JPH0293470A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電子写真感光体に関し、詳しくは特定の構造の
カプラー成分を有するアゾ顔料を含有する電子写真感光
体に関する。
カプラー成分を有するアゾ顔料を含有する電子写真感光
体に関する。
[従来の技術]
従来、電子写真感光体としては、セレン、硫化カドミウ
ム、酸化亜鉛などの無機光導電性物質が広く用いられて
きた。
ム、酸化亜鉛などの無機光導電性物質が広く用いられて
きた。
一方、有機光導電性物質を用いた電子写真感光体として
は、ポリ−N−ビニルカルバゾールに代表される光導電
性ポリマーや2.5−ビス(p −ジエチルアミノフェ
ニル)−1,3,4−オキサジアゾールのような低分子
の有機光導電性物質を用いたもの、さらには、このよう
な有機光導電性物質と各種染料や顔料を組み合せたもの
などが知られている。
は、ポリ−N−ビニルカルバゾールに代表される光導電
性ポリマーや2.5−ビス(p −ジエチルアミノフェ
ニル)−1,3,4−オキサジアゾールのような低分子
の有機光導電性物質を用いたもの、さらには、このよう
な有機光導電性物質と各種染料や顔料を組み合せたもの
などが知られている。
有機光導電性物質を用いた電子写真感光体は成膜性が良
く、塗工により生産できるため、極めて生産性が高く、
安価な感光体を提供できる利点を有している。また、使
用する染料や顔料などの増感剤の選択により、感色性を
自在にコントロールできるなどの利点を有し、これまで
幅広い検討がなされてきた。特に最近では、有機光導電
性顔料を電荷発生層とし、前述の光導電性ポリマーや低
分子の有機導電性物質などからなる電荷輸送層を積層し
た機能分離型感光体の開発により、従来の有機電子写真
感光体の欠点とされていた感度や耐久性に著しい改善が
なされてきた。
く、塗工により生産できるため、極めて生産性が高く、
安価な感光体を提供できる利点を有している。また、使
用する染料や顔料などの増感剤の選択により、感色性を
自在にコントロールできるなどの利点を有し、これまで
幅広い検討がなされてきた。特に最近では、有機光導電
性顔料を電荷発生層とし、前述の光導電性ポリマーや低
分子の有機導電性物質などからなる電荷輸送層を積層し
た機能分離型感光体の開発により、従来の有機電子写真
感光体の欠点とされていた感度や耐久性に著しい改善が
なされてきた。
こうした有vITIL子写真感光体に用いられる顔料は
数多く提案されているが、特にアゾ顔料はアミン成分と
カプラー成分の組み合せかたにより様々な性質を有する
顔料を合成できるため、幅広い検討がなされているが、
感度や縁り返し使用時の電位安定性の点に問題があり、
実用されているのはごく僅かな材Hのみである。
数多く提案されているが、特にアゾ顔料はアミン成分と
カプラー成分の組み合せかたにより様々な性質を有する
顔料を合成できるため、幅広い検討がなされているが、
感度や縁り返し使用時の電位安定性の点に問題があり、
実用されているのはごく僅かな材Hのみである。
このようなアゾ顔料に使用されるカプラー成分としては
特開昭47−37543号公報などに記載されるナフト
ールAs系カプラー、特開昭58−122967号公報
などに記載されるベンズカル八ゾール系カプラー、特開
昭54−79632号公報に記載のナフタルイミド系カ
プラー、特開昭57−176055号公報、特開昭63
−63047号公報、特開昭63−63050号公報な
どに記載のペリノン系カプラーなどが既に公知である。
特開昭47−37543号公報などに記載されるナフト
ールAs系カプラー、特開昭58−122967号公報
などに記載されるベンズカル八ゾール系カプラー、特開
昭54−79632号公報に記載のナフタルイミド系カ
プラー、特開昭57−176055号公報、特開昭63
−63047号公報、特開昭63−63050号公報な
どに記載のペリノン系カプラーなどが既に公知である。
本発明者らは上記の課題を解決すべく研究を重ねた結果
、後記特定のカプラーを使用したアゾ顔料を含有する電
子写真感光体が、実用的な感度と安定した電位特性を有
することを見い出した。
、後記特定のカプラーを使用したアゾ顔料を含有する電
子写真感光体が、実用的な感度と安定した電位特性を有
することを見い出した。
[発明が解決しようとする課題]
本発明の目的は、新規な電子写真感光体を提供すること
、実用的な高感度特性と繰り返し使用時の安定した電位
特性を有する電子写真感光体を提供することである。
、実用的な高感度特性と繰り返し使用時の安定した電位
特性を有する電子写真感光体を提供することである。
[課題を解決する手段、作用]
本発明は、導電性支持体上に下記一般式(1)で欲すア
ン顔ネ)を含有する感光層を有する電子写真感光体にお
いて、−9式(1)中のCPの少なくとも1つが一般式
(2)で示すカプラー残基であることを特徴とする電子
写真感光体から構成される。
ン顔ネ)を含有する感光層を有する電子写真感光体にお
いて、−9式(1)中のCPの少なくとも1つが一般式
(2)で示すカプラー残基であることを特徴とする電子
写真感光体から構成される。
Ar(NIIN−11;p)n
式中、Arは結合基を介して結合していてもよい置換も
しくは非置換の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基
を示し、CPはフェノール性水酸基を有するカプラー残
基を示し、nは1.2.3または4の整数を示す。
しくは非置換の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基
を示し、CPはフェノール性水酸基を有するカプラー残
基を示し、nは1.2.3または4の整数を示す。
R」
式中、R1は置換基を有してもよいアルキル基アラルキ
ル基、アリール基または複素環基を示す。
ル基、アリール基または複素環基を示す。
具体的には、一般式(1)中のArとしてはヘンゼン、
ナフタレン、フルオレン、フェナンスレン、アントラセ
ン、ピレンなどの芳香族炭化水素基、フラン、チオフェ
ン、ビリンン、イ/トール、ベンゾチアゾール、カルバ
ソール、アクリドンジベンゾチオフェン、ベンゾオキサ
ソール、ヘンシトリアゾール、オキサジアゾール、チア
ゾールなどの芳香族複素環基、さらに上記芳香環を直接
あるいは芳香族性基または非芳香族性基で結合したもの
、例えばトリフェニルアミン、ジフェニルアミン、N−
メチルジフェニルアミン、ビフェニル、ターフェニル、
ビナフチル、フルオレノンフェナンスレンキノン、アン
スラキノン、ベンズアントロン、ジフェニルオキサジア
ゾール、フェニルヘンジオキサゾール、ジフェニルメタ
ン、ジフェニルスルホン、ジフェニルエーテル、ベンゾ
フェノン、スチルベン、ジスチリルベンゼンテトラフェ
ニル−p−フェニレンジアミン、テトラフェニルベンジ
ジンなどが挙げられる。
ナフタレン、フルオレン、フェナンスレン、アントラセ
ン、ピレンなどの芳香族炭化水素基、フラン、チオフェ
ン、ビリンン、イ/トール、ベンゾチアゾール、カルバ
ソール、アクリドンジベンゾチオフェン、ベンゾオキサ
ソール、ヘンシトリアゾール、オキサジアゾール、チア
ゾールなどの芳香族複素環基、さらに上記芳香環を直接
あるいは芳香族性基または非芳香族性基で結合したもの
、例えばトリフェニルアミン、ジフェニルアミン、N−
メチルジフェニルアミン、ビフェニル、ターフェニル、
ビナフチル、フルオレノンフェナンスレンキノン、アン
スラキノン、ベンズアントロン、ジフェニルオキサジア
ゾール、フェニルヘンジオキサゾール、ジフェニルメタ
ン、ジフェニルスルホン、ジフェニルエーテル、ベンゾ
フェノン、スチルベン、ジスチリルベンゼンテトラフェ
ニル−p−フェニレンジアミン、テトラフェニルベンジ
ジンなどが挙げられる。
上記結合基を介して結合してよい芳香族炭化水素基また
は芳香族複素環基の有してもよい置換ノ。(とじては、
メチル、エチル、プロピル、ブチルなとのアルキル基、
メトキシ、エトキシ、プロポキシなどのフルコキシ基、
ジメチルアミン、ジエチルアミノなどのジアルキルアミ
ン基、フッ素、j12素、臭素などのハロゲン原子 ヒ
ドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、ハロメチルノ。(な
どが挙げられる。
は芳香族複素環基の有してもよい置換ノ。(とじては、
メチル、エチル、プロピル、ブチルなとのアルキル基、
メトキシ、エトキシ、プロポキシなどのフルコキシ基、
ジメチルアミン、ジエチルアミノなどのジアルキルアミ
ン基、フッ素、j12素、臭素などのハロゲン原子 ヒ
ドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、ハロメチルノ。(な
どが挙げられる。
一般式(2)中のR1としては、具体的にはンエチル、
エトル、プロピル、ブチルなどのアルキル基、ベンジル
、フェネチル1ナフチルメチルなどの7ラルキル基、フ
ェニル、ジフェニル、ナフチル、アンスリルなどのアリ
ール基、カルバゾール、ジヘンンフラン、ヘンズイミタ
ソロン、ベンズチアゾール、チアゾール、ピリジンなど
の複素環基などの基が挙げられる。上記基の有してもよ
い置換基としては、メチル エチル、プロピルブチルな
どのアルキル基、メトキシ、エトキシプロポキシ、フエ
ノキシなどのフルコギシ基フン素、114素、ヨウ素、
臭素などのハロゲン原子トロ基 ノアツノ、(、トリフ
ルオロメチルなどのハロメチルノ、(、ジメチルアミノ
、ンヘンンルアミノ、/フェニルアs〕1モルホリノ、
ピペリソノなとの11′り換アミノ基などがイ・げらね
る。
エトル、プロピル、ブチルなどのアルキル基、ベンジル
、フェネチル1ナフチルメチルなどの7ラルキル基、フ
ェニル、ジフェニル、ナフチル、アンスリルなどのアリ
ール基、カルバゾール、ジヘンンフラン、ヘンズイミタ
ソロン、ベンズチアゾール、チアゾール、ピリジンなど
の複素環基などの基が挙げられる。上記基の有してもよ
い置換基としては、メチル エチル、プロピルブチルな
どのアルキル基、メトキシ、エトキシプロポキシ、フエ
ノキシなどのフルコギシ基フン素、114素、ヨウ素、
臭素などのハロゲン原子トロ基 ノアツノ、(、トリフ
ルオロメチルなどのハロメチルノ、(、ジメチルアミノ
、ンヘンンルアミノ、/フェニルアs〕1モルホリノ、
ピペリソノなとの11′り換アミノ基などがイ・げらね
る。
また、一般式(1)中のCPにおいて、一般式(2)で
示すカプラー残基以外の共存してもよいカプラー残基の
好ましい例としては、例えば、下記一般式(4)〜(8
)で示す構造を有するカプラー残基が挙げられる。
示すカプラー残基以外の共存してもよいカプラー残基の
好ましい例としては、例えば、下記一般式(4)〜(8
)で示す構造を有するカプラー残基が挙げられる。
上記一般式(4)、(5)、(6)中のXとしてはヘン
ゼン環と縮合してご換基を有してもよいナフタレン環、
アントラセン環、カルバゾール項ベンズカルバゾール環
、ジベンゾフラン環などを形成するに必要な残基を示す
。
ゼン環と縮合してご換基を有してもよいナフタレン環、
アントラセン環、カルバゾール項ベンズカルバゾール環
、ジベンゾフラン環などを形成するに必要な残基を示す
。
R2、R3は水素原子、置換基を有してもよいアルキル
基、アリール基、アラルキル基、複素環基あるいはR2
、R3の結合する窒素原子を含む環状アミン基を示し、
R4は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、ア
リール基、アラルキル基または複素環基を示す。
基、アリール基、アラルキル基、複素環基あるいはR2
、R3の結合する窒素原子を含む環状アミン基を示し、
R4は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、ア
リール基、アラルキル基または複素環基を示す。
R5は置換基を有してもよいアルキル基、アリルスし7
ラルキル基、複素環基を示す。
ラルキル基、複素環基を示す。
2は酸素原子または硫黄原子を示し、文は0またはlを
示す。
示す。
Yは2価の芳香族炭化水素基または窒素原子を11内番
こ含む2価の複素環基を示す。
こ含む2価の複素環基を示す。
JHJ的にはo−フェニレン、0−ナフチレンペリナフ
チレン、1,2−アンスリレン、3.4ビラソールジイ
ル、2.3−ピリジンジイル4.5−ピリジンジイル、
6.7−インタンールンイル、6.7−キラリンジイル
などの基が挙げられる。
チレン、1,2−アンスリレン、3.4ビラソールジイ
ル、2.3−ピリジンジイル4.5−ピリジンジイル、
6.7−インタンールンイル、6.7−キラリンジイル
などの基が挙げられる。
上記表現のアルキル基としては、メチル、エチル、プロ
ピル、ブチルなどの基が挙げられ、アラルキル基として
はベンジル、フェネチル、ナフチルメチルなどの基が挙
げられ、複素ヤ基としてはピリジル、チエニル、フリル
、チアンリル、カルパソリル、ンベンゾフリル、ヘンン
イミタンリルヘンンチアソリルなどの基が挙げられ、窒
素原子を環内に含む環状アミン基としてはビロールピロ
リン、ピロリジン、ピロリドン、インドールインドリン
イソインドール、カルへンール、ヘノツイントール、
イミタンール ピランールビラソリン、オキサ、7ノ
フェノキサンン、ヘンンカルパンールなどから誘・qさ
れる環状アミノ基か挙げられる。
ピル、ブチルなどの基が挙げられ、アラルキル基として
はベンジル、フェネチル、ナフチルメチルなどの基が挙
げられ、複素ヤ基としてはピリジル、チエニル、フリル
、チアンリル、カルパソリル、ンベンゾフリル、ヘンン
イミタンリルヘンンチアソリルなどの基が挙げられ、窒
素原子を環内に含む環状アミン基としてはビロールピロ
リン、ピロリジン、ピロリドン、インドールインドリン
イソインドール、カルへンール、ヘノツイントール、
イミタンール ピランールビラソリン、オキサ、7ノ
フェノキサンン、ヘンンカルパンールなどから誘・qさ
れる環状アミノ基か挙げられる。
また置換基としては、メチル、エチル、プロピルなどの
アルキル基、メトキシ、エトキシなどのフルコキシ基、
ジエチルアミノ、ジメチルアミノなどの置換アミン基、
フッ素、塩素、ヨウ素、臭素などのハロゲン原子、フェ
ニルカルバモイル基ニトロ基、シアノ基、トリフルオロ
メチルなどのハロメチル基などが挙げられる。
アルキル基、メトキシ、エトキシなどのフルコキシ基、
ジエチルアミノ、ジメチルアミノなどの置換アミン基、
フッ素、塩素、ヨウ素、臭素などのハロゲン原子、フェ
ニルカルバモイル基ニトロ基、シアノ基、トリフルオロ
メチルなどのハロメチル基などが挙げられる。
以下に本発明の用いる前記特定のアゾ顔料の代表例を列
挙する。
挙する。
基本型 Ar−NIIN−CP
例示顔料(1−1)
例示類N(1−2)
A r : +cH−cs−@−
例示顔料(1
例示顔料(2
A r : −@−cH−c−@−
基本型
CPl−NxN−Ar−NxN−CP1例示顔料(2
例示顔料(2−5)
例示顔料(2−2)
例示顔料(2−6)
例示顔料(2
例示顔料(2
例示顔14(2
例示顔料(2
= 9)
例示顔料(2
1りII示ご0才1
■
例示顔料(2
例示顔料
例示顔料(2
例示顔料(2
例示顔料
−0−N(ン
基本型
CP+
N=N
r
N=N
IJ
N=N
CP□
例示顔料
PI
P2
p3
例示顔料(3
= 2)
pt
P2
P3
例示顔料(3
p 1
p2
P3
例示顔料(3−4)
cpt
CP2
CP3:
例示顔料(3−5)
CP 1 、
CP2
CP3:
例示顔料(3
例示顔料(4−1)
cp 1 、
CP2
CP4
例示顔料(4
PI
CP3
CP4
例示顔料(3−7)
H
なお、本発明で使用する特定のアゾ顔料は、上記例示顔
料に限定されるものではない。
料に限定されるものではない。
本発明で特定する上記アゾ顔料は、相当するアミンを常
法によりジアゾ化し、アルカリの存在下前記一般式(2
)で示すカプラー残基を形成するカプラーと水系でカッ
プリングするか、ジアゾニウム塩をホウ2ツ化塩や塩化
亜鉛複塩などに変換した後、N、N−ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシドなどの有機溶剤中で、酢酸
ソーダトリエチルアミン、トリエタノールアミンなどの
IPAMの存在下、カプラーとカップリングすることに
よって容易に合成できる。
法によりジアゾ化し、アルカリの存在下前記一般式(2
)で示すカプラー残基を形成するカプラーと水系でカッ
プリングするか、ジアゾニウム塩をホウ2ツ化塩や塩化
亜鉛複塩などに変換した後、N、N−ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシドなどの有機溶剤中で、酢酸
ソーダトリエチルアミン、トリエタノールアミンなどの
IPAMの存在下、カプラーとカップリングすることに
よって容易に合成できる。
また、分子内に一般式(2)で示すカプラー残ノ、(以
外のカプラー残基が共存するシスアン顔料を合成する場
合は、相当するシアミンを常法によりテトラゾ化し、前
述の可溶性mとして単離した後一般式(2)で示すカプ
ラー残基を形成するカプラー1モルをカップリングさせ
1次いで別種カプラー1モルをカップリングさせて合成
するか、ジアミンの一方の7ミノ基をアセチル基などで
保護しておき、これをジアゾ化し、一般式(2)で示す
カプラー残基を形成するカプラーをカップリングさせた
後、保護基を塩酸などで加水分解しこれを再びジアゾ化
し、別種カプラーとカップリングして合成することがで
きる。
外のカプラー残基が共存するシスアン顔料を合成する場
合は、相当するシアミンを常法によりテトラゾ化し、前
述の可溶性mとして単離した後一般式(2)で示すカプ
ラー残基を形成するカプラー1モルをカップリングさせ
1次いで別種カプラー1モルをカップリングさせて合成
するか、ジアミンの一方の7ミノ基をアセチル基などで
保護しておき、これをジアゾ化し、一般式(2)で示す
カプラー残基を形成するカプラーをカップリングさせた
後、保護基を塩酸などで加水分解しこれを再びジアゾ化
し、別種カプラーとカップリングして合成することがで
きる。
分子内に一般式(2)で示すカプラー残基以外のカプラ
ーが共存するトリスアソ顔料やテトラキスアソ顔ネ4も
同様に合成できる。
ーが共存するトリスアソ顔料やテトラキスアソ顔ネ4も
同様に合成できる。
最大(2)で示すカプラー残基を形成すべきカプラーは
、常法によって得られる9−ヒドロキシ−45−フェナ
ントレンジカルボン酸を無水物とし、これとR1−NH
2(Rtは一般式(2)におけると同義)を脱水縮合さ
せることにより得ることができる。
、常法によって得られる9−ヒドロキシ−45−フェナ
ントレンジカルボン酸を無水物とし、これとR1−NH
2(Rtは一般式(2)におけると同義)を脱水縮合さ
せることにより得ることができる。
合成例(例示顔料(2−1)の合成)
300m文ビーカーに水150m文、儂塩酸20m1
(0,23重ル)と 8.1g(0,032モル)を入れて0℃まで冷却し、
この中に亜硝酸ソーダ4.6g(0,067モル)を水
10mfLに溶かした液を液温を5°C以下に保ちなが
ら、10分間で滴下した。
(0,23重ル)と 8.1g(0,032モル)を入れて0℃まで冷却し、
この中に亜硝酸ソーダ4.6g(0,067モル)を水
10mfLに溶かした液を液温を5°C以下に保ちなが
ら、10分間で滴下した。
15分間攪拌した後、カーボン濾過しテトラツ化液を得
た。この液中にホウフッ化ソーダ10゜5g(0,09
6モル)を水90m文に溶かした液を滴下し、析出した
ホウフッ化塩を濾取し、冷水で洗浄した後、アセトニト
リルで洗浄し室温で減圧乾燥した。
た。この液中にホウフッ化ソーダ10゜5g(0,09
6モル)を水90m文に溶かした液を滴下し、析出した
ホウフッ化塩を濾取し、冷水で洗浄した後、アセトニト
リルで洗浄し室温で減圧乾燥した。
収量12.6g、収率87.5%
次に1文ビーカーにD M F 500 m文を入れ1
5.7g(0,042モル)を加熱溶解し、液温を10
°Cに冷却した後、先に得たホウフン化1i!9.0g
(0,020モル)を溶解し1次いでトリエチルアミン
5.1g(0,050モル)を5分間で滴下した。2時
間撹拌した後析出した顔料を濾取し、DMFで4回、水
で3回洗浄した後凍結乾燥した。収に17.7g、収率
86.8%、融点300°C以F(分解) 元素分析 計1偵(%)実測値(%)C68,1
768,23 H29,5929,51 N 10.97 11.00本発明の電
子写真感光体は、導電性支持体上に一般式(1)および
(2)で示すアゾ顔料(一般式(3)で示すアゾ顔料を
含む、以下同様)を含有する感光層を有する。感光層の
形態は公知のいかなる形態を取っていてもかまわないが
一般式(1)および(2)で示すアン顔ネ4を含有す
る感光層を一株荷発生層とし、これに市6jI輸送物質
を含有する電荷輸送層を積層した機能分離型の感光層が
特に好ましい。
5.7g(0,042モル)を加熱溶解し、液温を10
°Cに冷却した後、先に得たホウフン化1i!9.0g
(0,020モル)を溶解し1次いでトリエチルアミン
5.1g(0,050モル)を5分間で滴下した。2時
間撹拌した後析出した顔料を濾取し、DMFで4回、水
で3回洗浄した後凍結乾燥した。収に17.7g、収率
86.8%、融点300°C以F(分解) 元素分析 計1偵(%)実測値(%)C68,1
768,23 H29,5929,51 N 10.97 11.00本発明の電
子写真感光体は、導電性支持体上に一般式(1)および
(2)で示すアゾ顔料(一般式(3)で示すアゾ顔料を
含む、以下同様)を含有する感光層を有する。感光層の
形態は公知のいかなる形態を取っていてもかまわないが
一般式(1)および(2)で示すアン顔ネ4を含有す
る感光層を一株荷発生層とし、これに市6jI輸送物質
を含有する電荷輸送層を積層した機能分離型の感光層が
特に好ましい。
電荷発生層は、前記のアソ顔ネ4を適当な溶剤中でバイ
ンダー樹脂と共に分散した塗布液を、導電性支持体上に
公知の方法1こよって塗ノiすることによって形成する
ことができ、そのIIり厚は例えば5用m以下、好まし
くはO,!−1gmの薄膜層とすることが望ましい。
ンダー樹脂と共に分散した塗布液を、導電性支持体上に
公知の方法1こよって塗ノiすることによって形成する
ことができ、そのIIり厚は例えば5用m以下、好まし
くはO,!−1gmの薄膜層とすることが望ましい。
この際用いられるパインター樹脂は、広範な絶縁性樹脂
あるいは有機光導電性ポリマーかも選択されるが、ポリ
ビニルブチラール、ポリヒニルヘンザール、ボリアリレ
ート、ポリカーボネートポリエステル、フェノキシ樹脂
、セルロース系樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタンなど
が好ましくその使用量は電荷発生層中の含有率で80重
量%以下、好ましくは40重に%以下である。
あるいは有機光導電性ポリマーかも選択されるが、ポリ
ビニルブチラール、ポリヒニルヘンザール、ボリアリレ
ート、ポリカーボネートポリエステル、フェノキシ樹脂
、セルロース系樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタンなど
が好ましくその使用量は電荷発生層中の含有率で80重
量%以下、好ましくは40重に%以下である。
また使用する溶剤は前記の樹脂を溶解し、後述の電荷輸
送層や下引層を溶解しないものから選択することがQ了
ましい。
送層や下引層を溶解しないものから選択することがQ了
ましい。
具体的には テトラヒトロフラ7.1.4−ンオキサ7
などのエーテル類、シクロヘキサノンメチルエチルケト
ンなどのケトン類、N、N−ジメチルホルノ・アミドな
とのアミド類、酢酸メチル酩酊エチルなどのエステル類
、トルエン、キシレン、クロロヘンゼンなどの芳香族類
、メタツル、エタノール 2−プロパツールなどのアル
コル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレ
ン1四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロ
ゲン化炭化水素類など挙げられる。
などのエーテル類、シクロヘキサノンメチルエチルケト
ンなどのケトン類、N、N−ジメチルホルノ・アミドな
とのアミド類、酢酸メチル酩酊エチルなどのエステル類
、トルエン、キシレン、クロロヘンゼンなどの芳香族類
、メタツル、エタノール 2−プロパツールなどのアル
コル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレ
ン1四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロ
ゲン化炭化水素類など挙げられる。
宅4η輸送層は電荷発生層の上または下に積層され、電
界の存在下電荷発生層から電荷キャリアを受取り、これ
を輸送する機能を有している。
界の存在下電荷発生層から電荷キャリアを受取り、これ
を輸送する機能を有している。
電荷輸送層はt江荷輸送物賀を必要に応じて適当なバイ
ンター樹脂と共に溶剤中に溶解し塗布することによって
形成され、その膜厚は一般的には5〜40gmであるが
15〜30μmが好ましい。
ンター樹脂と共に溶剤中に溶解し塗布することによって
形成され、その膜厚は一般的には5〜40gmであるが
15〜30μmが好ましい。
′取ごIゆ送物質は屯Y−輸送性物質と正孔輸送性物質
かあり、′重子輸送性物質としては、例えば24.7−
トリニトロフルオレノ7.2,4,5゜ン“−テ)ラニ
トロフル才しノノ、クロラニ)ly 7トラシアノキ
ノンメタンなどの電子吸引性物質やこれら電子吸引性物
質を高分子化したものなどが挙げられる。
かあり、′重子輸送性物質としては、例えば24.7−
トリニトロフルオレノ7.2,4,5゜ン“−テ)ラニ
トロフル才しノノ、クロラニ)ly 7トラシアノキ
ノンメタンなどの電子吸引性物質やこれら電子吸引性物
質を高分子化したものなどが挙げられる。
正孔輸送性物質としてはピレン、アントラセンなどの多
環芳香族化合物、カル八ツール系、インドール系、イミ
タンール系、オキサゾール系、 チアソール系、オキサ
シアンール系、ピランール系ピラソリン系、チアシアツ
ール系、トリアンール系化合物などの複素型化合物、p
−シエチルアミンヘンズアルデヒトーN、N−ジフェニ
ルヒドラジノ、NN−ジフェニルヒドラジノ−3−メチ
リデン−9−エチルカルバソールなどのヒトランン系化
合物、 α−フェニル−4°−N N−ジフェニル
アミノスチルヘン、5− [4−(ンーpトリルアミノ
)ヘンンリデン]−511−ジヘンン [a 、 d]
ノクロヘプテンなどのスチリル系化合物、ヘノンン
ン系化合物 トリアリールメタン系化合物、トリフェニ
ルアミノあるいは これらの化合物から成る基を1.鎖
または側鎖に右するポリで−(イ列えばポリ〜N−Bニ
ルカルハンー2ルボリヒニルアノトラセンなど)が挙げ
られる。
環芳香族化合物、カル八ツール系、インドール系、イミ
タンール系、オキサゾール系、 チアソール系、オキサ
シアンール系、ピランール系ピラソリン系、チアシアツ
ール系、トリアンール系化合物などの複素型化合物、p
−シエチルアミンヘンズアルデヒトーN、N−ジフェニ
ルヒドラジノ、NN−ジフェニルヒドラジノ−3−メチ
リデン−9−エチルカルバソールなどのヒトランン系化
合物、 α−フェニル−4°−N N−ジフェニル
アミノスチルヘン、5− [4−(ンーpトリルアミノ
)ヘンンリデン]−511−ジヘンン [a 、 d]
ノクロヘプテンなどのスチリル系化合物、ヘノンン
ン系化合物 トリアリールメタン系化合物、トリフェニ
ルアミノあるいは これらの化合物から成る基を1.鎖
または側鎖に右するポリで−(イ列えばポリ〜N−Bニ
ルカルハンー2ルボリヒニルアノトラセンなど)が挙げ
られる。
これらの有機電荷輸送物質の他にセレン、セレン−Tル
ル アモルファスンリコン、硫化カドミウムなどの無機
材祠も用いることができる。
ル アモルファスンリコン、硫化カドミウムなどの無機
材祠も用いることができる。
また これらの1π荷輸送物質は1種または2挿置[−
組合せて用いることができる。
組合せて用いることができる。
を江タエ輸送物質が成膜性を有していないときには適当
なへインターを用いることができる。囲体的には、アク
リル樹脂、ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレンコ
ポリマー、ポリアクリルアミド、ポリアミI” 、 4
1素化ゴムなどの絶縁性樹脂あるいはポリーN−ヒニル
カルパソール ポリヒニルアントラセンなどの有機光導
電性ポリマなどが挙げられる。
なへインターを用いることができる。囲体的には、アク
リル樹脂、ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレンコ
ポリマー、ポリアクリルアミド、ポリアミI” 、 4
1素化ゴムなどの絶縁性樹脂あるいはポリーN−ヒニル
カルパソール ポリヒニルアントラセンなどの有機光導
電性ポリマなどが挙げられる。
感光層か形成される・す電性支持体としては1例えばア
ルミニウム、アルミニウム合金、fii、iル鉛ステ/
レヌ、ハ+ンウム、モリフテン、クロムチクン ニアケ
ル、イン、/ラム、金や白金なとか用いられる。またご
うした金属あるいは合−侵を真空)人71”法によって
被11分形成したプラスチック(例えばポリエチレン
ポリプロピレン、ポリ塩化ヒニル ポリエチレンテレフ
タレート、アクリル樹脂など)や、導電性粒子(例えば
カーボンブラ、り、tl−’粒子など)を適当な/−イ
ンター樹脂と井にプラスチックまたは金属基板上に被r
N した支持体、ちるいは導電性i′r子をプラスチッ
クや紙に含浸した支持体などを用いることができる。
ルミニウム、アルミニウム合金、fii、iル鉛ステ/
レヌ、ハ+ンウム、モリフテン、クロムチクン ニアケ
ル、イン、/ラム、金や白金なとか用いられる。またご
うした金属あるいは合−侵を真空)人71”法によって
被11分形成したプラスチック(例えばポリエチレン
ポリプロピレン、ポリ塩化ヒニル ポリエチレンテレフ
タレート、アクリル樹脂など)や、導電性粒子(例えば
カーボンブラ、り、tl−’粒子など)を適当な/−イ
ンター樹脂と井にプラスチックまたは金属基板上に被r
N した支持体、ちるいは導電性i′r子をプラスチッ
クや紙に含浸した支持体などを用いることができる。
導コ江性支持体と感光層の中間に、へリヤー機能と接着
機能をもつ下引層を設けることもできる。
機能をもつ下引層を設けることもできる。
ド引層はカゼイン、ボリヒニルアルコール ニトロセル
ロース、ポリアミド(ナイロン6、ナイロン66、ナイ
ロン610.共屯合ナイロン、アルコキシメチル化ナイ
ロンなど)、ポリウレタン酸化アルミニウムなどによっ
て形成できる。
ロース、ポリアミド(ナイロン6、ナイロン66、ナイ
ロン610.共屯合ナイロン、アルコキシメチル化ナイ
ロンなど)、ポリウレタン酸化アルミニウムなどによっ
て形成できる。
下引層のIIA J9は5壓m以下、Ofまし〆は01
〜3痔mが六侶である。
〜3痔mが六侶である。
未発明の別の」J、体例として 1ii述のアン顔料と
市?・;■輸送物質を同一層に含有させた重子写真感光
体をyげることができる。この際、ih 4rj iQ
送物質としてポリ−N−ビニルカルノーゾールとトリニ
トロフルオレノンからなる電荷移動錯体を用いることも
できる。
市?・;■輸送物質を同一層に含有させた重子写真感光
体をyげることができる。この際、ih 4rj iQ
送物質としてポリ−N−ビニルカルノーゾールとトリニ
トロフルオレノンからなる電荷移動錯体を用いることも
できる。
この例の電子写真感光体は、前述のアゾ顔料と電荷移動
錯体を適当な樹脂溶液中に分散させた液を塗布乾爆して
形成することができる。
錯体を適当な樹脂溶液中に分散させた液を塗布乾爆して
形成することができる。
いずれの電子写真感光体においても用いる顔料は一般式
(1)および(2)で示すアゾ顔ネ4から選ばれる少な
くとも1種類の顔料を含有し、その結晶形は非晶質であ
っても結晶質であってもよくまた必要に応じて一般式(
1)および(2)で示すアゾ顔料を2種類以F組み合せ
たり、公知の電荷発生部質と組み合せて使用することも
可能である。
(1)および(2)で示すアゾ顔ネ4から選ばれる少な
くとも1種類の顔料を含有し、その結晶形は非晶質であ
っても結晶質であってもよくまた必要に応じて一般式(
1)および(2)で示すアゾ顔料を2種類以F組み合せ
たり、公知の電荷発生部質と組み合せて使用することも
可能である。
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するの
みならず、レーザーヒームプリンタCRTプリンター、
LEDプリンター 液晶プリンター1 レーザー製版な
どの・E子写真応用分野にも広く用いることができる。
みならず、レーザーヒームプリンタCRTプリンター、
LEDプリンター 液晶プリンター1 レーザー製版な
どの・E子写真応用分野にも広く用いることができる。
[実施例]
実施例1−10
アルミニウム基板上にメトキシメチル化ナイロン(平均
分子量3万2千)5g、アルコール可溶性共重合ナイロ
ン(平均分子量2万9千)10gをメタノール95gに
溶解した液をマイヤーバーで塗布し、乾燥後の膜厚がl
ルmの下引層を設けた。
分子量3万2千)5g、アルコール可溶性共重合ナイロ
ン(平均分子量2万9千)10gをメタノール95gに
溶解した液をマイヤーバーで塗布し、乾燥後の膜厚がl
ルmの下引層を設けた。
次に1例示顔料(2−1)の4gをシクロヘキサノン9
5IIfLにブチラール樹脂(ブチラール化度63モル
%)2gを溶解した液に加え、サンドミルで20時間分
散した。この分散法を先に形成した下引層の上に乾燥後
の膜厚が0 、2 ILmとなるようにマイヤーバーで
塗布し乾仔して電荷発生層を形成した。
5IIfLにブチラール樹脂(ブチラール化度63モル
%)2gを溶解した液に加え、サンドミルで20時間分
散した。この分散法を先に形成した下引層の上に乾燥後
の膜厚が0 、2 ILmとなるようにマイヤーバーで
塗布し乾仔して電荷発生層を形成した。
のヒドラソン化合物5gとポリメチルメタクリレト(数
平均分子量10万)5gをトルエン40m文に溶解し、
これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が20μmとなる
ようにマイヤーバーで塗布し乾爆して電荷輸送層を形成
し、実施例1の電子写真感光体を作成した。
平均分子量10万)5gをトルエン40m文に溶解し、
これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が20μmとなる
ようにマイヤーバーで塗布し乾爆して電荷輸送層を形成
し、実施例1の電子写真感光体を作成した。
例示顔料(2−1)に代えて他の例示顔料を用い、実施
例2〜lOに対応する感光体を全く同様にして作成した
。
例2〜lOに対応する感光体を全く同様にして作成した
。
このようにして作成した電子写真感光体を静電複写紙試
験装m(Model 5P−428、ノロX機株製)
を用い、スタチック方式で一5KVでコロナ帯電し、暗
所で1秒間保持した後、照度10ルンクスで露光し、帯
電特性を調べた。
験装m(Model 5P−428、ノロX機株製)
を用い、スタチック方式で一5KVでコロナ帯電し、暗
所で1秒間保持した後、照度10ルンクスで露光し、帯
電特性を調べた。
り()型持性としては、表面電位(Vo )と1秒間暗
減衰させた時の電位を1/2に減衰するに必要な露光f
fl (E l/2)をJlll定した。結果を示す。
減衰させた時の電位を1/2に減衰するに必要な露光f
fl (E l/2)をJlll定した。結果を示す。
6 (2−12) 700 2.27
(2−14) 690 2.68
(1−1) 690 3.29
(3−1) 700 2.310
(4−1) 700 3.1比較例1および
2 実施例1に用いた顔料を下記構造式で示す顔料に代えて
用いた他は実施例1と全く同様にして比較例1および2
に対応する感光体を作成し、同様に帯電特性を評価した
。結果を示す。
(2−14) 690 2.68
(1−1) 690 3.29
(3−1) 700 2.310
(4−1) 700 3.1比較例1および
2 実施例1に用いた顔料を下記構造式で示す顔料に代えて
用いた他は実施例1と全く同様にして比較例1および2
に対応する感光体を作成し、同様に帯電特性を評価した
。結果を示す。
(比較例1)
V。
40V
E 1 / 2
4.5Ωu:く
(比較例2)
Voニー620V
El/2:5.21ux、see
実施例および上記比較例から1本発明の電子写真感光体
はいずれも十分な帯電能と優れた感度を有していること
が分る。
はいずれも十分な帯電能と優れた感度を有していること
が分る。
実施例11〜15
実施例1.5.6,9、lOで作成した感光体を用い、
縁り返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測定した
。
縁り返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測定した
。
方法としては、−6,5KVのコロナ帯電器、露光光学
系、現像器、転写帯電器、除電露光光学およびクリーナ
ーを備えた電子写真複写機のシリング−に上記感光体を
貼り付けた。この複写機はシリンターの駆動に伴ない、
転写紙上に画像が得られる構成になっている。この複写
機を用いて初期の暗部電位(Vo)と明部電位(VL)
を、それぞれ−700V、−200V付近に設定し5
000回使用した後の暗部電位(Vo )の変動量の変
動量(ΔVD)、明部′電位(VL)の変動量(ΔVL
)を測定した。
系、現像器、転写帯電器、除電露光光学およびクリーナ
ーを備えた電子写真複写機のシリング−に上記感光体を
貼り付けた。この複写機はシリンターの駆動に伴ない、
転写紙上に画像が得られる構成になっている。この複写
機を用いて初期の暗部電位(Vo)と明部電位(VL)
を、それぞれ−700V、−200V付近に設定し5
000回使用した後の暗部電位(Vo )の変動量の変
動量(ΔVD)、明部′電位(VL)の変動量(ΔVL
)を測定した。
結果を示す。
なお、電位の変動量における負記号は、電位の絶対値の
低下を表わし、正記号は電位の絶対値の増加を表わす。
低下を表わし、正記号は電位の絶対値の増加を表わす。
11 1 −5
+ 512 5 −1o
+513 6
−5 +1014 9 −10
+1515 to −1
5+1.0比較例3および4 比較例1および2で用いた感光体について 実施例11
と同様の方法により、宜・り返し使用時の電(I′l変
動を4111定した。結果を示す。
+ 512 5 −1o
+513 6
−5 +1014 9 −10
+1515 to −1
5+1.0比較例3および4 比較例1および2で用いた感光体について 実施例11
と同様の方法により、宜・り返し使用時の電(I′l変
動を4111定した。結果を示す。
(比較例3)
ΔVo(V)ニー110
ΔVL(V):+70
(比較例4)
ΔVo(V)ニー95
ΔVL(V):+80
上記の結果から、本発明の電子写真感光体は縁り返し使
用時の電位変動が少ないことが分る。
用時の電位変動が少ないことが分る。
実施例16
アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアル
ミ面上に膜厚0.5pmのポリビニルアルコールの被膜
を形成した。
ミ面上に膜厚0.5pmのポリビニルアルコールの被膜
を形成した。
次に、実施例1で用いたジスアゾ顔料の分散液を先に形
成したポリビニルアルコール層の上に乾爆後の膜厚が0
.2pmとなるようにマイヤー八で塗布、乾燥して電荷
発生層を形成した。
成したポリビニルアルコール層の上に乾爆後の膜厚が0
.2pmとなるようにマイヤー八で塗布、乾燥して電荷
発生層を形成した。
次いで下記構造式で示すスチリル化合物5gと酸−イン
フタル醇の16刊合体)5gをテトラヒドロフラン40
m文に溶かした液を電荷発生層上に乾仔後の膜厚か20
μmとなるように塗di 、乾僅して電67I輸送層を
形成した。
フタル醇の16刊合体)5gをテトラヒドロフラン40
m文に溶かした液を電荷発生層上に乾仔後の膜厚か20
μmとなるように塗di 、乾僅して電67I輸送層を
形成した。
こうして作成した゛屯f−写真感光体のイ;?主特性お
よび耐久特性を実施例1および実施例11と同様の方法
によりN11定した。結果を示す。
よび耐久特性を実施例1および実施例11と同様の方法
によりN11定した。結果を示す。
VQ ニー700V
E 1/2 : 1.9Qux 、secΔVpニー5
V ムVL:+5V 実施例17 実施例16で作成した感光体の電荷輸送層と電荷発生層
を逆の順で塗布積層した感光体を作成し実施例1と同様
に帯電特性を計(dE した、但し帯′71!極性は十
とした。結果を示す。
V ムVL:+5V 実施例17 実施例16で作成した感光体の電荷輸送層と電荷発生層
を逆の順で塗布積層した感光体を作成し実施例1と同様
に帯電特性を計(dE した、但し帯′71!極性は十
とした。結果を示す。
Vo +700v
El/2 : 2.0flux、sec実h1−例18
実施例1で作成した重荷発生?1(のトに、2.4ボリ
アリレート(ヒスフェノールAとテレフタル7−ドリニ
トロー9−フルオレノン5gとポリ−4,4°−ジオキ
シジフェニル−22−プロパンカーボネート(分子量3
0万)5gをクロロヘンゼン70m文に溶解して作成し
た塗1(i液を乾燥後の膜厚が15μ口となるように塗
布し、乾燥した。
アリレート(ヒスフェノールAとテレフタル7−ドリニ
トロー9−フルオレノン5gとポリ−4,4°−ジオキ
シジフェニル−22−プロパンカーボネート(分子量3
0万)5gをクロロヘンゼン70m文に溶解して作成し
た塗1(i液を乾燥後の膜厚が15μ口となるように塗
布し、乾燥した。
こうして作成した電子写真感光体を実施例1と同様の方
法で帯電特性を測定した。但し、帯電極性は十とした。
法で帯電特性を測定した。但し、帯電極性は十とした。
結果を示す。
vo :+690V
El/2:4.1flux sec
実施例19
24.7−ドリニトロー9−フルオレノン5gとポリー
N−ヒニルカルパソール(数平均分子量30万)5gを
テトラヒドロフラン70mQに溶かして電荷移動路体を
調製した。
N−ヒニルカルパソール(数平均分子量30万)5gを
テトラヒドロフラン70mQに溶かして電荷移動路体を
調製した。
この電荷移動錯体と例示類ネ4(2−9)Igをポリエ
ステル(曲品名へイロン、東I′を紡株製)5gをテト
ラヒドロフラン70mQに活かしだ液した下引層のにに
塗4jシ、乾燥して16μmの層を形成し、感光体を作
成した。
ステル(曲品名へイロン、東I′を紡株製)5gをテト
ラヒドロフラン70mQに活かしだ液した下引層のにに
塗4jシ、乾燥して16μmの層を形成し、感光体を作
成した。
こうして作成した電子写真ぜ光体の帯電特性を実施例1
と同様の方法で測定した。但し、帯電極性は十とした。
と同様の方法で測定した。但し、帯電極性は十とした。
結果を示す。
Vn :+690V
El/2:4.9文ux、sec
[発明の効果]
本発明の電子写真感光体は、特定のアン顔料を感光層に
用いることにより 実用的な高感度と安定した電位特性
を有するという顕著な効果を特徴する
用いることにより 実用的な高感度と安定した電位特性
を有するという顕著な効果を特徴する
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、導電性支持体上に下記一般式(1)で示すアゾ顔料
を含有する感光層を有する電子写真感光体において、一
般式(1)中のC_Pの少なくとも1つが一般式(2)
で示すカプラー残基であることを特徴とする電子写真感
光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) 式中、Arは結合基を介して結合していてもよい置換も
しくは非置換の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基
を示し、C_Pはフェノール性水酸基を有するカプラー
残基を示し、nは1、2、3または4の整数を示す。 ▲数式、化学式、表等があります▼(2) 式中、R_1は置換基を有してもよいアルキル基、アラ
ルキル基、アリール基または複素環基を示す。 2、導電性支持体上に、一般式(1)および(2)で示
すアゾ顔料を含有する電荷発生層並びに電荷輸送層の少
なくとも二層を設けた請求項1記載の電子写真感光体。 3、導電性支持体上に下記一般式(3)で示すアゾ顔料
を含有する感光層を有することを特徴とする電子写真感
光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼ (3) 式中、Arは結合基を介して結合していてもよい置換も
しくは非置換の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基
を示し、R_1は置換基を有してもよいアルキル基、ア
ラルキル基、アリール基または複素環基を示し、nは1
、2、3または4の整数を示す。 4、導電性支持体上に、一般式(3)で示すアゾ顔料を
含有する電荷発生層並びに電荷輸送層の少なくとも二層
を設けた請求項3記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24393088A JPH0293470A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24393088A JPH0293470A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0293470A true JPH0293470A (ja) | 1990-04-04 |
Family
ID=17111140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24393088A Pending JPH0293470A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0293470A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006225969A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Tostem Corp | 日除け装置 |
US7528205B2 (en) * | 2003-09-26 | 2009-05-05 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photo radical generator, photo sensitive resin composition and article |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP24393088A patent/JPH0293470A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7528205B2 (en) * | 2003-09-26 | 2009-05-05 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photo radical generator, photo sensitive resin composition and article |
JP2006225969A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Tostem Corp | 日除け装置 |
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