JPH03110843A - アッシング方法 - Google Patents
アッシング方法Info
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- JPH03110843A JPH03110843A JP24966689A JP24966689A JPH03110843A JP H03110843 A JPH03110843 A JP H03110843A JP 24966689 A JP24966689 A JP 24966689A JP 24966689 A JP24966689 A JP 24966689A JP H03110843 A JPH03110843 A JP H03110843A
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Links
- 238000004380 ashing Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 23
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 71
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概要）
レジスト膜のアッシング方法に関し、
レジスト膜をアッシングする際、レジスト膜中のＮａが
酸化膜中に侵入するＮａ汚染を実用上問題ないレベルま
で生じないようにすることができ、かつ酸化膜のエツチ
ングをほとんど進行させず、素子特性の劣化を生じ難く
することができるアッシング方法を提供することを目的
とし、レジスト膜をアッシングする際、０２ガスにＨ２
Ｏガスを１０体積％以上添加しプラズマ化して処理する
ように構成する。
酸化膜中に侵入するＮａ汚染を実用上問題ないレベルま
で生じないようにすることができ、かつ酸化膜のエツチ
ングをほとんど進行させず、素子特性の劣化を生じ難く
することができるアッシング方法を提供することを目的
とし、レジスト膜をアッシングする際、０２ガスにＨ２
Ｏガスを１０体積％以上添加しプラズマ化して処理する
ように構成する。
〔産業上の利用分野］
本発明は、アッシング方法に係り、レジスト膜をアッシ
ングする方法に適用することができ、特に、レジスト膜
中のＮａが酸化膜中に侵入するＮａ汚染を抑制すること
ができるアッシング方法に関する。
ングする方法に適用することができ、特に、レジスト膜
中のＮａが酸化膜中に侵入するＮａ汚染を抑制すること
ができるアッシング方法に関する。
半導体装置の製造方法において利用されるフォトリソグ
ラフィー法においてはフォトレジストからなるマスクが
よく用いられており、マスクとして使用した後は通常ア
ッシングしなければならない。しかしながら、このレジ
ストはマスクとして使用される際、露光によって変質硬
化するため、アッシングすることが必ずしも容易ではな
い。
ラフィー法においてはフォトレジストからなるマスクが
よく用いられており、マスクとして使用した後は通常ア
ッシングしなければならない。しかしながら、このレジ
ストはマスクとして使用される際、露光によって変質硬
化するため、アッシングすることが必ずしも容易ではな
い。
〔従来の技術］
従来、上記のようにマスクとして使用したレジスト膜を
アッシングするには、酸素ガスをプラズマ化して処理す
るアッシング方法が使用されており、レジスト膜を剥離
することができるという利点がある。しかしながら、レ
ジスト膜をアッシングする際、レジスト膜中のＮａが酸
化膜中に侵入するＮａ汚染という問題が生じていた。具
体的には、レジスト膜中にはＮａが数百ｐｐｂオーダ〜
ｐｐｍオーダと多量に含まれており、今のところ０〜数
十ｐＰｂオーダのものはなく、このレジスト膜中のＮａ
がアッシングの際に酸化膜（特にゲート酸化膜）中に入
ると準位を形成して素子特性を劣化させる等の問題があ
った。なお、レジスト膜中のＮａが酸化膜中に入るのは
プラズマでアッシングする際の荷電粒子や熱処理等の影
響によるものと考えられている。
アッシングするには、酸素ガスをプラズマ化して処理す
るアッシング方法が使用されており、レジスト膜を剥離
することができるという利点がある。しかしながら、レ
ジスト膜をアッシングする際、レジスト膜中のＮａが酸
化膜中に侵入するＮａ汚染という問題が生じていた。具
体的には、レジスト膜中にはＮａが数百ｐｐｂオーダ〜
ｐｐｍオーダと多量に含まれており、今のところ０〜数
十ｐＰｂオーダのものはなく、このレジスト膜中のＮａ
がアッシングの際に酸化膜（特にゲート酸化膜）中に入
ると準位を形成して素子特性を劣化させる等の問題があ
った。なお、レジスト膜中のＮａが酸化膜中に入るのは
プラズマでアッシングする際の荷電粒子や熱処理等の影
響によるものと考えられている。
上記Ｎａ汚染という問題を解決する従来のアッシング方
法としては、ｒＪａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｖｏｌ、２Ｏ＋
Ｎｏ、３． Ｍａｒｃｈ、 １９８１＋ ｐｐ６４７〜
６５５」に報告されており、ここでは、レジスト膜への
荷電粒子の直接照射を防ぐことによる方法であった。
法としては、ｒＪａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｖｏｌ、２Ｏ＋
Ｎｏ、３． Ｍａｒｃｈ、 １９８１＋ ｐｐ６４７〜
６５５」に報告されており、ここでは、レジスト膜への
荷電粒子の直接照射を防ぐことによる方法であった。
また、Ｎａ汚染という問題を解決する別の従来方法とし
ては、ｏ２ガスにフッ素系ガス（例えばＣＦ ａガス）
を添加しプラズマ化して処理するアッシング方法が記載
されている。
ては、ｏ２ガスにフッ素系ガス（例えばＣＦ ａガス）
を添加しプラズマ化して処理するアッシング方法が記載
されている。
ところで、特開昭６４−４８４２１号公報には０□ガス
に■］２Ｏガスを添加しプラズマ化して処理するアッシ
ング方法が記載されている。しかしながら、ここでは、
Ｎａ汚染については何も記載されておらず、０□ガスに
Ｈ２Ｏガスを添加することによってＨ，Ｏガスを入れな
い０□ガスによる場合よりもアッシングレートが向上す
ることについてのみ記載されているだけである。
に■］２Ｏガスを添加しプラズマ化して処理するアッシ
ング方法が記載されている。しかしながら、ここでは、
Ｎａ汚染については何も記載されておらず、０□ガスに
Ｈ２Ｏガスを添加することによってＨ，Ｏガスを入れな
い０□ガスによる場合よりもアッシングレートが向上す
ることについてのみ記載されているだけである。
上記したレジスト膜への荷電粒子の直接照射を防ぐこと
によるアッシング方法や０□ガスにフッ素系ガスを添加
しプラズマ化して処理するアッシング方法では、両者共
レジスト膜を剥離することができ、レジスト膜をアッシ
ングする際、レジスト膜中のＮａが酸化膜中に侵入する
Ｎａ汚染の防止についてもある程度の効果が期待できる
。しかしながら、レジスト膜への電荷粒子の直接照射を
防ぐことによるアッシング方法では実用上問題ないレベ
ルまでＮａ汚染を防止することができないという問題が
あった。このため、結局酸化膜（特にゲート酸化膜中）
中にＮａが侵入し、素子特性（素子の電気的特性）に悪
影響を及ぼすという問題があった。
によるアッシング方法や０□ガスにフッ素系ガスを添加
しプラズマ化して処理するアッシング方法では、両者共
レジスト膜を剥離することができ、レジスト膜をアッシ
ングする際、レジスト膜中のＮａが酸化膜中に侵入する
Ｎａ汚染の防止についてもある程度の効果が期待できる
。しかしながら、レジスト膜への電荷粒子の直接照射を
防ぐことによるアッシング方法では実用上問題ないレベ
ルまでＮａ汚染を防止することができないという問題が
あった。このため、結局酸化膜（特にゲート酸化膜中）
中にＮａが侵入し、素子特性（素子の電気的特性）に悪
影響を及ぼすという問題があった。
また、０！ガスにフッ素系ガスを添加しプラズマ化して
処理するアッシング方法では、特に、レジスト膜をアッ
シングする際に露出されている酸化膜（特にゲート酸化
膜）をエツチングしてしまうという問題があった。特に
ゲート酸化膜がエツチングされてしまうと、素子特性が
劣化し易く最悪の場合はトランジスタ動作しなくなる恐
れがあった。
処理するアッシング方法では、特に、レジスト膜をアッ
シングする際に露出されている酸化膜（特にゲート酸化
膜）をエツチングしてしまうという問題があった。特に
ゲート酸化膜がエツチングされてしまうと、素子特性が
劣化し易く最悪の場合はトランジスタ動作しなくなる恐
れがあった。
また、レジスト膜への荷電粒子の直接照射を防ぐことに
よる方法と０□ガスにフッ素系ガスを添加しプラズマ化
して処理する方法を組み合わせて行えばＮａ汚染につい
てはかなり有効な手段と考えられるが、この場合もフッ
素系ガスを使用しているため、上記と同様酸化膜をエツ
チングしてしまうという問題がある。
よる方法と０□ガスにフッ素系ガスを添加しプラズマ化
して処理する方法を組み合わせて行えばＮａ汚染につい
てはかなり有効な手段と考えられるが、この場合もフッ
素系ガスを使用しているため、上記と同様酸化膜をエツ
チングしてしまうという問題がある。
そこで、本発明は、レジスト膜をアッシングする際、レ
ジスト中のＮａが酸化膜中に侵入するＮａ汚染を実用上
問題ないレベルまで生じ難くすることができ、かつ酸化
膜のエツチングをほとんど生じないようにすることがで
き、素子特性の劣化を生じ難くすることができるアッシ
ング方法を提供することを目的としている。
ジスト中のＮａが酸化膜中に侵入するＮａ汚染を実用上
問題ないレベルまで生じ難くすることができ、かつ酸化
膜のエツチングをほとんど生じないようにすることがで
き、素子特性の劣化を生じ難くすることができるアッシ
ング方法を提供することを目的としている。
本発明によるアッシング方法は上記目的達成のため、レ
ジスト膜をアッシングする際、０□ガスに１１．０ガス
を１０体積％以上添加しプラズマ化して処理するもので
ある。
ジスト膜をアッシングする際、０□ガスに１１．０ガス
を１０体積％以上添加しプラズマ化して処理するもので
ある。
本発明において、０□ガスにＨ，Ｏガスを添加したのは
、フッ素系ガスを添加すると酸化膜をエツチングしてし
まい実用上好ましくないがＨ，０ガスを添加しても酸化
膜がほとんどエツチングされず好ましいからである。ま
た、０□ガスにＮ２Ｏガス１０ 体積％以上添加するとフラットバンドシフトの変化量が
１Ｖ以下となりＮａ汚染がほとんど生じず実用上好まし
いからである。一方、０□ガスにＨｔＯガスを１０％よ
りも少なく添加すると、フラットバンドシフトの変化量
がＩＶよりも大きくなり、Ｎａ汚染が顕著に生じるよう
になり実用上好ましくないからである。また、Ｈ．Ｏガ
ス添加量は好ましくは４０〜６０％の範囲であり、この
場合、フラットバンドシフトの変化量をより好ましく減
少させることができ、Ｎａ汚染に対してより効果的で好
ましい。
、フッ素系ガスを添加すると酸化膜をエツチングしてし
まい実用上好ましくないがＨ，０ガスを添加しても酸化
膜がほとんどエツチングされず好ましいからである。ま
た、０□ガスにＮ２Ｏガス１０ 体積％以上添加するとフラットバンドシフトの変化量が
１Ｖ以下となりＮａ汚染がほとんど生じず実用上好まし
いからである。一方、０□ガスにＨｔＯガスを１０％よ
りも少なく添加すると、フラットバンドシフトの変化量
がＩＶよりも大きくなり、Ｎａ汚染が顕著に生じるよう
になり実用上好ましくないからである。また、Ｈ．Ｏガ
ス添加量は好ましくは４０〜６０％の範囲であり、この
場合、フラットバンドシフトの変化量をより好ましく減
少させることができ、Ｎａ汚染に対してより効果的で好
ましい。
（作用〕
本発明は、レジスト膜がアッシングされる隙、０□ガス
にＨ．Ｏガスが１０体積％以上添加されプラズマ化され
て処理される。
にＨ．Ｏガスが１０体積％以上添加されプラズマ化され
て処理される。
したがって、レジスト膜をアッシングする際、レジスト
膜中のＮａが酸化膜中に侵入するＮａ汚染を実用上問題
ないレベルまで生じ難くすることができるようになり、
かつ酸化膜のエツチングをほとんど生じないようにする
ことができるようになり、素子特性の劣化を生じ難くす
ることができるようになる。詳細については実施例で説
明する。
膜中のＮａが酸化膜中に侵入するＮａ汚染を実用上問題
ないレベルまで生じ難くすることができるようになり、
かつ酸化膜のエツチングをほとんど生じないようにする
ことができるようになり、素子特性の劣化を生じ難くす
ることができるようになる。詳細については実施例で説
明する。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明を実施するためのアッシング装置を示す
概略図であり、第１図において、１は導波管で、マイク
ロ波が矢印の方向に供給される。
概略図であり、第１図において、１は導波管で、マイク
ロ波が矢印の方向に供給される。
２はプラズマ生成室であり、Ｈ．ＯガスがＮ２Ｏガス供
給装置３から反応ガス供給管４ａを介して供給されると
ともに（Ｎ２Ｏを加熱し真空で引いている）、０□ガス
が反応ガス供給管４ｂを介して供給される。マスフロー
コントローラ５ａはＮ２Ｏガスの流量をコントロールす
るためのものであり、マスフローコントローラ５ｂは０
２ガスの流量をコントロールするためのものである。６
はシャワー板７を有する隔壁であり、プラズマ生成室２
で生成したプラズマに含まれる活性種がシャワー板７を
介して反応室８中に供給される。９はステージであり、
温度制御用のヒータ１０が設けられており、その上に被
処理物例えば半導体ウェーハ１１が載置される。
給装置３から反応ガス供給管４ａを介して供給されると
ともに（Ｎ２Ｏを加熱し真空で引いている）、０□ガス
が反応ガス供給管４ｂを介して供給される。マスフロー
コントローラ５ａはＮ２Ｏガスの流量をコントロールす
るためのものであり、マスフローコントローラ５ｂは０
２ガスの流量をコントロールするためのものである。６
はシャワー板７を有する隔壁であり、プラズマ生成室２
で生成したプラズマに含まれる活性種がシャワー板７を
介して反応室８中に供給される。９はステージであり、
温度制御用のヒータ１０が設けられており、その上に被
処理物例えば半導体ウェーハ１１が載置される。
ここでは、アッシング装置としては第１図に示す装置を
用いており、ステージ温度を１６０°Ｃに保持したステ
ージ９に半導体ウェーハ１１を載置し、装置の内圧をＱ
．８Ｔｏｒｒにし、パワーを１．４５ｋｗとして、ダウ
ンフローアンシングを行っている。第１図に示すアッシ
ング装置はマイクロ波がプラズマ生成室２に入るように
なっており、プラズマ生成室２はシャワー板７を有する
隔壁６により反応室８としきられていて、プラズマが閉
じ込もるようになっている。プラズマ生成室２で発生し
た活性種、中性反応種等が反応室８の方へ導入されるよ
うになっている。
用いており、ステージ温度を１６０°Ｃに保持したステ
ージ９に半導体ウェーハ１１を載置し、装置の内圧をＱ
．８Ｔｏｒｒにし、パワーを１．４５ｋｗとして、ダウ
ンフローアンシングを行っている。第１図に示すアッシ
ング装置はマイクロ波がプラズマ生成室２に入るように
なっており、プラズマ生成室２はシャワー板７を有する
隔壁６により反応室８としきられていて、プラズマが閉
じ込もるようになっている。プラズマ生成室２で発生し
た活性種、中性反応種等が反応室８の方へ導入されるよ
うになっている。
まず、第２図に示すように剥離条件の違いによるフラッ
トバンドシフトの変化量（ΔＦＦＢ）を求めてみた。
トバンドシフトの変化量（ΔＦＦＢ）を求めてみた。
ここでのΔＶＦＩは２Ｏ０°Ｃで２ＯＶ印加してバイア
スストレスを加えた際のフラットバンドシフトの変化量
である。そして、ΔＦＦＩＩはＮａの量と相関があると
考えられており、ΔＦ□が大きい値を示せばＮａ量は多
く含まれていると判断することができ、ΔＦＦＢが小さ
い値を示せばＮａ量は少ないと判断することができる。
スストレスを加えた際のフラットバンドシフトの変化量
である。そして、ΔＦＦＩＩはＮａの量と相関があると
考えられており、ΔＦ□が大きい値を示せばＮａ量は多
く含まれていると判断することができ、ΔＦＦＢが小さ
い値を示せばＮａ量は少ないと判断することができる。
ここでの剥離条件は具体的には、バレル型プラズマで処
理した場合（比較例１）、ダウンフローで０□ガスにＮ
２ガスを１０体積％添加して処理した場合（比較例２）
、ダウンフローでＯｚガスにＮ２Ｏガス１０ 明１）、ダウンフローで０２ガスにＨｚＯガス４０体積
％添加して処理した場合（本発明２）、及びウェット剥
離液（商品名５０２Ａ東京応化社製）により処理した場
合（比較例３）である。なお、Ｘ・点は何も処理してい
ないリファレンスの場合である。
理した場合（比較例１）、ダウンフローで０□ガスにＮ
２ガスを１０体積％添加して処理した場合（比較例２）
、ダウンフローでＯｚガスにＮ２Ｏガス１０ 明１）、ダウンフローで０２ガスにＨｚＯガス４０体積
％添加して処理した場合（本発明２）、及びウェット剥
離液（商品名５０２Ａ東京応化社製）により処理した場
合（比較例３）である。なお、Ｘ・点は何も処理してい
ないリファレンスの場合である。
第２図から明らかなように、バレル型プラズマによる比
較例１とＮ２ガス１０体積％添加した比較例２はΔＶＦ
１１が各々−１，４３Ｖ、−１，３２Ｖと変化量が大き
かったのに対し、Ｈ，Ｏガス１０体積％添力Ｕした本発
明１と１１□０ガス４０体積％添加した本発明２はΔ■
□が各々−〇、７６Ｖ、−０，５１Ｖと変化量を比較例
１．２よりも著しく小さ（することができ、Ｎａ’ｆＪ
を著しく減少させることができることが判った。
較例１とＮ２ガス１０体積％添加した比較例２はΔＶＦ
１１が各々−１，４３Ｖ、−１，３２Ｖと変化量が大き
かったのに対し、Ｈ，Ｏガス１０体積％添力Ｕした本発
明１と１１□０ガス４０体積％添加した本発明２はΔ■
□が各々−〇、７６Ｖ、−０，５１Ｖと変化量を比較例
１．２よりも著しく小さ（することができ、Ｎａ’ｆＪ
を著しく減少させることができることが判った。
また、比較例１．２は共に変化量が１■よりも大きく、
Ｎａ量が多いため、Ｎａ汚染という問題が顕著になり素
子特性が劣化する等実用上好ましくない。これに対し、
本発明１．２は変化量が１Ｖ以下と小さく、ＮａＭが少
ないため、Ｎａ汚染はほとんど生じない。Ｎａ汚染につ
いては変化量が１ｖ以下と小さい場合実用上問題ないレ
ベルとされている。
Ｎａ量が多いため、Ｎａ汚染という問題が顕著になり素
子特性が劣化する等実用上好ましくない。これに対し、
本発明１．２は変化量が１Ｖ以下と小さく、ＮａＭが少
ないため、Ｎａ汚染はほとんど生じない。Ｎａ汚染につ
いては変化量が１ｖ以下と小さい場合実用上問題ないレ
ベルとされている。
また、本発明１．２において、酸化膜がエツチングされ
ているかどうかＴＥＭ等で観察したところ酸化膜はほと
んどエツチングされていないことが判った。
ているかどうかＴＥＭ等で観察したところ酸化膜はほと
んどエツチングされていないことが判った。
次に、第３図に示すように、Ｈ２Ｏガスの濃度を０〜１
００体積％まで振ってΔ■、を求めてみた。
００体積％まで振ってΔ■、を求めてみた。
ここでもΔＶＦＢ（Ｖ）は２Ｏ０°Ｃで２ＯＶ印加して
バイアスストレスを加えた際のフラットバンドシフトの
変化量である。
バイアスストレスを加えた際のフラットバンドシフトの
変化量である。
ここでの条件は具体的には、ダウンフローで０２ガスの
みを添加して処理した場合（比較例１１）、ダウンフロ
ーで０２ガスにＨ，Ｏガス３体積％添加して処理した場
合（比較例１２）、ダウンフローで０□ガスにＨ，Ｏガ
ス７体積％添加して処理した場合（比較例１３）、ダウ
ンフローで０□ガスにＨ，Ｏガス１０体積％添加して処
理した場合（本発明１）、ダウンフローで０２ガスにｌ
Ｘ２Ｏガス２Ｏ体積％添加して処理した場合（本発明１
１）、ダウンフローで０２ガスにＩ］２Ｏガス４０体積
％添加して処理した場合（本発明２）、ダウンフローで
０２ガスにＨ，Ｏガス６０体積％添加して処理した場合
（本発明１２）、ダウンフローで０２ガスにＨ，０ガス
８０体積％添加して処理した場合（本発明１３）、及び
ダウンフローでＨｚＯガス１００体積体積部理した場合
（本発明１４）である。
みを添加して処理した場合（比較例１１）、ダウンフロ
ーで０２ガスにＨ，Ｏガス３体積％添加して処理した場
合（比較例１２）、ダウンフローで０□ガスにＨ，Ｏガ
ス７体積％添加して処理した場合（比較例１３）、ダウ
ンフローで０□ガスにＨ，Ｏガス１０体積％添加して処
理した場合（本発明１）、ダウンフローで０２ガスにｌ
Ｘ２Ｏガス２Ｏ体積％添加して処理した場合（本発明１
１）、ダウンフローで０２ガスにＩ］２Ｏガス４０体積
％添加して処理した場合（本発明２）、ダウンフローで
０２ガスにＨ，Ｏガス６０体積％添加して処理した場合
（本発明１２）、ダウンフローで０２ガスにＨ，０ガス
８０体積％添加して処理した場合（本発明１３）、及び
ダウンフローでＨｚＯガス１００体積体積部理した場合
（本発明１４）である。
第３図から明らかなように、０□ガスのみによる比較例
１１、Ｈ，Ｏガス３体積％添加した比較例１２及びＨ，
Ｏガス７体積％添加した比較例１３ではΔ■□が各々−
１，５６Ｖ、−１，４５Ｖ、−１，０５Ｖと変化量が１
■よりも大きかったのに対し、Ｈ，Ｏガス１０体積％添
加した本発明１、ＨｚＯガス２Ｏ体積％添加した本発明
１Ｌ Ｈ，Ｏガス４０体積％添加した本発明２、Ｈ，Ｏ
ガス６０体積％添加した本発明１２、ＨｚＯガス８０体
積％添加した本発明１３及びＨ２Ｏガス１００体積％で
処理した本発明１４はΔ■ＦＲが各々−０，７６Ｖ、−
０，７４Ｖ、−〇、５１Ｖ、−０，４２Ｖ、０．６５Ｖ
、−０，７５Ｖと変化量を比較例１１〜１３よりも著し
く小さくすることができ、Ｎａ量を著しく減少させるこ
とができることが判った。
１１、Ｈ，Ｏガス３体積％添加した比較例１２及びＨ，
Ｏガス７体積％添加した比較例１３ではΔ■□が各々−
１，５６Ｖ、−１，４５Ｖ、−１，０５Ｖと変化量が１
■よりも大きかったのに対し、Ｈ，Ｏガス１０体積％添
加した本発明１、ＨｚＯガス２Ｏ体積％添加した本発明
１Ｌ Ｈ，Ｏガス４０体積％添加した本発明２、Ｈ，Ｏ
ガス６０体積％添加した本発明１２、ＨｚＯガス８０体
積％添加した本発明１３及びＨ２Ｏガス１００体積％で
処理した本発明１４はΔ■ＦＲが各々−０，７６Ｖ、−
０，７４Ｖ、−〇、５１Ｖ、−０，４２Ｖ、０．６５Ｖ
、−０，７５Ｖと変化量を比較例１１〜１３よりも著し
く小さくすることができ、Ｎａ量を著しく減少させるこ
とができることが判った。
また、比較例１１〜１３においてはＨ，Ｏガスを多く添
加すればする程変化量が小さくなる傾向があるが、これ
でも変化量は１■より大きく、Ｎａ量が多いため、Ｎａ
汚染という問題が顕著になり素子特性が劣化する等実用
上好ましくない。これに対し、本発明１．２、本発明１
１〜１４は全て変化量がｌ■よりも小さくＮａ量が少な
いため、Ｎａ汚染はほとんど生じない。特に、Ｈ２Ｏガ
ス４０体積％、６０体積％添加した本発明２．１２の変
化量が小さくＮａ汚染を生じ難くする点でより好ましい
。
加すればする程変化量が小さくなる傾向があるが、これ
でも変化量は１■より大きく、Ｎａ量が多いため、Ｎａ
汚染という問題が顕著になり素子特性が劣化する等実用
上好ましくない。これに対し、本発明１．２、本発明１
１〜１４は全て変化量がｌ■よりも小さくＮａ量が少な
いため、Ｎａ汚染はほとんど生じない。特に、Ｈ２Ｏガ
ス４０体積％、６０体積％添加した本発明２．１２の変
化量が小さくＮａ汚染を生じ難くする点でより好ましい
。
また、本発明１．２、本発明１１〜１４において、酸化
膜がエツチングされているかどうかＴＥＭ等で観察した
ところ酸化膜はほとんどエツチングされていないことが
判った。
膜がエツチングされているかどうかＴＥＭ等で観察した
ところ酸化膜はほとんどエツチングされていないことが
判った。
本発明によれば、レジスト膜をアッシングする際、レジ
スト膜中のＮａが酸化膜中に侵入するＮａ汚染を実用上
問題ないレベルまで生じ難くすることができ、かつ酸化
膜のエツチングをほとんど生じないようにすることがで
き、素子特性の劣化を生じ難（することができるという
効果がある・。
スト膜中のＮａが酸化膜中に侵入するＮａ汚染を実用上
問題ないレベルまで生じ難くすることができ、かつ酸化
膜のエツチングをほとんど生じないようにすることがで
き、素子特性の劣化を生じ難（することができるという
効果がある・。
第１図〜第３図は本発明に係るアッシング方法の一実施
例を説明する図であり、 第１図は一実施例のアッシング装置を示す概略図、 第２図は一実施例の剥離条件の違いによるΔ■、Ｂを示
ず図、 第３図は一実施例のＨ２Ｏガス濃度とΔＶＦＩ＋との関
係を示す図である。 一実施例の剥離条件の違いによるΔＶ□を示す図第２図
例を説明する図であり、 第１図は一実施例のアッシング装置を示す概略図、 第２図は一実施例の剥離条件の違いによるΔ■、Ｂを示
ず図、 第３図は一実施例のＨ２Ｏガス濃度とΔＶＦＩ＋との関
係を示す図である。 一実施例の剥離条件の違いによるΔＶ□を示す図第２図
Claims (2)
- （１）レジスト膜をアッシングする際、Ｏ＿２ガスにＨ
＿２Ｏガスを１０体積％以上添加しプラズマ化して処理
することを特徴とするアッシング方法。 - （２）Ｏ＿２ガスにＨ＿２Ｏガスを４０〜６０体積％の
範囲で添加しプラズマ化して処理することを特徴とする
請求項１記載のアッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24966689A JPH03110843A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | アッシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24966689A JPH03110843A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | アッシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03110843A true JPH03110843A (ja) | 1991-05-10 |
Family
ID=17196409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24966689A Pending JPH03110843A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | アッシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03110843A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5545289A (en) * | 1994-02-03 | 1996-08-13 | Applied Materials, Inc. | Passivating, stripping and corrosion inhibition of semiconductor substrates |
| US5567271A (en) * | 1995-07-26 | 1996-10-22 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd | Oxygen reactive ion etch (RIE) plasma method for removing oxidized organic residues from semiconductor substrates |
| US6440864B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-08-27 | Applied Materials Inc. | Substrate cleaning process |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP24966689A patent/JPH03110843A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5545289A (en) * | 1994-02-03 | 1996-08-13 | Applied Materials, Inc. | Passivating, stripping and corrosion inhibition of semiconductor substrates |
| US5567271A (en) * | 1995-07-26 | 1996-10-22 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd | Oxygen reactive ion etch (RIE) plasma method for removing oxidized organic residues from semiconductor substrates |
| US6440864B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-08-27 | Applied Materials Inc. | Substrate cleaning process |
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