JPH0290663A - Lead frame - Google Patents
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に使用されるリードフレームに関し
、特に半導体素子が搭載されるアイランド部の構造に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a lead frame used in a semiconductor device, and particularly to the structure of an island portion on which a semiconductor element is mounted.
第４図はリード部分およびアイランド部分を同一材料に
よって一体的に成形した従来のリードフレームを示す。FIG. 4 shows a conventional lead frame in which the lead portion and the island portion are integrally molded from the same material.
半導体素子（ＩＣ１ＴＲ）などが搭載されるアイランド
部２が吊りリード７によって外枠部１に取りつけられて
いる。アイランド部２の周囲には半導体素子の電極とボ
ンディングワイヤによって接続される複数のインナーリ
ード３が放射状に設けられており、各インナーリード３
にはアウターリード４が連設されている。このようなア
イランド部２、インナーリード３、アウターリード４に
よって一組のリードフレームが構成され、このリードフ
レームが外枠部１の長手方向に多数形成される０図中、
８は半導体素子の搭載やワイヤボンディングの際の位置
決め基準となるパイロット孔である。このようなリード
フレームはプレス成形、エツチング処理などの加工特性
や、量産性に優れているが、パワーＩＣなどの高出力半
導体素子用として要求される熱放射性が十分でなく、そ
のような用途には第５図に示すリードフレームが使用さ
れる。An island portion 2 on which a semiconductor element (IC1TR) and the like are mounted is attached to the outer frame portion 1 by a hanging lead 7. A plurality of inner leads 3 are provided radially around the island portion 2 and are connected to electrodes of the semiconductor element by bonding wires.
An outer lead 4 is connected to the outer lead 4. The island portion 2, inner leads 3, and outer leads 4 constitute a set of lead frames, and a large number of lead frames are formed in the longitudinal direction of the outer frame portion 1.
Reference numeral 8 denotes a pilot hole that serves as a positioning reference when mounting a semiconductor element or wire bonding. Although this type of lead frame has excellent processing characteristics such as press molding and etching processing, and is excellent in mass production, it does not have sufficient heat radiation properties required for high-output semiconductor devices such as power ICs, and is not suitable for such applications. The lead frame shown in FIG. 5 is used.
第５図のリードフレームはアイランド部分のフレーム材
ｌＯと、リード部分のフレーム材１１の２部材からなり
、これらのフレーム材１０．１１を組み付けるものであ
る。アイランド部分のフレーム材１０は外枠部１にアイ
ランド部２が連設されると共に、アイランド部２には接
続用リード５が連設されて構成される。一方、リード部
分のフレーム材１１はインナーリード３およびアウター
リード４が外枠部８に連設されると共に、接続用リード
５に対応する接続用リード６が設けられて構成される。The lead frame shown in FIG. 5 consists of two members, a frame material 10 for the island portion and a frame material 11 for the lead portion, and these frame materials 10 and 11 are assembled. The frame material 10 of the island portion is configured such that an island portion 2 is connected to an outer frame portion 1, and a connecting lead 5 is connected to the island portion 2. On the other hand, the frame material 11 of the lead portion is configured such that an inner lead 3 and an outer lead 4 are connected to the outer frame part 8, and a connection lead 6 corresponding to the connection lead 5 is provided.
そして、これらのフレーム材１０．１１は各接続用リー
ド５．６に形成されたパイロット孔５ａ、６ａによって
相対的な位置決めが行われた後、バイ゛ロット孔５ａ、
６ａをアーク溶接などによってスポット溶接すること
で一体化される。このように別個のフレーム材の場合に
は、アイランド部分のフレーム材１０を熱放散性が良好
な材質（例えば厚さ０．５〜１．２ ｔｍｎの銅系金属
）で成形することができ、パワーＩＣなどの半導体素子
への適用が可能となる。一方、リード部分のフレーム材
１１としてはワイヤボンディングのための金メツキや銀
メツキなどメツキ性に優れた材料、短絡防止のための高
強度材料、封止レジンとの密着性が良好な材料など適宜
、選定することにより適用性の大きなリードフレームと
することができる。These frame members 10.11 are positioned relative to each other by pilot holes 5a, 6a formed in each connection lead 5.6, and then pilot holes 5a, 6a are formed in each connection lead 5.6.
They are integrated by spot welding 6a by arc welding or the like. In the case of separate frame materials like this, the frame material 10 of the island portion can be formed of a material with good heat dissipation properties (for example, copper-based metal with a thickness of 0.5 to 1.2 tmn), Application to semiconductor devices such as power ICs becomes possible. On the other hand, the frame material 11 of the lead part may be made of materials with excellent plating properties such as gold plating or silver plating for wire bonding, high strength materials to prevent short circuits, and materials with good adhesion to the sealing resin. By selecting , a lead frame with great applicability can be obtained.
しかし、第５図に示すリードフレームでは、アイランド
部が熱放散性に優れた銅あるいは銅合金が使用されてい
るため、その熱膨張係数が大きく、環境温度の変動のス
トレスによって半導体素子との素子離れを起こし易く、
また、板厚によって重量が大きくなるため半導体装置の
重量増大の原因となっている。また、銅系金属は耐熱性
および強度が小さいため、スポット溶接などの熱で容易
に軟化して変形する。このため、信輔性の向上に限界を
生じている。However, in the lead frame shown in Figure 5, the island part is made of copper or copper alloy, which has excellent heat dissipation properties, so its coefficient of thermal expansion is large, and the stress caused by fluctuations in environmental temperature can cause the elements to bond with the semiconductor element. Easy to separate,
Furthermore, the weight increases depending on the plate thickness, which causes an increase in the weight of the semiconductor device. Further, since copper-based metals have low heat resistance and strength, they are easily softened and deformed by heat such as spot welding. For this reason, there is a limit to the improvement of reliability.
そこで本発明は、前述した欠点を改良して信鎖性の高い
リードフレームを提供することを目的とする。Therefore, an object of the present invention is to improve the above-mentioned drawbacks and provide a lead frame with high reliability.
本発明は、半導体素子が搭載されるアイランド部全体を
銅／インバー／銅の３Ｎクラッド材により成形したもの
である。また、本発明はアイランド部上に銅／インバー
／銅からなる３層のクラッド材を積層したものである。In the present invention, the entire island portion on which a semiconductor element is mounted is molded from a 3N cladding material of copper/invar/copper. Further, in the present invention, three layers of cladding material consisting of copper/invar/copper are laminated on the island portion.
半導体素子を搭載するアイランド部は封止レジンによっ
て封止されるところから、その熱膨張係数を半導体素子
および封止レジンの熱膨張係数との関係で最適な値とす
る必要がある。ｗ４／インバー／銅からなる３Ｎのクラ
ッド材は、銅とインバーの体積比を変化させることによ
り、その熱膨張係数を４Ｘ１０−’〜１４Ｘ１０−’／
”Ｃの広い範囲で調整することができる。例えば、銅／
インバー／銅の体積比を１：１：１とした場合、熱膨張
係数は約１０Ｘ１０−’／”Ｃとなる。因みに銅合金の
それは１７×１０− ｈ〜２０Ｘ１０−”／”Ｃであり
、３層クラッド材はこの約２分の１に調整することがで
きる。Since the island portion on which the semiconductor element is mounted is sealed with a sealing resin, its coefficient of thermal expansion needs to be set to an optimal value in relation to the coefficients of thermal expansion of the semiconductor element and the sealing resin. A 3N clad material consisting of w4/invar/copper has a thermal expansion coefficient of 4X10-' to 14X10-'/ by changing the volume ratio of copper and invar.
"C can be adjusted over a wide range. For example, copper/
When the volume ratio of Invar/copper is 1:1:1, the thermal expansion coefficient is approximately 10X10-'/''C.Incidentally, that of a copper alloy is 17x10-h~20X10-''/''C, The three-layer cladding material can be adjusted to approximately one half of this.
一方、半導体素子がシリコン系の場合には、熱膨張係数
は３．５ Ｘ １０−’ 〜４． ＯＸ １０−’／”
Ｃであり、封止レジンがエポキシ樹脂の場合には２０Ｘ
１０−’／’Ｃである。従って、３Ｎクラッド材の熱膨
張係数は半導体素子および封止レジンの熱膨張係数の中
間値となっており、これらとの熱膨張係数との整合性が
図られる。従って、熱膨張に起因する応力が半導体素子
、封止レジン、クラッド材の相互間で小さいものとなる
。また、インバー両面に設けられる銅は熱伝導性が良好
であり、その熱放散力も大きく、パワーＩＣ搭載に最適
なものとなる。On the other hand, when the semiconductor element is silicon-based, the coefficient of thermal expansion is 3.5 x 10-' to 4. OX 10-'/”
C, and 20X if the sealing resin is epoxy resin.
10-'/'C. Therefore, the thermal expansion coefficient of the 3N cladding material is an intermediate value between the thermal expansion coefficients of the semiconductor element and the sealing resin, and consistency between the thermal expansion coefficients of the semiconductor element and the sealing resin is achieved. Therefore, stress caused by thermal expansion is reduced between the semiconductor element, the sealing resin, and the cladding material. Further, the copper provided on both sides of the invar has good thermal conductivity and its heat dissipation ability is large, making it ideal for mounting power ICs.
かかるクラッド材を、アイランド部全体に使用しても良
く、あるいは、その主要部に使用しても良い。前者の場
合は、アイランド部のフレーム材をクラッド材で所定形
状に成形し、別途、成形されたリード部分のフレーム材
と組み付けることによって作製することができる。また
、後者の場合は、一体成形のリードフレームを作成し、
クラッド材をアイランド部上に積層しても良い。この場
合は金属ペーストなどによってクラッド材をアイランド
部上面に接着することで作製することができる。Such a cladding material may be used for the entire island portion or for the main portion thereof. In the former case, it can be produced by molding the frame material of the island portion into a predetermined shape using a cladding material and assembling it with the separately molded frame material of the lead portion. In the latter case, create an integrally molded lead frame,
A cladding material may be laminated on the island portion. In this case, it can be manufactured by bonding the cladding material to the upper surface of the island portion using metal paste or the like.
第１図および第２図は本発明の一実施例を示し、第１図
はアイランド部分のフレーム材２０であり、第２図はリ
ード部分のフレーム材３０である。これらフレーム材２
０．３０は別個に成形され、その後に組み付けられて一
体化される。アイランド部分のフレーム材２０は銅／イ
ンバー／Ｉｉｌの３層のクラッド材をプレス打ち抜きす
ることによって成形される。このフレーム材２０は外枠
部２１に連設された吊りリード２３によってアイランド
部２２が両側から支持された形状に成形されており、ア
イランド部２２の対応する外枠部２１には位置決め基準
となるパイロット孔２４が形成されている。リード部分
のフレーム材３０（第２図）は複数のインナーリード３
１とアウターリード３２が連設状態で外枠３３に連設さ
れている。このフレーム材３０は通常のリードフレーム
と同様な材料（例えば、無酸素銅（Ｏｘｇｅｎ Ｆｒｅ
ｅ Ｃｏｐｐｅｒ））などによって一体的に成形される
。ここでインナーリード３１はアイランド部２２となる
位置の周囲に放射状に位置するように形成され、また、
アイランド部２２の組み付は予定部位に対応した外枠部
３３にはパイロット孔３４が形成されている。1 and 2 show an embodiment of the present invention, in which FIG. 1 shows a frame material 20 of an island portion, and FIG. 2 shows a frame material 30 of a lead portion. These frame materials 2
0.30 is molded separately and then assembled into one piece. The frame material 20 of the island portion is formed by press punching a three-layer cladding material of copper/invar/Iil. This frame material 20 is formed into a shape in which an island part 22 is supported from both sides by hanging leads 23 connected to an outer frame part 21, and the corresponding outer frame part 21 of the island part 22 serves as a positioning reference. A pilot hole 24 is formed. The frame material 30 (Fig. 2) of the lead part has a plurality of inner leads 3.
1 and an outer lead 32 are connected to an outer frame 33 in a continuous state. This frame material 30 is made of the same material as a normal lead frame (for example, oxygen-free copper).
It is integrally molded using e.g. Copper). Here, the inner leads 31 are formed to be located radially around the position that will become the island portion 22, and
A pilot hole 34 is formed in the outer frame portion 33 corresponding to a planned site for assembling the island portion 22.
このようなフレーム材２０および３０の組み付けは、パ
イロット孔２４および３４によって位置合わせを行いフ
レーム材３０上にフレーム材２０を当接し、アーク溶接
などによりパイロット孔２４および３４をスポット溶接
することで行うことができる。かかる組み付けは自動送
り機構を有する溶接機において、フレーム材を等ピッチ
で送り込んで連続溶接することで行われる。組み付は後
においては、アイランド部２２全体が銅／インバー／＃
Ｒの３層クラッド材によって構成されるため半導体素子
、封止レジンとの熱膨張係数の整合が図られ、また熱放
散性が向上したリードフレームとなる。Such assembly of the frame materials 20 and 30 is performed by aligning the pilot holes 24 and 34, abutting the frame material 20 on the frame material 30, and spot welding the pilot holes 24 and 34 by arc welding or the like. be able to. Such assembly is performed by continuously welding the frame materials by feeding them at equal pitches using a welding machine having an automatic feed mechanism. After assembly, the entire island part 22 will be made of copper/invar/#
Since it is composed of a three-layer R cladding material, the thermal expansion coefficients are matched with the semiconductor element and the sealing resin, and the lead frame has improved heat dissipation.
第３図は本発明の別の実施例を示している。FIG. 3 shows another embodiment of the invention.
この実施例は銅／インバー／＃Ｒのクラッド材４０がア
イランド部４１と別体となっており、リードフレーム成
形後にアイランド部４１上に積層されるものである。リ
ードフレームは吊りリード４２によってアイランド部４
１が両側から外枠部４３に支持されると共に、アイラン
ド部４１の周囲にはアウターリード４５が連設されたイ
ンナーリード４４が複数配設されて構成される。このリ
ードフレームは無酸素銅などのプレス加工によって一体
的に成形されるが、アイランド部４１は他の部分よりも
幾分、肉薄に成形されている。クラッド材４０は銅／イ
ンバー／銅の３層構造をなして、このアイランド部４１
に積層される。積層は金ペースト、銀ペーストなどの金
属ペーストを介して接着することにより行うことができ
る。このような構造では、高価なりラッド材４０を節約
することができるメリットがある。In this embodiment, a copper/invar/#R cladding material 40 is separate from the island part 41, and is laminated on the island part 41 after lead frame molding. The lead frame is attached to the island section 4 by means of hanging leads 42.
1 is supported by an outer frame portion 43 from both sides, and a plurality of inner leads 44 to which outer leads 45 are connected are arranged around the island portion 41. This lead frame is integrally formed by press working of oxygen-free copper or the like, but the island portion 41 is formed somewhat thinner than other portions. The cladding material 40 has a three-layer structure of copper/invar/copper, and this island portion 41
Laminated on. Lamination can be performed by adhering via a metal paste such as gold paste or silver paste. Such a structure has the advantage that the expensive rad material 40 can be saved.
次に、具体的実施例および比較例に基づいて本発明を説
明する。Next, the present invention will be explained based on specific examples and comparative examples.
実施例 ｌ
５ｎ０．１２％含有の無酸素銅によって厚さ０．２５ｍ
ｍのリード用フレーム材３０を第２図のようにプレス成
形した。一方、ｗ４／インバー／銅の体積比がにｌ：１
のクラッド材を用いて、厚さ０．２５ｍｍのアイランド
用フレーム材２０を第１図のようにプレス成形した。そ
して、これらのフレーム材をパイロット孔２４．３４を
基準にして位置決めし、スポット溶接で一体化してリー
ドフレームを作製した。その後、アイランド部２２上に
半導体素子をマウントし、素子の電極とインナーリード
３１とをワイヤボンディングした後、封止レジンで封止
して半導体装置を作製した。Example l A thickness of 0.25 m made of oxygen-free copper containing 5n0.12%
A lead frame material 30 of 1.5 m was press-molded as shown in FIG. On the other hand, the volume ratio of w4/invar/copper is l:1
Using the cladding material, an island frame material 20 having a thickness of 0.25 mm was press-molded as shown in FIG. Then, these frame materials were positioned with reference to the pilot holes 24 and 34, and were integrated by spot welding to produce a lead frame. Thereafter, the semiconductor element was mounted on the island portion 22, and the electrodes of the element and the inner leads 31 were wire-bonded, and then sealed with a sealing resin to produce a semiconductor device.
実施例２
ＳｎＯ，１２％含有の無酸素銅を用いて、第３図に示す
リードフレームを厚さ０．１６ｍｍで成形した。この場
合、アイランド部４１のみ、厚さを０．１５ｍｍとした
。一方、銅／インバー／銅の体積比が１：１：１のクラ
ッド材４ｏを厚さ０．１５ｍｍ。Example 2 A lead frame shown in FIG. 3 was molded to a thickness of 0.16 mm using oxygen-free copper containing 12% SnO. In this case, only the island portion 41 had a thickness of 0.15 mm. On the other hand, a cladding material 4o with a copper/invar/copper volume ratio of 1:1:1 was made to have a thickness of 0.15 mm.
縦、横寸法を９＋＋ｍ、３ａａ＊にして成形した。これ
をチップマウンタを使用し銀ペーストによってアイラン
ド部４１上に接着した。その後、実施例１と同様な手順
で半導体装置を作製した。It was molded with vertical and horizontal dimensions of 9++m and 3aa*. This was adhered onto the island portion 41 with silver paste using a chip mounter. Thereafter, a semiconductor device was manufactured in the same manner as in Example 1.
比較例 ｌ
実施例１に等しいリードフレームを厚さ０．２５ｍｍの
インバーによって成形した後、半導体装置を作製した。Comparative Example 1 A lead frame similar to that of Example 1 was molded with Invar to a thickness of 0.25 mm, and then a semiconductor device was manufactured.
のこインバーの熱膨張係数は２． ＯＸｌ０−’／’Ｃ
であった。The coefficient of thermal expansion of Saw Invar is 2. OXl0-'/'C
Met.
比較例２
銅／インバー（体積比１：１）の積層材を使用して、実
施例１に等しいリードフレーム（厚さ０．２５ｍｍ）を
成形した後、銅面に半導体素子を搭載した半導体装置を
作製した。この積層材の熱膨張係数は８ＸＩＯ−’／’
Ｃであった。Comparative Example 2 A semiconductor device in which a lead frame (thickness 0.25 mm) equivalent to that in Example 1 was formed using a laminate material of copper/Invar (volume ratio 1:1) and a semiconductor element was mounted on the copper surface. was created. The coefficient of thermal expansion of this laminate is 8XIO-'/'
It was C.
比較例３
第３図に示すリードフレームをＳｎ０．１２％含有無酸
素銅で成形し、そのアイランド部４１上に厚さ０．１５
ｍｍのインバー板を搭載して半導体装置を作製した。Comparative Example 3 The lead frame shown in FIG.
A semiconductor device was manufactured by mounting an Invar plate of mm.
比較例４
比較例３のインバー板に替えて、体積比１：ｌの銅／イ
ンバー積層板をアイランド部４１にマウントし、その銅
面に半導体素子をマウントして半導体装置を作製した。Comparative Example 4 Instead of the Invar board of Comparative Example 3, a copper/Invar laminate with a volume ratio of 1:1 was mounted on the island portion 41, and a semiconductor element was mounted on the copper surface to produce a semiconductor device.
比較５
第３図に示すリードフレームのアイランド部４１上に半
導体素子を直接、マウントして半導体装置を作製した。Comparison 5 A semiconductor device was manufactured by directly mounting a semiconductor element on the island portion 41 of the lead frame shown in FIG.
以上の実施測高および比較別品を温度サイクル試験およ
びＰＣＴ試験に供した。温度サイクル試験は供試品を１
５０℃の高温下に６０分、−５０℃の低温下に６０分お
よび２５°Ｃの常温下に６０分放置することを１サイク
ルとし、パンケージにクラックが発生したサイクル数を
表わす。ＰＣＴ試験は１２１″Ｃｌ２ａ ｔ＋ｓの水蒸
気山中に放置し、透過水分によって電気短絡が生じるま
での限界時間を表わす。結果を第１表に示す。The above-described height measurements and comparative samples were subjected to a temperature cycle test and a PCT test. Temperature cycle test
One cycle is defined as 60 minutes at a high temperature of 50°C, 60 minutes at a low temperature of -50°C, and 60 minutes at room temperature of 25°C, and the number of cycles at which cracks occur in the pan cage is expressed. The PCT test indicates the time limit until an electrical short circuit occurs due to the permeated moisture when the sample is left in a steam pile of 121''Cl2a t+s.The results are shown in Table 1.
第１表
第１表において、ＰＣＴ試験では実施例、比較例とも差
が見られないが、これはリードフレーム基材としてＳｎ
含有無酸素銅を使用したためと思われる。温度サイクル
試験では比較例のサイクル数が低下し、特にインバー単
体の場合（比較例１および３）の低下が著しい。これは
インバーの熱膨張係数が封止レジンのそれと大きく異な
っているため、クランクを生じ易いものと思われる。Table 1 In Table 1, there is no difference between the Examples and Comparative Examples in the PCT test;
This is probably due to the use of oxygen-free copper. In the temperature cycle test, the number of cycles in Comparative Examples decreased, and the decrease was particularly remarkable in the case of Invar alone (Comparative Examples 1 and 3). This is thought to be because the coefficient of thermal expansion of Invar is significantly different from that of the sealing resin, which tends to cause cranking.
以上説明したように本発明は、銅／インバー／銅からな
る３層のクラッド材によってアイランド部を構成し、そ
こに半導体素子をマウントしたため、その熱膨張係数を
半導体素子および封止レジンと整合させることができ、
熱膨張率の差に起因する応力が小さくなるため素子層れ
やクランクを生じることがない。As explained above, in the present invention, the island portion is constructed with a three-layer cladding material consisting of copper/invar/copper, and the semiconductor element is mounted thereon, so that the coefficient of thermal expansion of the island portion is matched with that of the semiconductor element and the sealing resin. It is possible,
Since the stress caused by the difference in thermal expansion coefficients is reduced, element layer cracking and cranking do not occur.
また、熱放散性も良好であり、信頼性の高い半導体装置
とすることができる。Furthermore, the heat dissipation property is also good, and a highly reliable semiconductor device can be obtained.
第１図は３Ｎクラッド材により成形されたアイランド部
分のフレーム材を示す平面図、第２図はそのフレーム材
が組み付けらるリード部分のフレーム材を示す平面図、
第３図は３層クラッド材がアイランド部に積層されたリ
ードフレームを示す平面図、第４図は一体成形の従来の
リードフレームを示す平面図、第５図は組み付は一体化
される従来のリードフレームを示す平面図。
符号の説明
１−・−・−外枠部
２−−−−−・−アイランド部
３−−−−−−−インナーリード
４ ・・・−・・アウターリード
５．６・−・・−接続用リード
７−・−−−一 吊りリード
８−・−−−−−パイロット孔
１０−・−アイランド部分のフレーム材１１−−−−−
一・ リード部分のフレーム材２０−−−−−−−アイ
ランド部分のフレーム材２１−−−−−−・外枠部
２２−・・・アイランド部
２３−・−・吊りリード
２４−・−・−・・パイロット孔
３０−・−・−リード部分のフレーム材３１−・・−・
−・インナーリード
３２・−・−・・−アウターリード
３３−・・−外枠部
３４−・−・・・・・パイロット孔
４０ ・−・
４１ ・−・＝
４２−・・−・・・
４３−・・・−
４４・−一一一
４５−・−−一一一
３層クランド材
アイランド部
吊りリード
外枠部
インナーリード
アウタリードFig. 1 is a plan view showing the frame material of the island part formed of 3N clad material, Fig. 2 is a plan view showing the frame material of the lead part to which the frame material is assembled,
Fig. 3 is a plan view showing a lead frame in which three-layer cladding material is laminated on the island part, Fig. 4 is a plan view showing a conventional lead frame that is integrally molded, and Fig. 5 is a plan view showing a conventional lead frame that is assembled in one piece. FIG. Explanation of symbols 1 - Outer frame 2 - Island part 3 Inner lead 4 Outer lead 5.6 Connection Lead 7-----1 Suspension lead 8--Pilot hole 10--Island part frame material 11--
1. Frame material 20 for the lead part----Frame material 21 for the island part-----Outer frame part 22--Island part 23--Hanging lead 24-- ---Pilot hole 30---Lead part frame material 31--
- Inner lead 32 - Outer lead 33 - Outer frame 34 Pilot hole 40 41 = 42 43-...- 44--111 45---111 3-layer crund material Island part hanging lead Outer frame part Inner lead Outer lead
Claims (2)
バー／銅からなる３層のクラッド材によって成形されて
いることを特徴とするリードフレーム。(1) A lead frame characterized in that an island portion on which a semiconductor element is mounted is formed of a three-layer cladding material consisting of copper/invar/copper.
インバー／銅からなる３層のクラッド材が取り付けられ
ていることを特徴とするリードフレーム。(2) Copper/
A lead frame characterized by having a three-layer cladding material made of invar/copper attached.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24294288A JPH0290663A (en) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | Lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24294288A JPH0290663A (en) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | Lead frame |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290663A true JPH0290663A (en) | 1990-03-30 |
Family
ID=17096514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24294288A Pending JPH0290663A (en) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | Lead frame |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0290663A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0503072A1 (en) * | 1990-09-10 | 1992-09-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and its manufacturing process |
| JP2006049694A (en) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Freescale Semiconductor Inc | Dual gauge lead frame |
| JP2013058573A (en) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Nichia Chem Ind Ltd | Light-emitting device |
| JPWO2013069767A1 (en) * | 2011-11-11 | 2015-04-02 | 株式会社Ｎｅｏｍａｘマテリアル | Light emitting element substrate, light emitting module, and method of manufacturing light emitting module |
-
1988
- 1988-09-28 JP JP24294288A patent/JPH0290663A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0503072A1 (en) * | 1990-09-10 | 1992-09-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and its manufacturing process |
| US5440170A (en) * | 1990-09-10 | 1995-08-08 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a die pad with rounded edges and its manufacturing method |
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