JPH0311745Y2 - - Google Patents
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- JPH0311745Y2 JPH0311745Y2 JP1982112304U JP11230482U JPH0311745Y2 JP H0311745 Y2 JPH0311745 Y2 JP H0311745Y2 JP 1982112304 U JP1982112304 U JP 1982112304U JP 11230482 U JP11230482 U JP 11230482U JP H0311745 Y2 JPH0311745 Y2 JP H0311745Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 技術分野
本考案は、電源スイツチをオフした場合等、電
源電圧が所定値以下に低下したことを検出する為
の電圧低下検出回路に関するもので、特に、電源
電圧の低下に応じて直ちに応答し、立上りの鋭い
出力電圧を発生することの出来る電圧低下検出回
路に関する。[Detailed description of the invention] (a) Technical field The present invention relates to a voltage drop detection circuit for detecting a drop in power supply voltage below a predetermined value, such as when a power switch is turned off. The present invention relates to a voltage drop detection circuit that can immediately respond to a voltage drop and generate an output voltage with a sharp rise.
(ロ) 技術の背景
集積回路においては、電源電圧が低下すると、
集積回路内の各部が異常動作をして不要な出力信
号を発生する危険がある為、一般の集積回路は禁
止端子を有し、電源電圧の低下時に前記禁止端子
に禁止信号を印加して、各部の動作を強制的に禁
止している。また、メモリーを内蔵する集積回路
においては、電源スイツチがオフされている間、
停電中等において、メモリー内容が消えてしまう
のを防止する為、バツクアツプ用の電源としてコ
ンデンサが配置されている。しかして、電源電圧
が低下したとき、禁止信号の印加が遅く、バツク
アツプ用のコンデンサの使用開始が速いと、前記
コンデンサに蓄積された電荷がメモリーのバツク
アツプ用という本来の使用以外に、集積回路内の
各部でも不要に使用され、結果としてバツクアツ
プ期間が短かくなるという欠点を有していた。(b) Technical background In integrated circuits, when the power supply voltage decreases,
Since there is a risk that various parts within the integrated circuit may malfunction and generate unnecessary output signals, general integrated circuits have an inhibit terminal, and when the power supply voltage drops, an inhibit signal is applied to the inhibit terminal. The operation of each part is forcibly prohibited. In addition, in integrated circuits with built-in memory, while the power switch is turned off,
In order to prevent the memory contents from being erased in the event of a power outage, a capacitor is placed as a backup power source. However, when the power supply voltage decreases, if the application of the inhibit signal is delayed and the backup capacitor starts to be used quickly, the charge accumulated in the capacitor may be used in the integrated circuit in addition to its original use for memory backup. This has the drawback that the backup period is shortened as a result of unnecessary use of various parts of the system.
また、一般の電力増幅器等においては、電源オ
フ時のシヨツク音発生を防止する為、ミユーテイ
ング回路が設けられているが、前記ミユーテイン
グ回路を駆動する為には、電源電圧の低下を検出
し、所定の出力電圧を発生する応答の速い電圧低
下検出回路が必要である。 Furthermore, in general power amplifiers, etc., a muting circuit is provided in order to prevent the occurrence of shock noise when the power is turned off, but in order to drive the mutating circuit, a drop in the power supply voltage is detected and a predetermined level is detected. A fast-response voltage drop detection circuit that generates an output voltage of 1 is required.
(ハ) 考案の要点
本考案は、上述の点に鑑み成されたもので、
様々な用途に使用し得る応答の速い電圧低下検出
を行う為、電源電圧が正常な間に充電されるコン
デンサと、基準電圧を定めるツエナーダイオード
と、電源電圧が低下し、ツエナーダイオードがオ
ンとなつたときオンとなるスイツチングトランジ
スタとによつて電圧低下検出回路を構成した点を
特徴とするものである。(c) Main points of the invention This invention was created in view of the above points.
In order to perform voltage drop detection with a quick response that can be used in a variety of applications, we use a capacitor that is charged while the power supply voltage is normal, a Zener diode that determines the reference voltage, and a Zener diode that is turned on when the power supply voltage drops. The present invention is characterized in that the voltage drop detection circuit is constituted by a switching transistor that turns on when the voltage drops.
(ニ) 実施例
第１図は、本考案に係る電圧低下検出回路を集
積回路の禁止信号発生用に用いた場合の一実施例
を示すもので、１は交流電源から直流電圧を得る
為の電源回路、２は電源端子３と禁止端子４とを
有し、メモリー、演算処理回路等を内蔵する
MOS集積回路、５は前記電源端子３に接続され
たメモリーバツクアツプ用のコンデンサ、６は電
圧低下検出回路、及び７は該検出回路６により駆
動される短絡トランジスタである。(d) Embodiment Figure 1 shows an embodiment in which the voltage drop detection circuit according to the present invention is used to generate a prohibition signal for an integrated circuit. The power supply circuit 2 has a power supply terminal 3 and an inhibition terminal 4, and has a built-in memory, arithmetic processing circuit, etc.
A MOS integrated circuit, 5 a memory backup capacitor connected to the power supply terminal 3, 6 a voltage drop detection circuit, and 7 a short-circuit transistor driven by the detection circuit 6 .
しかして、電源ライン８に得られる電源電圧
は、定電圧回路９を介して集積回路２の電源端子
３及び禁止端子４に印加されており、前記検出回
路６の入力端にも印加されている。また、前記検
出回路６は、前記電源ライン８にアノードが接続
されたダイオード１０と、該ダイオード１０のカ
ソードとアースとの間に接続されたコンデンサ１
１と、アノードが前記電源ライン８に接続された
ツエナーダイオード１２と、前記ダイオード１０
のカソードと前記ツエナーダイオード１２のカソ
ードとの間に直列接続された第１及び第２抵抗１
３及び１４と、エミツタが前記コンデンサ１１の
一端に、ベースが前記第１及び第２抵抗１３及び
１４の接続点に接続されたスイツチングトランジ
スタ１５とによつて構成されている。 Thus, the power supply voltage obtained on the power supply line 8 is applied to the power supply terminal 3 and the inhibit terminal 4 of the integrated circuit 2 via the constant voltage circuit 9, and is also applied to the input terminal of the detection circuit 6 . . The detection circuit 6 also includes a diode 10 whose anode is connected to the power supply line 8, and a capacitor 1 connected between the cathode of the diode 10 and the ground.
1, a Zener diode 12 whose anode is connected to the power supply line 8, and the diode 10.
first and second resistors 1 connected in series between the cathode of the Zener diode 12 and the cathode of the Zener diode 12;
3 and 14, and a switching transistor 15 whose emitter is connected to one end of the capacitor 11 and whose base is connected to the connection point between the first and second resistors 13 and 14.
次に動作を説明する。電源スイツチ１６がオン
となつている使用状態においては、電源ライン８
に＋VCCの直流電圧が発生しており、集積回路２
の電源端子３には逆流防止用のダイオード１７を
介して定電圧回路(9)から＋VDDの直流電圧が印加
されている。また、禁止端子４にも前記定電圧回
路９からの電圧＋VDDが抵抗１８を介して印加さ
れており、前記禁止端子４が「Ｈ」となつている
ので、集積回路２内の各部は正常な動作状態にあ
る。その時、検出回路６のコンデンサ１１は、電
源電圧＋VCCにより充電されており、ツエナーダ
イオード１２のアノードにも前記電源電圧＋VCC
が印加されているので、前記ツエナーダイオード
１２はオフとなつており、その為、スイツチング
トランジスタ１５及び短絡トランジスタ７もオフ
となつている。従つて、使用状態においては、前
記検出回路６が作用せず、集積回路２に影響を及
ぼさない。 Next, the operation will be explained. When the power switch 16 is turned on, the power line 8
A DC voltage of +V CC is generated in integrated circuit 2.
A DC voltage of +V DD is applied to the power supply terminal 3 from a constant voltage circuit (9) via a diode 17 for preventing reverse current. Also, the voltage +V DD from the constant voltage circuit 9 is applied to the inhibit terminal 4 via the resistor 18, and the inhibit terminal 4 is set to "H", so each part in the integrated circuit 2 is normal. is in good operating condition. At that time, the capacitor 11 of the detection circuit 6 is charged with the power supply voltage +V CC , and the anode of the Zener diode 12 is also charged with the power supply voltage +V CC
is being applied, the Zener diode 12 is off, and therefore the switching transistor 15 and the shorting transistor 7 are also off. Therefore, during use, the detection circuit 6 does not operate and does not affect the integrated circuit 2.
いま、時刻t1で電源スイツチ１６がオフとなつ
たとすると、電源ライン８の電圧が第２図イの如
く低下し始める。しかして、検出回路６のコンデ
ンサ１１の端子電圧と、電源ライン８の電圧との
差がツエナーダイオード１２のツエナー電圧より
も大となる程に前記電源ライン８の電圧が低下す
ると、前記ツエナーダイオード１２がオンとな
り、スイツチングトランジスタ１５のベース電流
が流れて該スイツチングトランジスタ１５がオン
となる。その為、前記スイツチングトランジスタ
１５のコレクタ電圧が高くなり、それに応じて短
絡トランジスタ７がオンとなる。従つて、集積回
路２の禁止端子４の電圧が、前記短絡トランジス
タ７のオンに応じて「Ｌ」となり、集積回路２内
の各部が禁止状態となる。第２図ロは、禁止端子
４の電圧変化を示すもので、検出回路６の作用に
より電源スイツチ１６をオフした直後に禁止端子
４の電圧が「Ｌ」となるから、メモリーバツクア
ツプ用のコンデンサ１１の不要放電は最小限り押
さえられ、その分バツクアツプ期間を伸ばすこと
が出来る。ちなみに、本考案を実施した場合、
2200μFのメモリーバツクアツプ用のコンデンサ
を使用して、１ケ月のバツクアツプ期間を得るこ
とが出来た。 Now, if the power switch 16 is turned off at time t1 , the voltage of the power line 8 begins to drop as shown in FIG. 2A. Therefore, when the voltage of the power supply line 8 decreases to the extent that the difference between the terminal voltage of the capacitor 11 of the detection circuit 6 and the voltage of the power supply line 8 becomes larger than the Zener voltage of the Zener diode 12, the Zener diode 12 is turned on, the base current of the switching transistor 15 flows, and the switching transistor 15 is turned on. Therefore, the collector voltage of the switching transistor 15 becomes high, and the shorting transistor 7 is turned on accordingly. Therefore, the voltage at the inhibit terminal 4 of the integrated circuit 2 becomes "L" in response to the turning on of the short circuit transistor 7, and each part within the integrated circuit 2 becomes inhibited. Figure 2 (b) shows the voltage change at the inhibit terminal 4. Immediately after the power switch 16 is turned off due to the action of the detection circuit 6 , the voltage at the inhibit terminal 4 becomes "L". 11 is suppressed to the minimum, and the backup period can be extended accordingly. By the way, if this idea is implemented,
Using a 2200μF memory backup capacitor, I was able to obtain a one month backup period.
検出回路６のツエナーダイオード１２は、両端
電圧がツエナー電圧に達しない限りオワとなつて
おり、電流を流さない。その為、電源電圧が正常
な状態にある限り、スイツチングトランジスタ１
５のベース電流が流れず、該スイツチングトラン
ジスタ１５はオフ状態を保つ。しかしながら、前
記ツエナーダイオード１２は、両端電圧がツエナ
ー電圧に達すると急激に電流が流れ、スイツチン
グトランジスタ１５のベース電流が急激に大とな
るので、電源ライン８の定常状態の電圧からツエ
ナーダイオード１２のツエナー電圧により決定さ
れる所定電圧分低下すると、スイツチングトラン
ジスタ１５のコレクタに直ちに所定の電圧が発生
し、短絡トランジスタ７が直ちにオンとなる。従
つて、集積回路２の禁止端子４には、電源ライン
８の定常状態の電圧からツエナーダイオード１２
のツエナー電圧により決定される所定電圧分低下
すると直ちに禁止信号「Ｌ」が印加されることに
なる。 The Zener diode 12 of the detection circuit 6 is in an OFF state and does not conduct current unless the voltage across both ends reaches the Zener voltage. Therefore, as long as the power supply voltage is in a normal state, switching transistor 1
5 does not flow, and the switching transistor 15 remains off. However, when the voltage across the Zener diode 12 reaches the Zener voltage, a current suddenly flows, and the base current of the switching transistor 15 suddenly increases. When the Zener voltage drops by a predetermined voltage determined by the Zener voltage, a predetermined voltage is immediately generated at the collector of the switching transistor 15, and the shorting transistor 7 is immediately turned on. Therefore, the Zener diode 12 is connected to the inhibit terminal 4 of the integrated circuit 2 from the steady state voltage of the power supply line 8.
As soon as the voltage drops by a predetermined voltage determined by the Zener voltage, the inhibition signal "L" is applied.
(ホ) 効果
以上述べた如く、本考案に依れば、電源電圧が
低下したことを知らせる検知信号を直ちに発生さ
せることが出来、特に、その検知信号をツエナー
ダイオードのツエナー電圧分低下したときに発生
する様にしているので、定常状態時の電源電圧の
バラ付きに依らず、あるいは異なる電圧値の電源
電圧を使用する回路に依らず、定常状態時の電源
電圧からツエナーダイオードのツエナー電圧分低
下したときに前記検知信号を発生させることが出
来、回路設計が容易で、動作が確実な電圧低下検
出回路が提供出来る。(e) Effects As described above, according to the present invention, it is possible to immediately generate a detection signal to notify that the power supply voltage has decreased, and especially when the detection signal is decreased by the Zener voltage of the Zener diode. Therefore, the drop in the Zener voltage of the Zener diode from the power supply voltage in the steady state does not depend on variations in the power supply voltage in the steady state, or in circuits that use power supply voltages with different voltage values. It is possible to provide a voltage drop detection circuit that can generate the detection signal when the voltage drop is detected, is easy to design, and has reliable operation.
第１図は、本考案の一実施例を示す回路図、及
び第２図はその特性図である。
主な図番の説明、６……電圧低下検出回路、１
１……コンデンサ、１２……ツエナーダイオー
ド、１５……スイツチングトランジスタ。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a characteristic diagram thereof. Explanation of main drawing numbers, 6 ... Voltage drop detection circuit, 1
1... Capacitor, 12... Zener diode, 15... Switching transistor.
Claims (1)
電源電圧によつて充電されるコンデンサと、エミ
ツタが該コンデンサの充電端子に接続されたスイ
ツチングトランジスタと、該スイツチングトラン
ジスタのベースと前記電源ライン間に接続された
ツエナーダイオードとを備え、前記電源ラインの
電源電圧の低下により該電源電圧と前記コンデン
サの端子電圧との差が前記ツエナーダイオードの
ツエナー電圧になつたとき、前記コンデンサの放
電電流により前記スイツチングトランジスタをオ
ンする様にしたことを特徴とする電圧低下検出回
路。 A capacitor charged by a power supply voltage supplied from a power supply line via a diode, a switching transistor whose emitter is connected to a charging terminal of the capacitor, and a connection between the base of the switching transistor and the power supply line. and a zener diode, and when the difference between the power supply voltage and the terminal voltage of the capacitor becomes the zener voltage of the zener diode due to a decrease in the power supply voltage of the power supply line, the switching is caused by the discharging current of the capacitor. A voltage drop detection circuit characterized by turning on a transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11230482U JPS5917862U (en) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | Voltage drop detection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11230482U JPS5917862U (en) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | Voltage drop detection circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917862U JPS5917862U (en) | 1984-02-03 |
| JPH0311745Y2 true JPH0311745Y2 (en) | 1991-03-20 |
Family
ID=30260390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11230482U Granted JPS5917862U (en) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | Voltage drop detection circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917862U (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52171970U (en) * | 1976-06-21 | 1977-12-27 |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP11230482U patent/JPS5917862U/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5917862U (en) | 1984-02-03 |
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