加工物の
ダメージを低減できるフォトレジスト処理装置を提供す
ることにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a photoresist processing apparatus that can easily peel off a photoresist and reduce damage to a workpiece caused by peeling off the photoresist.
また、本発明の別の目的は、フォトレジストの塗布・露
光・現像、被加工物のエツチング、フォトレジストの剥
離まで一貫して行うことのできる小型で安価なフォトレ
ジスト−員処理装置を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a small and inexpensive photoresist processing apparatus that can perform all processes from photoresist coating, exposure, and development to etching of a workpiece and photoresist peeling. There is a particular thing.
［課題を解決するための手段］
上記の課題を解決するために、本発明のフォトレジスト
処理装置は、ポジ型フォトレジストのパターン用現像部
の下流側に、上記ポジ型フォトレジストの剥離用露光部
を設けたことを特徴とする。[Means for Solving the Problems] In order to solve the above-mentioned problems, the photoresist processing apparatus of the present invention includes an exposure device for stripping the positive photoresist on the downstream side of a pattern developing section for the positive photoresist. It is characterized by having a section.
また、上記ポジ型フォトレジストの塗布部、露光部、現
像部、被加工物のエツチング部を一体的に備えたことを
特徴とする。Further, the present invention is characterized in that the positive photoresist application section, exposure section, development section, and etching section of the workpiece are integrally provided.
本発明のフォトレジスト処理装置では、ポジ型フォトレ
ジストを露光・現像によりパターニングした後、フォト
レジストをさらに露光するので、その後現像部において
現像することによりポジ型フォトレジストが容易に剥離
される。また、現像によりフォトレジストを剥離するの
で、被加工物にダメージが生じにくい。In the photoresist processing apparatus of the present invention, after patterning the positive photoresist by exposure and development, the photoresist is further exposed, so that the positive photoresist is easily peeled off by subsequent development in the development section. Furthermore, since the photoresist is peeled off by development, damage to the workpiece is less likely to occur.
また、ポジ型フォトレジストの塗布部、露光部、現像部
、被加工物のエツチング部を一体的に設けることにより
、フォトレジストの塗布から被加工物のエツチング、フ
ォトレジストの剥離まで一貫して行うことのできる小型
で安価なフォトレジスト−員処理装置を提供できる。In addition, by integrating the positive photoresist application section, exposure section, development section, and workpiece etching section, the process from coating the photoresist to etching the workpiece and peeling off the photoresist can be performed consistently. It is possible to provide a small and inexpensive photoresist processing apparatus that can perform the following tasks.
第１図は、本発明の第１の実施例のフォトレジスト処理
装置の構成を示す概略上面図である。FIG. 1 is a schematic top view showing the configuration of a photoresist processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
１はセンダ、２は塗布部、３はプリベーク部、４は露光
部、５は第１現像部（フォトレジストパターニング部）
、６は全面露光部（剥離用露光部）、７は第１ボストベ
ーグ部、８はエツチング部、９は第２現像部（フォトレ
ジスト剥離部）、１０は第２ポストベーク部、１１はレ
シーバである。1 is a sender, 2 is a coating section, 3 is a pre-bake section, 4 is an exposure section, 5 is a first development section (photoresist patterning section)
, 6 is the entire surface exposure part (exposure part for stripping), 7 is the first post baking part, 8 is the etching part, 9 is the second developing part (photoresist stripping part), 10 is the second post baking part, and 11 is the receiver. be.
センダｌから出た被加工物（半導体ウェハ）は、塗布部
２でポジ型フォトレジストが塗布され、プリベーク部３
でフォトレジストがプリベークされ、露光部４でマスク
を用いてフォトレジストが所定のパターンに感光される
。次に、被加工物は第１現像部５に搬送され、フォトレ
ジストがパターニングされる。次に、全面露光部６でマ
スクを用いないでフォトレジストがすべて感光される。The workpiece (semiconductor wafer) coming out of the sender 1 is coated with a positive photoresist in the coating section 2, and then transferred to the pre-bake section 3.
The photoresist is prebaked in step 4, and exposed in an exposure section 4 into a predetermined pattern using a mask. Next, the workpiece is transported to the first developing section 5, and the photoresist is patterned. Next, the entire photoresist is exposed to light in the entire surface exposure section 6 without using a mask.
次に、第１ボストベーク部７でフォトレジストの耐ドラ
イエッチ耐性を向上させるためにポストベークされる。Next, the photoresist is post-baked in the first boss bake section 7 in order to improve the dry etch resistance of the photoresist.
次に、エツチング部８でパターニングされたフォトレジ
ストをマスクとして被加工物がエツチングされる。次に
、第２現像部９と第２ボストベーク１０によりフォトレ
ジストが剥離され、レシーバ１１に入る。Next, the workpiece is etched in the etching section 8 using the patterned photoresist as a mask. Next, the photoresist is peeled off by the second developing section 9 and the second boss bake 10, and enters the receiver 11.
第２図は、全面露光部６を示す概略側面図である。１２
は露光機、１３は被加工物、１４は被加工物の加熱手段
であるベークプレートである。第１現像部５を出た被加
工物１３は、ベークプレートＩ４上に固定され、露光機
１２により感光される。FIG. 2 is a schematic side view showing the entire surface exposure section 6. FIG. 12
13 is an exposure machine, 13 is a workpiece, and 14 is a bake plate which is a heating means for the workpiece. The workpiece 13 that has left the first developing section 5 is fixed on a bake plate I4 and exposed by an exposure device 12.
本実施例のフォトレジスト処理装置では、ポジ型フォト
レジストを露光部４および第１現像部５により露光・現
像してパターニングした後、全面露光部６によりフォト
レジストをさらに全面露光するので、その後第２現像部
９において現像することによりポジ型フォトレジストが
容易に剥離できる。また、現像によりフォトレジストを
剥離するので、被加工物にダメージが生じにくい。In the photoresist processing apparatus of this embodiment, after the positive photoresist is exposed and developed by the exposure section 4 and the first development section 5 for patterning, the entire surface of the photoresist is further exposed by the entire surface exposure section 6. 2 By developing in the developing section 9, the positive photoresist can be easily peeled off. Furthermore, since the photoresist is peeled off by development, damage to the workpiece is less likely to occur.
また、本実施例の装置では、ポジ型フォトレジストの塗
布部、露光部、現像部、被加工物のエツチング部が一体
的に設けられているので、フォトレジストの塗布から被
加工物のエツチング、フォトレジストの剥離まで一貫し
て行うことができ、生産性が向上する。また、この装置
は、プラズマを用いたアッシャ−あるいは専用の剥離液
を用いず、大型の装置を必要としないので、装置が小型
で省スペース、安価である。Furthermore, in the apparatus of this embodiment, the positive photoresist application section, exposure section, development section, and etching section for the workpiece are provided integrally, so that the process from coating the photoresist to etching the workpiece, It is possible to perform the entire process up to the removal of the photoresist, improving productivity. Further, this device does not use an asher using plasma or a special stripping solution, and does not require a large device, so the device is small, space-saving, and inexpensive.
さらに、第２図に示すように、露光中の被加工物１３を
加熱、昇温するベークプレート１４を有するので、フォ
トレジストの感光に要する時間を短縮できる。Furthermore, as shown in FIG. 2, since a bake plate 14 is provided to heat and raise the temperature of the workpiece 13 during exposure, the time required for exposing the photoresist can be shortened.
第３図は、本発明の第２の実施例のフォトレジスト処理
装置の構成を示す概略上面図である。FIG. 3 is a schematic top view showing the configuration of a photoresist processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
１５はローダ、１６は塗布部、１７はプリベーク部、１
８はバッファ、１９は露光部、２０は第１ ＪＪＪ像部
（フォトレジストパターニング部）、２１は全面露光部
（剥離用露光部）、２２は第１ポストベーク部、２３は
エツチング部、２４は第２現像部（フォトレジスト剥離
部）、２５は第２ボストベーク部、２６はアンローダで
ある。15 is a loader, 16 is an application section, 17 is a pre-bake section, 1
8 is a buffer, 19 is an exposure section, 20 is a first JJJ image section (photoresist patterning section), 21 is an entire surface exposure section (exposure section for peeling), 22 is a first post-bake section, 23 is an etching section, and 24 is a A second developing section (photoresist stripping section), 25 is a second boss baking section, and 26 is an unloader.
ローダ１５にセットされた被加工物（半導体ウェハ）は
、塗布部１６でポジ型フォトレジストが塗布され、プリ
ベーク部１７でフォトレジストがプリベークされ、バッ
ファ１８を通って露光部１９でフォトレジストが所定の
パタｊンに感光される。次に、被加工物は第１現像部２
０に搬送され、フォトレジストがパターニングされる。The workpiece (semiconductor wafer) set in the loader 15 is coated with a positive photoresist in a coating section 16, prebaked in a prebaking section 17, passed through a buffer 18, and then coated with a predetermined photoresist in an exposure section 19. I am exposed to the pattern of Next, the workpiece is transferred to the first developing section 2.
0, and the photoresist is patterned.
次に、全面露光部２１でフォトレジストがすべて感光さ
れる６次に、第１ボストベーク部２２でフォトレジスト
がポストベークされる。次に、エツチング部２３でパタ
ーニングされたフォトレジストをマスクとして被加工物
がエツチングされる。次に、第２現像部２４と第２ボス
トベーク２５によりフォトレジストが剥離され、アンロ
ーダ２６にセットされる。Next, all of the photoresist is exposed in the full-surface exposure section 21. Next, the photoresist is post-baked in the first post-baking section 22. Next, the workpiece is etched in the etching section 23 using the patterned photoresist as a mask. Next, the photoresist is peeled off by the second developing section 24 and the second boss bake 25, and the photoresist is set on the unloader 26.
本実施例の装置も第１の実施例の装置と同様の効果を有
する。The device of this embodiment also has the same effects as the device of the first embodiment.
以上、本発明の実施例を具体的に説明したが、本発明は
上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。Although the embodiments of the present invention have been specifically described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and it goes without saying that various changes can be made without departing from the spirit of the invention.
以上説明したように、本発明のフォトレジスト処理装置
では、現像によりフォトレジストを剥離するので、被加
工物にダメージを与えずにフォトレジストを容易に除去
でき、かつ装置を小型化することができる。As explained above, in the photoresist processing apparatus of the present invention, the photoresist is peeled off by development, so the photoresist can be easily removed without damaging the workpiece, and the apparatus can be miniaturized. .
第１図は、本発明の第１の実施例のフォトレジスト処理
装置の構成を示す概略上面図、第２図は、第１図の全面
露光部を示す概略側面図、第３図は、本発明の第２の実
施例のフォトレジスト処理装置の構成を示す概略上面図
である。
ｌ・・・センダ
２・・・塗布部
３・・・プリベーク部
４・・・露光部
５・・・第１ ｔｌ像部（フォトレジストパターニング
部）
６・・・全面露光部（剥離用露光部）
７・・・第１ボストベーク部
８・・・エツチング部
９・・・第２現像部（フォトレジスト剥離部）０・・・
第２ポストベーク部
ｌ・二・レシーバ
２・・・露光機
３・・・被加工物
４・・・ベークプレート
５・・・ローダ
６・・・塗布部
７・・・プリベーク部
８・・・バッファ
９・・・露光部
０・・・第１現像部（フォトレジストパターニング部）
ｌ・・・全面露光部（剥離用露光部）
２・・・第１ボストベーク部
３・・・エツチング部
４・・・第２現像部（フォトレジスト剥離部）５・・・
第２ボストベーク部
６・・・アンローダFIG. 1 is a schematic top view showing the configuration of a photoresist processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic side view showing the entire exposed area of FIG. 1, and FIG. FIG. 2 is a schematic top view showing the configuration of a photoresist processing apparatus according to a second embodiment of the invention. l...Sender 2...Coating section 3...Prebake section 4...Exposure section 5...First TL image section (photoresist patterning section) 6...Full surface exposure section (exposure section for peeling) ) 7... First boss baking section 8... Etching section 9... Second developing section (photoresist peeling section) 0...
Second post-bake section l.2, receiver 2...exposure machine 3...workpiece 4...bake plate 5...loader 6...applying section 7...pre-bake section 8... Buffer 9... Exposure section 0... First development section (photoresist patterning section) l... Whole surface exposure section (exposure section for peeling) 2... First boss bake section 3... Etching section 4. ...Second development section (photoresist peeling section) 5...
Second boss baking section 6...unloader
Claims (1)
流側に、上記ポジ型フォトレジストの剥離用露光部を設
けたことを特徴とするフォトレジスト処理装置。 ２、上記ポジ型フォトレジストの塗布部、露光部、現像
部、被加工物のエッチング部を備えたことを特徴とする
請求項１記載のフォトレジスト処理装置。[Scope of Claims] 1. A photoresist processing apparatus, characterized in that an exposure section for stripping the positive photoresist is provided downstream of a development section for patterning the positive photoresist. 2. The photoresist processing apparatus according to claim 1, further comprising a coating section, an exposing section, a developing section, and an etching section for etching the workpiece for the positive photoresist.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25524289A JPH03118546A (en) | 1989-10-02 | 1989-10-02 | Photoresist processor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25524289A JPH03118546A (en) | 1989-10-02 | 1989-10-02 | Photoresist processor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03118546A true JPH03118546A (en) | 1991-05-21 |
Family
ID=17276013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25524289A Pending JPH03118546A (en) | 1989-10-02 | 1989-10-02 | Photoresist processor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03118546A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0529127U (en) * | 1991-09-24 | 1993-04-16 | 凸版印刷株式会社 | Exposure system for positive resist stripping |
| KR101596731B1 (en) * | 2015-08-05 | 2016-02-23 | 투툼 주식회사 | Warning triangle including led having lighting function |
| JP2018520386A (en) * | 2015-07-15 | 2018-07-26 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント（グループ）カンパニー リミティド | Exposure apparatus and method |
| EP3449313A4 (en) * | 2016-05-03 | 2019-11-13 | MacDermid Printing Solutions, LLC | Method of making relief image printing elements |
-
1989
- 1989-10-02 JP JP25524289A patent/JPH03118546A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0529127U (en) * | 1991-09-24 | 1993-04-16 | 凸版印刷株式会社 | Exposure system for positive resist stripping |
| JP2018520386A (en) * | 2015-07-15 | 2018-07-26 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント（グループ）カンパニー リミティド | Exposure apparatus and method |
| KR101596731B1 (en) * | 2015-08-05 | 2016-02-23 | 투툼 주식회사 | Warning triangle including led having lighting function |
| EP3449313A4 (en) * | 2016-05-03 | 2019-11-13 | MacDermid Printing Solutions, LLC | Method of making relief image printing elements |
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