JPH03114280A - 狭帯域発振エキシマレーザ装置 - Google Patents
狭帯域発振エキシマレーザ装置Info
- Publication number
- JPH03114280A JPH03114280A JP1250675A JP25067589A JPH03114280A JP H03114280 A JPH03114280 A JP H03114280A JP 1250675 A JP1250675 A JP 1250675A JP 25067589 A JP25067589 A JP 25067589A JP H03114280 A JPH03114280 A JP H03114280A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- total reflection
- chamber
- laser
- reflection mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/082—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors defining a plurality of resonators, e.g. for mode selection or suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lasers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、縮小投影露光装置の光源として用いる狭帯域
発振エキシマレーザ装置に関するものである。
発振エキシマレーザ装置に関するものである。
集積回路等の回路パターンを半導体ウェハ上に露光する
縮小投影露光装置の光源としてエキシマレーザの利用が
注目されている。これはエキシマレーザの波長が短い(
KrPレーザの波長は約248.4m+s)ことから光
露光の限界を0゜5μm以下に延ばせる可能性があるこ
と、また同解像度なら従来用いていた水銀ランプのg線
やi線に比較して焦点深度が深いこと、さらにレンズの
開口数(NA)が小さくてすみ、露光領域を大きくでき
ること、そしてさらに、大きなパワーが得られること等
の多くの優れた利点が期待できるからである。
縮小投影露光装置の光源としてエキシマレーザの利用が
注目されている。これはエキシマレーザの波長が短い(
KrPレーザの波長は約248.4m+s)ことから光
露光の限界を0゜5μm以下に延ばせる可能性があるこ
と、また同解像度なら従来用いていた水銀ランプのg線
やi線に比較して焦点深度が深いこと、さらにレンズの
開口数(NA)が小さくてすみ、露光領域を大きくでき
ること、そしてさらに、大きなパワーが得られること等
の多くの優れた利点が期待できるからである。
ところで、エキシマレーザはその波長が248.35+
amと短いため、この波長を透過する材料が石英しか用
いることができない。そこで、色収差補正をした縮小投
影レンズの設計は困難である。
amと短いため、この波長を透過する材料が石英しか用
いることができない。そこで、色収差補正をした縮小投
影レンズの設計は困難である。
このため、エキシマレーザを縮小投影露光装置の光源と
して用いるには、上記色収差を無視しうる程度までの狭
域弗化が必要となる。
して用いるには、上記色収差を無視しうる程度までの狭
域弗化が必要となる。
エキシマレーザの狭域弗化のために、発明者等は、エキ
シマレーザのりアミラーとレーザチャンバとの間に複数
の波長選択素子を配設し、この複数の波長選択素子の選
択中心波長と制御する中心波長制御を行うと共に、この
複数の波長選択素子の透過中心波長を重ね合せる重ね合
せ制御を実行するという構成を提案している。
シマレーザのりアミラーとレーザチャンバとの間に複数
の波長選択素子を配設し、この複数の波長選択素子の選
択中心波長と制御する中心波長制御を行うと共に、この
複数の波長選択素子の透過中心波長を重ね合せる重ね合
せ制御を実行するという構成を提案している。
この重ね合わせ制御は、具体的には、出力レーザ光の中
心波長のパワーをモニタし、このモニタしたパワーが最
大となるように複数の波長選択素子の波長選択特性を制
御するものである。
心波長のパワーをモニタし、このモニタしたパワーが最
大となるように複数の波長選択素子の波長選択特性を制
御するものである。
ところで、エキシマレーザはパルス発振するガスレーザ
であるため、各パルスエネルギにはある程度バラツキが
ある。従ってレーザパワーの変化をモニタする場合、複
数のレーザ出力パルスをサンプリングし、これを平均化
してレーザパワーを評価することが行われており、上記
重ね合わせ制御におけるレーザパワーのモニタも複数の
レーザ出力パルスをサンプリングし、これを平均化する
ことにより行われる。
であるため、各パルスエネルギにはある程度バラツキが
ある。従ってレーザパワーの変化をモニタする場合、複
数のレーザ出力パルスをサンプリングし、これを平均化
してレーザパワーを評価することが行われており、上記
重ね合わせ制御におけるレーザパワーのモニタも複数の
レーザ出力パルスをサンプリングし、これを平均化する
ことにより行われる。
狭帯域エキシマレーザの場合、通常の広帯域レーザ(フ
リーラン)と比較してミラー(フロントミラーとリアミ
ラー)のアライメントはより厳して精度が要求される。
リーラン)と比較してミラー(フロントミラーとリアミ
ラー)のアライメントはより厳して精度が要求される。
また出射したレーザ光はステッパに入射され露光に用い
られるが、レーザの出射口より最終的な露光面に到達す
るまでには、光は数メートルの光路を通ることになるた
め、その先軸(光の出射方向)も非常に厳しい精度が要
求される。
られるが、レーザの出射口より最終的な露光面に到達す
るまでには、光は数メートルの光路を通ることになるた
め、その先軸(光の出射方向)も非常に厳しい精度が要
求される。
一方エキシマレーザ装置は、定期的な部品交換等のメン
テナンスを頻繁に行う必要があり、出射光軸を狂わすこ
となくこのメンテナンスを行なうことは非常に困難であ
る。
テナンスを頻繁に行う必要があり、出射光軸を狂わすこ
となくこのメンテナンスを行なうことは非常に困難であ
る。
またレーザ出力低下等の問題が起った場合、その原因究
明のためにミラーのアライメント調整及び波長分散素子
の検査等を行わなければならず、やはり出射光軸を狂わ
すことなくこれを行うことは非常に困難である。
明のためにミラーのアライメント調整及び波長分散素子
の検査等を行わなければならず、やはり出射光軸を狂わ
すことなくこれを行うことは非常に困難である。
本発明は上記のことにかんがみなされたもので、現状の
光軸を狂わすことなく、アライメント状態及び波長選択
素子等の検査を容易に行なうことができ、定期的調整診
断を容易に行うことができるようにした狭帯域発振エキ
シマレーザ装置を提供することを目的とするものである
。
光軸を狂わすことなく、アライメント状態及び波長選択
素子等の検査を容易に行なうことができ、定期的調整診
断を容易に行うことができるようにした狭帯域発振エキ
シマレーザ装置を提供することを目的とするものである
。
上記目的を達成するために本発明に係る狭帯域発振エキ
シマレーザ装置は、レーザ共振器内に波長選択素子、プ
リズム、回折格子等の波長分散素子を組合わせ配置して
なる狭帯域発振エキシマレーザ装置において、リアミラ
ー、波長分散素子、レーザチャンバの相互の間で少なく
とも1カ所に反射面をレーザチャンバ側へ向けた全反射
ミラーを出し入れ可能にして配置した構成となっている
。
シマレーザ装置は、レーザ共振器内に波長選択素子、プ
リズム、回折格子等の波長分散素子を組合わせ配置して
なる狭帯域発振エキシマレーザ装置において、リアミラ
ー、波長分散素子、レーザチャンバの相互の間で少なく
とも1カ所に反射面をレーザチャンバ側へ向けた全反射
ミラーを出し入れ可能にして配置した構成となっている
。
また上記全反射ミラーに、これを出し入れするためのス
ライド装置と、アオリ用の動力源を設けた構成となって
いる。
ライド装置と、アオリ用の動力源を設けた構成となって
いる。
全反射ミラーを挿入してそのアオリを変化させることに
よりフロントミラーに対するアライメントを調整できる
。
よりフロントミラーに対するアライメントを調整できる
。
また上記全反射ミラーはスライド装置にて出し入れされ
、また動力にてアオリがなされる。
、また動力にてアオリがなされる。
本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図(A) 、 (B) 、 (C) 、 (D)は
波長選択素子を用いた例であり、図中1は両端にウィン
ドウ2゜2を有するレーザチャンバ、3はフロントミラ
4はリアミラーで、このリアミラー4と上記レーザチャ
ンバ1との間に2個の波長選択素子5.5が介装しであ
る。
波長選択素子を用いた例であり、図中1は両端にウィン
ドウ2゜2を有するレーザチャンバ、3はフロントミラ
4はリアミラーで、このリアミラー4と上記レーザチャ
ンバ1との間に2個の波長選択素子5.5が介装しであ
る。
この実施例において、第1図(A) 、 (B) 、
(C)に示すように、レーザチャンバ1とりアミラー4
との間の任意の位置に全反射ミラー6を、これの反射面
をレーザチャンバ1側へ向けて挿入する。そしてこの全
反射ミラー6のアオリを変化させてフロントミラー3と
のアライメントを調整する。この調整は手動で行うか、
またはモータ等の動力を用いて自動で行うことも可能で
ある。
(C)に示すように、レーザチャンバ1とりアミラー4
との間の任意の位置に全反射ミラー6を、これの反射面
をレーザチャンバ1側へ向けて挿入する。そしてこの全
反射ミラー6のアオリを変化させてフロントミラー3と
のアライメントを調整する。この調整は手動で行うか、
またはモータ等の動力を用いて自動で行うことも可能で
ある。
第1図(A)に示すものは、全反射ミラー6をレーザチ
ャンバ1と波長選択素子5との間に挿入したフリーラン
状態であり、第1図(B)に示すものは、波長選択素子
4.4のうちの片方だけが入った状態であり、第1図(
C)は両方の波長選択素子4.4を入れた通常の発振状
態であり、これらの各状態におけるそれぞれの出力等を
観測することができる。
ャンバ1と波長選択素子5との間に挿入したフリーラン
状態であり、第1図(B)に示すものは、波長選択素子
4.4のうちの片方だけが入った状態であり、第1図(
C)は両方の波長選択素子4.4を入れた通常の発振状
態であり、これらの各状態におけるそれぞれの出力等を
観測することができる。
上記全反射ミラー6は第1図(D)示すように、その各
挿入位置に、スライド装置7にて挿入方向にスライドで
きるように配置してもよい、またこのときの各全反射ミ
ラー6.6.6のそれぞれにモータ8を取り付けてこれ
のアオリを制御するようにしである。
挿入位置に、スライド装置7にて挿入方向にスライドで
きるように配置してもよい、またこのときの各全反射ミ
ラー6.6.6のそれぞれにモータ8を取り付けてこれ
のアオリを制御するようにしである。
第2図(A) 、 (B) 、 (C) 、 (D)は
りドロー配置の場合の実施例を示すもので、レーザチャ
ンバ1と回折格子9の間に凸レンズ10aと凹レンズ1
0bとからなるビームエキスパンダ10が介装されてい
る。そしてこのレーザチャンバ1と回折格子9の間の任
意の位置に全反射ミラー6を挿入する。そしてこの全反
射ミラー6のアオリを変化させてフロントミラー3との
アライメントを調整する。この調整は手動あるいはモー
タ等の動力を用いて自動で行なう。
りドロー配置の場合の実施例を示すもので、レーザチャ
ンバ1と回折格子9の間に凸レンズ10aと凹レンズ1
0bとからなるビームエキスパンダ10が介装されてい
る。そしてこのレーザチャンバ1と回折格子9の間の任
意の位置に全反射ミラー6を挿入する。そしてこの全反
射ミラー6のアオリを変化させてフロントミラー3との
アライメントを調整する。この調整は手動あるいはモー
タ等の動力を用いて自動で行なう。
第2図(A)に示すものは、レーザチャンバlとビーム
エキスパンダ10との間が全反射ミラー6を挿入したフ
リーラン状態であり、第2図(B)に示すものは、ビー
ムエキスパンダ10の片方の凹レンズ10bが入った状
態である。ただしこのときの全反射ミラー6には上記凹
レンズ10bの焦点距離に対応した焦点距離を有する凹
面鏡が用いられる。第2図(C)はビームエキスパンダ
10が入った通常の発振状態であり、これらの各状態に
おけるそれぞれの出力等を観測することができる。
エキスパンダ10との間が全反射ミラー6を挿入したフ
リーラン状態であり、第2図(B)に示すものは、ビー
ムエキスパンダ10の片方の凹レンズ10bが入った状
態である。ただしこのときの全反射ミラー6には上記凹
レンズ10bの焦点距離に対応した焦点距離を有する凹
面鏡が用いられる。第2図(C)はビームエキスパンダ
10が入った通常の発振状態であり、これらの各状態に
おけるそれぞれの出力等を観測することができる。
この場合も、第2図(D)に示すように、全反射ミラー
6にモータ8等を取り付けてアオリを制御できるように
し、かつスライド装置7にてスライド可能にし、定期的
な検査装置とすることができる。ただし、この場合、ビ
ームエキスパンダ10の間に配置される全反射ミラー6
′は、このビームエキスパンダ10のうち凹レンズ10
bの焦点距離に対応した焦点距離を有する凹面鏡である
。
6にモータ8等を取り付けてアオリを制御できるように
し、かつスライド装置7にてスライド可能にし、定期的
な検査装置とすることができる。ただし、この場合、ビ
ームエキスパンダ10の間に配置される全反射ミラー6
′は、このビームエキスパンダ10のうち凹レンズ10
bの焦点距離に対応した焦点距離を有する凹面鏡である
。
第3図(A) 、 (B) 、 (C) 、 (D)に
示す実施例は波長分散素子に一対のプリズムlla、l
lbを用いたものであり、この場合もレーザチャンバ1
と回折格子9との間の任意の位置に全反射ミラー6を挿
入し、この全反射ミラー6のアオリを変化させてフロン
トミラー3とのアライメントを調整する。この場合の調
整も手動あるいはモータ等による自動にて行なう。
示す実施例は波長分散素子に一対のプリズムlla、l
lbを用いたものであり、この場合もレーザチャンバ1
と回折格子9との間の任意の位置に全反射ミラー6を挿
入し、この全反射ミラー6のアオリを変化させてフロン
トミラー3とのアライメントを調整する。この場合の調
整も手動あるいはモータ等による自動にて行なう。
そして第3図(A)ではフリーラン状態、第3図(B)
ではプリズムlla、llbのうち片方だけが入った状
態、第3図(C)では両方のプリズムlla、llbが
入った状態のそれぞれの出力等を観測できる。
ではプリズムlla、llbのうち片方だけが入った状
態、第3図(C)では両方のプリズムlla、llbが
入った状態のそれぞれの出力等を観測できる。
この場合も、第3図(D)に示すように、全反射ミラー
6にモータ8等を取り付けてアオリを制御できるように
し、かつスライド装置7にてスライド可能にし、定期的
な検査装置とすることができる。
6にモータ8等を取り付けてアオリを制御できるように
し、かつスライド装置7にてスライド可能にし、定期的
な検査装置とすることができる。
第4図(A) 、 (B) 、 (C) 、 (D)
、 (E)に示す実施例はプリズムlla、llbと回
折格子9及びリアミラー4を用いたものであり、この場
合は、全反射ミラー6をレーザチャンバとプリズムit
bの間(第4図(A))プリズムlla、Ilbの間(
第4図(B))、プリズムllaと回折格子9の間(第
4図(C) ) 、さらに回折格子9とリアミラー4の
間(第4図(D))の任意の位置に挿入し、それぞれの
位置で全反射ミラー6のアすりを変化させてフロントミ
ラー3とのアライメントを調整する。この場合の調整も
手動あるいは自動で行なう。
、 (E)に示す実施例はプリズムlla、llbと回
折格子9及びリアミラー4を用いたものであり、この場
合は、全反射ミラー6をレーザチャンバとプリズムit
bの間(第4図(A))プリズムlla、Ilbの間(
第4図(B))、プリズムllaと回折格子9の間(第
4図(C) ) 、さらに回折格子9とリアミラー4の
間(第4図(D))の任意の位置に挿入し、それぞれの
位置で全反射ミラー6のアすりを変化させてフロントミ
ラー3とのアライメントを調整する。この場合の調整も
手動あるいは自動で行なう。
そしてこの場合も、第4図(E)に示すように、全反射
ミラー6にモータ8等を取り付けてアオリを制御できる
ようにし、かつスライド装置7にてスライドできるよう
にし、定期的な検査装置することができる。
ミラー6にモータ8等を取り付けてアオリを制御できる
ようにし、かつスライド装置7にてスライドできるよう
にし、定期的な検査装置することができる。
本発明によれば、通常発振状態とは別の全反射ミラー6
を光軸を横切る方向に挿入することにより光軸を狂わす
ことなく、かつ容易にアライメント状態と波長選択素等
の波長分散素子の検査を行うことができる。また定期的
調整診断を行うことができる。
を光軸を横切る方向に挿入することにより光軸を狂わす
ことなく、かつ容易にアライメント状態と波長選択素等
の波長分散素子の検査を行うことができる。また定期的
調整診断を行うことができる。
第1図(A) 、 (B) 、 (C) 、 (D)は
本発明の第1の実施例のそれぞれ異なる態様を示す構成
説明図、第2図(A) 、 (B) 、 (C) 、
(D)は本発明の第2の実施例をそれぞれ異なる態様を
示す構成説明図、第3図(A) 、 (B) 、 (C
) 、 (D)は本発明の第3の実施例のそれぞれ異な
る態様を示す構成説明図、第4図(A) 、 (B)
、 (C) 、 (D) 、 (E)は本発明の第4図
の実施例をそれぞれ異なる実施態様を示す構成説明図で
ある。 1はレーザチャンバ、3はフロントミラー4はり゛アミ
ラー 5は波長選択素子、6.6′は全反射ミラー 7
はスライド装置、8はモータ、9は回折格子、10はビ
ームエキスパンダ、11a、llbはプリズム。
本発明の第1の実施例のそれぞれ異なる態様を示す構成
説明図、第2図(A) 、 (B) 、 (C) 、
(D)は本発明の第2の実施例をそれぞれ異なる態様を
示す構成説明図、第3図(A) 、 (B) 、 (C
) 、 (D)は本発明の第3の実施例のそれぞれ異な
る態様を示す構成説明図、第4図(A) 、 (B)
、 (C) 、 (D) 、 (E)は本発明の第4図
の実施例をそれぞれ異なる実施態様を示す構成説明図で
ある。 1はレーザチャンバ、3はフロントミラー4はり゛アミ
ラー 5は波長選択素子、6.6′は全反射ミラー 7
はスライド装置、8はモータ、9は回折格子、10はビ
ームエキスパンダ、11a、llbはプリズム。
Claims (2)
- (1)レーザ共振器内に波長選択素子、プリズム、回折
格子等の波長分散素子を組合わせ配置してなる狭帯域発
振エキシマレーザ装置において、リミアラー、波長分散
素子、レーザチャンバの相互の間で少なくとも1ヵ所に
反射面をレーザチャンバ側へ向けた全反射ミラーを出し
入れ可能にして配置したことを特徴とする狭帯域発振エ
キシマレーザ装置。 - (2)全反射ミラーに、これを出し入れするためのスラ
イド装置と、アオリ用の動力源を取り付けたことを特徴
とする請求項1記載の狭帯域発振エキシマレーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1250675A JPH03114280A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 狭帯域発振エキシマレーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1250675A JPH03114280A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 狭帯域発振エキシマレーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03114280A true JPH03114280A (ja) | 1991-05-15 |
Family
ID=17211376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1250675A Pending JPH03114280A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 狭帯域発振エキシマレーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03114280A (ja) |
-
1989
- 1989-09-28 JP JP1250675A patent/JPH03114280A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101302244B1 (ko) | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 및 시스템 | |
US4905041A (en) | Exposure apparatus | |
EP1724816A1 (en) | Exposure method and system, and device production method | |
JPS61502507A (ja) | ディ−プ紫外線リソグラフィ− | |
US4922290A (en) | Semiconductor exposing system having apparatus for correcting change in wavelength of light source | |
KR20040002536A (ko) | 레이저 광원 제어 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치,그리고 디바이스 제조방법 | |
US8451430B2 (en) | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2631554B2 (ja) | レーザの波長制御装置 | |
WO2000067303A1 (fr) | Procede et appareil d'exposition | |
US6181724B1 (en) | Narrow-band oscillation excimer laser and optics thereof | |
US20180323568A1 (en) | Line narrowed laser apparatus | |
US6335786B1 (en) | Exposure apparatus | |
US20020122450A1 (en) | High repetition rate UV excimer laser | |
WO2010127831A1 (en) | Bandwidth narrowing module for setting a spectral bandwidth of a laser beam | |
JPH03114280A (ja) | 狭帯域発振エキシマレーザ装置 | |
US6839374B2 (en) | Barium fluoride high repetition rate UV excimer laser | |
JP2007294550A (ja) | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JPS63213928A (ja) | 露光装置 | |
JP2631553B2 (ja) | レーザの波長制御装置 | |
JPH02288383A (ja) | 狭帯域レーザ装置 | |
JPH01155673A (ja) | レーザー波長制御装置及びそれを用いた露光装置 | |
JPS62187815A (ja) | 光量制御装置 | |
JPH02271515A (ja) | レーザ露光装置 | |
JP2023532413A (ja) | エタロンでの測定誤差の決定 | |
JP2676387B2 (ja) | 狭帯域発振エキシマレーザ装置における光軸安定化方法 |