JPH0311579B2 - - Google Patents
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- JPH0311579B2 JPH0311579B2 JP57208131A JP20813182A JPH0311579B2 JP H0311579 B2 JPH0311579 B2 JP H0311579B2 JP 57208131 A JP57208131 A JP 57208131A JP 20813182 A JP20813182 A JP 20813182A JP H0311579 B2 JPH0311579 B2 JP H0311579B2
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
- H03K17/945—Proximity switches
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- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波発振形近接スイツチ用の半導体
装置の改良に関し、更に詳述すれば残り電圧の低
減を図り、また検出動作の安定化を図り、しかも
従来品に比して端子数を増すことなくこれらを実
現した集積回路を提案するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement of a semiconductor device for a high frequency oscillation type proximity switch, and more specifically, it aims to reduce the residual voltage, stabilize the detection operation, and moreover, improves the semiconductor device for a high frequency oscillation type proximity switch. We propose an integrated circuit that achieves these functions without increasing the number of terminals.
第1図は従来の近接スイツチの構成を示す回路
図であり、1点鎖線で囲繞した部分が近接スイツ
チ用集積回路(以下ICという)18を示し、こ
れに外付部品を接続して近接スイツチ17(2点
鎖線で囲繞)を構成している。被検物Mが検出コ
イルLに接近すると外付部品のスイツチトランジ
スタQ2がオンし、電源Vから負荷RLに給電され
ることになる。以下この回路につき説明する。 FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional proximity switch. The area surrounded by a dashed line shows a proximity switch integrated circuit (hereinafter referred to as IC) 18, to which external components are connected to operate the proximity switch. 17 (encircled by a two-dot chain line). When the test object M approaches the detection coil L, the switch transistor Q2 , which is an external component, is turned on, and power is supplied from the power supply V to the load RL. This circuit will be explained below.
IC18は発振回路11、検波回路12、電圧
比較回路13、出力回路14、初期リセツト回路
15及び電源回路16等からなつている。発振回
路11には検出コイルL及び同調コンデンサCの
並列回路と感度(動作距離)調整用の抵抗Rとの
直列回路が接続されており、被検物Mが不在であ
る場合又は検出範囲外にある場合は所定振幅で発
振しており、この出力が検波回路12に与えられ
る。検波回路12の出力端子には積分コンデンサ
C1が外付けされており、この端子が電圧比較回
路13の入力端子に接続されている。電圧比較回
路13入力は発振回路11出力の振幅に応じた電
圧となつているが、これが所定の比較基準値以上
となつている場合は電圧比較回路13出力は出力
回路14をオフさせ、それより低くなつた場合は
出力回路14をオンさせる構成としてある。 The IC 18 includes an oscillation circuit 11, a detection circuit 12, a voltage comparison circuit 13, an output circuit 14, an initial reset circuit 15, a power supply circuit 16, and the like. The oscillation circuit 11 is connected to a parallel circuit of a detection coil L and a tuning capacitor C, and a series circuit of a resistance R for adjusting sensitivity (operating distance). In some cases, it oscillates with a predetermined amplitude, and this output is given to the detection circuit 12. An integrating capacitor is connected to the output terminal of the detection circuit 12.
C1 is externally connected, and this terminal is connected to the input terminal of the voltage comparator circuit 13. The input voltage of the voltage comparison circuit 13 is a voltage corresponding to the amplitude of the output of the oscillation circuit 11, but if this voltage exceeds a predetermined comparison reference value, the output of the voltage comparison circuit 13 turns off the output circuit 14, and then When the voltage becomes low, the output circuit 14 is turned on.
而して被検物Mが検出コイルLの検出範囲に近
接すると、発振回路11の発振出力の振幅が減衰
し又は発振が停止し、これにより電圧比較回路1
3入力は低レベルとなり、出力回路14がオンす
る。逆に被検物Mが遠ざかると出力回路14がオ
フする。 When the test object M approaches the detection range of the detection coil L, the amplitude of the oscillation output of the oscillation circuit 11 is attenuated or the oscillation stops, and as a result, the voltage comparison circuit 1
The third input becomes a low level, and the output circuit 14 is turned on. Conversely, when the object M moves away, the output circuit 14 is turned off.
出力回路14は一端を端子Eを介して近接スイ
ツチ17の端子l-に接続してあり、このl-端子は
電源Vの負極に接続されている。出力回路14の
他端はIC18の出力端子OUTに接続されている。
IC18の内部回路に対して給電する電源回路1
6は電源端子VTを介して外部回路に連なつてい
る。電源Vの正極はスイツチ19及び負荷RLを
介して近接スイツチ17のもう一つの端子l+に連
なつている。端子l+,l-間には前記トランジスタ
Q2を含むスイツチ回路が接続され、またIC18
への給電のための回路が接続されている。即ち端
子l+にはPNPトランジスタQ2のエミツタが、ま
た端子l-には同じくコレクタが接続されており、
そのベースはPNPトランジスタQ1のエミツタに
接続されている。トランジスタQ1のコレクタは
端子VTに接続され、またベースは抵抗R1を介し
て端子OUTに連なつている。またトランジスタ
Q2のエミツタ−ベース間には抵抗R2を介装して
ある。そして端子l+と端子VTとの間には定電流
素子CDを介装してあり、また端子VT−E間に
は定電圧素子ZDを介装してある。 The output circuit 14 has one end connected to the terminal l - of the proximity switch 17 via the terminal E, and this l - terminal is connected to the negative pole of the power supply V. The other end of the output circuit 14 is connected to the output terminal OUT of the IC 18.
Power supply circuit 1 that supplies power to the internal circuit of IC18
6 is connected to an external circuit via a power supply terminal VT. The positive terminal of the power supply V is connected to another terminal l + of the proximity switch 17 via the switch 19 and the load RL. The transistor is connected between terminals l + and l -.
A switch circuit including Q 2 is connected, and IC18
A circuit for power supply is connected. That is, the emitter of the PNP transistor Q 2 is connected to the terminal l + , and the collector is also connected to the terminal l - .
Its base is connected to the emitter of PNP transistor Q1 . The collector of the transistor Q1 is connected to the terminal VT, and the base is connected to the terminal OUT via the resistor R1 . Also transistor
A resistor R2 is interposed between the emitter and base of Q2 . A constant current element CD is interposed between the terminal l + and the terminal VT, and a constant voltage element ZD is interposed between the terminals VT and E.
前述のように被検物Mが離隔している場合は出
力回路14がオフ、被検物Mが近接した場合は出
力回路14がオンするがこれに伴いスイツチ回路
もオフ、オンする。即ち出力回路14がオフであ
る場合はトランジスタQ1がオフしており、従つ
てトランジスタQ2もオフしている。これに対し
て出力回路14がオンするとトランジスタQ1の
ベースに電流が流れ、コレクタ、エミツタ間が導
通し、定電流素子CDをトランジスタQ2のベース
を介して短絡することになる。このためトランジ
スタQ2にはベース電流が流れ、またIC18の電
源端子VTへトランジスタQ1を介して駆動電流を
供給することができる。そしてトランジスタQ2
がオンしこれにより負荷RLに電流が流れて被検
物Mの近接が検出されることになる。 As described above, when the object M is far away, the output circuit 14 is turned off, and when the object M is close, the output circuit 14 is turned on, and the switch circuit is also turned off and on accordingly. That is, when the output circuit 14 is off, the transistor Q1 is off, and therefore the transistor Q2 is also off. On the other hand, when the output circuit 14 is turned on, a current flows to the base of the transistor Q1 , conducts between the collector and the emitter, and short-circuits the constant current element CD via the base of the transistor Q2 . Therefore, a base current flows through the transistor Q2 , and a drive current can be supplied to the power supply terminal VT of the IC 18 via the transistor Q1 . and transistor Q 2
is turned on, current flows through the load RL, and the proximity of the test object M is detected.
このような被検物検出状態におけるl-,l+間の
電圧、所謂残り電圧は定電圧素子ZDの定電圧と
トランジスタQ1のコレクタ・エミツタ飽和電圧
と、トランジスタQ2のベース・エミツタ電圧の
総和となるが、この残り電圧が小さく、電源Vと
の差が大きい程負荷RLの動作が確実、且つ安定
となる。 The voltage between l - and l + in such a test object detection state, the so-called residual voltage, is the constant voltage of constant voltage element ZD, the collector-emitter saturation voltage of transistor Q 1 , and the base-emitter voltage of transistor Q 2 . As a summation, the smaller the remaining voltage and the larger the difference from the power supply V, the more reliable and stable the operation of the load RL becomes.
一方、被検物Mが遠ざかり出力回路14がオフ
して、トランジスタQ1,Q2がオフすると負荷RL
には駆動電流が流れなくなる。このときIC18
の電源端子VTには定電圧素子ZDにて定まる電
圧が定電流素子CDを介して供給される。このよ
うな状態でのIC18での消費電流、つまり負荷
RLにも流れる洩れ電流が少くなるように定電流
素子CDが選択される。 On the other hand, when the test object M moves away and the output circuit 14 turns off, and the transistors Q 1 and Q 2 turn off, the load RL
No drive current flows through. At this time IC18
A voltage determined by a constant voltage element ZD is supplied to the power supply terminal VT of the power supply terminal VT via a constant current element CD. The current consumption of IC18 in this condition, that is, the load
Constant current element CD is selected so that the leakage current that also flows through RL is reduced.
次にIC18内部の初期リセツト回路15はそ
の時定数を決定するための初期リセツトコンデン
サC2を端子Iに接続してあり、このコンデンサ
C2を用いたタイマ回路を含んでいる。このタイ
マ回路はスイツチ19を閉路してIC18への給
電が開始されると計時を開始する。そして初期リ
セツト回路15はタイマ回路がその限時に達する
迄の間出力回路14の動作を禁止してオフ状態に
拘束する。そして限時に達するとこの拘束を解い
て被検物Mの近接、離隔に応じてオン,オフせし
める。スイツチ19の閉路直後においては発振回
路11の出力の振幅が小さく、少し遅れて正常な
振幅なる。このため、上述した如き動作をする初
期リセツト回路15が存在しない場合はスイツチ
19の閉路直後において被検物Mの近接時と同様
に出力回路14がオンして、誤出力する虞れがあ
る。初期リセツト回路15はこれを防止している
のである。 Next, the initial reset circuit 15 inside the IC 18 has an initial reset capacitor C2 connected to the terminal I for determining its time constant.
Contains a timer circuit using C2 . This timer circuit starts counting when the switch 19 is closed and power supply to the IC 18 is started. The initial reset circuit 15 inhibits the operation of the output circuit 14 and restricts it to the OFF state until the timer circuit reaches its limit. When the time limit is reached, this restriction is released and the switch is turned on or off in accordance with the proximity or separation of the object M. Immediately after the switch 19 is closed, the amplitude of the output of the oscillation circuit 11 is small, and returns to normal amplitude after a short delay. Therefore, if there is no initial reset circuit 15 that operates as described above, there is a risk that the output circuit 14 will be turned on immediately after the switch 19 is closed, similar to when the object M approaches, resulting in an erroneous output. The initial reset circuit 15 prevents this.
さてこのような従来の回路にあつては定電圧素
子ZDとして、その定格電圧値がIC18の最低動
作電圧より少し高めのものを選択する必要があ
る。従つてIC18の最低動作電圧が例えば4.75V
である場合、残り電圧を5〜6V以下にすること
は困難である。 Now, in such a conventional circuit, it is necessary to select a constant voltage element ZD whose rated voltage value is slightly higher than the minimum operating voltage of the IC 18. Therefore, the minimum operating voltage of IC18 is, for example, 4.75V.
In this case, it is difficult to reduce the remaining voltage to 5 to 6 V or less.
本発明は斯かる従来回路の問題に鑑みてなされ
たものであつて、負荷の安定確実な動作を行わせ
るべく残り電圧を小さくし、しかも従来のものと
同数のピン数におさめた近接スイツチ用の半導体
装置を提供することを目的とする。 The present invention was made in view of the problems of the conventional circuit, and is designed to reduce the residual voltage to ensure stable and reliable operation of the load, and to reduce the remaining voltage to the same number of pins as the conventional circuit. The purpose of the present invention is to provide a semiconductor device.
本発明の近接スイツチ用半導体装置は、検出コ
イル及び同調コイルの並列回路が外付部品として
接続される発振回路、該発振回路の出力を検波す
る検波回路、該検波回路の出力と所定値とを比較
する電圧比較回路、該電圧比較回路の比較結果出
力によつてその出力を変じる出力回路、初期リセ
ツトコンデンサが外付け接続され、初期リセツト
時には該初期リセツトコンデンサの容量で定まる
時間だけ前記出力回路をオフする初期リセツト回
路、並びに外付けされる直流電源の一極と同じく
外付けされる負荷を介して連なり、内部回路駆動
用の電圧を出力する電源回路を備え、前記直流電
源の他極と負荷との間に介装された第1トランジ
スタ、及び該第1トランジスタのオン・オフ制御
のために該第1トランジスタと定電圧回路との間
に介装され、前記出力回路の出力でオン・オフ制
御される第2トランジスタを備えるスイツチ回路
を接続すべくなしてある近接スイツチ用半導体装
置において、前記定電圧回路を内蔵し、該定電圧
回路の出力が接続されており、前記初期リセツト
コンデンサ及び第2トランジスタの一端子を接続
すべき共通の端子と、前記電源回路の前記電圧の
出力端子と前記共通の端子との間に接続した逆流
防止ダイオードとを具備することを特徴とする。 The semiconductor device for a proximity switch of the present invention includes an oscillation circuit to which a parallel circuit of a detection coil and a tuning coil is connected as external components, a detection circuit that detects the output of the oscillation circuit, and a detection circuit that detects the output of the detection circuit and a predetermined value. A voltage comparison circuit to be compared, an output circuit that changes its output according to the comparison result output of the voltage comparison circuit, and an initial reset capacitor are externally connected, and at the time of initial reset, the output circuit is closed for a time determined by the capacity of the initial reset capacitor. an initial reset circuit that turns off the power supply, and a power supply circuit connected to one pole of the external DC power supply via the same external load and outputting a voltage for driving the internal circuit; A first transistor is interposed between the load and the first transistor, and the first transistor is interposed between the first transistor and a constant voltage circuit for on/off control of the first transistor, and the first transistor is interposed between the first transistor and a constant voltage circuit, and is turned on and off by the output of the output circuit. A semiconductor device for a proximity switch is configured to connect a switch circuit including a second transistor that is turned off, and includes the constant voltage circuit, the output of the constant voltage circuit is connected, and the initial reset capacitor and It is characterized by comprising a common terminal to which one terminal of the second transistor is connected, and a backflow prevention diode connected between the voltage output terminal of the power supply circuit and the common terminal.
またこれらに加えて前記電源回路の出力端子及
び前記共通の端子に連なり、電源回路の出力電圧
が所定値以下になつた場合に初期リセツトコンデ
ンサの充電電荷を放電せしめる放電回路を設けて
いることを特徴とする。 In addition to these, a discharge circuit is provided which is connected to the output terminal of the power supply circuit and the common terminal and which discharges the charge of the initial reset capacitor when the output voltage of the power supply circuit becomes less than a predetermined value. Features.
以下本発明をその実施例を示す図面に基いて詳
述する。 The present invention will be described in detail below based on drawings showing embodiments thereof.
第2図は本発明に係る近接スイツチ用ICを含
む近接スイツチの構成を示す回路図である。 FIG. 2 is a circuit diagram showing the structure of a proximity switch including a proximity switch IC according to the present invention.
近接スイツチ用IC28の端子数は第1図の従
来のIC18と同一であつて、発振回路21には
検出コイルL及び同調コンデンサCを接続するた
めの端子及び感度調整用抵抗Rを接続するための
端子が連なつている。また検波回路22には積分
コンデンサC1を接続するための端子が連なつて
いる。出力回路24にはIC28の出力端子OUT
が連なつており、初期リセツト回路25には初期
リセツトコンデンサC2を接続するための端子I
が連なつており、電源回路26には電源端子VT
が連なつている。そして上述の内部回路の接地側
ラインは接地端子Eに連なつている。電源回路2
6の構成は従来の電源回路16と同様であつて内
部回路に対して所要の電圧を供給するように構成
されている。発振回路21、検波回路22、電圧
比較回路23及び出力回路24の構造も第1図に
示した従来装置同様であつて被検物Mが検出コイ
ルLに近接、離隔するのに応じて発振回路21の
出力の振幅が減少、増大し、出力回路24がオ
ン,オフするようになつている。 The number of terminals of the proximity switch IC 28 is the same as that of the conventional IC 18 shown in FIG. The terminals are connected. Further, the detection circuit 22 is connected to a terminal for connecting an integrating capacitor C1 . The output circuit 24 has the output terminal OUT of IC28.
are connected, and the initial reset circuit 25 has a terminal I for connecting the initial reset capacitor C2 .
are connected, and the power supply circuit 26 has a power terminal VT.
are connected. The ground side line of the internal circuit described above is connected to the ground terminal E. Power circuit 2
The configuration of power supply circuit 6 is similar to the conventional power supply circuit 16, and is configured to supply a required voltage to the internal circuit. The structures of the oscillation circuit 21, the detection circuit 22, the voltage comparison circuit 23, and the output circuit 24 are similar to the conventional device shown in FIG. The amplitude of the output of 21 decreases and increases, and the output circuit 24 is turned on and off.
而してこのIC28には定電圧発生回路30が
設けられており、正側ラインは端子Iに連ならせ
ると共に逆流防止用のダイオードDのアノードに
接続してある。ダイオードDのカソードは電源回
路26の出力端子に接続してある。 This IC 28 is provided with a constant voltage generating circuit 30, the positive side line of which is connected to the terminal I and to the anode of a diode D for preventing backflow. The cathode of diode D is connected to the output terminal of power supply circuit 26.
初期リセツト回路25も第1図の初期リセツト
回路15と同様に構成され、スイツチ19閉路直
後において出力回路24をオフしておくように動
作するが端子Iに連なるラインには放電回路29
が接続されている。この放電回路29は電源回路
6出力を監視してこれが所定値以下になつた場合
は端子Iに連なるリセツトコンデンサC2の充電
電荷を放電させるようになつている。 The initial reset circuit 25 is constructed similarly to the initial reset circuit 15 shown in FIG. 1, and operates to turn off the output circuit 24 immediately after the switch 19 is closed.
is connected. This discharge circuit 29 monitors the output of the power supply circuit 6, and when the output falls below a predetermined value, discharges the charge in the reset capacitor C2 connected to the terminal I.
電源Vの負極側端子は近接スイツチ27の端子
l-又は近接スイツチ27の接地ラインに接続され
ている。スイツチ回路を構成するトランジスタ
Q1,Q2のうちトランジスタ(前記第1トランジ
スタに担当)Q2は第1図のものと同様にエミツ
タ、コレクタが夫々端子l+,l-に接続されてお
り、端子l+とIC28の電源端子VTとの直結ライ
ン、即ちトランジスタQ2のエミツタとベースと
の間には抵抗R2が介装されている。トランジス
タQ2のベースはトランジスタQ1のエミツタに接
続してあり、トランジスタQ1(前記第2トランジ
スタに担当)のコレクタは端子Iに接続してあ
る。そしてトランジスタQ1のベースは抵抗R1を
介して出力端子OUTに接続してある。そして端
子l+,l-間には負荷RL、スイツチ19及び電源
Vの直列回路が接続されている。 The negative terminal of the power supply V is the terminal of the proximity switch 27
l - or connected to the ground line of the proximity switch 27. Transistors that make up the switch circuit
Of Q 1 and Q 2 , the transistor Q 2 (which is responsible for the first transistor) has its emitter and collector connected to the terminals l + and l - , respectively, as in the case of the one in FIG. A resistor R2 is interposed between the direct connection line to the power supply terminal VT, that is, the emitter and base of the transistor Q2 . The base of the transistor Q2 is connected to the emitter of the transistor Q1 , and the collector of the transistor Q1 (responsible for the second transistor) is connected to the terminal I. The base of the transistor Q1 is connected to the output terminal OUT via a resistor R1 . A series circuit including a load RL, a switch 19, and a power supply V is connected between the terminals l + and l - .
このような外部回路について第1図の回路と比
較すると定電流素子CDが用いられておらず、ま
たトランジスタQ1のコレクタが端子Iに接続さ
れており、これを介してIC28内部の定電圧発
生回路に連なつている点が相違していることが解
る。 Comparing this type of external circuit with the circuit shown in Figure 1, the constant current element CD is not used, and the collector of transistor Q1 is connected to terminal I, through which constant voltage generation inside the IC28 occurs. It can be seen that the difference is that they are connected to the circuit.
次に上述の如き本発明装置の回路動作を説明す
る。 Next, the circuit operation of the device of the present invention as described above will be explained.
スイツチ19が閉路されると負荷RLを介して
電源端子VTに電流が供給される。これにより電
源回路26に給電され、その出力端子から内部回
路駆動のための電圧が発せられる。 When switch 19 is closed, current is supplied to power supply terminal VT via load RL. This supplies power to the power supply circuit 26, and a voltage for driving the internal circuit is generated from its output terminal.
初期リセツト回路25は初期リセツトコンデン
サC2の充電を開始し、その限時までは出力回路
24をオフする。電源回路26出力は逆流防止用
のダイオードDを介して端子Iに連なつているの
でコンデンサC2は初期リセツト回路25からの
み充電される。また放電回路9には電源回路26
が出力する電圧が与えられているのでコンデンサ
C2の放電を行わせることがなく、要するに初期
リセツト回路25はダイオードD、放電回路9の
存在に拘らず、電源V投入時の誤出力を防止する
ように働く。初期リセツト回路25の働きにより
出力回路24がオフしている間においてはトラン
ジスタQ1,Q2がオフしていることは勿論であり、
負荷RLにはIC28にて消費される洩れ電流のみ
が流れる。 The initial reset circuit 25 starts charging the initial reset capacitor C2 and turns off the output circuit 24 until that time limit. Since the output of the power supply circuit 26 is connected to the terminal I via the reverse current prevention diode D, the capacitor C2 is charged only from the initial reset circuit 25. The discharge circuit 9 also includes a power supply circuit 26.
Since the output voltage is given, the capacitor
C2 is not discharged, and in short, the initial reset circuit 25 works to prevent erroneous output when the power supply V is turned on, regardless of the presence of the diode D and the discharge circuit 9. Of course, while the output circuit 24 is off due to the function of the initial reset circuit 25, the transistors Q 1 and Q 2 are off.
Only the leakage current consumed by IC28 flows through the load RL.
次に被検物Mが検出コイルLから離隔している
場合は発振回路21の発振出力の振幅が大きく、
このために出力回路24はオフしている。 Next, when the object M is separated from the detection coil L, the amplitude of the oscillation output of the oscillation circuit 21 is large;
For this reason, the output circuit 24 is turned off.
さて被検物Mが検出コイルLに近接すると発振
回路21出力の振幅が減衰し又は発振が停止して
出力回路24がオンする。これによつてトランジ
スタQ1には抵抗R1を介してそのベースに電流が
流れ、そのコレクタ,エミツタ間が導通し、これ
に伴いトランジスタQ2がオンして負荷RLに駆動
電流が流れて被検物Mを検出した状態としての動
作をする。このときIC28に対しては負荷RL→
トランジスタQ2のエミツタ、ベース→トランジ
スタQ1のエミツタ、コレクタ→端子Iのルート
で電流が流れる。この端子Iへ流入した電流は定
電圧発生回路30にて定電圧を発生せしめること
となるが、この定電圧はダイオードDを介して内
部回路へ印加し得る状態となる。従つて近接スイ
ツチ27の端子l+,l-間の残り電圧は定電圧発生
回路30の定電圧値とトランジスタQ1のコレク
タ・エミツタ飽和電圧とトランジスタQ2のエミ
ツタ・ベース電圧との和となり、IC28の内部
電圧を低くしておくことによりこの残り電圧を低
くできる。 Now, when the object M approaches the detection coil L, the amplitude of the output of the oscillation circuit 21 is attenuated or oscillation is stopped, and the output circuit 24 is turned on. As a result, current flows to the base of transistor Q 1 via resistor R 1 and conduction occurs between its collector and emitter, which turns on transistor Q 2 and causes a drive current to flow to load RL. It operates as if the specimen M had been detected. At this time, the load RL→
Current flows through the route from the emitter and base of transistor Q 2 to the emitter and collector of transistor Q 1 to terminal I. The current flowing into the terminal I causes the constant voltage generating circuit 30 to generate a constant voltage, and this constant voltage can be applied to the internal circuit via the diode D. Therefore, the remaining voltage between the terminals l + and l - of the proximity switch 27 is the sum of the constant voltage value of the constant voltage generating circuit 30, the collector-emitter saturation voltage of the transistor Q 1 , and the emitter-base voltage of the transistor Q 2 , By keeping the internal voltage of the IC 28 low, this remaining voltage can be lowered.
なお電源端子VTの電圧が電源回路6の最低動
作電圧よりも低くなつた場合にも端子I、つまり
定電圧発生回路30側から内部回路への給電が可
能である。この場合において定電圧発生回路30
の出力電圧を正常時の電源回路26出力電圧より
もダイオードDの順方向電圧分だけ高目に設定し
ておく場合は、内部回路の動作安定上好ましい。 Note that even if the voltage at the power supply terminal VT becomes lower than the minimum operating voltage of the power supply circuit 6, power can be supplied to the internal circuit from the terminal I, that is, from the constant voltage generation circuit 30 side. In this case, the constant voltage generation circuit 30
It is preferable to set the output voltage of the power supply circuit 26 higher than the normal output voltage of the power supply circuit 26 by the forward voltage of the diode D in order to stabilize the operation of the internal circuit.
放電回路29はスイツチ19の開路時にコンデ
ンサC2の充電電荷を放電させる。即ちスイツチ
19開路により電源回路26の出力端子の電圧が
低下するとこれを検知しもコンデンサC2の電荷
を放電させるのである。従つてスイツチ19のオ
フを反復してもコンデンサC2の充電は残留電荷
零の状態から開始されるので出力回路24を拘束
する時間又は初期リセツト回路25のタイマ回路
の限時が安定化し、電源投入時の誤動作は確実に
回避される。 The discharge circuit 29 discharges the charge in the capacitor C2 when the switch 19 is opened. That is, when the voltage at the output terminal of the power supply circuit 26 decreases due to the switch 19 being opened, even if this is detected, the charge in the capacitor C2 is discharged. Therefore, even if the switch 19 is repeatedly turned off, charging of the capacitor C2 starts from a state where the residual charge is zero, so that the time for restraining the output circuit 24 or the time limit of the timer circuit of the initial reset circuit 25 is stabilized, and the time when the power is turned on is stabilized. Malfunctions at times are reliably avoided.
第3図は本発明装置要部の具体的構成の一例を
示す回路図である。出力回路24は初期リセツト
回路25からの信号を受けて動作する電流ミラー
回路を構成するトランジスタ115,116と、
電圧比較回路23からの信号を受けてスイツチン
グ動作をするトランジスタ117,118とから
なつている。電流ミラー回路のトランジスタ11
6から電流が供給されていない状態においては、
電圧比較回路23からの信号の如何に拘らずトラ
ンジスタ118はオフしている。これに対してト
ランジスタ116から電流が供給されると電圧比
較回路23からの信号に応じてトランジスタ11
8がオン,オフする。即ち発振回路21の出力の
振幅が大であつて電圧比較回路23の出力がハイ
レベルである場合はトランジスタ117がオンし
てトランジスタ118がオフするのに対し、発振
回路出力の振幅が小(被検物M近接)となつて電
圧比較回路23の出力がローレベルとなつた場合
はトランジスタ117がオフして、トランジスタ
118がオンすることになる。 FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a specific configuration of the essential parts of the device of the present invention. The output circuit 24 includes transistors 115 and 116 that constitute a current mirror circuit that operates in response to a signal from the initial reset circuit 25;
It consists of transistors 117 and 118 that perform a switching operation in response to a signal from the voltage comparison circuit 23. Transistor 11 of current mirror circuit
When no current is supplied from 6,
Transistor 118 is off regardless of the signal from voltage comparison circuit 23. On the other hand, when current is supplied from the transistor 116, the transistor 111 responds to the signal from the voltage comparison circuit 23.
8 turns on and off. That is, when the amplitude of the output of the oscillation circuit 21 is large and the output of the voltage comparison circuit 23 is at a high level, the transistor 117 is turned on and the transistor 118 is turned off. When the output of the voltage comparator circuit 23 becomes low level (near the specimen M), the transistor 117 is turned off and the transistor 118 is turned on.
初期リセツト回路25はトランジスタ109,
110よりなる電流ミラー回路と、その電流値を
決定する低抗121と、ミラー電流を初期リセツ
トコンデンサC2へ与えるライン中に介装した抵
抗122と、コンデンサC2の充電電圧を検出し
て出力回路24の電流ミラー回路へ電流を供給す
る充電電流検出回路部分とからなる。 The initial reset circuit 25 includes a transistor 109,
110, a low resistor 121 that determines the current value, a resistor 122 inserted in the line that supplies the mirror current to the initial reset capacitor C2 , and a charging voltage of the capacitor C2 that is detected and output. and a charging current detection circuit portion that supplies current to the current mirror circuit of the circuit 24.
充電電流検出回路部分はダイオード103,1
04と、電流ミラー回路を構成するトランジスタ
111,112と、トランジスタ112と出力回
路24との間に介装した抵抗123とからなり、
初期リセツトコンデンサC2の充電電圧がダイオ
ード103,104とトランジスタ111,11
2にて決定されるしきい値にまで達するとトラン
ジスタ110のコレクタからの電流はトランジス
タ111,112の電流ミラー回路のミラー電流
となり、トランジスタ112のコレクタからその
ミラー電流を生じ、これによつて出力回路24の
出力禁止を解除することになる。 The charging current detection circuit part is a diode 103,1
04, transistors 111 and 112 forming a current mirror circuit, and a resistor 123 interposed between the transistor 112 and the output circuit 24,
The charging voltage of the initial reset capacitor C2 is connected to the diodes 103 and 104 and the transistors 111 and 11.
2, the current from the collector of transistor 110 becomes a mirror current of the current mirror circuit of transistors 111 and 112, and the mirror current is generated from the collector of transistor 112, thereby causing an output. The inhibition of the output of the circuit 24 is canceled.
つまりスイツチ19投入後、コンデンサC2の
電圧が前記しきい値以下である間はトランジスタ
111,112のミラー電流が発生せず、トラン
ジスタ116をオフしたままとして、トランジス
タ118をオフの状態に拘束しておくのである。 In other words, after the switch 19 is turned on, while the voltage of the capacitor C 2 is below the threshold value, no mirror current is generated in the transistors 111 and 112, and the transistor 116 is kept off and the transistor 118 is kept off. I'll keep it.
初期リセツトコンデンサ放電回路29は回路電
圧検出用のダイオード101,102及び抵抗1
19と、放電回路となるトランジスタ108及び
放電抵抗120とからなつている。ダイオード1
01,102は直列接続されアノード側は電源回
路26出力端子に接続され、カソード側は抵抗1
19を介して接地側ラインに連なつている。この
カソード側と抵抗119との接続点にトランジス
タ108のベースが接続されており、そのコレク
タは接地側ラインに、またエミツタは抵抗120
を介して端子Iに連なつている。トランジスタ1
08のベースは内部回路駆動用の電圧、つまり電
源回路26出力よりもダイオード101,102
の順方向電圧降下分だけ低くなつており、トラン
ジスタ108のエミツタはそれよりもベース・エ
ミツタ電圧分だけ高くなつている。いまダイオー
ド1個分の順方向電圧とベース・エミツタ電圧と
が等しいと仮定すると、トランジスタ108のエ
ミツタ電圧は内部回路駆動用電圧よりもダイオー
ド1個分の順方向電圧降下分だけ低くなつてい
る。従つて正常時はトランジスタ108はオンし
ているが、スイツチ19の開路等によつて電源回
路26出力がダイオード1個の順方向電圧降下分
よりも以上に低下すると低下分に見合うエミツ
タ・コレクタ電流が流れることになつて抵抗12
0を介してのコンデンサC2の放電が行われるこ
とになる。 The initial reset capacitor discharge circuit 29 includes diodes 101 and 102 and a resistor 1 for circuit voltage detection.
19, a transistor 108 serving as a discharge circuit, and a discharge resistor 120. diode 1
01 and 102 are connected in series, the anode side is connected to the output terminal of the power supply circuit 26, and the cathode side is connected to the resistor 1.
It is connected to the ground side line via 19. The base of the transistor 108 is connected to the connection point between this cathode side and the resistor 119, its collector is connected to the ground side line, and the emitter is connected to the resistor 129.
It is connected to terminal I via. transistor 1
The base of 08 is the voltage for driving the internal circuit, that is, the voltage of the diodes 101 and 102 is higher than the output of the power supply circuit 26.
The emitter of transistor 108 is higher than the forward voltage drop by the base-emitter voltage. Assuming that the forward voltage of one diode is equal to the base-emitter voltage, the emitter voltage of transistor 108 is lower than the internal circuit driving voltage by the forward voltage drop of one diode. Therefore, under normal conditions, the transistor 108 is on, but if the output of the power supply circuit 26 decreases by more than the forward voltage drop of one diode due to an open circuit of the switch 19, etc., the emitter-collector current increases to match the drop. is flowing and resistance 12
The discharge of capacitor C 2 through 0 will take place.
定電圧発生回路30は直列接続したダイオード
105,106,107と、このダイオード群の
カソード側と接地ラインとの間に介装した抵抗1
24と、これらの接続点にそのベースを接続した
トランジスタ113と、これとダーリントン接続
してあるトランジスタ114とからなり、トラン
ジスタ114のコレクタはダイオード群のアノー
ド側に、またエミツタは接地ラインに接続してあ
る。ダイオード群のアノードは端子Iに接続さ
れ、また逆流防止用のダイオードDを介して電源
回路26の出力に連なつている。外部回路から端
子Iに電流が与えられるとダイオード105,1
06,107の順方向電圧降下の和と、トランジ
スタ113,114のベース・エミツタ電圧の和
との総和に等しい定電圧値が得られる定電圧回路
となる。このIC28におけるダイオード1個分
の順方向電圧降下と、トランジスタ1個分のベー
ス・エミツタ電圧とが等しくこれをVDとすると、
この回路の定電圧値は5VDとなる。そして電源回
路26の出力電圧は4VD相当に設定しておく。 The constant voltage generating circuit 30 includes diodes 105, 106, and 107 connected in series, and a resistor 1 interposed between the cathode side of this group of diodes and the ground line.
24, a transistor 113 whose base is connected to the connection point of these, and a transistor 114 which is connected to this by Darlington, the collector of the transistor 114 is connected to the anode side of the diode group, and the emitter is connected to the ground line. There is. The anode of the diode group is connected to the terminal I, and is also connected to the output of the power supply circuit 26 via a diode D for preventing backflow. When a current is applied to terminal I from an external circuit, diode 105,1
This becomes a constant voltage circuit that can obtain a constant voltage value equal to the sum of the forward voltage drops of transistors 06 and 107 and the base-emitter voltage of transistors 113 and 114. If the forward voltage drop of one diode in this IC28 is equal to the base-emitter voltage of one transistor, let this be V D.
The constant voltage value of this circuit is 5V D. The output voltage of the power supply circuit 26 is set to be equivalent to 4V D.
スイツチ19は閉路されて電源回路26に電圧
が端子VTを介して与えられると、その出力は上
記4VDとなる。このとき放電回路29のトランジ
スタ108のベースはダイオード2個の順方向電
圧降下分だけ低く、エミツタはそれよりもダイオ
ード1個分以上高い電圧が加わつたときエミツタ
に電流が流れる。つまりトランジスタ108のエ
ミツタが〔4VD−2VD+VD〕以上になつたときに
そのエミツタに電流が流れる。しかしながら後述
するように初期リセツト回路25のタイマ回路の
限時に達する迄の間にはトランジスタ108のエ
ミツタ電位は3VD以上にならないのでこれに電流
が流れることはない。 When the switch 19 is closed and voltage is applied to the power supply circuit 26 via the terminal VT, its output becomes the above-mentioned 4V D. At this time, the base of the transistor 108 of the discharge circuit 29 is lower by the forward voltage drop of two diodes, and when a voltage higher than that by one diode is applied to the emitter, a current flows to the emitter. In other words, when the emitter of the transistor 108 exceeds [4V D -2V D +V D ], a current flows through the emitter. However, as will be described later, until the timer circuit of the initial reset circuit 25 reaches its expiration date, the emitter potential of the transistor 108 does not exceed 3V D , so no current flows therein.
同様に定電圧発生回路30も端子Iの端子電圧
が5VD以上にならないのでこれに回路電流が流れ
ることもなく、また逆流防止用ダイオードDのカ
ソードよりもアノードの方が電圧が低いのでこれ
にも電流は流れない。 Similarly, in the constant voltage generating circuit 30, since the terminal voltage of the terminal I does not exceed 5V D , no circuit current flows therein, and since the voltage at the anode is lower than the cathode of the backflow prevention diode D, No current flows either.
さて初期リセツト回路25はスイツチ19の閉
路によりミラー電流が流れてコンデンサC2を充
電する。この充電電圧は前記充電電流検出回路部
分に与えられることになり、ダイオード2個分の
順方向電圧降下とトランジスタ112のベース・
エミツタ電圧の和3VDがしきい値となる。コンデ
ンサC2の充電電圧が3VD以下である間は前述した
如く出力回路24又はトランジスタ118はオフ
となつている。 Now, in the initial reset circuit 25, when the switch 19 is closed, a mirror current flows and charges the capacitor C2 . This charging voltage will be applied to the charging current detection circuit section, resulting in a forward voltage drop of two diodes and a base voltage drop of the transistor 112.
The sum of the emitter voltages, 3V D , is the threshold. As long as the charging voltage of the capacitor C2 is below 3V D , the output circuit 24 or the transistor 118 is off as described above.
コンデンサC2の充電電圧が3VD以上になると通
常の検出動作が可能となり、被検物Mが近接する
と発振回路出力の振幅が小となり、又は発振が停
止して出力回路24がオンし、トランジスタQ1,
Q2がオンし、負荷に駆動電流が供給される。一
方端子Iに電流が流入する。そうすると定電圧発
生回路30からは5VD分の電圧が発生し、電源回
路26からは内部回路へ電圧が供給されなくな
る。そこで逆流防止用ダイオードDを介して内部
回路に電圧が供給されることになるが、このダイ
オードDの順方向電圧をVDとする場合は定電圧
発生回路30から内部回路へ供給される電圧も
4VDとなり、内部回路動作が安定する。 When the charging voltage of the capacitor C2 becomes 3V D or more, normal detection operation becomes possible, and when the object M approaches, the amplitude of the oscillation circuit output becomes small, or oscillation stops and the output circuit 24 turns on, and the transistor Q1 ,
Q 2 turns on and drive current is supplied to the load. On the other hand, current flows into terminal I. Then, the constant voltage generation circuit 30 generates a voltage of 5V D , and the power supply circuit 26 no longer supplies voltage to the internal circuits. Therefore, voltage is supplied to the internal circuit through the reverse current prevention diode D, but if the forward voltage of this diode D is set to V D , the voltage supplied from the constant voltage generation circuit 30 to the internal circuit is also
The voltage becomes 4V D , and the internal circuit operation becomes stable.
このような被検物検出時には放電回路29のト
ランジスタ108のエミツタは3VDになつてお
り、このエミツタと端子Iとの間の抵抗120に
は2VDの電圧が加わつている状態になるが、この
抵抗120の抵抗値を数十kΩに選定してこれを
流れる電流を数十μAに抑制してトランジスタ1
08のエミツタに過大な電流が流れないようにす
るものである。 At the time of detecting such a test object, the emitter of the transistor 108 of the discharge circuit 29 is at 3V D , and a voltage of 2V D is applied to the resistor 120 between this emitter and the terminal I. The resistance value of this resistor 120 is selected to be several tens of kΩ, and the current flowing through it is suppressed to several tens of μA.
This is to prevent excessive current from flowing to the emitter of 08.
初期リセツト回路25についてみると端子I側
の電圧5VDとしきい値3VDとの差2VDが抵抗12
2に加わることになるが、これについても数十k
Ωに選定して抵抗122を流れる電流を数十μA
に抑制する。この電流はミラー電流としてトラン
ジスタ112のコレクタを流れる電流を規定する
が、抵抗123の値を適当に選定することによつ
て内部の消費電流を抑制できる。 Regarding the initial reset circuit 25, the difference of 2V D between the voltage 5V D on the terminal I side and the threshold value 3V D is the resistance 12.
It will be added to 2, but it will also cost several tens of k.
Ω, and the current flowing through the resistor 122 is several tens of μA.
to be suppressed. This current defines the current flowing through the collector of the transistor 112 as a mirror current, but by appropriately selecting the value of the resistor 123, the internal current consumption can be suppressed.
なおコンデンサC2への充電電流はトランジス
タ110のコレクタから抵抗122を介して流れ
るが、タイマ回路の限時を長くとる都合上、充電
電流を10〜20μAに設定する場合が多く、前述の
ようにその抵抗値を定める場合はその電圧降下は
0.1〜0.3V程度であり、タイマ動作上何らの影響
もない。 Note that the charging current to the capacitor C2 flows from the collector of the transistor 110 through the resistor 122, but in order to increase the time limit of the timer circuit, the charging current is often set to 10 to 20 μA, and as described above, the charging current is set to 10 to 20 μA. When determining the resistance value, the voltage drop is
It is about 0.1 to 0.3V and has no effect on timer operation.
次に被検物Mが離隔した状態についてみると電
源回路6へは端子VTから電圧が供給され、トラ
ンジスタQ1からは電流が供給されなくなるが、
初期リセツト回路25の電流ミラー回路のトラン
ジスタ110のコレクタからコンデンサC2とト
ランジスタ111,112の電流ミラー回路とへ
電流が流れ、この電流ミラー回路のトランジスタ
112のコレクタから流れるミラー電流により出
力回路24はオン,オフ可能な状態に保持され
る。 Next, when the test object M is separated, voltage is supplied to the power supply circuit 6 from the terminal VT, and current is no longer supplied from the transistor Q1 .
A current flows from the collector of the transistor 110 of the current mirror circuit of the initial reset circuit 25 to the capacitor C 2 and the current mirror circuit of the transistors 111 and 112, and the output circuit 24 is caused by the mirror current flowing from the collector of the transistor 112 of the current mirror circuit. It is maintained in a state where it can be turned on and off.
以上のようにして検出動作を行わせている間に
あつてスイツチ19を開路すると放電回路9のト
ランジスタ108がオンしてコンデンサC2の充
電電荷が放電されるが、抵抗120の抵抗値を前
述の如く数十kΩに選定しておいたとしても放電
電流は十分大きくなり、放電は速やかに行われ
る。 While the detection operation is being performed as described above, when the switch 19 is opened, the transistor 108 of the discharge circuit 9 is turned on and the charge in the capacitor C2 is discharged. Even if the resistance is set to several tens of kilohms, the discharge current will be sufficiently large and the discharge will occur quickly.
以上詳述したように本発明に係る近接スイツチ
用半導体装置による場合は近接スイツチ27の端
子l+,l-間の残り電圧を定電圧発生回路の5VD分
とトランジスタQ1のエミツタ・コレクタ飽和電
圧と、トランジスタQ2のベース・エミツタ間電
圧の和の約4Vと極めて低くなし得、負荷の安定
確実な動作を行わしめる上で極めて効果的であ
る。またこのような残り電圧の低減を端子数を増
すことなく実現したので従来品に比して大型化す
ることもない。 As described in detail above, in the case of the semiconductor device for a proximity switch according to the present invention, the remaining voltage between the terminals l + and l - of the proximity switch 27 is divided into the 5V D of the constant voltage generation circuit and the emitter-collector saturation of the transistor Q1. The sum of the voltage and the base-emitter voltage of transistor Q2 is approximately 4V, which is extremely low, and is extremely effective in ensuring stable and reliable operation of the load. Furthermore, since this reduction in residual voltage was achieved without increasing the number of terminals, there is no need to increase the size of the product compared to conventional products.
更に、初期リセツトコンデンサ放電回路を設け
る場合にはスイツチ開路又は電源断とする都度速
やかに初期リセツトコンデンサの放電が行われる
ので次にスイツチ閉路又は電源入とした直後の出
力回路オフ期間が安定化し、誤出力は皆無とな
る。 Furthermore, when an initial reset capacitor discharge circuit is provided, the initial reset capacitor is immediately discharged each time the switch is opened or the power is turned off, so the output circuit off period immediately after the switch is closed or the power is turned on is stabilized. There will be no erroneous output.
第1図は従来装置の略示回路図、第2図は本発
明装置の略示回路図、第3図は本発明装置の要部
の回路図である。
21…発振回路、24…出力回路、25…初期
リセツト回路、26…電源回路、29…放電回
路、30…定電圧発生回路、D…逆流防止用ダイ
オード、V…電源、RL…負荷、Q1,Q2…トラン
ジスタ。
FIG. 1 is a schematic circuit diagram of a conventional device, FIG. 2 is a schematic circuit diagram of the device of the present invention, and FIG. 3 is a circuit diagram of essential parts of the device of the present invention. 21... Oscillation circuit, 24... Output circuit, 25... Initial reset circuit, 26... Power supply circuit, 29... Discharge circuit, 30... Constant voltage generation circuit, D... Backflow prevention diode, V... Power supply, RL... Load, Q 1 , Q 2 ...transistor.
Claims (1)
部品として接続される発振回路、 該発振回路の出力を検波する検波回路、 該検波回路の出力と所定値とを比較する電圧比
較回路、 該電圧比較回路の比較結果出力によつてその出
力を変じる出力回路、 初期リセツトコンデンサが外付け接続され、初
期リセツト時には該初期リセツトコンデンサの容
量で定まる時間だけ前記出力回路をオフする初期
リセツト回路、並びに 外付けされる直流電源の一極と同じく外付けさ
れる負荷を介して連なり、内部回路駆動用の電圧
を出力する電源回路 を備え、前記直流電源の他極と負荷との間に介装
された第1トランジスタ、及び該第1トランジス
タのオン・オフ制御のために該第1トランジスタ
と定電圧回路との間に介装され、前記出力回路の
出力でオン・オフ制御される第2トランジスタを
備えるスイツチ回路を接続すべくなしてある近接
スイツチ用半導体装置において、 前記定電圧回路を内蔵し、 該定電圧回路の出力が接続されており、前記初
期リセツトコンデンサ及び第2トランジスタの一
端子を接続すべき共通の端子と、 前記電源回路の前記電圧の出力端子と前記共通
の端子との間に接続した逆流防止ダイオードと を具備することを特徴とする近接スイツチ用半導
体装置。 2 検出コイル及び同調コイルの並列回路が外付
部品として接続される発振回路、 該発振回路の出力を検波する検波回路、 該検波回路の出力と所定値とを比較する電圧比
較回路、 該電圧比較回路の比較結果出力によつてその出
力を変じる出力回路、 初期リセツトコンデンサが外付け接続され、初
期リセツト時には該初期リセツトコンデンサの容
量で定まる時間だけ前記出力回路をオフする初期
リセツト回路、並びに 外付けされる直流電源の一極と同じく外付けさ
れる負荷を介して連なり、内部回路駆動用の電圧
を出力する電源回路 を備え、前記直流電源の他極と負荷との間に介装
された第1トランジスタ、及び該第1トランジス
タのオン・オフ制御のために該第1トランジスタ
と定電圧回路との間に介装され、前記出力回路の
出力でオン・オフ制御される第2トランジスタを
備えるスイツチ回路を接続すべくなしてある近接
スイツチ用半導体装置において、 前記定電圧回路を内蔵し、 該定電圧回路の出力が接続されており、前記初
期リセツトコンデンサ及び第2トランジスタの一
端子を接続すべき共通の端子と、 前記電源回路の前記電圧の出力端子と前記共通
の端子との間に接続した逆流防止ダイオードと、 前記電源回路の出力端子及び前記共通の端子に
連なり、電源回路の出力電圧が所定値以下になつ
た場合に初期リセツトコンデンサの充電電荷を放
電せしめる放電回路と を具備することを特徴とする近接スイツチ用半導
体装置。[Claims] 1. An oscillation circuit to which a parallel circuit of a detection coil and a tuning coil is connected as an external component, a detection circuit that detects the output of the oscillation circuit, and a voltage that compares the output of the detection circuit with a predetermined value. A comparison circuit, an output circuit that changes its output according to the comparison result output of the voltage comparison circuit, and an initial reset capacitor are externally connected, and at the time of initial reset, the output circuit is turned off for a time determined by the capacity of the initial reset capacitor. It is equipped with an initial reset circuit, and a power supply circuit that is connected to one pole of the external DC power supply via the same external load and outputs a voltage for driving the internal circuit, and connects the other pole of the DC power supply with the load. a first transistor interposed therebetween; and a first transistor interposed between the first transistor and a constant voltage circuit for on/off control of the first transistor, and controlled on/off by the output of the output circuit. A semiconductor device for a proximity switch is configured to be connected to a switch circuit including a second transistor, which includes the constant voltage circuit, the output of the constant voltage circuit is connected, and the initial reset capacitor and the second transistor are connected to each other. 1. A semiconductor device for a proximity switch, comprising: a common terminal to which one terminal of the power supply circuit is connected; and a backflow prevention diode connected between the voltage output terminal of the power supply circuit and the common terminal. 2. An oscillation circuit to which a parallel circuit of a detection coil and a tuning coil is connected as an external component, a detection circuit that detects the output of the oscillation circuit, a voltage comparison circuit that compares the output of the detection circuit with a predetermined value, and the voltage comparison. An output circuit that changes its output depending on the comparison result output of the circuit, an initial reset circuit to which an initial reset capacitor is externally connected and turns off the output circuit for a time determined by the capacitance of the initial reset capacitor at the time of initial reset; A power supply circuit connected to one pole of the DC power supply connected via an external load and outputting a voltage for driving the internal circuit, and interposed between the other pole of the DC power supply and the load. a first transistor; and a second transistor interposed between the first transistor and a constant voltage circuit for on/off control of the first transistor, and controlled on/off by the output of the output circuit. A semiconductor device for a proximity switch, which is designed to connect a switch circuit, includes the constant voltage circuit, an output of the constant voltage circuit is connected, and one terminal of the initial reset capacitor and the second transistor is connected. a common terminal connected to the voltage output terminal of the power supply circuit and the common terminal; 1. A semiconductor device for a proximity switch, comprising: a discharge circuit for discharging the charge in an initial reset capacitor when the initial reset capacitor becomes less than a predetermined value.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20813182A JPS5997228A (en) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | Semiconductor device for proximity switch |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20813182A JPS5997228A (en) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | Semiconductor device for proximity switch |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5997228A JPS5997228A (en) | 1984-06-05 |
JPH0311579B2 true JPH0311579B2 (en) | 1991-02-18 |
Family
ID=16551144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20813182A Granted JPS5997228A (en) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | Semiconductor device for proximity switch |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5997228A (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5528288A (en) * | 1978-08-21 | 1980-02-28 | Omron Tateisi Electronics Co | Proximity switch |
JPS5532361A (en) * | 1978-08-30 | 1980-03-07 | Omron Tateisi Electronics Co | Proximity switch |
-
1982
- 1982-11-26 JP JP20813182A patent/JPS5997228A/en active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5528288A (en) * | 1978-08-21 | 1980-02-28 | Omron Tateisi Electronics Co | Proximity switch |
JPS5532361A (en) * | 1978-08-30 | 1980-03-07 | Omron Tateisi Electronics Co | Proximity switch |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5997228A (en) | 1984-06-05 |
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