JPH03101409U - - Google Patents

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JPH03101409U
JPH03101409U JP1042790U JP1042790U JPH03101409U JP H03101409 U JPH03101409 U JP H03101409U JP 1042790 U JP1042790 U JP 1042790U JP 1042790 U JP1042790 U JP 1042790U JP H03101409 U JPH03101409 U JP H03101409U
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JP
Japan
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wafer
wafer stage
correction mechanism
mask
stage
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案のウエハステージの傾斜補正機
構の斜視図、第２図は本考案に適用するウエハの
斜視図、第３図は従来のウエハステージの傾斜補
正機構の斜視図である。 図に於いて、１はウエハステージ、２はステー
ジ固定部、３はダイアフラム型板ばね、４はステ
ージ可動部、５は圧電素子、６はウエハ、７はレ
ーザー測長器、８はレーザー光源、９はレーザー
光、９ａは参照光、９ｂは計測光、９ｃは干渉光
、１０はビームスプリツター、１１，１６は反射
鏡、１２は参照鏡、１３は受光器、１４はカウン
タ、１５は制御部、１７はマスク、１７ａは貫通
孔である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 マスク上に描画された回路パターンを、これに
    僅かな間隙を介して対向するウエハ６上に露光転
    写する露光装置の、マスクとウエハの平行度を合
    わせるウエハステージの傾斜補正機構であつて、 位置制御の基準となるレーザ測長器の測定光が
    反射する反射鏡１６を、 ウエハステージに搭載された前記ウエハ６の面
    としたことを特徴とするウエハステージの傾斜補
    正機構。
JP1042790U 1990-02-05 1990-02-05 Pending JPH03101409U (ja)

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JPH03101409U true JPH03101409U (ja) 1991-10-23

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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