JPH03102273A - 信号波形検出装置 - Google Patents
信号波形検出装置Info
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- JPH03102273A JPH03102273A JP1240119A JP24011989A JPH03102273A JP H03102273 A JPH03102273 A JP H03102273A JP 1240119 A JP1240119 A JP 1240119A JP 24011989 A JP24011989 A JP 24011989A JP H03102273 A JPH03102273 A JP H03102273A
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
電気光学効果を利用して高速に電気信号波形を検出する
信号波形検出装置に関し、 電気光学効果結晶基板への走査光スポットパターンの補
正を容易化することを目的とし、一面に被試験物の端子
が接続され得る複数のスポット電極を有し、他面に透明
電極を有する電気光学効果結晶基板と、前記スポット電
極の位置情報を記憶するスポット電極位置情報記憶手段
と、光スポット位置情報に従い、該電気光学効果結晶基
板の前記スポット電極に向けて光スポットを選択的に走
査する光走査部と、該走査部の前記光スポット位置情報
を記憶する光スポット位置情報記憶手段と、前記電気光
学効果結晶基板と前記光走査部との間に設けられたハー
フミラーと、該ハーフミラーを介して結晶基板面上の光
スポットを撮像する撮像手段と、該撮像手段によって得
られた光スポット位置情報と前記スポット電極位置情報
との差にもとづいて光走査偏向角記憶手段に記憶された
光走査部の偏向角情報を補正する補正手段とを補正する
補正手段とを具備するように構成する。
信号波形検出装置に関し、 電気光学効果結晶基板への走査光スポットパターンの補
正を容易化することを目的とし、一面に被試験物の端子
が接続され得る複数のスポット電極を有し、他面に透明
電極を有する電気光学効果結晶基板と、前記スポット電
極の位置情報を記憶するスポット電極位置情報記憶手段
と、光スポット位置情報に従い、該電気光学効果結晶基
板の前記スポット電極に向けて光スポットを選択的に走
査する光走査部と、該走査部の前記光スポット位置情報
を記憶する光スポット位置情報記憶手段と、前記電気光
学効果結晶基板と前記光走査部との間に設けられたハー
フミラーと、該ハーフミラーを介して結晶基板面上の光
スポットを撮像する撮像手段と、該撮像手段によって得
られた光スポット位置情報と前記スポット電極位置情報
との差にもとづいて光走査偏向角記憶手段に記憶された
光走査部の偏向角情報を補正する補正手段とを補正する
補正手段とを具備するように構成する。
本発明は電気光学効果を利用して高速に電気信号波形を
検出する信号波形検出装置、特にその位置合わせを正し
く行なうことの出来る信号波形検出装置に関する。
検出する信号波形検出装置、特にその位置合わせを正し
く行なうことの出来る信号波形検出装置に関する。
ＬＳＩ等の半導体素子を製造、利用する上で、素子内外
の信号波形を正５確に測定しておくことが、必要不可欠
となっている。しかしながら、近年の素子の高速化に伴
い、従来のＬＳＩテスタ等を用いた電気的な測定方式で
は、正確な測定が難しくなってきている。そのため、半
導体素子基板結晶の電気光学効果を用いた光学式の信号
波形測定方式が提案され、高速信号が計測できることが
確認されている（たとえば、Ｊ，Ａ，Ｖａｌｄｍａｎｉ
ｓ ａｎｄＧ．Ｍｏｕｒｏｕ，“Ｓｕｂｐｉｃｏｓｅｃ
ｏｎｄ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ｓａｍｐｌｉｎｇ：
ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ａｎｄ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏ
ｎ” ＪＥＥＰ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦＱ［ＩＡＮＴＵ
Ｍ ＢＬＩＥＣＴＲＯＮＩＣＳ， ＶＯＬ，Ｑ８−２２
， ｐｐ．６９−７８等）。
の信号波形を正５確に測定しておくことが、必要不可欠
となっている。しかしながら、近年の素子の高速化に伴
い、従来のＬＳＩテスタ等を用いた電気的な測定方式で
は、正確な測定が難しくなってきている。そのため、半
導体素子基板結晶の電気光学効果を用いた光学式の信号
波形測定方式が提案され、高速信号が計測できることが
確認されている（たとえば、Ｊ，Ａ，Ｖａｌｄｍａｎｉ
ｓ ａｎｄＧ．Ｍｏｕｒｏｕ，“Ｓｕｂｐｉｃｏｓｅｃ
ｏｎｄ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ｓａｍｐｌｉｎｇ：
ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ａｎｄ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏ
ｎ” ＪＥＥＰ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦＱ［ＩＡＮＴＵ
Ｍ ＢＬＩＥＣＴＲＯＮＩＣＳ， ＶＯＬ，Ｑ８−２２
， ｐｐ．６９−７８等）。
また、本願出願人は、既に、電気光学効果を有する検出
用結晶の上に被検ＬＳＩを積載し、電気信号の波形測定
を行う検出装置を提案している（参照：特開平０１−０
２８５６６号公報）。
用結晶の上に被検ＬＳＩを積載し、電気信号の波形測定
を行う検出装置を提案している（参照：特開平０１−０
２８５６６号公報）。
しかしながら、上述の既に提案済の検出装置においては
、走査面に対して必ず垂直に光を入射させる必要があり
、そのため、走査面上で光スポットを微小ピッチで２次
元的にステップ動作させる。
、走査面に対して必ず垂直に光を入射させる必要があり
、そのため、走査面上で光スポットを微小ピッチで２次
元的にステップ動作させる。
この場合、走査のために光を振る鏡が２枚必要となり、
当然同じ場所には配置出来ないために、走査光スポット
パターンが矩形でなく、糸巻き状に歪んでしまう。その
ため、走査面状の中央部と周辺８では鏡の偏向角が異な
り、光スポットを電極スポット上に配置するためには何
らかの補正を行う必要がある。
当然同じ場所には配置出来ないために、走査光スポット
パターンが矩形でなく、糸巻き状に歪んでしまう。その
ため、走査面状の中央部と周辺８では鏡の偏向角が異な
り、光スポットを電極スポット上に配置するためには何
らかの補正を行う必要がある。
したがって、本発明の目的は、電気光学効果結晶基板へ
の走査光スポット位置の補正を容易化することにある。
の走査光スポット位置の補正を容易化することにある。
課題を解決するための手段は第ｌ図に示される。
すなわち、電気光学効果結晶基板４は一面に被試験物９
の端子が接続され得る複数のスポット電極を有し、他面
に透明電極を有する。スポット電極位置情報記憶手段１
１はスポット電極の位置情報を記憶する。光走査部３は
スポット電極位置情報に従い、２枚の鏡の偏向角を制御
し、電気光学効果結晶基板のスポット電極に向けて光ス
ポットを選択的に走査する。この場合の走査部の光スポ
ット位置情報は光スポット位置情報記憶手段１２に記憶
され、走査鏡偏向角情報は光走査偏向角記憶手段１５に
記憶されている。また、電気光学効果結晶基板と光走査
部との間にはハーフミラー６を設け、撮像手段１３によ
りこのハーフミラー６を介して結晶面上の光スポットを
撮像する。この結果、補正手段１４は撮像手段１３によ
って得られた光スポット位置情報とスポット電極位置情
報との差にもとづいて光走査偏向角記憶手段１５の偏向
角情報を補正するものである。
の端子が接続され得る複数のスポット電極を有し、他面
に透明電極を有する。スポット電極位置情報記憶手段１
１はスポット電極の位置情報を記憶する。光走査部３は
スポット電極位置情報に従い、２枚の鏡の偏向角を制御
し、電気光学効果結晶基板のスポット電極に向けて光ス
ポットを選択的に走査する。この場合の走査部の光スポ
ット位置情報は光スポット位置情報記憶手段１２に記憶
され、走査鏡偏向角情報は光走査偏向角記憶手段１５に
記憶されている。また、電気光学効果結晶基板と光走査
部との間にはハーフミラー６を設け、撮像手段１３によ
りこのハーフミラー６を介して結晶面上の光スポットを
撮像する。この結果、補正手段１４は撮像手段１３によ
って得られた光スポット位置情報とスポット電極位置情
報との差にもとづいて光走査偏向角記憶手段１５の偏向
角情報を補正するものである。
上述の手段によれば、光スポット位置情報とスポット電
極位置情報との誤差により光走査をフィードバック制御
しているので、光スポットの位置とスポット電極の位置
とが一致するようになる。
極位置情報との誤差により光走査をフィードバック制御
しているので、光スポットの位置とスポット電極の位置
とが一致するようになる。
〔実施例〕
第２図は本発明に係る信号波形検出装置の一実施例を示
す概略図であって、ＬＳＩテスタに適用した場合を示す
。第２図において、光発生器１から発生した光（この場
合、レーザ光）はビームスプリッタ２を介して光走査部
３１に入力され、ここにおいて、２つの偏向ミラー（図
示せず）を用いて光スポットを電気光学効果結晶基板４
に垂直に入射させる。電気光学効果基板４のスポット電
極から反射された光は電気光学結晶基板４内でスポット
電極に印加された電圧に応じて偏光面が変化する。この
反射された光は再び光走査部３の同一光路を経てビーム
スブリッタ２により受光器５に入射され、ここにおいて
、光信号が電圧信号に変換される。
す概略図であって、ＬＳＩテスタに適用した場合を示す
。第２図において、光発生器１から発生した光（この場
合、レーザ光）はビームスプリッタ２を介して光走査部
３１に入力され、ここにおいて、２つの偏向ミラー（図
示せず）を用いて光スポットを電気光学効果結晶基板４
に垂直に入射させる。電気光学効果基板４のスポット電
極から反射された光は電気光学結晶基板４内でスポット
電極に印加された電圧に応じて偏光面が変化する。この
反射された光は再び光走査部３の同一光路を経てビーム
スブリッタ２により受光器５に入射され、ここにおいて
、光信号が電圧信号に変換される。
本発明においては、光走査部３と電気光学効果結晶基板
４との間にハーフミラー６を設け、光走査部３から発生
される光スポットが電気光学効果結晶基板４のスポット
電極に正しく向かっているか否かを判断する。すなわち
、第３図に示すように、ハーフミラー６を介して結晶面
上の光スポットをテレビカメラ７によって撮像し、この
光スポット位置情報を検出装置制御部８においてスポッ
ト電極位置情報と比較し、この結果、光走査部３の偏向
ミラーの偏向角度θ８，θ，を補正する。
４との間にハーフミラー６を設け、光走査部３から発生
される光スポットが電気光学効果結晶基板４のスポット
電極に正しく向かっているか否かを判断する。すなわち
、第３図に示すように、ハーフミラー６を介して結晶面
上の光スポットをテレビカメラ７によって撮像し、この
光スポット位置情報を検出装置制御部８においてスポッ
ト電極位置情報と比較し、この結果、光走査部３の偏向
ミラーの偏向角度θ８，θ，を補正する。
なお、ハーフミラー６は、上記ミラー位置補正を行わな
い場合には、点線で示すように、スタンバイ位置に保持
される。
い場合には、点線で示すように、スタンバイ位置に保持
される。
電気光学効果結晶基板４においては、第４図に示すよう
に、その上面には、スポット電極４ａが形或され、その
下面には透明電極４ｂが形或され、接地されている。こ
の結果、スポット電極に電圧が印加された場合これら２
つの電極間には電場が発生し、ここを通過する光は電気
光学効果（ポッケルス効果〉を受けることになる。
に、その上面には、スポット電極４ａが形或され、その
下面には透明電極４ｂが形或され、接地されている。こ
の結果、スポット電極に電圧が印加された場合これら２
つの電極間には電場が発生し、ここを通過する光は電気
光学効果（ポッケルス効果〉を受けることになる。
第２図に示すように、電気光学効果結晶基板４のスポッ
ト電極４ａ上には被試験物としてのＬＳＩの端子が搭載
され、ＬＳＩの試験がＬＳＩテスタｌＯによって行われ
るが、この場合、ＬＳＩテスタ１０は検出装置制御部８
より各端子の電圧波形を受ける。
ト電極４ａ上には被試験物としてのＬＳＩの端子が搭載
され、ＬＳＩの試験がＬＳＩテスタｌＯによって行われ
るが、この場合、ＬＳＩテスタ１０は検出装置制御部８
より各端子の電圧波形を受ける。
次に、検出装置制御部８による光走査部３のミラー偏向
角θ８，θ，データの補正について説明する。すなわち
、光走査部３のミラー偏向角θ、，θアは予め検出装置
制御部８内のメモリに格納されており、このデータθ８
，θ，をそのまま用いると、第５図に示すように、走査
光スポットパターンは矩形からずれてたとえば糸巻状に
歪んでしまう。また、電気光学効果結晶基板４のスポッ
ト電極位置Ｘｉ，Ｙ＋ も予め検出装置制御部８内のメ
モリに記憶されている。つまり、当該メモリでは、下表
に示すテーブルが格納されている（ただし、スポット数
を３１とする）。
角θ８，θ，データの補正について説明する。すなわち
、光走査部３のミラー偏向角θ、，θアは予め検出装置
制御部８内のメモリに格納されており、このデータθ８
，θ，をそのまま用いると、第５図に示すように、走査
光スポットパターンは矩形からずれてたとえば糸巻状に
歪んでしまう。また、電気光学効果結晶基板４のスポッ
ト電極位置Ｘｉ，Ｙ＋ も予め検出装置制御部８内のメ
モリに記憶されている。つまり、当該メモリでは、下表
に示すテーブルが格納されている（ただし、スポット数
を３１とする）。
次に、走査光スポットパターンの補正を第６図のルーチ
ンにより説明する。なお、このルーチンは第２図の検出
装置制御部８が行う。
ンにより説明する。なお、このルーチンは第２図の検出
装置制御部８が行う。
ステップ６０１では、初期値として、１を０とする。次
にステップ６０２にて、スポット位置Ｐ．の２つのミラ
ー偏向角θ８１・θ１により２つのミラ？を設定する。
にステップ６０２にて、スポット位置Ｐ．の２つのミラ
ー偏向角θ８１・θ１により２つのミラ？を設定する。
ステップ６０３では、ハーフミラー６を介して結晶面上
の輝度情報から光スポット位置Ｘ，／．’Ｙ．／を読取
る。
の輝度情報から光スポット位置Ｘ，／．’Ｙ．／を読取
る。
ステップ６０４では、ハーフミラー６上の光スポット位
置（ｘｔ’ ， Ｙｉ’ ）とメモリ上の光スポット
位置（ｘｌ ，Ｙ．）との差をΔＸ，ΔＹを、ΔＸ ”
Ｘ ｔ ’ Ｘ ｌ ΔＹ ＝ Ｙ ｉ ’ Ｙ ＋ により演算し、この結果、ステップ６０５にて、メモリ
６上の光スポット位置Ｘ．，ＹＩを補正する。
置（ｘｔ’ ， Ｙｉ’ ）とメモリ上の光スポット
位置（ｘｌ ，Ｙ．）との差をΔＸ，ΔＹを、ΔＸ ”
Ｘ ｔ ’ Ｘ ｌ ΔＹ ＝ Ｙ ｉ ’ Ｙ ＋ により演算し、この結果、ステップ６０５にて、メモリ
６上の光スポット位置Ｘ．，ＹＩを補正する。
たとえば、Ｘｌ’Ｌ＞α（一定値）であれば、θ１←θ
０＋Δθ｛一定値｝ とし、ＸＩ Ｘｔ’＞αであれば θｘｉ←θ８．一Δθ とし、他の場合（＋ ＸＩ’ −ＸＩ ｌ≦α）はθ
８■を変更しない。同様に、 Ｙ＋’ Ｙｔ＞α（一定値） であれば、 θ７１一θｙＩ＋Δθ（一定値） とし、Ｙ． −Ｙｔ’ ＞αであれば θｙ ｒ ４−θｙＩ−Δθ とし、他の場合（ｌＹ＋’ Ｙ＋ ｌ≦α）はθ１
を変更しない。そして、補正されたθ１．θｙ．は再び
メモリに格納する。
０＋Δθ｛一定値｝ とし、ＸＩ Ｘｔ’＞αであれば θｘｉ←θ８．一Δθ とし、他の場合（＋ ＸＩ’ −ＸＩ ｌ≦α）はθ
８■を変更しない。同様に、 Ｙ＋’ Ｙｔ＞α（一定値） であれば、 θ７１一θｙＩ＋Δθ（一定値） とし、Ｙ． −Ｙｔ’ ＞αであれば θｙ ｒ ４−θｙＩ−Δθ とし、他の場合（ｌＹ＋’ Ｙ＋ ｌ≦α）はθ１
を変更しない。そして、補正されたθ１．θｙ．は再び
メモリに格納する。
ステップ６０６． ６０７は、ハーフミラー６上の位置
情報（Ｘ．’ ， Ｙｌ”）とメモリ上の位置情報（Ｘ
＋，Ｙ＋＞との差１Δｘ１，１ΔＹ１が共に許容値α以
下になるまで上述のステップ６０２〜６０５のフローを
繰返さすためのものである。１ΔＸΔＹｌが共に許容値
α以下となった場合には、ステップ６０８ に進む。
情報（Ｘ．’ ， Ｙｌ”）とメモリ上の位置情報（Ｘ
＋，Ｙ＋＞との差１Δｘ１，１ΔＹ１が共に許容値α以
下になるまで上述のステップ６０２〜６０５のフローを
繰返さすためのものである。１ΔＸΔＹｌが共に許容値
α以下となった場合には、ステップ６０８ に進む。
ステップ６０８． ６０９は、ステップ６０２〜６０７
のフローをスポット位置Ｐ３１まで繰返させるためのも
のである。最終スポット位置Ｐ３１についての処理が林
了するとステップ６１１ にてこのルーチンは終了する
。
のフローをスポット位置Ｐ３１まで繰返させるためのも
のである。最終スポット位置Ｐ３１についての処理が林
了するとステップ６１１ にてこのルーチンは終了する
。
なお、ハーフミラー６を光路中に挿入することによって
発生する光ビームの横方向ずれに対しては計算により補
正できる。
発生する光ビームの横方向ずれに対しては計算により補
正できる。
以上説明したように本発明によれば、光スポットとスポ
ット電極とが一致させることができる。
ット電極とが一致させることができる。
第１図は本発明の基本構或を示す図、
第２図は本発明に係る信号波形検出装置の一実施例を示
す図、 第３図は第２図のハーフミラー近傍の詳細図、第４図は
第２図の電気光学効果結晶基板を拡大した図、 第５図は光スポットの軌跡を示す図、 第６図は第２図の検出装置制御部の動作を示すフローチ
ャートである。 １・・・光発生器、 ２・・・ビームスプリツタ
、３・・・光走査部、 ４・・・電気光学効果結晶基板、 ５・・・受光部、 ６・・・ハーフミラー、７
・・・テレビカメラ、 ８・・・検出装置制御部、９・
・・ＬＳＩ、 １０・・・ＬＳＩテスタ。 第２図の電気光学効果結晶基板 ＄４け 光スポット軌跡 第５回
す図、 第３図は第２図のハーフミラー近傍の詳細図、第４図は
第２図の電気光学効果結晶基板を拡大した図、 第５図は光スポットの軌跡を示す図、 第６図は第２図の検出装置制御部の動作を示すフローチ
ャートである。 １・・・光発生器、 ２・・・ビームスプリツタ
、３・・・光走査部、 ４・・・電気光学効果結晶基板、 ５・・・受光部、 ６・・・ハーフミラー、７
・・・テレビカメラ、 ８・・・検出装置制御部、９・
・・ＬＳＩ、 １０・・・ＬＳＩテスタ。 第２図の電気光学効果結晶基板 ＄４け 光スポット軌跡 第５回
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一面に被試験物（９）の端子が接続され得る複数の
スポット電極（４ａ）を有し、他面に透明電極（４ｂ）
を有する電気光学効果結晶基板（４）と、 前記スポット電極の位置情報を記憶するスポット電極位
置情報記憶手段（１１）と、 スポット電極位置情報に従い、該電気光学効果結晶基板
の前記スポット電極に向けて光スポットを選択的に走査
する光走査部（３）と、 該走査部により走査された光スポットの位置情報を記憶
する光スポット位置情報記憶手段（１２）と、 前記電気光学効果結晶基板と前記光走査部との間に設け
られたハーフミラー（６）と、 該ハーフミラーを介して前記基板上の光スポットを撮像
する撮像手段（１３）と、 該撮像手段によって得られた光スポット位置情報と前記
スポット電極位置情報との差にもとづいて光走査偏向角
記憶手段（１５）に記憶された、光走査部の偏向角情報
を補正する補正手段（１４）とを具備する信号波形検出
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1240119A JPH03102273A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 信号波形検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1240119A JPH03102273A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 信号波形検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03102273A true JPH03102273A (ja) | 1991-04-26 |
Family
ID=17054774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1240119A Pending JPH03102273A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 信号波形検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03102273A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0565276A2 (en) * | 1992-04-06 | 1993-10-13 | AT&T Corp. | Free-space optical switching apparatus |
| CN111781337A (zh) * | 2019-04-04 | 2020-10-16 | 江苏赛灵医疗科技有限公司 | 血栓弹力图仪的信息处理方法 |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP1240119A patent/JPH03102273A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0565276A2 (en) * | 1992-04-06 | 1993-10-13 | AT&T Corp. | Free-space optical switching apparatus |
| EP0565276A3 (en) * | 1992-04-06 | 1995-04-05 | American Telephone & Telegraph | Free-space optical switching apparatus |
| CN111781337A (zh) * | 2019-04-04 | 2020-10-16 | 江苏赛灵医疗科技有限公司 | 血栓弹力图仪的信息处理方法 |
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