JPH03117832U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH03117832U JPH03117832U JP2751690U JP2751690U JPH03117832U JP H03117832 U JPH03117832 U JP H03117832U JP 2751690 U JP2751690 U JP 2751690U JP 2751690 U JP2751690 U JP 2751690U JP H03117832 U JPH03117832 U JP H03117832U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- branched
- directions
- utility
- scope
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Description
第１図はこの考案の一実施例によるＭＯＣＶＤ
装置の反応系を示す断面図、第２図は従来のＭＯ
ＣＶＤ装置を示す断面図である。 図において、１……石英反応管、２……ウエハ
サセプタ、３……ＣａＡｓ基板結晶、４……ＲＦ
コイル、５……原料ガスとキヤリアガスの混合ガ
ス、６……ガス導入口を示す。なお、図中、同一
符号は同一、又は相当部分を示す。
装置の反応系を示す断面図、第２図は従来のＭＯ
ＣＶＤ装置を示す断面図である。 図において、１……石英反応管、２……ウエハ
サセプタ、３……ＣａＡｓ基板結晶、４……ＲＦ
コイル、５……原料ガスとキヤリアガスの混合ガ
ス、６……ガス導入口を示す。なお、図中、同一
符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 有機金属ガスの熱分解反応を用いた気相成長装
置において、ガスの導入口を反応管内に設け、か
つ４方に分枝したことを特徴とする半導体結晶成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2751690U JPH03117832U (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2751690U JPH03117832U (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03117832U true JPH03117832U (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=31530362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2751690U Pending JPH03117832U (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03117832U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008106594A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-05-08 | Tachikawa Blind Mfg Co Ltd | 日射遮蔽装置のヘッドボックスカバー取付装置 |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP2751690U patent/JPH03117832U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008106594A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-05-08 | Tachikawa Blind Mfg Co Ltd | 日射遮蔽装置のヘッドボックスカバー取付装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03117832U (ja) | ||
| JPH0468519U (ja) | ||
| TW362244B (en) | Method for manufacturing epitaxial wafer | |
| CA2118356A1 (en) | Method for Preparation of Silicon Nitride Gallium Diffusion Barrier for Use in Molecular Beam Epitaxial Growth of Gallium Arsenide | |
| JPS6318618A (ja) | サセプタ−用カバ− | |
| JPS6311575U (ja) | ||
| JPS6265831U (ja) | ||
| JPH02146165U (ja) | ||
| JPH0320434U (ja) | ||
| JPS62126827U (ja) | ||
| JPH02106468U (ja) | ||
| JPS6454329U (ja) | ||
| JPH0367076U (ja) | ||
| JPH02132935U (ja) | ||
| JPS62180933U (ja) | ||
| JPH01149474U (ja) | ||
| JPS60185331U (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS6150760U (ja) | ||
| JPH0517878Y2 (ja) | ||
| JPH0246868U (ja) | ||
| JPH01148788A (ja) | 気相エピタキシャル成長装置 | |
| JPS58168575U (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JPS60146337U (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH03248415A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPS62182977U (ja) |