JPS5953652B2 - Proximity switch - Google Patents

Proximity switch

Info

Publication number
JPS5953652B2
JPS5953652B2 JP10598778A JP10598778A JPS5953652B2 JP S5953652 B2 JPS5953652 B2 JP S5953652B2 JP 10598778 A JP10598778 A JP 10598778A JP 10598778 A JP10598778 A JP 10598778A JP S5953652 B2 JPS5953652 B2 JP S5953652B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
transistor
current
voltage
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP10598778A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5532361A (en
Inventor
久敏 野寺
建治 上田
文男 神谷
敞行 宮本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Tateisi Electronics Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Tateisi Electronics Co
Priority to JP10598778A priority Critical patent/JPS5953652B2/en
Publication of JPS5532361A publication Critical patent/JPS5532361A/en
Publication of JPS5953652B2 publication Critical patent/JPS5953652B2/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は高周波発振形の近接スイッチに関し、特にバ
イポーラモノリシックIC化するのに適した回路の近接
スイッチに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a high frequency oscillation type proximity switch, and more particularly to a proximity switch of a circuit suitable for fabrication into a bipolar monolithic IC.

高周波発振形の近接スイッチは検出コイルに金属等の物
体が近づくことにより、この検出コイルとともに形成さ
れている発振回路の発振振巾が小さくなることを利用し
て、前記物体の検出を行なうものである。
A high-frequency oscillation type proximity switch detects an object by utilizing the fact that when an object such as a metal approaches the detection coil, the oscillation width of the oscillation circuit formed with the detection coil becomes smaller. be.

ところで電源投入時には発振回路の発振振巾は、電源投
入直後にただちに立ち上がらずに若干の遅れをもって立
ち上がる。
By the way, when the power is turned on, the oscillation width of the oscillation circuit does not rise immediately after the power is turned on, but rises with a slight delay.

したがって、この発振振巾が立ち上がるまでの時間にお
いては、物体が接近している場合と同じように発振振巾
が小さいため、物体が近づいていることを表わす誤った
出力信号を生じるおそれがある。
Therefore, during the time until the oscillation width rises, the oscillation width is small, just as when the object is approaching, so there is a risk that an erroneous output signal indicating that the object is approaching may be generated.

このため電源投入直後は一定時間出力信号を発生させな
いようにする電源リセット回路を設けるのが普通である
か、このリセット時間を一定のものにしておくと次のよ
うな問題が生じる。
For this reason, it is common practice to provide a power supply reset circuit that does not generate an output signal for a certain period of time immediately after the power is turned on, or if this reset time is set to a certain value, the following problem will occur.

すなわち電源電圧が緩やかに立ち上がった場合には、発
振回路は、供給される電圧がある程度以上にならなけれ
ば発振開始せず、発振開始してから所定の発振振巾に達
するまでさらに時間がかかるため、電源投入してから極
めて長い時間誤った出力が生じる可能性がある。
In other words, when the power supply voltage rises gradually, the oscillation circuit will not start oscillating unless the supplied voltage reaches a certain level, and it will take more time to reach the predetermined oscillation width after starting oscillation. , erroneous output may occur for a very long time after power-up.

したがって、これに備えてリセット時間を極めて長くと
っておけば、今度は電源電圧が急峻に立ち上がった場合
には時間が無駄になってしまう。
Therefore, if the reset time is set to be extremely long in preparation for this, time will be wasted if the power supply voltage suddenly rises next time.

このような問題を解決するための本発明者等は、第1図
に示すような近接スイッチの回路につき、すで゛に発明
している。
In order to solve this problem, the inventors of the present invention have already invented a proximity switch circuit as shown in FIG.

この第1図において2点鎖線1で囲まれる部分はIC化
される回路部分であり、発振回路11.コンパレータ1
2、積分回路13、コンパレータ14、定電圧回路15
、電圧検出回路16、タイマ回路17、出力回路18が
含まれる。
In FIG. 1, the part surrounded by the two-dot chain line 1 is the circuit part to be integrated into an IC, and the oscillation circuit 11. Comparator 1
2. Integrating circuit 13, comparator 14, constant voltage circuit 15
, a voltage detection circuit 16, a timer circuit 17, and an output circuit 18.

定電圧回路15は直列制御形主制御トランジスタ151
と、このトランジスタ151のベースに接続されたダイ
オード152、定電圧素子153と、電流ミラー回路を
構成するトランジスタ154,155及び抵抗156と
、トランジスタ151のコレクタ・ベース間に接続され
た抵抗157とから構成されている。
The constant voltage circuit 15 includes a series-controlled main control transistor 151
, a diode 152 connected to the base of this transistor 151, a constant voltage element 153, transistors 154, 155 and a resistor 156 that constitute a current mirror circuit, and a resistor 157 connected between the collector and base of the transistor 151. It is configured.

電圧検出回路は定電圧素子161とトランジスタ162
〜167よりなり、トランジスタ164,165及び゛
トランジスタ166.167はそれぞれ電流ミラー回路
を構成し、トランジスタ162のコレクタ及び斗うンジ
スタ163のベースに一定の電流を供給している。
The voltage detection circuit includes a constant voltage element 161 and a transistor 162
- 167, transistors 164, 165 and transistors 166, 167 each constitute a current mirror circuit, and supply a constant current to the collector of transistor 162 and the base of transistor 163.

このIC回路1に側路コンデンサ21、検出コイル22
、及びこの検出コイル22とともに並列共振回路を構成
するコンデンサ23、感度調整用可変抵抗24、積分用
コンデンサ25、タイマ回路用コンテ゛ンサ26がそれ
ぞれ外付けされる。
This IC circuit 1 includes a bypass capacitor 21 and a detection coil 22.
, and a capacitor 23, a sensitivity adjustment variable resistor 24, an integrating capacitor 25, and a timer circuit capacitor 26, which constitute a parallel resonant circuit together with the detection coil 22, are each externally attached.

検出コイル22に物体が接近していない通常時には、発
振回路11の発振振巾は大きいのでコンパレータ14か
ら出力信号が生じず、出力回路18の出力信号はローレ
ベルとなっている。
Normally, when no object approaches the detection coil 22, the oscillation width of the oscillation circuit 11 is large, so no output signal is generated from the comparator 14, and the output signal from the output circuit 18 is at a low level.

検出コイル22に物体が近接上だ検出時には、発振回路
11の発振振巾が小さくなるため、出力回路18の出力
信号はハイレベルとなる。
When detecting that an object is close to the detection coil 22, the oscillation width of the oscillation circuit 11 becomes small, so that the output signal of the output circuit 18 becomes high level.

すなわちNL(ノーマルロー)出力か生じることになる
In other words, an NL (normal low) output is generated.

定電圧回路15の出力電圧■、が小さい時には1〜ラン
ジスタ162はオフであるから、1ヘランジスタ163
か゛オンとなり、タイマ回路用コンテ゛ンサ26が短絡
されている。
When the output voltage of the constant voltage circuit 15 is small, the transistors 1 to 162 are off, so the transistors 1 to 163 are off.
The power is turned on, and the timer circuit capacitor 26 is short-circuited.

電圧V5が所定値以上に達するとトランジスタ162が
オンとなり、トランジスタ163か゛オフとなるのでタ
イマ回路用コンテ゛ンザ26が充電開始し、タイマ回路
17はそのタイマ動作を開始することになる。
When the voltage V5 reaches a predetermined value or more, the transistor 162 is turned on and the transistor 163 is turned off, so that the timer circuit capacitor 26 starts charging and the timer circuit 17 starts its timer operation.

タイマ回路17がタイムアツプする前は出力回路18に
電流が供給されないようになっており、タイムアツプし
てから後、出力回路18に電流供給されるようになって
いる。
Before the timer circuit 17 times up, no current is supplied to the output circuit 18, and after the timer circuit 17 times up, current is supplied to the output circuit 18.

したがって電源投入時に、定電圧回路15の出力電圧■
5が所定値に達して発振回路11が発振を開始した時点
よりタイマ回路17を動作させ、発振回路11の発振振
巾が十分大きくなるまでの時間に相応する時間、タイマ
回路17より出力回路18に供給する電流をストップし
て禁止をかけている。
Therefore, when the power is turned on, the output voltage of the constant voltage circuit 15 is
5 reaches a predetermined value and the oscillation circuit 11 starts oscillating, the timer circuit 17 is operated, and the output circuit 18 is operated from the timer circuit 17 for a time corresponding to the time until the oscillation width of the oscillation circuit 11 becomes sufficiently large. The current supplied to the device is stopped and prohibited.

このように構成したことにより電源電圧Vccが急峻に
立ち上がった場合にはただちにタイマ回路17が動作し
て、このタイマ回路17により決定される一定の時間の
後、出力回路18の禁止が解かれることになる。
With this configuration, when the power supply voltage Vcc rises sharply, the timer circuit 17 immediately operates, and after a certain period of time determined by the timer circuit 17, the inhibition of the output circuit 18 is released. become.

電源電圧Vccが緩やかに立ち上がった場合には定電圧
回路15の出力電圧V5が、発振するに足る電圧となる
まではタイマ回路17を動作させず、出力電圧■5が所
定のもの以上になった場合に初めてタイマ回路17を動
作させて、このタイマ回路17か゛タイムアツプする以
前は出力回路18に禁止をかけるようにしている。
When the power supply voltage Vcc rises slowly, the timer circuit 17 is not operated until the output voltage V5 of the constant voltage circuit 15 reaches a voltage sufficient to oscillate, and the output voltage 5 becomes higher than a predetermined value. In this case, the timer circuit 17 is operated for the first time, and the output circuit 18 is prohibited until the timer circuit 17 times out.

したか゛つて、この第1図の回路によれば、電源電圧V
ccの立ち上がり速度に応して必要かつ十分なりセラ1
〜時間だけ出力信号が禁止されることになり、どのよう
に緩やかに電源電圧Vccが立ち上がったとしても確実
な電源リセットがかけられ、しかも時間の無駄をなくす
ことができる。
Therefore, according to the circuit shown in FIG. 1, the power supply voltage V
It is necessary and sufficient depending on the rising speed of cc.
The output signal is inhibited for a period of .about.~, and no matter how slowly the power supply voltage Vcc rises, a reliable power supply reset can be applied, and time is not wasted.

ところでこの第1図のIC回路1をバイポーラモノシリ
ツクで構成する場合には、定電圧素子としては1〜ラン
ジスタのベース・エミッタ間降伏電圧BVEBO(6〜
9V)を利用したものや、別工程で形成されるツェナダ
イオード(5,5V)を使用することができる。
By the way, when the IC circuit 1 in FIG. 1 is constructed of bipolar monolithic, the constant voltage element is the base-emitter breakdown voltage BVEBO (6-
9V) or a Zener diode (5.5V) formed in a separate process can be used.

定電圧素子153としてBVEBOを用いた場合には、
電源電圧Vccの使用範囲の最低値が低くとれす、又内
部定電圧■、をTTLレベルに合わすこともできない。
When BVEBO is used as the constant voltage element 153,
The lowest value of the power supply voltage Vcc in the usable range is too low, and the internal constant voltage (2) cannot be adjusted to the TTL level.

そのため電源電圧Vccの端子と内部定電圧■、の端子
とを短絡して直接TTLレベルの電源を接続して、TT
Lレベルでも使用可能にすることができないので、使用
上の制限を受は望ましくない。
Therefore, short-circuit the power supply voltage Vcc terminal and the internal constant voltage terminal and directly connect the TTL level power supply.
Since it cannot be made usable even at L level, it is not desirable to be subject to restrictions on use.

これに対し、定電圧素子153を後者のツェナダイオー
ド(5,5V)で構成する場合には、定電圧素子161
のしきい電圧をそれよりも低くしなければならないので
、バイポーラモノシックICで゛は、第2図に示すよう
にダイオードをN個直列接続して等制約にツェナダイオ
ードのような働きをさせなければならない。
On the other hand, when the constant voltage element 153 is configured with the latter Zener diode (5.5V), the constant voltage element 161
The threshold voltage of the IC must be lower than that, so for bipolar monolithic ICs, N diodes must be connected in series as shown in Figure 2 to act like Zener diodes. Must be.

しかしながら、こうすると各ダイオードは、たとえは斗
うンジスタのベース・エミッタ間で形成されるダイオー
ドを利用したもので構成するので、約−2mV/℃の温
度係数をもっているためN個全体では −2mV/’(:XN の温度係数となる。
However, in this case, since each diode is constructed using a diode formed between the base and emitter of a transistor, it has a temperature coefficient of about -2 mV/°C, so the total N diodes have a temperature coefficient of -2 mV/°C. '(: Temperature coefficient of XN.

第2図に示すようにN=5とすると一10mV/’Cの
温度係数となり、ダイオード1個当りの順方向電圧を0
,65V (at25℃)とすれば−40℃〜85℃の
温度範囲で5個のダイオードで構成される定電圧素子の
しきい電圧は3.90V〜2、65Vと大きく変化して
しまう。
As shown in Figure 2, when N = 5, the temperature coefficient is -10 mV/'C, and the forward voltage per diode is 0.
, 65V (at 25°C), the threshold voltage of the constant voltage element composed of five diodes changes greatly from 3.90V to 2.65V in the temperature range of -40°C to 85°C.

そのため電源電圧Vccの立ち上がり時間が長くなれば
なるほど検出するまでの時間が長くなり、電源電圧Vc
cの立ち上り時間に応じて変化する要因が温度に依存す
ることになって不安定なものとなる。
Therefore, the longer the rise time of the power supply voltage Vcc, the longer it takes to detect the power supply voltage Vcc.
The factor that changes according to the rise time of c becomes unstable because it depends on the temperature.

この発明の目的は、電圧検出回路の検出レベルが温度に
よって変動することを改善し、もってタイマ回路の起動
タイミングの変動およびその結果もたらされる電源リセ
ット時間の温度による不安定さを解消するようにした近
接スイッチを提供することにある。
An object of the present invention is to improve the variation in the detection level of a voltage detection circuit due to temperature, thereby eliminating variations in the startup timing of a timer circuit and the resulting instability of the power supply reset time due to temperature. The purpose of the present invention is to provide a proximity switch.

以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明す
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第3図においてトランジスタ301は直列制御形電圧安
定化回路の主制御トランジスタをなすものであり、その
ベースにツェナダイオード(5,5V) 309が接
続されている。
In FIG. 3, a transistor 301 serves as a main control transistor of a series-controlled voltage stabilizing circuit, and a Zener diode (5.5V) 309 is connected to its base.

トランジスタ302,303及び抵抗313,314は
トランジスタ301のバイアス回路を構成する定電流源
である電流ミラー回路を形成している。
Transistors 302 and 303 and resistors 313 and 314 form a current mirror circuit that is a constant current source that constitutes a bias circuit for transistor 301.

又トランジスタ304,305は抵抗311,312及
び斗うンジスタ303とともに電流ミラー回路を構成し
、一定の電流(基準電流)Ioをトランジスタ306の
ベースに送っている。
Further, the transistors 304 and 305 constitute a current mirror circuit together with the resistors 311 and 312 and the resistor 303, and send a constant current (reference current) Io to the base of the transistor 306.

トランジスタ306はタイマ回路17の、第3図で゛は
図示しないタイマ回路用コンデンサを制御するトランジ
スタである。
A transistor 306 is a transistor for controlling a timer circuit capacitor (not shown) in the timer circuit 17 in FIG.

このトランジスタ306のベースにはトランジスタ30
7,308でなる電流ミラー回路が接続されていて、ツ
ェナダイオード309に流れる電流I2とほぼ等しい電
流を電流I。
The base of this transistor 306 has a transistor 30
A current mirror circuit consisting of 7,308 is connected, and the current I is approximately equal to the current I2 flowing through the Zener diode 309.

より分流するようにしている。I'm trying to branch out more.

この第3図の回路で斗うンジスタ302のコレクタに流
れる電流をI3、抵抗314に流れる電流をI4、I・
ランジスタ303のエミッタに流れる電流をI1とする
と (m、 n ;定数) したがって となり、定電圧回路の出力電圧■5が一定になれば電流
ILも一定となるから抵抗314を流れる電流I4の変
化分だけ電流I。
In the circuit shown in FIG. 3, the current flowing through the collector of the resistor 302 is I3, and the current flowing through the resistor 314 is I4, I.
If the current flowing through the emitter of the transistor 303 is I1 (m, n; constant), then, if the output voltage 5 of the constant voltage circuit becomes constant, the current IL also becomes constant, so the change in the current I4 flowing through the resistor 314 is Only current I.

が増減することになり、第4図に示すような特性の一定
の基準電流I。
increases or decreases, and a constant reference current I with the characteristics shown in FIG.

を得ることができる。can be obtained.

なお、上記をもう少し詳しく説明する。The above will be explained in more detail.

まずトランジスタのベース・エミッタ電圧VBEは、V
BE= (kt/q)石(IE/Io)但しkt/Q
:熱電圧 IO;逆方向飽和電流 で表わされる。
First, the base-emitter voltage VBE of the transistor is V
BE= (kt/q) stone (IE/Io) where kt/Q
: Thermal voltage IO; Represented by reverse saturation current.

そこで、第6図に示す電流ミラー回路について考えると
、各トランジスタの特性がそろっていれは゛、 IEI・R1=VBE2 VBEI −(kt/q) In (IE2/IEI)さらにベー
ス電流が充分小さいものとし、IEI洪ICI、IE2
洪IC2 だから、 ICI−R]−(kt/Q)石(I C2/ I cl
)となる。
Therefore, considering the current mirror circuit shown in Figure 6, if the characteristics of each transistor are the same, then IEI・R1=VBE2 VBEI - (kt/q) In (IE2/IEI) Furthermore, assuming that the base current is sufficiently small. , IEI Hong ICI, IE2
Hong IC2 Therefore, ICI-R] - (kt/Q) stone (I C2/ I cl
).

上記の実施例では、■c1−I3、IC2=I4十■、
であり、R1が抵抗313の値であるから、I3・R,
= (kt/Q)石(I4 +I L/I3)となる。
In the above example, ■c1−I3, IC2=I4×,
and since R1 is the value of the resistor 313, I3・R,
= (kt/Q) stone (I4 +I L/I3).

したがってこの式から、電源電圧Vcc、ツェナダイオ
ード309の値、抵抗313,314の値および電流■
、の値が決まれば電流I3の値か゛決まる。
Therefore, from this equation, the power supply voltage Vcc, the value of Zener diode 309, the value of resistors 313 and 314, and the current
, the value of the current I3 is determined.

つまり、第7図のように表わされる■BEIC曲線を使
って求めることができる。
In other words, it can be determined using the ■BEIC curve shown in FIG.

以上よりI3と■4+ILとは関連があり、上記のよう
にI3= (I L+I4)7m (mは定数) と表わせる訳である。
From the above, there is a relationship between I3 and ■4+IL, which can be expressed as I3=(IL+I4)7m (m is a constant) as described above.

また、第8図のような4個のトランジスタよりなる電流
ミラー回路において、各々のトランジスタは特性が良く
そろっているものとすると、図より、 IF5・R3= V BF2 V BF2−(kt/
Q)石(■、。
Furthermore, in a current mirror circuit consisting of four transistors as shown in Fig. 8, assuming that the characteristics of each transistor are well matched, from the figure, IF5・R3= V BF2 V BF2-(kt/
Q) Stone (■,.

/ I ]E、3)IF5・R4−VBE3 VBE
4 = (kt/q)石(I E3/ I E4)となる。
/ I]E, 3) IF5・R4-VBE3 VBE
4 = (kt/q) stone (I E3/I E4).

ベース電流が充分小さいものとし、IE4″;Ic4、
I E2# I C2だから、 IF5 ・R3−(kt/ Q) In (IC2/
IF5)IC,−R4= (kt/q)石(I E3/
I C4)となる。
Assuming that the base current is sufficiently small, IE4″; Ic4,
I E2# I C2, so IF5 ・R3-(kt/Q) In (IC2/
IF5) IC, -R4= (kt/q) stone (I E3/
IC4).

前者の式よりIC2が決まるとIF5が決まり、後者の
式より■。
If IC2 is determined by the former formula, IF5 is determined, and ■ from the latter formula.

4が決まる。上記の実施例では、■o4−Io、I C
2−I t+I4であり、上記の説明通りI4+■1.
、はI3と関連づけられるので、上記の通り、 ■。
4 is decided. In the above example, ■o4-Io, I C
2-I t+I4, and as explained above, I4+■1.
, is associated with I3, so as mentioned above, ■.

=■3/nと表わされる訳である。It is expressed as =■3/n.

トランジスタ307,308の電流ミラー回路により、
前記電流■。
Due to the current mirror circuit of transistors 307 and 308,
The current ■.

からツェナダイオード309に流れる電流I7にほぼ等
しい電流がトランジスタ308のコレクタに流れる。
A current approximately equal to the current I7 flowing through the Zener diode 309 flows into the collector of the transistor 308.

そのためトランジスタ306のベースに流れ込む電流を
18とすると、はは゛ IB=IOIZ の関係が成り立つ。
Therefore, assuming that the current flowing into the base of the transistor 306 is 18, the following relationship holds: IB=IOIZ.

したがって電圧■、が一定の電圧に達せずl2=0のと
きにはトランジスタ306はオンであり、電圧V5が定
電圧になって電流■2が増え電流■2が1゜にほぼ等し
くなった時、そのベース電流IBが無くなるためトラン
ジスタ306はオフになる。
Therefore, when the voltage V5 does not reach a constant voltage and l2=0, the transistor 306 is on, and when the voltage V5 becomes a constant voltage and the current ■2 increases and the current ■2 becomes almost equal to 1 degree, the transistor 306 is on. Transistor 306 is turned off because base current IB disappears.

すなわち電流■7は電源電圧Vccに応じて第4図に示
すように増え、電源電圧Vccが電圧V。
That is, the current 7 increases as shown in FIG. 4 according to the power supply voltage Vcc, and the power supply voltage Vcc becomes the voltage V.

に達したとき電流■2が電流■。の曲線と交差し、トラ
ンジスタ306がオフすることになる。
When the current ■2 reaches the current ■. , and the transistor 306 is turned off.

ツェナダイオード309に流れる電流■2は、出力電圧
■、が定電圧に達しようとするとき急速に増大するから
、この電流I7と基準電流■。
Since the current (2) flowing through the Zener diode 309 increases rapidly when the output voltage (2) attempts to reach a constant voltage, this current (17) and the reference current (2).

とを比較することによって、基準電流I。By comparing the reference current I.

が多少変動したとしても、電圧検出レベルV。Even if there is some variation in the voltage detection level V.

の変動は極めて小さなものとなる。The fluctuation in will be extremely small.

又ツェナダイオード309は、前記したように約5.5
■のしきい電圧をもつツェナダイオードであるため温度
係数はほぼOに等しく Vs” VZ+ VBE7 VBEI (■7;ツェナダイオード309のしきい電圧、VBE
I、V、、7:)ランジスタ301,307のベース・
エミッタ間電圧) となり、 VBEIξVBE7 であるから V5勾V2 となり、電圧検出レベル■。
Also, the Zener diode 309 has a diameter of about 5.5 as described above.
Since it is a Zener diode with a threshold voltage of 309, the temperature coefficient is almost equal to O.
I, V, 7:) Bases of transistors 301 and 307
Since the emitter voltage is VBEIξVBE7, the V5 slope is V2, and the voltage detection level is ■.

の温度変化も極めて少ないものとなる。The temperature change will also be extremely small.

又電源電圧Vccの端子と内部定電圧■5との端子とを
短絡してTTLレベル電源を用いる場合には、電流■。
In addition, when a TTL level power supply is used by short-circuiting the terminal of the power supply voltage Vcc and the terminal of the internal constant voltage (5), the current (2).

も電流I2もともに流れず、トランジスタ306はオフ
となるので丁TLレベルの電源を用いることもで゛きる
Since neither the current nor the current I2 flows and the transistor 306 is turned off, it is possible to use a power supply at just TL level.

以上をふまえて第3図の回路全体の動作を簡単に説明す
ると、電源電圧Vccが印加されることによりトランジ
スタ303を通して抵抗314に電流■4が流れ、この
電流I4により電流■3が流れ(■3=山十IL)7m
)、トランジスタ301が駆動され、電圧■5が上昇し
、■5に接続されている負荷(発振回路11.コンパレ
ータ12,14、積分回路13、タイマ回路17等)に
より電流■、が流れる。
Based on the above, the operation of the entire circuit in FIG. 3 will be briefly explained. When the power supply voltage Vcc is applied, a current 4 flows through the transistor 303 to the resistor 314, and this current I4 causes a current 3 to flow ( 3=Yamaju IL) 7m
), the transistor 301 is driven, voltage ■5 rises, and current ■ flows due to the loads (oscillation circuit 11, comparators 12, 14, integrating circuit 13, timer circuit 17, etc.) connected to ■5.

すると、さらに電流I3が増大するが■5端の電圧が上
昇し負荷に充分電流が供給されるようになると電流■3
の増大は止まる。
Then, the current I3 increases further, but when the voltage at the ■5 terminal rises and enough current is supplied to the load, the current I3 increases.
stops increasing.

したがって抵抗314は初期状態にトランジスタ301
をドライブする種の電流を供給するだけで充分である。
Therefore, the resistor 314 is initially set to the transistor 301.
It is sufficient to supply the kind of current that drives the .

そして■4と■、とが増しI3が増大するにしたがって
Ioも増大してくるためトランジスタ306がオンにな
る。
Then, as (4) and (2) increase and I3 increases, Io also increases, so that the transistor 306 is turned on.

電源電圧Vccが増大してツェナダイオード309のツ
ェナ電圧よりも高くなってくると電流■2が流れる。
When the power supply voltage Vcc increases and becomes higher than the Zener voltage of the Zener diode 309, a current 2 flows.

この17の値が■。の値よりも大きくなるとトランジス
タ306のベース電流IB=IoIzが流れなくなりト
ランジスタ306はオフとなる。
The value of these 17 is ■. When the value becomes larger than , the base current IB=IoIz of the transistor 306 stops flowing, and the transistor 306 is turned off.

第5図は第2の実施例を示し、基準電流■。FIG. 5 shows a second embodiment, in which the reference current is ■.

を作る回路を第3図のものとは異ならせたものである。The circuit for making this is different from that shown in Figure 3.

この第5図の回路で゛トランジスタ501,502.5
03、抵抗511,512は電流ミラー回路を構成し、
抵抗513とともにトランジスタ301・のバイアス回
路を構成している。
In this circuit of FIG. 5, transistors 501, 502.5
03, resistors 511 and 512 constitute a current mirror circuit,
Together with the resistor 513, it constitutes a bias circuit for the transistor 301.

l・ランジスタ504,505、抵抗514,515は
電流帰還用の電流ミラー回路を形成している。
The L transistors 504 and 505 and the resistors 514 and 515 form a current mirror circuit for current feedback.

他の回路構成は第3図と同様なので同一の部分には同一
の番号を付して説明は省略する。
The other circuit configurations are the same as in FIG. 3, so the same parts are given the same numbers and the explanation will be omitted.

この第5図の回路で、抵抗515に流れる電流をI、ト
ランジスタ504のコレクタに流れる電流を11、トラ
ンジスタ301のベース・バイアス電流をI2、トラン
ジスタ501のコレクタ電流をI。
In the circuit shown in FIG. 5, the current flowing through the resistor 515 is I, the current flowing through the collector of the transistor 504 is 11, the base bias current of the transistor 301 is I2, and the collector current of the transistor 501 is I.

とするとI、=i/m Io−11/n (m、 n ;定数) n−R1/R2 (R1、R2;抵抗511,512のそれぞれの値)が
成り立つので ■o−I/mn となり、はぼ一定の基準電流■。
Then, I, = i/m Io-11/n (m, n; constant) n-R1/R2 (R1, R2; respective values of resistors 511, 512) holds, so ■o-I/mn, ■ Constant reference current.

が得られることがわかる。It can be seen that the following can be obtained.

この第5図の回路では、電源電圧Vccが印加されると
、抵抗513に流れる電流によりトランジスタ301が
ドライブされ、電圧V5が上昇する。
In the circuit shown in FIG. 5, when power supply voltage Vcc is applied, transistor 301 is driven by the current flowing through resistor 513, and voltage V5 increases.

すると、抵抗515、トランジスタ505に電流■が流
れ、これにより電流ミラー構成のトランジスタ505,
504と抵抗514によりトランジスタ504に電流1
1が流れる。
Then, current ■ flows through the resistor 515 and the transistor 505, which causes the transistors 505 and 505 in the current mirror configuration to
504 and the resistor 514, a current of 1 is applied to the transistor 504.
1 flows.

この電流11により同じくトランジスタ503に電流が
流れ、トランジスタ301のドライブ電流■2が増大す
る。
This current 11 causes a current to similarly flow through the transistor 503, and the drive current 2 of the transistor 301 increases.

これにしたがって電流I。Accordingly, the current I.

も増大し、トランジスタ306をオンとする。also increases, turning on transistor 306.

電源電圧Vccがツェナダイオード309のツェナ電圧
よりも高くなるとツェナダイオード309に電流が流れ
、第3図と同様にトランジスタ306をオフとする。
When the power supply voltage Vcc becomes higher than the Zener voltage of the Zener diode 309, current flows through the Zener diode 309, turning off the transistor 306 as in FIG.

以上2つの実施例について説明したように本発明による
近接スイッチは、検出コイルを含んで形成される発振回
路と、この発振回路の振幅の大小に応じて出力信号を生
じる信号処理回路と、出力回路と、定電圧回路と、二の
定電圧回路の出力電壬力炉斤定値に達したことを検出す
る電圧検出回路と、二の電圧検出回路によって制御され
、前記定電圧回路の出力電圧が所定値以上になった時に
タイマ動作を開始してタイムアツプした時以後前記出力
回路の禁止を解くようにしたタイマ回路とを備えてなる
ので、電源電圧の立上りの状態に応じて電源リセット時
間を制御できる。
As described above with respect to the two embodiments, the proximity switch according to the present invention includes an oscillation circuit formed including a detection coil, a signal processing circuit that generates an output signal depending on the amplitude of the oscillation circuit, and an output circuit. , a constant voltage circuit, a voltage detection circuit that detects that the output voltage of the second constant voltage circuit has reached a predetermined value, and a second voltage detection circuit, so that the output voltage of the constant voltage circuit is controlled to a predetermined value. The power supply reset time can be controlled according to the rise state of the power supply voltage because the timer circuit is configured to start a timer operation when the value exceeds the value, and release the inhibition of the output circuit after the time has expired. .

干なわち、電源電圧の立上りが早ければ、タイマ動作の
開始時点を早くして電源リセットの解除を早くし、立上
りが遅ければタイマ動作の開始時点を遅くして電源リセ
ットの解除を電源電圧が安定するまで延ばすようにする
ことができる。
In other words, if the power supply voltage rises quickly, the timer operation starts earlier to release the power supply reset, and if the power supply voltage rises later, the timer operation starts later and the power supply reset is released. It can be extended until it stabilizes.

そのため個々の場合に応じて電源リセツI・時間を短す
ぎないようにするとともに長すぎないようにすることが
できるので、電源リセット時間の時間的効率がよく、か
つ誤出力が出されないよう確実に電源リセットをがける
ことができる。
Therefore, depending on the individual case, the power reset time can be set so that it is not too short or too long, so that the power reset time is time-efficient and ensures that erroneous outputs are not output. You can reset the power.

さらに、この構成に加えて、前記定電圧回路は、直列制
御形主制御トランジスタと、このトランジスタのベース
に接続されたツェナダイオードとからなり、前記電圧検
出回路は、前記直列制御形主制御トランジスタに直列接
続される第1のトランジスタと他の第2のトランジスタ
とからなり、前記第2のトランジスタの出力電流を前記
直列制御形主制御トランジスタのベースに加える第1の
電流ミラー回路と、前記第1のトランジスタと他の第3
、第4のトランジスタとを含む第2の電流ミラー回路と
、前記ツェナダイオードに流れる電流が供給される第5
のトランジスタと前記第2の電流ミラー回路の第4のト
ランジスタの出力電流が供給される第6のトランジスタ
とからなる第3の電流ミラー回路とからなり、前記第3
の電流ミラー回路により前記第2の電流ミラー回路の第
4のトランジスタの出力電流と前記ツェナダイオードに
流れる電流との電流比較を行ない後者が前者を基準とし
た一定値よりも大きくなった時に前記定電圧回路の出力
電圧が所定値以上になったものとして前記タイマ回路を
起動することを特徴とするので、電圧検出回路の検出レ
ベルが温度によって変動することを改善できる。
Furthermore, in addition to this configuration, the constant voltage circuit includes a series-controlled main control transistor and a Zener diode connected to the base of this transistor, and the voltage detection circuit includes a series-controlled main control transistor. a first current mirror circuit comprising a first transistor and another second transistor connected in series and applying an output current of the second transistor to a base of the series-controlled main control transistor; transistor and other third
, a second current mirror circuit including a fourth transistor; and a fifth current mirror circuit to which a current flowing to the Zener diode is supplied.
and a sixth transistor to which the output current of the fourth transistor of the second current mirror circuit is supplied;
The current mirror circuit compares the output current of the fourth transistor of the second current mirror circuit with the current flowing through the Zener diode, and when the latter becomes larger than a certain value based on the former, the Since the timer circuit is activated assuming that the output voltage of the voltage circuit has exceeded a predetermined value, it is possible to improve the fluctuation of the detection level of the voltage detection circuit depending on the temperature.

そのため、タイマ回路の起動タイミングが変動すること
をなくし、この変動により引き起される電源リセット時
間が温度によって不安定になることを解消することがで
きる。
Therefore, it is possible to eliminate fluctuations in the activation timing of the timer circuit, and to prevent the power supply reset time from becoming unstable due to temperature, which is caused by this fluctuation.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、従来例を示す回路図、第2図は他の従来例の
一部を示す回路図、第3図は本発明の第■の実施例を示
す回路図、第4図は第3図の電流I2と電流I。 の特性を示すグラフ、第5図は第2の実施例を示す回路
図、第6図ないし第8図は動作説明のためのもので、第
6図、第8図は回路図、第7図はトランジスタのベース
・エミッタ電圧−コレクタ電流特性を表わすグラフで゛
ある。 11・・・・・・発振回路、12.14・・・・・・コ
ンパレータ、13・・・・・・積分回路、15・・・・
・・定電圧回路、16・・・・・・電圧検出回路、17
・・・・・・タイマ回路、18・・・・・・出力回路、
22・・・・・・検出コイル、301・・・・・・直列
制御形主制御トランジスタ。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a conventional example, FIG. 2 is a circuit diagram showing a part of another conventional example, FIG. 3 is a circuit diagram showing the second embodiment of the present invention, and FIG. Current I2 and current I in Figure 3. FIG. 5 is a circuit diagram showing the second embodiment. FIGS. 6 to 8 are for explaining the operation. FIGS. 6 and 8 are circuit diagrams, and FIG. is a graph representing the base-emitter voltage-collector current characteristics of a transistor. 11...Oscillation circuit, 12.14...Comparator, 13...Integrator circuit, 15...
... Constant voltage circuit, 16 ... Voltage detection circuit, 17
...Timer circuit, 18...Output circuit,
22...Detection coil, 301...Series control type main control transistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 検出コイルを含んで形成される発振回路と、この発
振回路の振幅の大小に応して出力信号を生じる信号処理
回路と、出力回路と、定電圧回路と、この定電圧回路の
出力電圧が所定値に達したことを検出する電圧検出回路
と、この電圧検出回路によって制御され、前記定電圧回
路の出力電圧が所定値以上になった時にタイマ動作を開
始してタイムアツプした時以後前記出力回路の禁止を解
くようにしたタイマ回路とを備えてなる近接スイッチに
おいて、前記定電圧回路は、直列制御形主制御トランジ
スタと、このトランジスタのベースに接続されたツェナ
ダイオードとからなり、前記電圧検出回路は、前記直列
制御形主制御トランジスタに直列接続される第1のトラ
ンジスタと他の第2のトランジスタとからなり、前記第
2のトランジスタの出力電流を前記直列制御形主制御ト
ランジスタのベースに加える第1の電流ミラー回路と、
前記第1のトランジスタと他の第3、第4のトランジス
タとを含む第2の電流ミラー回路と、前記ツェナダイオ
ードに流れる電流が供給される第5のトランジスタと前
記第2の電流ミラー回路の第4のトランジスタの出力電
流か゛供給される第6のトランジスタとからなる第3の
電流ミラー回路とからなり、前記第3の電流ミラー回路
により前記第2の電流ミラー回路の第4のトランジスタ
の出力電流と前記ツェナダイオードに流れる電流との電
流比較を行ない後者が前者を基準とした一定値よりも大
きくなった時に前記定電圧回路の出力電圧が所定値以上
になったものとして前記タイマ回路を起動することを特
徴とする近接スイッチ。
1 An oscillation circuit formed including a detection coil, a signal processing circuit that generates an output signal depending on the magnitude of the amplitude of this oscillation circuit, an output circuit, a constant voltage circuit, and an output voltage of this constant voltage circuit. A voltage detection circuit that detects that a predetermined value has been reached; and a timer operation that is controlled by the voltage detection circuit and starts a timer operation when the output voltage of the constant voltage circuit exceeds the predetermined value, and after the time has elapsed, the output circuit is controlled by the voltage detection circuit. In the proximity switch, the constant voltage circuit includes a series-controlled main control transistor and a Zener diode connected to the base of the transistor, and the voltage detection circuit is composed of a first transistor and another second transistor connected in series to the series-controlled main control transistor, and a first transistor that applies the output current of the second transistor to the base of the series-controlled main control transistor. 1 current mirror circuit;
a second current mirror circuit including the first transistor and other third and fourth transistors; a fifth transistor to which a current flowing to the Zener diode is supplied; and a fifth transistor of the second current mirror circuit; and a sixth transistor supplied with the output current of the fourth transistor, and the output current of the fourth transistor of the second current mirror circuit is controlled by the third current mirror circuit. and the current flowing through the Zener diode, and when the latter becomes larger than a certain value based on the former, the timer circuit is activated, assuming that the output voltage of the constant voltage circuit has exceeded a predetermined value. A proximity switch characterized by:
JP10598778A 1978-08-30 1978-08-30 Proximity switch Expired JPS5953652B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10598778A JPS5953652B2 (en) 1978-08-30 1978-08-30 Proximity switch

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10598778A JPS5953652B2 (en) 1978-08-30 1978-08-30 Proximity switch

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5532361A JPS5532361A (en) 1980-03-07
JPS5953652B2 true JPS5953652B2 (en) 1984-12-26

Family

ID=14422074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10598778A Expired JPS5953652B2 (en) 1978-08-30 1978-08-30 Proximity switch

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5953652B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5952919A (en) * 1982-09-20 1984-03-27 Koyo Denshi Kogyo Kk Proximity switch
JPS5997228A (en) * 1982-11-26 1984-06-05 Koyo Denshi Kogyo Kk Semiconductor device for proximity switch
JPS6046119A (en) * 1983-08-23 1985-03-12 Yamatake Honeywell Co Ltd Proximity switch

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5532361A (en) 1980-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6794856B2 (en) Processor based integrated circuit with a supply voltage monitor using bandgap device without feedback
US4667265A (en) Adaptive thermal shutdown circuit
JPS5953652B2 (en) Proximity switch
JPH0569964U (en) Inrush current prevention circuit for laser diode light emitting device
US7420397B2 (en) Low-consumption inhibit circuit with hysteresis
US5994887A (en) Low power consumption constant-voltage circuit
JP4543973B2 (en) AS-i slave overload / short-circuit protection circuit
JPS594810B2 (en) Proximity switch
JP4008674B2 (en) Semiconductor device
JPS5840501Y2 (en) Proximity switch
JP2546051Y2 (en) Stabilized power supply circuit
JPH032997Y2 (en)
JP3223000B2 (en) Constant voltage circuit
JPS594808B2 (en) Proximity switch
JPH057893B2 (en)
JP2591805Y2 (en) Power supply voltage monitoring circuit
JPS5842567B2 (en) Proximity switch
JP2714151B2 (en) Current limit circuit
JPS5828446Y2 (en) Load overheating prevention circuit
JP2679062B2 (en) Constant voltage generator
JP2520898B2 (en) Temperature detection circuit
KR960007049Y1 (en) Power circuit using a comparator
JP3512935B2 (en) DC stabilized power supply circuit
JPS5842568B2 (en) Proximity switch
JPS6019001B2 (en) safety control device