JPH0297587A - 光刺戟しうるりん光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明の光刺戟しうるりん光体（ｐｈｏｔｏ−ｓｔｉｍ
ｕｌａｂｌｅ　ｐｈｏｓｐｈｏｒ　）及びスクリーン又
はバネル中で前記りん光体を含有するバインダー層によ
ってＸ線パターンを記録し、再現する方法に関する。

Ｘ線は適切な物質に発光を生ぜしめることができること
が良く知られている。Ｘ線の影響下で発光の現象を示す
物質はりＡ、光体と称される。

Ｘ線パターンを記録し、再現する古典的な方法によれば
、発光された蛍光に対して高度に敏感である写真ハロゲ
ン化銀乳剤材料と組合せて放射線写真を形成するためり
ん光体が使用されている。

前記スクリーンに使用されるりん光体は発光性であるべ
きであるが、Ｘ線源を切った後込めつる長い寿命の発光
を示してはならない。著しく長い寿命の発光を有するス
クリーンを使用すると、それはＸ線ビームを止めた後も
その像を保有し、それと接触させた新しいフィルムは、
作られる次の像を妨害するいわゆるゴーストを与えるで
あろう、蛍光Ｘ線変換スクリーンと接触露光することに
よる放射線写真の製造において望ましくないこの現象は
残光（ａｆｔｅｒ−ｇｌｏｗ）及び遅れ（Ｎａｇ　）な
る語で知られている。

例えば米国特許第３８５９５２７号に記載されたＸ線パ
ターンを記録し、再現する別の方法によれば、パネルに
組入れられる光刺戟しうるりん光体として知られている
特殊なりん光体を使用し、入射するパターンに従って変
調されたＸ線に対し露光し、その結果としてＸ線パター
ンで含有されたエネルギーをその中に一時的に貯蔵する
。露光後しばらくの間、可視光又は赤外線のビームがパ
ネルを走査して、光として貯蔵されたエネルギーの放出
を刺戟し、上記光を検出し、可視像を作るために処理で
きる逐次電気信号に変換する。

このため、りん光体は入射Ｘ線エネルギーをできる限り
多く貯蔵すべきであり、走査ビームによって刺戟される
までエネルギーをできる限り少なく放出すべきである。

米国特許第４２３９９６８号には、下記実験式％式％： （式中ＭｌｌはＭｇ、　Ｃａ、　Ｓｒ、　Ｚｎ及びＣｄ
の１種以上であり、ＸはＢｒ、　Ｃｌ又はＩの１種以上
であり、ＡはＥｕ、　Ｔｂ、　Ｃｅ、　Ｔｍ、　Ｄｙ、
　　Ｐｒ、　Ｈｏ、　Ｎｄ、　Ｙｂ及びＥ「からなる群
の少なくとも１員であり、Ｘは０≦Ｘ≦０．６の範囲で
あり、ｙはＯ≦ｙ≦０．２の範囲である）を有する光刺
戟しつるユーロピウムドープしたフルオロハロゲン化バ
リウムが記載されているこれらのりん光体はＨｅ−Ｎｅ
レーザビーム（６３３ｎｍ）の刺戟光に対する高度の感
度を有する刺戟しうるりん光体として応用するために特
に有用であり、最良の刺戟は５００〜７００ｎｍの範囲
にある。刺戟時に発する光（刺戟光と称される）は主極
大値が３９０　ｎｍで、３５０＝４５０ｎｍの波長範囲
に位置する（定期刊行物Ｒａｄｉｏｌｏｇｙ　、　　１
９８３年９月号、８３４頁参照）。

前記定期刊行物に記載されている如く、刺戟しうるりん
光体を含有する像形成板は、含有されている残存エネル
ギーを消すためそれを光でフラッドして、簡単にＸ線像
を貯蔵するため繰返して使用できる。

特開昭６０−２１７２８７号には、下記−船底％式％： （式中ＸはＣｌ、　Ｂｒ及び■の少な（とも１種であり
ｘ、ｙ及びａは○くｘ≦１０’″’；　Ｏ＜ｙ＜２Ｘ１
０−’、０．９≦ａ＜１を満足する値である）の範囲内
に入る２価ユーロピウムドープした光刺戟しうるりん光
体は記載されている。

公開されたヨーロッパ特許用＠　（ＥＰ−Ａ）第２１３
４２号には、式 ％式％： （式中Ｘは塩素、臭素及び沃素からなる群から選択した
少なくとも１種のハロゲンであり、Ｍｅ■はリチウム及
びナトリウムからなる群から選択した少なくとも１種の
アルカリ金属であり、Ｍｅ■はベリリウム、カルシウム
及びストロンチウムからなる群から選択した少なくとも
１種の２価金属であり、Ｍｅ■はアルミニウム、ガリウ
ム、イツトリウム及びランタンからなる群から選択した
少なくとも１種の３価金属であり、ＬｎはＥｕ、Ｃｅ及
びＴｂからなる群から選択した少なくとも１種の稀土類
元素であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０．９０≦ａ
≦１．０５．　Ｏ≦ｂ≦１．２：Ｏ≦Ｃ≦０゜９　；０
≦ｄ≦１．２；Ｏ≦ｅ≦０．０３　、１０−’≦ｆ≦０
．０３　、及びＣ＋ｄ＋ｅ≠０の条件を満足する数であ
る）によって表わされる稀土類元素活性化錯体ハライド
りん光体が記載されている。

好ましい組合せはｂ＝ｏ、ｃ＝ｏ、ｅ＝＝ｏそしてａ、
ｄ及びｆは０．９５≦ａ≦１．０２．０，０１≦ｄ≦０
．２及び１０−’≦ｆ≦０．０１の範囲；及びｂ＝ｏ、
Ｃ＝Ｏ１そしてａ、ｄ、ｅ及びｆは０．９５≦ａ≦１．
０２．０．Ｏ１≦ｄ≦０．２．０．０００５≦ｅ≦０．
０１そして１０−４≦ｆ≦０．０１の範囲を有する（ク
レーム６及び１４参照）。

本発明の目的は、光刺戟したとき光への貯蔵されたＸ線
エネルギーの非常に良好な変換効率を有する新規な光刺
戟しうるりん光体を提供することにある。

本発明の別の目的はバインダー層中に分散させた前記光
刺載しうるりん光体を含有するＸ線スクリーン又はパネ
ルを提供することにある。

本発明の別の目的は、前記りん光体を前記Ｘ線中に含有
されたエネルギーを貯蔵するため使用し、光刺戟に当っ
て使用した光よりも短い波長の電子的に検出しつる光子
の形で光刺戟によって再び高収率で前記エネルギーを放
出するＸ線パターンを記録し、再現する方法を提供する
ことにある。

本発明の他の目的及び利点は以下の説明から明らかにな
るであろう。

本発明によれば光刺戟しつる稀土類金属ドープした弗化
バリウムストロンチウムりん光体を提供し、前記りん光
体は下記実験式 ％式％： （式中ＸはＣ１及び■からなる群から選択した少なくと
もｌ員であり、Ｘは０．１０≦Ｘ≦０．５５の範囲であ
り、ａは０，７０≦ａ≦０．９６の範囲であり、ｂはＯ
≦ｂ＜０．１５の範囲であり、Ｚは１０−’＜ｚ≦０．
１５の範囲であり、ＡはＥｕ”、　Ｙ、　Ｔｂ、　Ｃｅ
、　Ｔｍ、　Ｄｙ。

Ｐｒ、　Ｈｏ、　Ｎｄ、　Ｙｂ、　Ｅｒ、　Ｌａ、　Ｇ
ｄ及びＬｕからなる群から選択した共ドープ剤の１種以
上と一緒のＥｕ”″またはＥｕ”であり、弗素は前記り
ん光体中で、臭素単独又は塩素及び／又は沃素と組合せ
た臭素よりも大なる原子％で理論量的に存在する）の範
囲内にあることを特徴とする。

好ましい共ドープ剤はＹ及びεｕ３＋からなる群から選
択し、これは前記共ドープ剤の組合せを含む前記ヨーロ
ッパ特許出願（Ｅ、Ｐ−Ａ）第２１３４２号の前記クレ
ーム６及び１４に規定されている好ましい濃度範囲外の
濃度で前記実験式（Ｉ）の前記りん光体において、他の
ハロゲンに対し理論量的に過剰の弗素と一緒にＳｒが存
在すると、驚いたことに、スミ−ロンチウム％で７．６
を有するりん光体が前記ヨーロッパ特許出願（ＥＰ−Ａ
）第２１３４２号のり１ノームロ及び１４にそれぞれ規
定された好ましい組成範囲に対応するように、添付第６
図及び第７図のグラフに示す如くＸ線変換効率において
実質的な増大をもたらす。

本発明による好ましい光刺戟しうるりん光体において、
２は１０−６≦Ｚ≦１０−２の範囲であり、ＡはＨｕｚ
＋単独又はＥｕ”、Ｙ、Ｌｕ及びＧｄからなる群から選
択した少なくとも１員との混合物の形であり、ａは０．
１５≦ｘ　＜　０．１７の範囲のＸに対して０．８７２
≦８≦０．９３の範囲であり、０．１７≦Ｘ≦０．５の
範囲のＸに対して０．８５５≦ａ≦０．９３の範囲であ
る。

本発明による特に好ましい光刺戟しうるりん光体におい
てはＡはＹ及び／又はＥｕ３＋と組合せた又は才且合せ
ないＥｕ”＋である。

本発明による光刺戟しうるりん光体は、出発材料として
： （１）弗化バリウム； （２）ハロゲン化バリウム（弗化バリウムを除く）（３
）ハロゲン化ストロンチウム； （４）所望によってＹ、　Ｔｂ、　Ｃｅ、　Ｔｍ、　Ｄ
ｙ、　Ｐｒ、　）ｔｏ。

Ｎｄ、　Ｙｂ、　Ｅｒ、　Ｌａ、　Ｇｄ及びＬｕ酸化物
又は塩、好ましくは弗化物の少なくとも１種との混合物
の形で、ハロゲン化ユーロピウム、酸化ユーロピウム、
硝酸ユーロピウム及び硫酸ユーロピウムからなる群から
選択した化合物を含有する少なくとも１種のＡ を使用することによって製造することができる。

前記りん光体の製造は例えば下記の如く行う：弗化バリ
ウム又は他のハロゲン物と１種以上のＡ弗化物とＮＨ，
Ｘ及びＮＨａＢｒの均質混合物を還元性雰囲気中で７０
０〜１０００℃の温度で約２時間焼成することによって
溶融して行い、Ｘ及びＢｒの全ｇ原子が、理論量的に言
って、最終生成物におけるＦの濃度がＢ「及び他のハロ
ゲンの濃度を越えるようにすることを特徴と１ノでいる
。臭素不足弗化臭化バリウムストロンチウムの形成を促
進するため不活性フラックスを加えることができる。

還元性雰囲気は、水素と不活性ガス例えばアルゴン又は
窒素との混合物であり、又は水素及び−酸化炭素の混合
物又は水素及び二酸化炭素の混合物を形成するため、木
炭と水蒸気の反応によってその場で形成させる。

還元性雰囲気は存在する３価ユーロピウムの大部分又は
全部を２価ユーロピウムに還元する。

焼成完了後、得られた生成物を粉末化する。粉末化生成
物を更に焼成してもよい、多段焼成はりん光体の均質性
及び刺戟性質を改良するために有利でありうる。

本発明による好適な混合ドープされたりＡ、光体は、　
Ｂａ＋−ｘｓｒＪｚ−ａ−ｂＢｒＪｂ　：　ＺＥＩＩ化
合物（式中ＸはＣｌ及びＩからなる群から選択した少な
くとも１員であり、Ｘは０．１０≦Ｘ≦０．５５の範囲
であり、ａは０．７０≦ａ≦０．９６の範囲であり、ｂ
はＯ≦ｂ　＜　０．１５の範囲であり、Ｚは１０−’　
＜　ｚ≦０゜１５の範囲である）をＡハライドと還元性
雰囲気中で７００−１０００℃の温度で約２時間溶融す
ることによって得ることができる９ 本発明によればＸ線像を記録し、再現する方法を提供し
、この方法は、 （１）光刺戟１２．・”）るりん光体をＸ線に対して像
に従って露光し、 （２）前記りん光体を可視光及び赤外線から選択した刺
戟性電礎放射線で光刺戟し、前記りん光体から吸収され
たＸ線に従って、光刺戟に使用した放射線と波長特性に
おいて異なる電磁放射線を放出させ、 （３）工程（２）で用いた光刺戟によって発光せしめら
れた光を検出する 工程を含み、前記工程（１）及び（２）の処理を受ける
りん光体が下記実験式 ％式％： （式中ＸはＣ１及びＩからなる群から選択した少なくと
も１員であり、Ｘは０．ＩＯ≦Ｘ≦０．５５の範囲であ
り、ａは０．７０≦ａ≦０゜９６の範囲であり、ｂはＯ
≦ｂ＜０．１５の範囲であり、Ｚは１０−’＜Ｚ≦０．
１５の範囲であり、ＡはＥｕ”又はＥｕ”、　Ｙ、　Ｔ
ｂ、　Ｃｅ。

Ｔｍ、　Ｄｙ、　Ｐｒ、　）ｔｏ、　Ｎｄ、　Ｙｂ、ε
ｒ、　Ｌａ、　Ｇｄ及びＬｕからなる群から選択した共
ドープ剤の１種以上と一緒のＥｕ”であり、弗素は臭素
単独又は塩素及び／又は沃素と組合せた臭素よりも大な
る原子％で前記りん光体中に理論量的に存在する）の範
囲内にあることを特徴とする。

本発明による方法において、光刺戟しうるりん光体は支
持されている又は自己支持性であるバインダー層中に分
散した状態で使用するのが好ましく、Ｘ線像貯蔵パネル
と称されるスクリーン又はパネルを形成する。

分散した形で前記りん光体を混入するバインダ層を形成
するのに好適なバインダーには、フィルム形成性有機重
合体例えばセルロースアセテートブチレート、ポリアル
キル（メク）アクリレート例えばポリ（メチルメタクリ
レート）、ポリビニル−ｎ−ブチラール（例えば米国特
許第３０４３７１０号に記載されている）、コポリ（ビ
ニルアセテート／ビニルクロライド）及びコポリ（アク
リロニトリル／ブタジェン／メチ１ノン）又はコポリ（
ビニルクロライド／ビニルアセテート／ビニルアルコー
ル）又はそれらの混合物がある。

高Ｘ線エネルギー吸収を得るため最少量のバインダーを
使用するのが好ましい。しかしながら非常に少ない量の
バインダーは脆ずぎる層を生ぜしめることがある、よっ
て妥協をしなければならない。りん光体の被覆率は約３
００〜１５００ｇ／ゴの範囲であるのが好ましい。

好ましい実施態様によれば、りん光体層は支持体シート
上の支持体層として使用する。好適な支持体材料はフィ
ルム形成性有機樹脂例えばポリエチレンテレフタレート
から作る、しかし場合にょってはα−オレフィン樹脂屡
の如き樹脂層で被覆した紙支持体及びカードボード支持
体も特に有用である。ガラス及び金属支持体も使用でき
る。りん光体屡の厚さは０．０５〜０．５ｍｍの範囲で
あるのが好ましい。

刺戟しうるりん光体スクリーンの製造のため、りん光体
粒子はバインダーの溶液中に均質に分散させ、次いで支
持体上に被覆し、乾燥する０本発明のりん光体バインダ
ー層の被覆は、任意の通常の方法、例えばスプレー、浸
漬被覆又はドクターブレード被覆によって行うことがで
きる。被覆後、被覆混合物の溶媒は蒸発例えば熱（６０
’Ｃ）空気流中で乾燥することにより除去する。

超音波処理を充填密度を改良するため及びりん光体バイ
ンダー組合せの脱泡を行うために適用できる。場合によ
って付与する保護被覆する前に、充填密度（即ち乾燥被
覆１　ｃｍ’についてりん光体のｇ数）を改良するため
りん光体バインダー暦をカレンダー処理するとよい。

場合によっては．光刺戟によって発光する光の出力を増
強するため、りん光体含有層とその支持体の間に光反射
層を付与する。かかる光反射層はバインダー中に分散さ
せた白色顔料粒子例えば二酸化チタン粒子を含有すると
よい、或はそれは蒸着金属層例えばアルミニウム層から
作ってもよく、或は例えば米国特許第４３８０７０２号
に記載されている如き刺戟性放射線を吸収するが発光し
た光を反射する着色顔料層であることができる。

所望によっては、りん光体含有層−支持体界面での光の
反射を避け、これによって光刺戟しうるりん光体スクリ
ーンの解像力を増大させるため、りん光体含有層とその
支持体の間に、又は支持体自体に光吸収性層を付与する
。

一実施態様によれば、Ｘ線で像に従って又はパターンに
従って露光されたりん光体バインダー層の光刺戟は、走
査光ビーム、好ましくはレーザー光ビーム例えばＨｅ−
Ｎｅ又はアルゴンイオンレーザ−のビームで行う。

光刺戟によって発光した光は．デイジタル化し、貯蔵で
きる逐次電気信号を提供する光電管（増倍型光電管）の
如き光エネルギーを電気エネルギーに変換する変換器で
検出するのが好ましい。貯蔵後これらの信号はディジタ
ル処理を受けることができる。ディジタル処理には例え
ば像コントラスト増強、立体周波数増強、像サブトラク
ション、像アデイション及び個々の像部分の輪郭鮮鋭化
を含む。

記録されたＸ線像の再現のための一実施態様によれば、
例えば音響−光学変調器によって、書き込みレーザービ
ームな変調するために使用されるアナログ信号に所望に
よって処理されたディジタル信号を変換する０次に変調
されたレーザービームを使用して写真材料例えばハロゲ
ン化銀乳剤フィルムを走査し、これによって所望によっ
て像処理された状態でＸ線像を再生する。上記実施態様
及びそれに使用する装置については例えば定期刊行物Ｒ
ａｄｉｏｌｏｇｙ　１９８３年９月号、８３３〜８３８
頁を参照され度い。

別の実施態様によれば、光刺戟によって得られた光に相
当する電気信号のアナログ−デイジタル変換から得られ
たディジタル信号は陰極線管上に表示される。表示前に
信号はコンピューターで処理するとよい。通常の像処理
法を、像の信号対ノイズ比を減するため、及びラジオグ
ラフの粗又は微細像特長の像品質を増強するために用い
ることができる。

本発明のりん光体について、それらの光物理的性質を測
定するために測定を行った。

最初は、Ｘ線励起下りん光体の即発（ｐｒｏｍｐｔ）発
光スペクトルと同じである発光スペクトルを測定する。

測定はＸ線照射による励起を１００　ｋＶｐで操作する
Ｘ線源で行う分光蛍光計（５ｐｅｃｔｒｏ　−ｆ　１ｕ
ｏｒ　ｉｍｅｔｅｒ）で行う、連続Ｘ線励起中発光した
光は増倍型光電管と組合せたモノクロメータ−で走査す
る。この発光スペクトルは光励起時に得られるそれと同
じであり、他の全ての測定においてフィルターが使用さ
れるべきである測定に使用される。第一のフィルターは
光励起によって得られる発光した光を透過するが、刺戟
性光の殆ど全てを濾過する。　Ｈｅ−Ｎｅレーザー刺戟
に対しては例えば２．５　ｍｍ　５ｃｈｏｔｔ　　ＢＧ
　３フイルターを使用す、このものの透過スペクトルは
、西ドイツ国マインツの５ＣＨＯＴＴ　ＧＬＡＳＷＥＲ
ＫＥによって発行された色及びフィルターガラス・カタ
ログＩｋ３５３１／４ｄに発表されている。アルゴンイ
オンレーザ−刺戟のためには、例えば２．５　ｍｍ　５
ｃｈｏｔｔ　　ＢＧ　３フイルターを使用する。

第二の実施態様においては、一定のＸ線量に露光した時
貯試された全光刺戟しつるエネルギーを測定する。Ｘ線
励起前に、りん光体スクリーン中になお存在する残存エ
ネルギーは照射によって除く、消去中光励起を避けるた
め、４３５ｎｍ以下の全波長を除去するカットオフ５ｅ
ｈｏｔｔ　ＧＧ　４３５フイルターを、光刺戟性光を発
光するランプとりん光体スクリーンの間に置く。次にり
ん光体スクリーンを８０　ｋＶｐ及び２０ｍＡで操作す
るＸ線源で励起する。このために西ドイツ国のシーメン
ス・アーグーのＭＯＮＯＤＯＲＸ線源を使用できる。低
エネルギーＸ線は厚さ２１ｍｍのアルミニウム板で濾過
してＸ線スペクトルを硬化する。Ｘ線励起後りん光スク
リーンは暗所で測定装置に移す。この装置でＸ線照射り
ん光体スクリーンを光刺戟するためレーザー光を使用す
る。かかる測定において使用するレーザーは例えばＨｅ
−Ｎｅ（６３３ｎｍ）又はアルゴンイオン（５１４ｎｍ
）レーザーであることができる。

レーザー−光学装置は、電子シャッター　ビーム拡大器
及び二つのフィルターを有する。増倍型光電管（ハママ
ツＲ１３９８）は光刺戟によって発光された光を集め、
相当する電流を与える。測定法は１（Ｐ６９４４多重プ
ログラマ−に接続したヒユーレット・バッカ・〜ド）Ｉ
Ｐ９８２６コンピユーターによって制御する。電流電圧
変換器で増幅後、ＴＥＫＴＲＯＮＩＸ　７　Ｄ　２０デ
イジタルオツシロスコープが得られる光電流を可視化す
る。電子シャッターを開いたとき、レーザービームはり
ん光体スクリーンの刺戟を開始し、デイジタルオツシロ
スコープがトリガーされる。スクリーンと接触させ置い
たピンホールを用いて、１．７７　ｍｍ”のみの領域を
露光する６レー・ザーカの半分のみ（５ｎ＋Ｗ）がスク
リーン面に到達する。この方法で刺戟性ビームの強度は
より均一になる。レーザーのすぐ前に置いた赤色フィル
ター（３ｍｍ　５ｅｔ（ＯＴＴ　ＯＧ　　５９０　）は
レーザー発光中の弱い紫外成分を除去する。増倍型光電
管からの信号振幅は光刺戟性光の強度及び放出される光
刺戟しつるエネルギーと直線状にある、信号は指数的に
減少する。信号曲線がオツシロスコ・−ブに入ったとき
、第２回をトリガーして、一定で入力に依存するエラー
の成分として規定されろオフセットを測定する。このオ
フセットを減じた後、信号が最大値の１／ｅに達した点
を計算する８曲線下の面積を開始から１／ｅ点まで積分
する。関数はｆ　（ｔ）・Ａ−ｅ−＠、ｚＴで数学的に
表わす。式中Ａは振幅であり、１は時間定数であり、ｔ
は刺戟時間であり、ｅは自然対数の底である。

貯蔵エネルギーの半分がｔ＝τｔｎ２で放出された。上
記結果を得るため、コンピューターは積分を装置の感度
と乗する。増倍型光電管と増幅器の感度は従って増倍型
光電管の陽極−陰極電圧の関数として測定されなければ
ならず、りん光体の発光スペクトルのたたみ込み（ｃｏ
ｎｖｏｌｕｔｉｏｎ）及び分離フィルターの透過スペク
トルを計算しなければならない。

発光した光はあらゆる方向に散乱されるため、発光した
光の一部のみが増倍型光電管によって検出される。増倍
型光電管及びパネルの位置は、全発光の１０％が増倍型
光電管によって検出されるようにする。

これらの全ての修正がなされた後、変換効率（Ｃ，Ｅ、
　）の値が得られ、ｐＪ　／　ｍｎ＋”　／　ｍＲで表
オ〕されるこの値はスクリーンの厚さと共に変化する、
従って匹敵しつる測定のためにそれらは一定のりん光体
被覆率で実施しなければならない。

光刺戟エネルギー（Ｓ、Ｅ、）は貯蔵されたエネルギー
の半分を刺戟するのに必要なエネルギーとして定義され
、μＪ／ｍｍ”で表わされる。

第三の測定において、応答時間を測定する。これは短い
光パルスでりん光体スクリーンを刺戟することによって
測定される。刺戟光の立ち上り時間は１５０Ｓである。

発光した光は広いバンド幅（１０ＭＨｚ）を得るため小
さい陽極レジスター（１５０Ω）を有する増倍型光電管
（ハママツＲ１３９８）で測定する。測定装置自体の立
ち上り時間は３５ｎｓである。応答時間は発光された光
の最大強度の半分に達する時間であり、ｔ、／２で表わ
される。

第四の測定において、刺戟スペクトルを測定する。タン
グステン（石英−沃素）ランプの光をモノクロメータ−
（西ドイツ国のＢａｕｓｃｈ　ａｎｄ　Ｌｏｍｂ）に供
給し、次いで単一孔を有する回転ホイールで機械的に細
断する。ランプは近紫外から可視スペクトルを通って赤
外へと拡がる連続スペクトルを提供する。Ｂａｕｓｃｈ
　　ａｎｄ　　Ｌｏｍｂからの３３−８６−０２格子は
第一オーダーで３５０Ωｍ〜８００ｎｍの可視範囲をカ
バーする１３５０ライン／ｍｍの格子であり、５００Ω
ｍでブレーズする。刺戟性光の波長は、コンピューター
の制御下にモノクロメータ−に接続されたステッピング
モーターを介してセットできる。モノクロメータ−の第
二高調波は、りん光体スクリーンの前に４ｍｍの５ｃｈ
ｏｔｔ　ＧＧ４３５フィルターを置くことによって除く
。刺戟性光をチョッピングすることによって（デユーテ
ィサイクル１／２００）、りん光体に吸収されたエネル
ギーの小さい画分が放出される。例えば増倍型光電管の
暗電流によって生じたオフセットを除くためＡＣ信号の
みを測定する。幾つかのパルスを平均することによって
、良好な信号対ノズル比が得られる。測定が完了したと
き、コンピューターは、タングステンランプによる強度
波長に対して曲線を補正する。測定は、刺戟スペクトル
の発生が１５時間までの間にわたって続きつるように繰
返すことができる。

本発明を実施例によって示す、これら実施例は第１図〜
第７図に示した曲線を参照する。実施例は如何なる方法
おいても限定するものではない。

実施例中百分率及び比は他に特記せぬ限り重量である。

原子重量百分率（原子％）は本発明による光刺戟しうる
りん光体の実験式に定義したＡ及びＢａ　、　Ｓｒの全
ｇ原子に対するＡのｇ原子に関する第１図及び第５図は
それぞれ比較例１及び実施例２９に記載したりん光体の
即発（ｐｒｏｍｐｔ）発光スペクトルを表わす９図にお
いて蛍光発光の相対強度（Ｒ，１，Ｅｆ）は縦軸にｎｍ
での波長範囲は横軸に示す。

第２図〜第４図は相関する実施例に示したりん光体の刺
戟スペクトルを表わす０図において、刺戟された発光の
相対強度（Ｒ，１，Ｅｓ）は縦軸にｎｍでの波長範囲は
横軸に示・す。

第６図は実験式（Ｉ）による刺戟しうるりん光体に関す
るダイアグラムであり、この場合ｙ＝Ｑｂ＝ｏ、Ａ＝Ｅ
ｕで、Ｚは口、ｌ原子％である、しかし原子％（ａｔ％
）で表わした異なるＳｒ含有率を有する。変換効率（ｐ
Ｊ／　ｍｍ２／　ｒｎＲでのＣ，Ｅ、　）を実験式（Ｉ
）のａで現された臭素含有量に対してプロットした。

第７図は実験式Ｃｌ）のよる刺戟しうるりん光体に関す
るダイヤグラムであり、この場合ｙ＝Ｑｂ＝ｏで、Ａは
０゜０３％のＹとの混合物の形でのＥｕ”の０．１原子
％である、但し原子％（ａｔ％）で表わした異なるＳｒ
含有率を有する、変換効率（Ｃ。

Ｅ、　ｐＪ／　ｍｍ”　／　Ｒ２での）を実験式（Ｉ）
のａで表わした臭素含有率に対してプロットした。

比較例　１ ドイツ公開特許（ＤＥ−ＯＳ）第２９２８２４５の比較
例における如く、下記の通りにしてＢａＦｚ及びＮＬＢ
ｒの等モル量からＢａＦＢｒ　：　０．００１　Ｅｕを
作った２６、７９３５０　ｇのＢａＦｚ、０．０３１５
０　ｇのＥｕＦｓ及び１５ｍ１のエタノールをめのうボ
ールミルで１５分間混合した。エタノールを蒸発させ、
理論量にＮ）ＩＪｒ１４．９８３０　ｇを加え、その後
形成された混合物を１０分間混合した。この混合物２０
ｇを酸化アルミニウム製坩堝中に入れ、これを７７ｇの
木炭及び３３ｍ１の水を含有する更に大きい坩堝中に入
れたこの二重坩堝配置を８５０℃で炉中で２時間焼成し
た。この坩堝は炉への出入れは８５０℃で行った。０．
１原子％のＥｕ”でドープしたＢａＦＢｒを形成した、
これはＸ線回折（ＸＲＤ）分析で確認した。

この試料を次いでＸ線励起を受けさせ、即発発光スブク
トルを測定した。これは７０の相対極大強度及びＥｕ”
発光を示す第１図に示されている如く、約２８ｎｍの半
値幅で、３９０℃で単一発光極大を特長としている。

粉砕した粉末を次いでメチルエチルケトンに溶解したセ
ルロースアセトブチレートを含有するバイダー溶液中に
分散させた。得られた分散液をポリエチレンテレフタレ
ートの厚さ１００μｍの透明シート上に被覆し、約１０
００ｇ／ｍ”の被覆重量を与えた。このスクリーンを次
にりん光体のエネルギー貯蔵特性を測定するために使用
した。

紫外成分を除去するため炉光した白色光で照射すること
によって残存貯蔵エネルギーを消した後、スクリーンを
Ｘ線の一定線量で照射し、次いで前述した如＜Ｈｅ−Ｎ
ｅレーザー光（６３３ｎｍ）で刺戟した。光刺戟によっ
て得られた光を濾過して発光した光を減衰することなく
残存刺戟性光を除去し、増倍型光電管で検出した。

３、０　ｐＪ／　ｍｍ２７　ｍＲの変換効率及び１５　
μＪ／ｍｍ”の刺戟エネルギーが測定された。

このりん光体スクリーンの応答時間を次に前述した如く
アルゴンイオンレーザ−からの短いレーザー光パルスで
照射したスクリーンを刺戟することによって測定した０
発光した光の最大強度の半分に達する時間であり、ｔ、
／２と表示する応答時間は０６μｓであった。

最後にこのりん光体の刺戟スペクトルを前述した如く測
定した。これを第２図に示す、そして約５５０　ｎｍで
極大を示す。

比較例　２〜４ 種々の理論量以下のＮ　Ｈ４Ｂ　ｒを用いて、比較例１
の方法と同じ方法を用いて比較例２〜４のりん光体を作
った。

これらのりん光体の即発発光スペクトルはＥｕ”発光を
示す比較例１のそれと類似していた、但し相対極大発光
強度（ＰＲ，Ｅ、１．　）を、焼成混合物中のＮｔＬＢ
ｒの理論量の％及び形成されたりん光体中の分析測定し
た臭素の原子％値と共に表１に示す。理論量ハロゲン含
有率の残余は弗素である。これらのりん光体のＸＲＤス
ペクトルは比較例１のりん光体のそれと類似していた。

スクリーンをこれらのりん光体を用いて比較例１に示し
た如くしてキャストした＊　［）Ｊ／ｍｍ”／ｍＲで表
示した変換効率（Ｃ，Ｅ、）及び６３３ｎｍ刺戟に対す
るμＪ／ｍｍ”で表示した刺戟エネルギー（Ｓ、　Ｅ。

）を比較例１に記載した如くして測定し、これも表１に
示す。

２　　　　９７．８　　　　　　０．９６３７　　１９
２．６．２．３　　１５３　　　　９５．９　　　　　
　０．９２５０　　１３６．３　１．５５　１３４　　
　　９４．２　　　　　　０．８７２１　　１３３．０
　１．９　　１４実施例　１ ２２、２２７５３　ｇのＢａＦｚ、３．２７３７６　ｇ
の５ｒＦｚ、０．０３１５０ｇのＥｕＦａ及び１５ｍ１
のエタノールをめのうボールミルで１５分間混合した。

エタノールを蒸発させ、１４．６５２６０ｇのＮＨ４Ｂ
ｒ　　（理論量の９７．８％）を加え、その後形成され
た混合物を１ｏ分間混合したこの混合物２０ｇを酸化ア
ルミニウム坩堝中に入れ、これを前記比較例と同様に、
７７ｇの木炭及び３３ｍ１の水を含有するより大きい坩
堝中に置いた。この二重坩堝配置を比較例における如く
、８５０℃で炉中で２時間焼成した。０．１原子％のＥ
ｕでドープされたＢａａ、　ａ３ｓｒｏ、　＋７ＦＢｒ
が形成されたこれはＸＲＤ分析で確認した。元素分析は
１．１０８７：　０．８９１３のＦ：Ｂｒ原子比を示し
た。

このりん光体の即発発光スペクトルを比較例１に記載し
た如く測定し、これはＥｕ”発光を示す比較例　１のそ
れと匹敵した。相対強度は５１，８で、これは比較例１
のりん光体のそれと匹敵した。Ｈｅ　−Ｎｅレーザー（
６３３ｎｍ）での刺戟に対する変換効率及び刺戟エネル
ギーを比較例１に記載した如く測定し、それぞれ１６．
４ｐＪ／ｍｍ”／ｍＲ及び１９μＪ／ｍｎ’＋２であっ
た（表２参照）。

このりん光体に対する刺戟スペクトルを比較例１に記載
した如くして測定し、第３図に示す、約５７０ｎｍで極
大を示す。

実施例　２〜６ 本発明の実施例２〜６のりん光体は、種々の量のＮ）１
４Ｂｒを用いて、実施例１の方法と同様の方法を用いて
作った。

これらのりん光体の即発発光スペクトルはＥｕ　２４発
光を示す実施例１のそれと類似していた、但し相対強度
（ＰＲ，Ｅ、１．　）は、焼成混合物中のＮ）Ｉ４Ｂｒ
の理論量の％及び形成されたりん光体中の分析測定した
ａ値と共に表２に示す、これらのりん光体のＸＲＤスペ
クトルは実施例１のりん光体のそれと類似していた。

比較例１に示した如くしてこれらのりん光体を用いてス
クリーンをキャストした。比較例１に示した如くして６
３３ｎｍ刺戟に対するμＪ／ｍｍ”で表示した刺戟エネ
ルギー（Ｓ、　Ｅ、　）及びｐＪ／ｍｍ”／ｍＲで表示
した変換効率（Ｃ，Ｅ、）を測定し、これも表２に示す
。

一ノ；　　　　　　２− １　　　　　９７．８　　　　０．８９１３　　５１．
８　１６．４　１９２　　　　　１００　　　　　０．
８７３１　　　６３　　　１５　　２１３　　　　　９
７．８　　　　０．９０２４　　６３．８　　１３　　
２０４　　　　　９４．２　　　　０．８４０９　　８
４．７　　３．９　２１５　　　　　１００　　　　　
０．９１３５　　８２．０　　４．３　２１６　　　　
　９５．９　　　　０．８７６７　　６９．２　　１４
．１　　２０実施例　７〜１０ 実施例７〜１０のりん光体は、種々の量のＮＨＪｒ及び
１７原子％のストロンチウムの代りに２５原子％のスト
ロンチウムを用いて、実施例１の方法と同様の方法を用
いて作った。これらのりん光体の即発発光スペクトルは
Ｅｕ”４発光を示す実施例１のそれと類似していた、但
し、相対強度（ＰＲ，Ｅ、！、）を、焼成混合物中のＮ
ＨＪｒの理論量の％及び形成されたりん光体中の分析測
定したａ値と共に表３に示す。これらのりん光体のＸＲ
Ｄスペクトルは実施例１のりん光体のそれと類似してい
た。

比較例１に記載した如くこれらのりん光体を用いてスク
リーンをキャストした。６３３ｎｍ刺戟に対するμＪ／
ｍｍ”で表示した刺戟エネルギー（Ｓ。

Ｅ、）及びｐＪ／　ｍｍ”　／　ｍＲで表示した変換効
率（Ｃ，Ｅ。

）を比較例１に記載した如く測定し、表３に示す７　　
　　　１１０　　　　　０．８７０１　　５９．２　　
１１　　１８８　　　　　１００　　　　０．９１３６
　　８０．０　　４．９２０９　　　　　９７．８　　
　　０．８５９４　　７２．５　　９．２　１７１０　
　　　９５．９　　　　０．８４１７　　９８．６　　
２．８　２１比較例　５〜１４ 比較例５〜１４のりん光体は、１７原子％のストロンチ
ウムの代りに７．６原子％のストロンチウムを用い、種
々の量のＮ）Ｉ４Ｂｒを使用して、実施例１の方法と同
様の方法で作った。

これらのりん光体に即発発光スペクトルはＥｕ２“を示
す実施例１のそれと類似していた、但し相対強度（ＰＲ
，Ｅ、１．　）を、焼成混合物中のＮ）ＩｎＢｒの理論
量の％、形成されたりん光体中の及び臭素の分析測定ａ
値、及び弗素のｇ原子値と共に表４に示す。これらのり
ん光体にＸＲＤスペクトルは実施例１のりん光体のそれ
に類似していた。

比較例１に記載した如くしてこれらのりん光体を用いて
スクリーンをキャストした。比較例１に記載した如くし
て６３３ｎｍ刺戟に対するμＪ／　ｍｍ”で表示した刺
戟エネルギー（Ｓ、Ｅ、）及びｐＪ／ｍｍ２／ｍＲで表
示した変換効率（Ｃ，Ｅ、）を測定し、表４に示す。

９７．８ ９７．８ ９５．９ ９５．９ ０．９２８ ０．９６２ ０．９３２ ０．９４３ １．０７６ １．０３８ １．０５０ １．０５７ ９　　９３．９　　　０．９１６　　１．０９０　　　
　５７　　　　１４　　３８１０　　９３．９　　　０
．９２０　　１．０９２　　　１４２　　　９．４　　
２２１１　　９３．０　　　０．８９４　　１．ｉ１２
　　　　４９　　　　１２　　３５１２　９３、（１０
，９２４１，０７５１６３９，４２２Ｉ３１０００゜９
３２　　−　　　　　５７．１　　４．９　　３７１４
　　１１０　　　　０．８７２　　−　　　　　７２．
９　　５．８　　１８比較例　１５ ２４、７４７９７　ｇのＢａＦｚ、１．４６６６３　ｇ
のＳｒＦ、、０．０３１８０　ｇのＥｕＦｓ、０．００
０２ＥＩＯｇのＹＦｓ及び１５ｍ１のエタノールをめの
うボールミルで１５分間混合した。エタノールを蒸発さ
せ、理論量の９４．２％のＮ）ＩＪｒ　１４．　ｌｌ８
８０ｇを加え、その後形成された混合物を１０分間混合
した。この混合物１９．８８　ｇを酸化アルミニウム製
坩堝中に入れ、これを比較例１における如く、７７ｇの
木炭及び３３ｍ１の水を含有するより大きい坩堝中に置
いた。この二重坩堝配置を他の比較例のりん光体に対す
るのと同様に８５０℃で炉中で２時間焼成した。

０．１原子％のＥｕでドープされた Ｂａｏ、　５２３ｔｓｒｏ、　ｏｔａｚＹｏ、　ｏｏｏ
＋Ｆ　（１−ａｌ　Ｂｒａを形成した、これはＸＲＤ分
析で確認した。

このりん光体の即発発光スペクトルはＥｕ”発光を示す
比較例１のそれと類似していた、但し、５２の相対強度
（ＰＲ，Ｅ、１．　）を有していた。

比較例１に記載した如くこのりん光体を用いてスクリー
ンをキャストした。比較例１に記載した如くしてＨｅ／
　Ｎｅ６３３　ｎｍ刺戟に対する刺戟エネルギー（Ｓ、
　Ｅ、　）及び変換効率（Ｃ，Ｅ、）を測定し、それぞ
れ１８　ｐＪ／　ｍｍ”　／　ｍＲ及び２３ｇＪ／ｍｍ
”であった・ 比較例１に記載した如くして、得られたりん光体に対す
る刺戟スペクトルを測定し、第４図に示す。これは約５
９０ｒ＋ｍで極大値を示す。

比較例　１６〜２０ 比較例１５の方法と同様の方法を用いて比較例１６〜２
０のりん光体を作った、但し１０−’ｇ原子の代わりに
３Ｘ１０−’ｇ原子のイツトリウム濃度及びＮＨＪｒの
理論量の９４．２％を用いた。

Ｂａｏ、　Ｑ２Ｓ７ｓｒＯ，ｏｔａＹｏ、　ｏｏａＪ　
［！−ａｌ　Ｂｒａ　　：　０．１原子％Ｅｒが得られ
た、これはＸＲＤ分析で確認した。

即発発光スペクトルはＥｕ”発光を示す比較例１のそれ
と類似していた、但し相対強度（ＰＲ，Ｅ、Ｉ。

）を、形成されたりん光体中の臭素の分析測定したａ値
と共に表５に示す。

比較例１に記載した如くして、これらのりん光体を用い
てスクリーンをキャストした。比較例１に記載した如く
して６３３ｎｍ刺戟に対するμＪ／ｍｍ”で表示した刺
戟エネルギー（Ｓ、Ｅ、）及びｐＪ／ｍｍ”／ｍＲで表
示した変換効率（Ｃ，Ｅ、）を測定し、表５に示す。

１６　　　　０．９２９　　　　１００．８１７　　　
　０．９２９　　　　１４８１８　　　　０．８９２　
　　　１５８１９　　　　０．８８４　　　　１３３．
９２０　　　　０．９１８　　　　　７１．１実施例　
１１〜１９ 実施例１１〜１９のりん光体は、比較例１５の方法と同
様の方法で作った、但し１０−’ｇ原子の１３．３　　
　２１ ４．８　　　１５ ４．５　　　１４ ３．８　　　１８ ８．５　　　１８ 代わりに３Ｘ１０””ｇ原子のイツトリウム濃度及び０
□０７６ｇ原子の代わりに０．１７ｇ原子のストロンチ
ウム、及び種々の量のＮＨＪｒを用いた。

Ｂａｏ、　ｅｚｉｔｓｒｏ、　１７Ｙｏ、　０Ｏ０３Ｆ
　＋２−ａ）　Ｂｒａ　：　０．　ｌ原子％Ｅｕを形成
した、これはＸＲＤ分析で確認した。

即発発光スペクトルはＥｒ”発光を示す比較例１のそれ
と類似していた、但し焼成混合物中のＮｆ１４Ｂｒの理
論量の％及び形成されたりん光体中の臭素の分析測定ａ
値と共に表６に示す相対強度を有していた。

比較例１に記載した如くこれらのりん光体を用いてスク
リーンをキャストした。比較例１に記載した如くして、
６３３ｎｍ刺戟に対しμＪ／ｍｍ”で表示した刺戟エネ
ルギー（Ｓ、Ｅ、）及びｐＪ／ｍｍ”　／ｍＲで表示し
た変換効率（Ｃ，Ｅ、　）を測定し表６に示す。

１００　　　　　０．９１５　　　６０．７　　１６．
１　　１７１２　　　　　１００　　　　　０．９１１
１３　　　　　９７．８　　　　０．９０４１４　　　
　　９７．８　　　　０．９０７１５　　　　　９５．
９　　　　０．９００１Ｂ　　　　　　９４．２　　　
　０．９１５１７　　　　　９４．２　　　　０．８９
６１８　　　　１０４　　　　　　０．９４１１９　　
　　１０２　　　　　　０．９４９実施例　２０〜２４ 実施例２０〜２４のりん光体は比較例１５の方法と同様
の方法を用いて作った、但し１０”’ｇｇ原子代わりに
３Ｘ１０−’ｇｇ原子イツトリウム濃度、及び０．０７
６　ｇ原子の代わりに０．２５ｇ原子のストロンチウム
及び種々の量のＮＨＪｒを用いた。

Ｂａａ、　ｔ４ｅｙｓｒｏ、　ｚｓＹｏ、　ｏｏａｓＦ
　（２−ａ）　Ｂｒａ　：　０．１原子％を形成した、
これは５ｒＦｔの数％と共にＸＲＤ分析で確認した。

即発発光スペクトルはＥｕ”発光を示す比較例１のそれ
と類似していた、但し、焼成混合物中のＮＨ４Ｂｒの理
論量の％及び形成されたりん光体中の９．１ １０．６ ５．４ ６．０ １２．１ ４゜９ ３．５ ２．６ １４６．６ ４４．９ １０５．８ ６１．８ ９３．７ １１３．２ １０６．６ ９８．５ 臭素の分析測定をしたａ値と共に表７に示した相対強度
ＣＰＲ，Ｅ、　１．　）を有していた。

比較例１に記載した如くしてこれらのりん光体を用いて
スクリーンをキャストした。比較例１に記載した如くし
て６３３ｎｍ刺戟に対するｐＪ　７ｍｍ２で表示した刺
戟エネルギー（Ｓ、　Ｅ、　）及びｐＪ　７ｍｍ”／ｍ
Ｒで表示した変換効率（Ｃ，Ｅ、）を測定し、表７に示
す。

２０　　　　１００　　　　０．８９３　　　３６．３
　１１．９　１８２１　　　　１００　　　　０．８６
４　　　５２．７　１３．４　２１２２　　　　９７．
８　　　０．８７１　　　４９．３　２２．４　２１２
３　　　　９５．０　　　０．８０７　　　６２．０　
　７．３　２３２４　　　　９４．２　　　０．８５０
　　　５０．０　　　？、５　１８実施例　２５〜２９ 実施例２５〜２９のりん光体を、比較例１５の方法と同
様の方法を用いて作った、但し１０−’ｇｇ原子代りに
３Ｘ１０−’ｇｇ原子イツトリウム濃度、及び０．０７
６　ｇ原子の代りに０．４４２　ｇ原子のストロンチウ
ム及び種々の量のＮＨＪｒを用いた。

Ｂａａ、ｓ、ｔｔｓｒｏ、４４ｚＹｏ、ｏｏｏｓＦｔｚ
−ａ）Ｂｒａ　：　０．１原子％Ｅｕが形成された、こ
れは１０モル％より小さい５ｒＦｚの量でＸＲＤ分析で
確認した。

即発発光スペクトルは、第５図に示すごとく、歪んだ格
子でＥｕ”＋発光を示す比較例１のそれよりも広かった
（４０ｎｍ対３０ｎｍ半値幅）、但し焼成混合物中のＮ
ＨＪｒの理論量の％及び形成されたりん光体中の臭素の
分析測定したａ値と共に表８に示した相対強度（ＰＲ，
Ｅ、Ｉ暑を有していた。

比較例１に記載した如くしてこれらのりん光体を用いて
スクリーンをキャストした。比較例１に記載した如くし
て６３３ｎｍ刺戟に対するｐＪ　７ｍｍ”で表示した刺
戟エネルギー（Ｓ、　Ｅ、）　　及びｐＪ／ｍｍ”／ｒ
ｎＲで表示した変換効率（Ｃ，Ｅ、　）を測定し、表８
に示す。

中のＮＨａじｒ □汎ルユＰＲ，Ｅ、１．匡匡 ２５　　　　　１２０　　　　　０．８１４　　　５１
．７　　　９．６　　２３２６　　　　　１１２　　　
　　０．８１０　　　４９．１　　１３．３　　２６２
７　　　　　１０６　　　　　０．７９０　　　５２．
４　　１０．４　　２１２８　　　　　１００　　　　
　０．７６４　　　６１．３　　７．４　　１９２９　
　　　　９４．２　　　　０．６８５　　　２２．８　
　０．４８　　２２

【図面の簡単な説明】

第１図及び第５図はそれぞれ比較例１及び実施例２つに
記載したりん光体の即発発光スペクトルを表わす、図に
蛍光発光の相対強度（Ｒ，１，Ｅｆ）は縦軸に、ｎｍで
の波長範囲は横軸に示す。 第２図〜第４図は相関する実施例に示したりん光体の刺
戟スペクトルを表わす。図において刺戟された発光の相
対強度（Ｒ，１，Ｅｓ）は縦軸に、ｎｍでの波長範囲は
横軸に示す。 第６図は実験式（Ｉ）による刺戟しうるりん光体に関す
るダイヤフラムであり、この場合ｙ＝Ｑｂ　＝Ｏ，Ａ　
＝Ｅｕで、Ｚは０．１原子％である、原子％（ａｔ％）
で表わした異なるＳｒ含有率を有する、変換効率（ｐＪ
　／　ｍｍ”　／　ｍＲでのＣ，Ｅ、　）を実験式（Ｉ
）のａで表わされた臭素含有量に対してプロツトした。 第７図は実験式（Ｉ）による刺戟しうるりん光体に関す
るダイヤフラムであり、この場合ｙ＝Ｑｂ＝ｏで、Ａは
０．０３％のＹとの混合物の形でのＥｕ”の０．１原子
％である、但し原子％（ａｔ％）で表わした異なるＳｒ
含有率を有する、変換効率（ＣＥ、　ｐＪ／　ｍｍ２／
　ｍＲでの）を実験式（Ｉ）のａで表わした臭素含有率
に対してプロットした。 特許出願人　　　アグファ・ゲヴエルト・ナームロゼ中
ベンノートチャツブ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　１．光刺戟しうる稀土類金属ドープした弗化バリウム
   ストロンチウムりん光体において、上記りん光体が下記
   実験式 （Ｉ）Ｂａ＿１＿−＿ｘＳｒ＿ｘＦ＿２＿ａ＿−＿ｂＢ
   ｒ＿ａＸ＿ｂ：ＺＡ（式中ｘはＣｌ及びＩからなる群か
   ら選択した少なくとも１員であり、Ｘは０．１０≦ｘ≦
   ０．５５の範囲であり、ａは０．７０≦ａ≦０．９６の
   範囲であり、ｂは０≦ｂ＜０．１５の範囲であり、ｚは
   １０＾−＾７＜ｚ≦０．１５の範囲であり、ＡはＥｕ＾
   ３＾＋，Ｙ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎ
   ｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｌａ，Ｇｄ及びＬｕからなる群から選
   択した共ドープ剤の１種以上と一緒のＥｕ＾２＾＋また
   はＥｕ＾２＾＋であり、弗素は前記りん光体中で、臭素
   単独又は塩素及び／又は沃素と組合せた臭素よりも大な
   る原子％で理論量的に存在する）の範囲内にあることを
   特徴とする光刺戟しうるりん光体。 　２．共ドープ剤がＹ又はＥｕ＾３＾＋又はその組合せ
   である請求項１記載の光刺戟しうるりん光体。 　３．ｚが１０＾−＾６≦ｚ≦１０＾−＾２の範囲であ
   り、ＡはＥｕ＾２＾＋単独又はＥｕ＾３＾＋，Ｙ，Ｌｕ
   及びＧｄからなる群から選択した少なくとも１員との混
   合物の形であり、ａは０．１５≦Ｘ＜０．１７の範囲の
   Ｘに対しては０．８７２≦ａ≦０．９３の範囲であり、
   ０．１７≦ｘ≦０．５の範囲のＸに対しては０．８５５
   ≦ａ≦０．９３である請求項１記載の光刺戟しうるりん
   光体。 　４．ＡがＹ及び／又はＥｕ＾３＾＋と組合せた又は組
   合せないＥｕ＾２＾＋である請求項１記載の光刺戟しう
   るりん光体。 　５．前記りん光体が、 Ｂａ＿１＿−＿ｘＳｒ＿ｘＦ＿２＿−＿ａ＿−＿ｂＢｒ
   ＿ａＸ＿ｂ：ｚＥｕ（式中ｘはＣｌ及びＩからなる群か
   ら選択した少なくとも１員であり、Ｘは０．１０≦Ｘ≦
   ０．５５の範囲であり、ａは０．７０≦ａ≦０．９６の
   範囲であり、ｂは０≦ｂ＜０．１５の範囲であり、ｚは
   １０＾−＾７＜ｚ≦０．１５である）を、Ａハライド（
   式中Ａは請求項１で定義した共ドープ剤である）と還元
   性雰囲気で、７００〜１０００℃の温度で約２時間溶融
   することによって作った混合ドープしたりん光体である
   請求項１記載の光刺戟しうるりん光体。 　６．バインダー層中に光刺戟しうるりん光体を含有す
   る放射線像貯蔵パネルにおいて、前記りん光体が下記実
   験式 （Ｉ）Ｂａ＿１＿−＿ｘＳｒ＿ｘＦ＿２＿−＿ａ＿−＿
   ｂＢｒ＿ａＸ＿ｂ：ｚＡ（式中ＸはＣｌ及びＩからなる
   群から選択した少なくとも１員であり、ｘは０．１０≦
   ｘ≦０．５５の範囲であり、ａは０．７０≦ａ≦０．９
   ６の範囲であり、ｂは０≦ｂ＜０．１５の範囲であり、
   ｚは１０＾−＾７＜ｚ≦０．１５の範囲であり、ＡはＥ
   ｕ＾３＾＋，Ｙ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ
   ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｌａ，Ｇｄ及びＬｕからなる群か
   ら選択した共ドープ剤の１種以上と一緒のＥｕ＾２＾＋
   またはＥｕ＾２＾＋であり、弗素は前記りん光体中で、
   臭素単独又は塩素及び／又は沃素と組合せた臭素よりも
   大なる原子％で理論量的に存在する）の範囲内にあるこ
   とを特徴とする放射線像貯蔵パネル。 　７．前記りん光体において、ｚが１０＾−＾６≦ｚ≦
   １０＾−＾２の範囲でり、ＡがＥｕ＾２＾＋単独又はＥ
   ｕ＾３＾＋，Ｙ，Ｌｕ及びＧｄからなる群から選択した
   少なくとも１員との混合物の形であり、ａは０．１５≦
   ｘ＜０．１７の範囲のｘに対して０．８７２≦ａ≦０．
   ９３の範囲であり、０．１７≦ｘ≦０．５の範囲のｘに
   対して０．８５５≦ａ≦０．９３である請求項６記載の
   放射線像貯蔵パネル。 　８．前記りん光体において、ＡがＹ及び／又はＥｕ＾
   ３＾＋と組合せた又は組合せないＥｕ＾２＾＋である請
   求項６記載の放射線像貯蔵パネル。 　９．前記りん光体が３００〜１５００ｇ／ｍ＾２の範
   囲の被覆率で付与する請求項６〜８の何れかに記載の放
   射線像貯蔵パネル。 　１０．（１）　光刺戟しうるりん光体をＸ線に対して
   像に従って露光し、 （２）　上記りん光体を可視光及び赤外線から選択した
   刺乾性電磁放射線で光刺戟し、光刺戟に当って使用した
   放射線とは波長特性において異なる電磁放射線を吸収さ
   れたＸ線に従って上記りん光体から放出させ、 （３）　工程（２）で付与した光刺戟によって発行され
   た光を検出する 工程を含むＸ線像を記録し再現する方法において、前記
   工程（１）及び（２）の処理を受けるりん光体が、下記
   実験式 （Ｉ）　Ｂａ＿１＿−＿ｘＳｒ＿ｘＦ＿２＿−＿ａ＿−
   ＿ｂＢｒ＿ａＸ＿ｂ：ｚＡ（式中ＸはＣｌ及びＩからな
   る群から選択した少なくとも１員であり、ｘは０．１０
   ≦ｘ≦０．５５の範囲であり、ａは０．７０≦ａ≦０．
   ９６の範囲であり、ｂは０≦ｂ＜０．１５の範囲であり
   、ｚは１０＾−＾７＜ｚ≦０．１５の範囲であり、Ａは
   Ｅｕ＾３＾＋，Ｙ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈ
   ｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｌａ，Ｇｄ及びＬｕからなる群
   から選択した共ドープ剤の１種以上と一緒のＥｕ＾２＾
   ＋又はＥｕ＾２＾＋であり、弗素は前記りん光体中で臭
   素単独又は塩素及び／又は沃素と組合せた臭素より大な
   る原子％で理論量的に存在する）の範囲内にあることを
   特徴とす る方法。 　１１．前記りん光体において、ｚが１０＾−＾６≦ｚ
   ≦１０＾−＾２の範囲でり、ＡがＥｕ＾２＾＋単独又は
   Ｅｕ＾３＾＋，Ｙ，Ｌｕ及びＧｄからなる群から選択し
   た少なくとも１員との混合物の形であり、ａは０．１５
   ≦ｘ＜０．１７の範囲でのｘに対して０．８７２≦ａ≦
   ０．９３の範囲であり、０．１７≦ｘ≦０．５の範囲で
   のｘに対して０．８５５≦ａ≦０．９３の範囲である請
   求項１０記載の方法。 　１２．前記りん光体において、ＡがＹ及び／又はＥｕ
   ＾３＾＋と組合せた又は組合せないＥｕ＾２＾＋である
   請求項１０記載の方法。 　１３．光刺戟を走査レーザビームで行う請求項１０記
   載の方法。 　１４．光刺戟により発光される光の検出をデイジタル
   化される電気信号を与える光電管で行う請求項１０記載
   の方法。 　１５．貯蔵後前記信号がデイジタル処理を受ける請求
   項１４記載の方法。 　１６．光刺戟によって得られた光に相当する電気信号
   のアナログ−デイジタル変換から得られたデイジタル信
   号を陰極線管上に表示する請求項１４記載の方法。 　１７．デイジタル信号が、書き込みレーザビームを変
   調するために使用されるアナログ信号に変換される請求
   項１４記載の方法。