JPH0294649A - 半導体装置用基板 - Google Patents
半導体装置用基板Info
- Publication number
- JPH0294649A JPH0294649A JP24709788A JP24709788A JPH0294649A JP H0294649 A JPH0294649 A JP H0294649A JP 24709788 A JP24709788 A JP 24709788A JP 24709788 A JP24709788 A JP 24709788A JP H0294649 A JPH0294649 A JP H0294649A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sheet material
- plate material
- heat
- alloy
- alloys
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 8
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 229910017945 Cu—Ti Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 5
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の高集積化および大電力化に十
分対応することができる半導体装置用基板に関するもの
である。
分対応することができる半導体装置用基板に関するもの
である。
従来、一般に、半導体装置用基板としては、例えば第２
図に概略説明図で示されるように、酸化アルミニウム（
ＡＮ ２０ｓ ）焼結体からなる絶縁板材Ｃ′の上下両
面に、Ｃｕ薄板材Ｂ′を液相接合し、この液相接合は、
例えば前記Ｃｕ薄板材の接合面に酸化銅（Ｃｕ２０）を
形成しておき、前記Ａｌｌ ２０ｓ製絶縁板材と重ね合
わせた状態で、１０６５〜１０８５℃に加熱して接合面
に前記Ｃｕ ２０とＣｕとの間で液相を発生させて結合
する方法であり、また前記Ｃｕ薄板材のうち、Ａ ｊ！
２０ ｓ製絶縁板材Ｃ′の上面側が回路形成用導体と
なり、同下面側がはんだ付は用となるものであり、この
状態で、通常Ｐｂ−８ｎ合金からなるはんだ材（白点：
４５０℃以下をはんだという）Ｄ′を用いて、Ｃｕから
なるヒートシンク板材Ａ′に接合してなる構造をもつこ
とが知られている。
図に概略説明図で示されるように、酸化アルミニウム（
ＡＮ ２０ｓ ）焼結体からなる絶縁板材Ｃ′の上下両
面に、Ｃｕ薄板材Ｂ′を液相接合し、この液相接合は、
例えば前記Ｃｕ薄板材の接合面に酸化銅（Ｃｕ２０）を
形成しておき、前記Ａｌｌ ２０ｓ製絶縁板材と重ね合
わせた状態で、１０６５〜１０８５℃に加熱して接合面
に前記Ｃｕ ２０とＣｕとの間で液相を発生させて結合
する方法であり、また前記Ｃｕ薄板材のうち、Ａ ｊ！
２０ ｓ製絶縁板材Ｃ′の上面側が回路形成用導体と
なり、同下面側がはんだ付は用となるものであり、この
状態で、通常Ｐｂ−８ｎ合金からなるはんだ材（白点：
４５０℃以下をはんだという）Ｄ′を用いて、Ｃｕから
なるヒートシンク板材Ａ′に接合してなる構造をもつこ
とが知られている。
しかし、近年の半導体装置の高集積化および大電力化に
よって半導体装置に発生する熱量が増大するようになり
、これに伴って半導体装置が受ける発熱・冷却の繰り返
しからなる温度サイクルもその振幅が大きく、苛酷にな
る傾向にあるが、上記した構造の従来半導体装置用基板
では、このような苛酷な温度サイクルにさらされると、
例えば純度＝９Ｇ％のＡｌ２Ｏ３焼結体の熱膨張係数が
６ Ｘ １０’／℃、Ｃｕのそれが１７．２Ｘ １０−
６／”Ｃであるように、Ａ ｆｌ ２ Ｏａ製絶縁板材
Ｃ′とＣｕ薄板材Ｂ′との間に存在する大きな熱膨張差
によって、延性のないＡｇ２Ｏ３製絶縁板材には割れが
発生し易くなるばかりでなく、はんだ材Ｄ′には、融点
が４５０℃以下と低いことと合まって、熱疲労が発生し
易く、このはんだ材層に剥離現象が生じるようになり、
この状態になると半導体装置内に発生した熱のヒートシ
ンク板材Ａ′からの放熱を満足に行なうことができなく
なるという問題が発生し、かかる点で半導体装置の高集
積化および大電力化に十分対応することができないのが
現状である。
よって半導体装置に発生する熱量が増大するようになり
、これに伴って半導体装置が受ける発熱・冷却の繰り返
しからなる温度サイクルもその振幅が大きく、苛酷にな
る傾向にあるが、上記した構造の従来半導体装置用基板
では、このような苛酷な温度サイクルにさらされると、
例えば純度＝９Ｇ％のＡｌ２Ｏ３焼結体の熱膨張係数が
６ Ｘ １０’／℃、Ｃｕのそれが１７．２Ｘ １０−
６／”Ｃであるように、Ａ ｆｌ ２ Ｏａ製絶縁板材
Ｃ′とＣｕ薄板材Ｂ′との間に存在する大きな熱膨張差
によって、延性のないＡｇ２Ｏ３製絶縁板材には割れが
発生し易くなるばかりでなく、はんだ材Ｄ′には、融点
が４５０℃以下と低いことと合まって、熱疲労が発生し
易く、このはんだ材層に剥離現象が生じるようになり、
この状態になると半導体装置内に発生した熱のヒートシ
ンク板材Ａ′からの放熱を満足に行なうことができなく
なるという問題が発生し、かかる点で半導体装置の高集
積化および大電力化に十分対応することができないのが
現状である。
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、半導体
装置の高集積化および大電力化に対応することができる
半導体装置用基板を開発すべく研究を行なった結果、第
１図に概略説明図で示されるように、絶縁板材Ｃを窒化
アルミニウム（Ａｌｌ Ｎ）焼結体で構成し、これの両
面に回路形成用導体薄板材Ｂとヒートシンク板材Ａとを
接合した構造とすると共に、前記導体薄板材Ｂとヒート
シンク板材Ａとを、それぞれＷ、Ｍｏ 、Ｗ合金、およ
びＭｏ合金のうちのいずれかで構成し、かつこれらの前
記絶縁板材Ｃへの接合を重量％で（以下同じ）、例えば
Ａｇ−２９％Ｃｕ−４％ＴＩ合金や、Ｃｕ−３％ＴＩ合
金、あるいはＣｕ−３％Ｚ「合金などからなる高融点ろ
う材（この発明では、７５０℃以上の融点を有するろう
材をいう）Ｄを用いて行なうと、前記絶縁板材と導体薄
板材Ｂおよびヒートシンク板材Ａとは、苛酷な温度サイ
クルによっても熱疲労することのない前記高融点ろう材
りによって強固に接合し、かつ前記ＡｇＮ製絶縁板材Ｃ
は、Ａｇ２Ｏ３焼結体の熱伝導率が１７Ｗ／に−ｍであ
るのに対してＡ４７ Ｎ焼結体のそれはＩＢＯＷ／ Ｋ
−ｍであるようにすぐれた熱の良導体であり、この熱伝
導率は回路形成用導体薄板材Ｂおよびヒートシンク板材
Ａを構成するＭＯの熱伝導率：１４２Ｗ／に−ｍ、Ｗの
熱伝導率：１Ｇ７Ｗ／に−ｍときわめて近似するもので
あり、さらに熱膨張係数に関しても、Ａｊ７Ｎ焼結体：
３．８Ｘ １０−６／℃、Ｍｏ：５．３Ｘ １０’／
’Ｃ１Ｗ：４．７Ｘ １０−６／’Ｃ１例えばｗ−ｔｏ
％Ｃｕ合金：５．５Ｘ １０’／’Ｃであるようにきわ
めて近似するものであり、したがって上記構造の半導体
装置用基板においては、ＡＩＮ製絶縁板材Ｃと導体薄板
材Ｂおよびヒートシンク板材Ａとの間に、ろう材の熱疲
労が原因の剥離や、絶縁板材Ｃに大きな熱膨張差が原因
の割れの発生がなく、すぐれた熱の拡散性と放熱性を発
揮するようになるという知見を得たのである。
装置の高集積化および大電力化に対応することができる
半導体装置用基板を開発すべく研究を行なった結果、第
１図に概略説明図で示されるように、絶縁板材Ｃを窒化
アルミニウム（Ａｌｌ Ｎ）焼結体で構成し、これの両
面に回路形成用導体薄板材Ｂとヒートシンク板材Ａとを
接合した構造とすると共に、前記導体薄板材Ｂとヒート
シンク板材Ａとを、それぞれＷ、Ｍｏ 、Ｗ合金、およ
びＭｏ合金のうちのいずれかで構成し、かつこれらの前
記絶縁板材Ｃへの接合を重量％で（以下同じ）、例えば
Ａｇ−２９％Ｃｕ−４％ＴＩ合金や、Ｃｕ−３％ＴＩ合
金、あるいはＣｕ−３％Ｚ「合金などからなる高融点ろ
う材（この発明では、７５０℃以上の融点を有するろう
材をいう）Ｄを用いて行なうと、前記絶縁板材と導体薄
板材Ｂおよびヒートシンク板材Ａとは、苛酷な温度サイ
クルによっても熱疲労することのない前記高融点ろう材
りによって強固に接合し、かつ前記ＡｇＮ製絶縁板材Ｃ
は、Ａｇ２Ｏ３焼結体の熱伝導率が１７Ｗ／に−ｍであ
るのに対してＡ４７ Ｎ焼結体のそれはＩＢＯＷ／ Ｋ
−ｍであるようにすぐれた熱の良導体であり、この熱伝
導率は回路形成用導体薄板材Ｂおよびヒートシンク板材
Ａを構成するＭＯの熱伝導率：１４２Ｗ／に−ｍ、Ｗの
熱伝導率：１Ｇ７Ｗ／に−ｍときわめて近似するもので
あり、さらに熱膨張係数に関しても、Ａｊ７Ｎ焼結体：
３．８Ｘ １０−６／℃、Ｍｏ：５．３Ｘ １０’／
’Ｃ１Ｗ：４．７Ｘ １０−６／’Ｃ１例えばｗ−ｔｏ
％Ｃｕ合金：５．５Ｘ １０’／’Ｃであるようにきわ
めて近似するものであり、したがって上記構造の半導体
装置用基板においては、ＡＩＮ製絶縁板材Ｃと導体薄板
材Ｂおよびヒートシンク板材Ａとの間に、ろう材の熱疲
労が原因の剥離や、絶縁板材Ｃに大きな熱膨張差が原因
の割れの発生がなく、すぐれた熱の拡散性と放熱性を発
揮するようになるという知見を得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て、ＡＩＮ焼結体からなる絶縁板材の一方面に、Ｗ、
Ｍｏ 、 Ｗ合金、およびＭｏ合金のうちのいずれかか
らなる回路形成用導体薄板材を、前記絶縁板材の他方面
に、同じ（Ｗ、Ｍｏ、Ｗ合金、およびＭｏ合金のうちの
いずれかからなるヒートシンク板材をそれぞれ高融点ろ
う材を用いて接合してなる半導体装置用基板に特徴を有
するものである。
て、ＡＩＮ焼結体からなる絶縁板材の一方面に、Ｗ、
Ｍｏ 、 Ｗ合金、およびＭｏ合金のうちのいずれかか
らなる回路形成用導体薄板材を、前記絶縁板材の他方面
に、同じ（Ｗ、Ｍｏ、Ｗ合金、およびＭｏ合金のうちの
いずれかからなるヒートシンク板材をそれぞれ高融点ろ
う材を用いて接合してなる半導体装置用基板に特徴を有
するものである。
つぎに、この発明の半導体装置用基板を実施例により具
体的に説明する。
体的に説明する。
第１図に示されるように、絶縁板材Ｃとして、幅：５０
！ＩＩＩＸ厚さ： ０．８３＋ａｍＸ長さニア５ｍ＋ｓ
の寸法もった純度＝９９％のＡｆｉＮ焼結体を用意し、
また第１表に示される材質からなり、かつ幅：４５ｍｍ
Ｘ厚さ：０．３ｍｍＸ長さ＝７０鰭の寸法をもった回路
形成用導体薄板材Ｂ１並びに幅：５０ｍｒａＸ厚さ；３
關×長さニア５１１！ｌの寸法をもったヒートシンク板
材Ａをそれぞれ用意し、これらをそれぞれ第１表に示さ
れる高融点ろう材りを間にはさんで重ね合わせた状態で
、真空中、温度二８８０℃に１０分間保持の条件でろう
付けすることにより本発明基板１〜８をそれぞれ製造し
た。
！ＩＩＩＸ厚さ： ０．８３＋ａｍＸ長さニア５ｍ＋ｓ
の寸法もった純度＝９９％のＡｆｉＮ焼結体を用意し、
また第１表に示される材質からなり、かつ幅：４５ｍｍ
Ｘ厚さ：０．３ｍｍＸ長さ＝７０鰭の寸法をもった回路
形成用導体薄板材Ｂ１並びに幅：５０ｍｒａＸ厚さ；３
關×長さニア５１１！ｌの寸法をもったヒートシンク板
材Ａをそれぞれ用意し、これらをそれぞれ第１表に示さ
れる高融点ろう材りを間にはさんで重ね合わせた状態で
、真空中、温度二８８０℃に１０分間保持の条件でろう
付けすることにより本発明基板１〜８をそれぞれ製造し
た。
また、比較の目的で、第２図に示されるように、絶縁板
材Ｃ′として幅二５０ｍａＸ厚さ：Ｑ、６ｔａｕａＸ長
さニア５！Ｉ１１の寸法をもった純度：９６％のＡｇ２
Ｏ３焼結体を、また回路形成用およびはんだ付は用とし
て、幅：４５龍Ｘ厚さ：０．３ｍｍＸ長さ： ７０ｍ＋
ｓの寸法をもった無酸素銅薄板材Ｂ′ （２枚）をそれ
ぞれ用意し、これら両者を重ね合わせた状態で、酸素：
１容量％含有のＡ「雰囲気中、温度： １０７５℃に５
０分間保持の条件で加熱し、前記酸化性雰囲気によって
形成したＣ ｕ ２０とＣｕとの共晶による液相を接合
面に発生させて接合し、ついでこの接合体を厚さ：３０
０ρのｐｂ−ｅｏ％Ｓｎ合金からなるはんだ材Ｄ′を用
いて、幅：５０ｍｍＸ厚さ＝３順Ｘ長さニア５ｍｍの寸
法をもった無酸素銅からなるヒートシンク板材Ａ′の片
面にはんだ付けすることにより従来基板を製造した。
材Ｃ′として幅二５０ｍａＸ厚さ：Ｑ、６ｔａｕａＸ長
さニア５！Ｉ１１の寸法をもった純度：９６％のＡｇ２
Ｏ３焼結体を、また回路形成用およびはんだ付は用とし
て、幅：４５龍Ｘ厚さ：０．３ｍｍＸ長さ： ７０ｍ＋
ｓの寸法をもった無酸素銅薄板材Ｂ′ （２枚）をそれ
ぞれ用意し、これら両者を重ね合わせた状態で、酸素：
１容量％含有のＡ「雰囲気中、温度： １０７５℃に５
０分間保持の条件で加熱し、前記酸化性雰囲気によって
形成したＣ ｕ ２０とＣｕとの共晶による液相を接合
面に発生させて接合し、ついでこの接合体を厚さ：３０
０ρのｐｂ−ｅｏ％Ｓｎ合金からなるはんだ材Ｄ′を用
いて、幅：５０ｍｍＸ厚さ＝３順Ｘ長さニア５ｍｍの寸
法をもった無酸素銅からなるヒートシンク板材Ａ′の片
面にはんだ付けすることにより従来基板を製造した。
つぎに、この結果得られた本発明基板１〜８および従来
基板に対して、温度二１５０℃に加熱後、−５５℃に冷
却を１サイクルとする繰り返し加熱冷却試験を行ない、
本発明基板については、絶縁板材Ｃと導体薄板材Ｂおよ
びヒートシンク板材Ａ間の剥離、および絶縁板材Ｃの割
れが発生するに至るまでのサイクル数を２０サイクル毎
に観察し、また従来基板については、Ｃｕ薄板材Ｂ′と
ヒートシンク板材Ａ′間の剥離、および絶縁板材Ｃ′の
割れが発生するに至るまでのサイクル数を同じく２０サ
イクル毎に観察し、測定した。これらの結果を第１表に
示した。
基板に対して、温度二１５０℃に加熱後、−５５℃に冷
却を１サイクルとする繰り返し加熱冷却試験を行ない、
本発明基板については、絶縁板材Ｃと導体薄板材Ｂおよ
びヒートシンク板材Ａ間の剥離、および絶縁板材Ｃの割
れが発生するに至るまでのサイクル数を２０サイクル毎
に観察し、また従来基板については、Ｃｕ薄板材Ｂ′と
ヒートシンク板材Ａ′間の剥離、および絶縁板材Ｃ′の
割れが発生するに至るまでのサイクル数を同じく２０サ
イクル毎に観察し、測定した。これらの結果を第１表に
示した。
第１表に示される結果から、本発明基板１〜８は、苛酷
な条件下での加熱・冷却の縁り返しによっても、剥離や
割れの発生がないので、すぐれた熱伝導性および放熱性
を示すのに対して、従来基板においては比較的早期に剥
離や割れが発生することが明らかである。
な条件下での加熱・冷却の縁り返しによっても、剥離や
割れの発生がないので、すぐれた熱伝導性および放熱性
を示すのに対して、従来基板においては比較的早期に剥
離や割れが発生することが明らかである。
上述のように、この発明の半導体装置用基板は、苛酷な
温度サイクルによっても剥離や割れの発生がなく、すぐ
れた熱伝導性および放熱性を示すので、半導体装置の高
集積化および天主ツノ化に十分に対応することができる
きわめて信頼性の高いものである。
温度サイクルによっても剥離や割れの発生がなく、すぐ
れた熱伝導性および放熱性を示すので、半導体装置の高
集積化および天主ツノ化に十分に対応することができる
きわめて信頼性の高いものである。
第１図は本発明半導体装置用基板の概略説明図、第２図
は従来半導体装置用基板の概略説明図である。 Ａ、 Ａ’・・・ヒートシンク板材、 Ｂ、 Ｂ’・・・薄板材、 Ｃ′・・・絶縁板材
、Ｄ・・・高融点ろう材、 Ｄ′・・・はんだ材。
は従来半導体装置用基板の概略説明図である。 Ａ、 Ａ’・・・ヒートシンク板材、 Ｂ、 Ｂ’・・・薄板材、 Ｃ′・・・絶縁板材
、Ｄ・・・高融点ろう材、 Ｄ′・・・はんだ材。
Claims (1)
- （１）窒化アルミニウム焼結体からなる絶縁板材の一方
面に、Ｗ、Ｍｏ、Ｗ合金、およびＭｏ合金のうちのいず
れかからなる回路形成用導体薄板材を、前記絶縁板材の
他方面に、同じくＷ、Ｍｏ、Ｗ合金、およびＭｏ合金の
うちいずれかからなるヒートシンク板材をそれぞれ高融
点ろう材を用いて接合してなる半導体装置用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24709788A JP2503775B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 半導体装置用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24709788A JP2503775B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 半導体装置用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0294649A true JPH0294649A (ja) | 1990-04-05 |
| JP2503775B2 JP2503775B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=17158385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24709788A Expired - Lifetime JP2503775B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 半導体装置用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2503775B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0422558A2 (en) * | 1989-10-09 | 1991-04-17 | Mitsubishi Materials Corporation | Ceramic substrate used for fabricating electric or electronic circuit |
| JP2000252387A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体モジュール及びその製造方法、並びにモジュール基板 |
| US6768193B2 (en) | 2001-08-01 | 2004-07-27 | Hitachi, Ltd. | Heat transfer structure for a semiconductor device utilizing a bismuth glass layer |
| JP2014515876A (ja) * | 2011-03-16 | 2014-07-03 | モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・インク | 高熱伝導率／低熱膨張率を有する複合材 |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP24709788A patent/JP2503775B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0422558A2 (en) * | 1989-10-09 | 1991-04-17 | Mitsubishi Materials Corporation | Ceramic substrate used for fabricating electric or electronic circuit |
| EP1020914A2 (en) * | 1989-10-09 | 2000-07-19 | Mitsubishi Materials Corporation | Ceramic substrate used for fabricating electric or electronic circuit |
| EP1020914A3 (en) * | 1989-10-09 | 2000-08-02 | Mitsubishi Materials Corporation | Ceramic substrate used for fabricating electric or electronic circuit |
| JP2000252387A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体モジュール及びその製造方法、並びにモジュール基板 |
| US6768193B2 (en) | 2001-08-01 | 2004-07-27 | Hitachi, Ltd. | Heat transfer structure for a semiconductor device utilizing a bismuth glass layer |
| US6784538B2 (en) | 2001-08-01 | 2004-08-31 | Hitachi, Ltd. | Heat transfer structure for a semiconductor device utilizing a bismuth glass layer |
| JP2014515876A (ja) * | 2011-03-16 | 2014-07-03 | モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・インク | 高熱伝導率／低熱膨張率を有する複合材 |
| JP2018082180A (ja) * | 2011-03-16 | 2018-05-24 | モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・インク | 高熱伝導率／低熱膨張率を有する複合材 |
| US10347559B2 (en) | 2011-03-16 | 2019-07-09 | Momentive Performance Materials Inc. | High thermal conductivity/low coefficient of thermal expansion composites |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2503775B2 (ja) | 1996-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5614485B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
| KR0173782B1 (ko) | 전기 또는 전자회로의 성형에 사용되는 세라믹기판 | |
| JP5520815B2 (ja) | 絶縁基板およびパワーモジュール用ベース | |
| JP7151583B2 (ja) | ヒートシンク付き絶縁回路基板 | |
| JP2004022973A (ja) | セラミック回路基板および半導体モジュール | |
| JPH0786703A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| CN110843272A (zh) | 陶瓷覆铜板及其制备工艺和应用 | |
| JPH0294649A (ja) | 半導体装置用基板 | |
| JP2503778B2 (ja) | 半導体装置用基板 | |
| JPH0294652A (ja) | 半導体装置用基板 | |
| JP2006229247A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
| JP2503774B2 (ja) | 半導体装置用基板 | |
| JP2503779B2 (ja) | 半導体装置用基板 | |
| JP2503776B2 (ja) | 半導体装置用基板 | |
| JPH0294651A (ja) | 半導体装置用基板 | |
| JP2021031315A (ja) | 銅／セラミックス接合体、絶縁回路基板、及び、銅／セラミックス接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法 | |
| JP6561883B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP2508545B2 (ja) | 半導体装置用基板 | |
| JPS6381956A (ja) | 半導体装置用パツケ−ジ | |
| JP2001135902A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JP7424043B2 (ja) | 銅／セラミックス接合体、絶縁回路基板、及び、銅／セラミックス接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法 | |
| JP2000349400A (ja) | 回路基板 | |
| JPH04170089A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| TWI801689B (zh) | 接合體、附散熱片絕緣電路基板、及散熱片 | |
| JP7054073B2 (ja) | ヒートシンク付き絶縁回路基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080402 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090402 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090402 Year of fee payment: 13 |