JP4311294B2 - Electronic device and manufacturing method thereof - Google Patents

Electronic device and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP4311294B2
JP4311294B2 JP2004211592A JP2004211592A JP4311294B2 JP 4311294 B2 JP4311294 B2 JP 4311294B2 JP 2004211592 A JP2004211592 A JP 2004211592A JP 2004211592 A JP2004211592 A JP 2004211592A JP 4311294 B2 JP4311294 B2 JP 4311294B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
island
electronic device
lead frame
lead
mold resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004211592A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2006032772A (en
Inventor
本田　　匡宏
長坂　　崇
真治 太田
昭喜 浅井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2004211592A priority Critical patent/JP4311294B2/en
Publication of JP2006032772A publication Critical patent/JP2006032772A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4311294B2 publication Critical patent/JP4311294B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

本発明は、リードフレームを用いたＱＦＮパッケージ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有する電子装置およびそのような電子装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an electronic device having a QFN package (Quad Flat Non-Leaded Package) structure using a lead frame and a method of manufacturing such an electronic device.

近年、電子機器の小型化・高密度化のニーズに伴い、ＩＣパッケージの小型化が進んでいる。   In recent years, along with the needs for downsizing and high density of electronic devices, downsizing of IC packages has been progressing.

そこでリードフレームを用いたＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有する電子装置が提案されている。   Thus, an electronic device having a QFN (Quad Flat Non-Leaded Package) structure using a lead frame has been proposed.

この電子装置におけるリードフレームの形状を図１２および図１３に示す。図１２は、当該リードフレーム２０の概略平面図、図１３は、同リードフレーム２０の概略断面図である。   The shape of the lead frame in this electronic device is shown in FIGS. FIG. 12 is a schematic plan view of the lead frame 20, and FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of the lead frame 20.

このリードフレーム２０は、アイランド２５が吊りリード２６によりリードフレーム２０に連結支持され、このアイランド２５の周囲にリード端子２１が設けられている。それにより、当該リードフレーム２０は、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）などガルウイング形状のパッケージのアウターリード部を無くし、リードフレーム２０の下面をモールド樹脂から露出させるハーフモールドをした構造となっている。   In this lead frame 20, an island 25 is connected and supported to the lead frame 20 by a suspension lead 26, and a lead terminal 21 is provided around the island 25. As a result, the lead frame 20 has a structure in which the outer lead portion of the gull-wing package such as SOP (Small Outline Package), QFP (Quad Flat Package) is eliminated, and the lower surface of the lead frame 20 is exposed from the mold resin. It has become.

このリードフレーム２０は、図１２、図１３に示されるように、リードフレーム２０をプレス、エッチング加工などによりリード端子２１や吊りリード２６、さらにそこに固定されたアイランド２５を作製したものである。   As shown in FIGS. 12 and 13, the lead frame 20 is obtained by producing lead terminals 21 and suspension leads 26 and islands 25 fixed thereto by pressing, etching, or the like.

その後、アイランド２５に回路が内蔵されたＩＣチップなどの部品を導電性接着剤（例えばＡｇペースト）やはんだなどにより固定し、ワイヤボンディング（例えばＡｕ、Ａｌ）により部品とリード端子２１とを電気的に接続し、樹脂モールド、リードカットによりＱＦＮ構造を有する電子装置は作製される。   Thereafter, a component such as an IC chip in which a circuit is built in the island 25 is fixed with a conductive adhesive (for example, Ag paste) or solder, and the component and the lead terminal 21 are electrically connected by wire bonding (for example, Au or Al). An electronic device having a QFN structure is manufactured by resin molding and lead cutting.

しかしながら、このようなリードフレーム２０を用いたＱＦＮ構造を有する電子装置の場合、アイランド２５を固定する吊りリード２６があるため、その部分にリード端子２１を配置することが出来ずリード端子２１の数や配置形態が制限されるという問題が生じる。   However, in the case of an electronic device having a QFN structure using such a lead frame 20, since there are suspension leads 26 for fixing the islands 25, the lead terminals 21 cannot be arranged in those portions, and the number of the lead terminals 21 is reduced. There arises a problem that the arrangement form is limited.

また、アイランド２５は吊りリード２６によりリードフレーム２０と固定されているためリードフレーム２０全体としては同じ材料に限定され、更に特殊な加工を施さない限り、リードフレーム２０全体の厚みは均一でなければならない。   Further, since the island 25 is fixed to the lead frame 20 by the suspension leads 26, the entire lead frame 20 is limited to the same material, and the thickness of the entire lead frame 20 is not uniform unless special processing is performed. Don't be.

そのためＱＦＮ構造を有する電子装置においてはアイランド２５として、ＡｌやＣｕを用いたリードフレーム２０よりも厚いヒートシンクとして機能するパッケージは現状、実現できていない。   Therefore, in an electronic device having a QFN structure, a package that functions as a heat sink thicker than the lead frame 20 using Al or Cu as the island 25 has not been realized at present.

本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、リードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置において、アイランド周囲の吊りリードを排除するとともに、アイランドとリード端子とで材質や厚さを異ならせることができるようにすることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and in an electronic device having a QFN structure using a lead frame, the suspension leads around the island are eliminated and the material and thickness are made different between the island and the lead terminal. The purpose is to be able to.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、リードフレーム（２０）を用いた電子装置の製造方法であって、リードフレーム（２０）として開口部（２２）およびこの開口部（２２）の周辺部にリード端子（２１）が形成された板状のものを用意し、開口部（２２）にリードフレーム（２０）とは別体の別部材（１０）を配置し、リードフレーム（２０）の一面側に取り外し可能なテープ部材（２００）を貼り付けることにより、リードフレーム（２０）と別部材（１０）とをテープ部材（２００）により一体に固定し、リードフレーム（２０）および別部材（１０）をモールド樹脂（５０）により封止した後、テープ部材（２００）をはがすようにし、テープ部材（２００）を剥がす工程では、別部材（１０）におけるテープ部材（２００）の貼り付け面の一部に、テープ部材（２００）を残すようにすることを特徴としている。 In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electronic device using a lead frame (20), wherein the lead frame (20) includes an opening (22) and the opening (22 ), A plate-like member having lead terminals (21) formed on the periphery thereof, a separate member (10) separate from the lead frame (20) is disposed in the opening (22), and the lead frame ( 20) By attaching a removable tape member (200) to one surface side, the lead frame (20) and the separate member (10) are fixed together by the tape member (200), and the lead frame (20) and after sealing by a separate member (10) of the mold resin (50), so as to peel the tape member (200), in the step of peeling off the tape member (200), the tape portion in another member (10) Some of the attachment surface of the (200), is characterized in that to leave the tape member (200).

それによれば、リードフレーム（２０）の開口部（２２）に別部材（１０）を配置し、これらをテープ部材（２００）で一体に固定した後、モールド樹脂（５０）による封止を行うことで、リードフレーム（２０）および別部材（１０）はモールド樹脂（５０）により封止され固定される。   According to this, after disposing another member (10) in the opening (22) of the lead frame (20) and fixing them together with the tape member (200), sealing with the mold resin (50) is performed. Thus, the lead frame (20) and the separate member (10) are sealed and fixed by the mold resin (50).

ここで、別部材（１０）は、アイランドとして機能させることができ、この別部材（１０）上にたとえば半導体素子などの部品（３０）を搭載することができる。そして、この別部材（１０）に搭載した部品（３０）とリード端子（２１）とをボンディングワイヤ（４０）などにより電気的に接続する。   Here, the separate member (10) can function as an island, and a component (30) such as a semiconductor element can be mounted on the separate member (10). Then, the component (30) mounted on the separate member (10) and the lead terminal (21) are electrically connected by a bonding wire (40) or the like.

その後は、テープ部材（２００）をはがすことにより、リードフレーム（２０）のリード端子（２１）および別部材（１０）におけるこのテープ部材（２００）がはがされた面は、モールド樹脂（５０）から露出する。   After that, by peeling off the tape member (200), the lead terminal (21) of the lead frame (20) and the surface of the separate member (10) where the tape member (200) is peeled off are molded resin (50). Exposed from.

つまり、本発明の製造方法によれば、別部材（１０）とリード端子（２１）とが同一側の面にてモールド樹脂（５０）から露出するＱＦＮ構造を有する電子装置を製造することができる。   That is, according to the manufacturing method of the present invention, an electronic device having a QFN structure in which the separate member (10) and the lead terminal (21) are exposed from the mold resin (50) on the same surface can be manufactured. .

ここで、テープ部材（２００）をはがすことで、アイランド（１０）およびリード端子（２１）のうちテープ部材（２００）をはがした部分が、モールド樹脂（５０）から露出するため、従来のようなこの露出面に対する樹脂バリの問題も防止することができる。さらに、本製造方法によれば、別部材（１０）の面に残ったテープ部材（２００）の厚さの分、リード端子（２１）におけるはんだ付けの高さを確保することができるという利点もある。 Here, by peeling off the tape member (200), the portion of the island (10) and the lead terminal (21) where the tape member (200) is peeled is exposed from the mold resin (50). Moreover, the problem of the resin burr | flash with respect to this exposed surface can also be prevented. Furthermore, according to this manufacturing method, there is an advantage that the height of soldering in the lead terminal (21) can be ensured by the thickness of the tape member (200) remaining on the surface of the separate member (10). is there.

そして、本製造方法では、アイランドとして機能する別部材（１０）は、リードフレーム（２０）とは別体の部材であるが、テープ部材（２００）によってリードフレーム（２０）と一体に固定されて、部品搭載や樹脂封止などの工程に供することができる。   In this manufacturing method, the separate member (10) functioning as an island is a separate member from the lead frame (20), but is fixed integrally with the lead frame (20) by the tape member (200). It can be used for processes such as component mounting and resin sealing.

つまり、本製造方法によれば、アイランドである別部材（１０）の周囲には、従来のようなアイランドをリードフレームに固定するための吊りリードが不要となり、その分、リード端子（２１）の数や配置形態の自由度が広がる。   In other words, according to this manufacturing method, there is no need for a conventional suspension lead for fixing the island to the lead frame around the separate member (10), which is an island. The degree of freedom of number and arrangement form is expanded.

また、アイランドとして機能する別部材（１０）は、リードフレーム（２０）とは別体の部材であるため、その材質や厚さなどをリードフレーム（２０）とは異なったものにすることができる（請求項２、請求項３に記載の発明）。 Further, since the separate member (10) functioning as an island is a separate member from the lead frame (20), the material and thickness thereof can be different from those of the lead frame (20). (Invention of Claim 2 and Claim 3 ).

そのため、たとえば、本製造方法により形成された電子装置においては、別部材（１０）としてのアイランドをリードフレーム（２０）よりも厚く且つ放熱性に優れたものとし、ヒートシンクとして機能させることができる。   Therefore, for example, in the electronic device formed by this manufacturing method, the island as the separate member (10) is thicker than the lead frame (20) and has excellent heat dissipation, and can function as a heat sink.

このように、本発明によれば、リードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置において、アイランド周囲の吊りリードを排除するとともに、アイランドとリード端子とで材質や厚さを異ならせることができる。   Thus, according to the present invention, in an electronic device having a QFN structure using a lead frame, the suspended leads around the island can be eliminated, and the material and thickness can be made different between the island and the lead terminal.

また、本発明によれば、別部材をＩＣチップなどの半導体素子（３０）そのものとしてもよく（請求項４に記載の発明）、この場合には、アイランド自体を排除することができる。ここで、請求項５に記載の発明では、請求項１〜請求項４に記載の電子装置の製造方法において、リード端子（２１）は、開口部（２２）の開口縁部と連結して形成されていることを特徴としている。 Further, according to the present invention, the separate member may be the semiconductor element (30) itself such as an IC chip (the invention according to claim 4 ), and in this case, the island itself can be eliminated. Here, in the invention according to claim 5 , in the method for manufacturing an electronic device according to claims 1 to 4 , the lead terminal (21) is connected to the opening edge of the opening (22). It is characterized by being.

また、請求項６に記載の発明では、請求項１〜請求項４に記載の電子装置の製造方法において、リード端子（２１）は、開口部（２２）の開口縁部とは離れて形成されていることを特徴としている。 According to a sixth aspect of the present invention, in the electronic device manufacturing method according to the first to fourth aspects, the lead terminal (21) is formed away from the opening edge of the opening (22). It is characterized by having.

請求項７に記載の発明では、部品（３０）が搭載されるアイランド（１０）と、アイランド（１０）の周囲に位置するリード端子（２１）と、アイランド（１０）およびリード端子（２１）を封止するモールド樹脂（５０）とを備え、アイランド（１０）およびリード端子（２１）が同一側の面にてモールド樹脂（５０）から露出している電子装置において、アイランド（１０）とリード端子（２１）とが、別部材から作られたものであり、アイランド（１０）におけるモールド樹脂（５０）から露出する面は、リード端子（２１）におけるモールド樹脂（５０）から露出する面よりも、モールド樹脂（５０）から突出しており、アイランド（１０）は１枚の板材であって、部品（３０）が搭載される面とは反対側の面をモールド樹脂（５０）から突出させていることを特徴としている。 In the invention according to claim 7, the island (10) on which the component (30) is mounted, the lead terminal (21) located around the island (10), the island (10) and the lead terminal (21) are provided. In an electronic device comprising a mold resin (50) for sealing, and an island (10) and a lead terminal (21) exposed from the mold resin (50) on the same surface, the island (10) and the lead terminal (21) is made from another member, and the surface exposed from the mold resin (50) in the island (10) is more than the surface exposed from the mold resin (50) in the lead terminal (21). protrudes from the molding resin (50), island (10) is a single plate material, component (30) the mold resin (50 a surface opposite to the surface which is mounted It is characterized in that it protrudes from.

本発明の電子装置は、上記請求項１に記載の製造方法によって、適切に製造されるものであり、その作用効果は、上記請求項１に記載の発明と同様、アイランド周囲の吊りリードを排除するとともに、アイランドとリード端子とで材質や厚さを異ならせることができるものである。また、アイランド（１０）がリード端子（２１）より大きく突出している分、リード端子（２１）におけるはんだ付けの高さを確保できる。 The electronic device according to the present invention is appropriately manufactured by the manufacturing method according to the first aspect, and the function and effect of the electronic device excludes the suspension leads around the island as in the first aspect. In addition, the material and thickness can be made different between the island and the lead terminal . In addition, since the island (10) protrudes larger than the lead terminal (21), the soldering height of the lead terminal (21) can be secured.

また、請求項８に記載の発明では、請求項７に記載の電子装置において、アイランド（１０）とリード端子（２１）とは、材質が異なるものであることを特徴としている。 According to an eighth aspect of the present invention, in the electronic device according to the seventh aspect, the island (10) and the lead terminal (21) are made of different materials.

また、請求項９に記載の発明では、請求項７または請求項８に記載の電子装置において、アイランド（１０）とリード端子（２１）とは、厚さが異なるものであることを特徴としている。 In the invention according to claim 9 , in the electronic device according to claim 7 or claim 8, the island (10) and the lead terminal (21) are different in thickness. .

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings in order to simplify the description.

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置１００の構成を示す図であり、（ａ）は同電子装置１００の概略平面図、（ｂ）は同電子装置１００の概略断面図である。 (First embodiment)
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an electronic device 100 having a QFN structure using a lead frame according to a first embodiment of the present invention, where (a) is a schematic plan view of the electronic device 100, and (b) is a schematic view of the electronic device 100. 2 is a schematic cross-sectional view of the electronic device 100. FIG.

図１に示されるように、本電子装置１００は、アイランド１０とアイランド１０の周囲に位置するリード端子２１とを備えている。これらアイランド１０とリード端子２１とは、別部材から作られたものであり、リード端子２１は後述するようにリードフレーム２０からなるものであり、アイランド１０は、リードフレーム２０とは別の部材からなるものである。   As shown in FIG. 1, the electronic device 100 includes an island 10 and lead terminals 21 located around the island 10. The island 10 and the lead terminal 21 are made of different members. The lead terminal 21 is made of a lead frame 20 as will be described later. The island 10 is made of a member different from the lead frame 20. It will be.

リード端子２１は、Ｃｕや４２アロイなどの通常のリードフレーム材料からなるものであり、プレス加工やエッチング加工などにより形成することができる。また、アイランド１０は、リードフレーム２０と同じ材料および同じ厚さで形成されていてもよいが、リードフレーム２０すなわちリード端子２１とは材質や厚さが異なっていてもよい。   The lead terminal 21 is made of a normal lead frame material such as Cu or 42 alloy, and can be formed by pressing or etching. Further, the island 10 may be formed with the same material and the same thickness as the lead frame 20, but the material and thickness may be different from the lead frame 20, that is, the lead terminal 21.

さらに、アイランド１０とリードフレーム２０とを同じ材料とした場合においては、アイランド１０とリードフレーム２０とで、めっきなどの表面処理を変えたものとしてもよい。   Further, when the island 10 and the lead frame 20 are made of the same material, the surface treatment such as plating may be changed between the island 10 and the lead frame 20.

本例では、アイランド１０は、ヒートシンクとして構成されており、Ｃｕやアルミニウムなどの放熱性に優れた材料からなり、リード端子２１よりも厚いものとして構成されている。   In this example, the island 10 is configured as a heat sink, made of a material having excellent heat dissipation such as Cu or aluminum, and configured to be thicker than the lead terminal 21.

ここで、リード端子２１は、アイランド１０の周囲の全周において、くまなく複数本のものが配列されている。また、アイランド１０上には、部品としての半導体素子３０が搭載されている。   Here, a plurality of lead terminals 21 are arranged all around the periphery of the island 10. A semiconductor element 30 as a component is mounted on the island 10.

この半導体素子３０は、半導体プロセスにより形成されたＩＣチップなどである。ここでは、半導体素子３０は、図示しないダイボンド材などを介してアイランド１０に接着固定されている。なお、部品としては、この半導体素子３０以外にも、種々の電子部品を採用することができる。   The semiconductor element 30 is an IC chip or the like formed by a semiconductor process. Here, the semiconductor element 30 is bonded and fixed to the island 10 via a die bond material or the like (not shown). In addition to the semiconductor element 30, various electronic components can be adopted as the component.

そして、図１に示されるように、半導体素子３０の上面と各リード端子２１とは、ボンディングワイヤ４０により結線され電気的に接続されている。このボンディングワイヤ４０は、Ａｕやアルミニウムなどからなるもので、通常のワイヤボンディング法により形成可能である。   As shown in FIG. 1, the upper surface of the semiconductor element 30 and each lead terminal 21 are connected by a bonding wire 40 and are electrically connected. The bonding wire 40 is made of Au or aluminum, and can be formed by a normal wire bonding method.

そして、アイランド１０、リード端子２１、半導体素子３０およびボンディングワイヤ４０は、モールド樹脂５０により包み込まれるように封止されている。このモールド樹脂４０は、エポキシ系樹脂などの通常のモールド材料を用いてトランスファーモールド法などにより形成できるものである。   The island 10, the lead terminal 21, the semiconductor element 30, and the bonding wire 40 are sealed so as to be wrapped by the mold resin 50. The mold resin 40 can be formed by a transfer molding method using a normal mold material such as an epoxy resin.

ここで、図１（ｂ）に示されるように、本電子装置１００においては、アイランド１０およびリード端子２１がその下面側にてモールド樹脂５０から露出している。そして、この電子装置１００は、外部基板などへ実装される際には、これらアイランド１０およびリード端子２１のモールド樹脂５０からの露出部にて、はんだなどを介した実装が可能となっている。   Here, as shown in FIG. 1B, in the electronic device 100, the island 10 and the lead terminal 21 are exposed from the mold resin 50 on the lower surface side. When the electronic device 100 is mounted on an external substrate or the like, the island 10 and the lead terminals 21 can be mounted via solder or the like at the exposed portions from the mold resin 50.

次に、このリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置１００の製造方法について、図１に加えて図２も参照して述べる。   Next, a method of manufacturing the electronic device 100 having the QFN structure using this lead frame will be described with reference to FIG. 2 in addition to FIG.

図２は、本製造方法を示す工程図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。なお、図２（ａ）中、テープ部材２００の外形線は、破線にて示してある。   FIG. 2 is a process diagram showing the production method, wherein (a) is a schematic plan view and (b) is a schematic cross-sectional view. In FIG. 2A, the outline of the tape member 200 is indicated by a broken line.

まず、図２に示されるように、リードフレーム２０として開口部２２およびこの開口部２２の周辺部にリード端子２１が形成された板状のものを用意する。本実施形態では、リード端子２１は、開口部２２の開口縁部と連結して形成されている。   First, as shown in FIG. 2, a lead frame 20 having a plate-like shape having an opening 22 and lead terminals 21 formed around the opening 22 is prepared. In the present embodiment, the lead terminal 21 is formed to be connected to the opening edge of the opening 22.

そして、開口部２２に、リードフレーム２０とは別体の別部材としてのアイランド１０を配置する。次に、リードフレーム２０の一面（図２（ｂ）中の下面）側に取り外し可能なテープ部材２００を貼り付けることにより、リードフレーム２０とアイランド１０とをテープ部材２００により一体に固定する。   The island 10 as a separate member separate from the lead frame 20 is disposed in the opening 22. Next, a removable tape member 200 is attached to one side of the lead frame 20 (the lower surface in FIG. 2B), so that the lead frame 20 and the island 10 are fixed together by the tape member 200.

ここでは、テープ部材２００としては、ポリイミドなどを用いた粘着テープが用いられている。そのようなテープ部材２００の貼り付けは、圧着などの通常の方法により容易に行うことができる。   Here, as the tape member 200, an adhesive tape using polyimide or the like is used. Affixing such a tape member 200 can be easily performed by a normal method such as pressure bonding.

次に、アイランド１０上に上記半導体素子３０などの部品３０をダイマウントし、半導体素子３０とリード端子２１との間でワイヤボンディングを行い、これらの間をボンディングワイヤ４０で結線する。   Next, the component 30 such as the semiconductor element 30 is die-mounted on the island 10, wire bonding is performed between the semiconductor element 30 and the lead terminal 21, and these are connected by a bonding wire 40.

なお、あらかじめアイランド１０上に半導体素子３０を搭載し、この半導体素子３０が搭載されたアイランド１０を、リードフレーム２０の開口部２２に配置し、次に、テープ部材２００の貼り付けを行い、その後、ワイヤボンディングを行うようにしてもよい。   The semiconductor element 30 is mounted on the island 10 in advance, and the island 10 on which the semiconductor element 30 is mounted is disposed in the opening 22 of the lead frame 20, and then the tape member 200 is attached, Wire bonding may be performed.

次に、ここまでの工程に共されたワークを、樹脂成型用の金型に設置し、トランスファーモールド成形などによりモールド樹脂５０による封止を行う。それにより、リードフレーム２０、半導体素子３０、ボンディングワイヤ４０およびアイランド１０がモールド樹脂５０により封止される。   Next, the work used in the steps so far is placed in a mold for resin molding, and sealed with a mold resin 50 by transfer molding or the like. As a result, the lead frame 20, the semiconductor element 30, the bonding wire 40, and the island 10 are sealed with the mold resin 50.

その後、テープ部材２００をはがす。そして、モールド樹脂５０の側面から突出するリードフレーム１０のカットを行う。こうして、上記図１に示される本実施形態の電子装置１００ができあがる。   Thereafter, the tape member 200 is peeled off. Then, the lead frame 10 protruding from the side surface of the mold resin 50 is cut. Thus, the electronic device 100 of this embodiment shown in FIG. 1 is completed.

ところで、本実施形態によれば、リードフレーム２０を用いた電子装置１００の製造方法であって、リードフレーム２０として開口部２２およびこの開口部２２の周辺部にリード端子２１が形成された板状のものを用意し、開口部２２にリードフレーム２０とは別体の別部材１０を配置し、リードフレーム２０の一面側に取り外し可能なテープ部材２００を貼り付けることにより、リードフレーム２０と別部材１０とをテープ部材２００により一体に固定し、リードフレーム２０および別部材１０をモールド樹脂５０により封止した後、テープ部材２００をはがすことを特徴とする電子装置１００の製造方法を提供することができる。   By the way, according to the present embodiment, a method of manufacturing the electronic device 100 using the lead frame 20 is a plate shape in which the lead frame 20 is formed with the opening 22 and the lead terminal 21 around the opening 22. A separate member 10 separate from the lead frame 20 is disposed in the opening 22, and a removable tape member 200 is attached to one surface side of the lead frame 20 to separate the lead frame 20 from the separate member. 10 is integrally fixed with a tape member 200, the lead frame 20 and the separate member 10 are sealed with a mold resin 50, and then the tape member 200 is peeled off. it can.

それによれば、上述したように、リードフレーム２０の開口部２２に別部材１０を配置し、これらをテープ部材２００で一体に固定した後、樹脂封止を行うことで、リードフレーム２０および別部材１０はモールド樹脂５０により封止され固定される。   According to this, as described above, the separate member 10 is arranged in the opening 22 of the lead frame 20, these are integrally fixed with the tape member 200, and then resin sealing is performed, whereby the lead frame 20 and the separate member are arranged. 10 is sealed and fixed by a mold resin 50.

ここで、本実施形態では、別部材１０は、アイランド１０として機能するものであり、このアイランド１０上にたとえば半導体素子３０などの部品３０を搭載することができる。そして、上述したように、このアイランド１０に搭載した半導体素子３０とリード端子２１とをボンディングワイヤ４０などにより電気的に接続する。   Here, in this embodiment, the separate member 10 functions as an island 10, and a component 30 such as a semiconductor element 30 can be mounted on the island 10. As described above, the semiconductor element 30 mounted on the island 10 and the lead terminal 21 are electrically connected by the bonding wire 40 or the like.

その後は、テープ部材２００をはがすことにより、リードフレーム２０のリード端子２１およびアイランド１０におけるこのテープがはがされた面は、モールド樹脂５０から露出する。   Thereafter, by peeling off the tape member 200, the lead terminal 21 of the lead frame 20 and the surface of the island 10 where the tape has been peeled are exposed from the mold resin 50.

つまり、本実施形態の製造方法によれば、別部材すなわちアイランド１０とリード端子２１とが同一側の面にてモールド樹脂５０から露出するＱＦＮ構造を有する電子装置１００を製造することができる。   That is, according to the manufacturing method of the present embodiment, it is possible to manufacture the electronic device 100 having a QFN structure in which another member, that is, the island 10 and the lead terminal 21 are exposed from the mold resin 50 on the same surface.

ここで、テープ部材２００をはがすことで、アイランド１０およびリード端子２１のうちテープ部材２００をはがした部分が、モールド樹脂５０から露出するため、従来のようなこの露出面に対する樹脂バリの問題も防止することができる。   Here, by peeling off the tape member 200, the part of the island 10 and the lead terminal 21 where the tape member 200 is peeled is exposed from the mold resin 50, so that there is a problem of the resin burrs on the exposed surface as in the prior art. Can be prevented.

そして、本製造方法では、アイランドとして機能する別部材１０は、リードフレーム２０とは別体の部材であるが、テープ部材２００によってリードフレーム２０と一体に固定されて、部品搭載や樹脂封止などの工程に供することができる。   In this manufacturing method, the separate member 10 that functions as an island is a separate member from the lead frame 20, but is fixed integrally with the lead frame 20 by the tape member 200, for example, component mounting or resin sealing. It can use for this process.

つまり、本製造方法によれば、アイランドである別部材１０の周囲には、従来のようなアイランドをリードフレームに固定するための吊りリードが不要となり、その分、リード端子２１の数や配置形態の自由度が広がる。   In other words, according to the present manufacturing method, there is no need for conventional suspension leads for fixing the island to the lead frame around the separate member 10 which is an island. Of freedom.

また、アイランドとして機能する別部材１０は、リードフレーム２０とは別体の部材であるため、その材質や厚さなどをリードフレーム２０とは異なったものにすることができる。   Further, since the separate member 10 that functions as an island is a separate member from the lead frame 20, its material, thickness, and the like can be different from those of the lead frame 20.

そのため、たとえば、本製造方法により形成された電子装置１００においては、別部材としてのアイランド１０をリードフレーム２０よりも厚く且つ放熱性に優れたものとし、ヒートシンクとして機能させることができる。   Therefore, for example, in the electronic device 100 formed by this manufacturing method, the island 10 as a separate member is thicker than the lead frame 20 and excellent in heat dissipation, and can function as a heat sink.

このように、本実施形態によれば、リードフレーム２０を用いたＱＦＮ構造を有する電子装置において、アイランド１０周囲の吊りリードを排除するとともに、アイランド１０とリード端子２１とで材質や厚さを異ならせることができる。   As described above, according to the present embodiment, in the electronic device having the QFN structure using the lead frame 20, the suspended leads around the island 10 are eliminated, and the material and thickness of the island 10 and the lead terminal 21 are different. Can be made.

また、本実施形態によれば、部品３０が搭載されるアイランド１０と、アイランド１０の周囲に位置するリード端子２１と、アイランド１０およびリード端子２１を封止するモールド樹脂５０とを備え、アイランド１０およびリード端子２１が同一側の面にてモールド樹脂５０から露出している電子装置１００において、アイランド１０とリード端子２１とが、別部材から作られたものであることを特徴とする電子装置１００を提供することができる。   In addition, according to the present embodiment, the island 10 includes the island 10 on which the component 30 is mounted, the lead terminal 21 positioned around the island 10, and the mold resin 50 that seals the island 10 and the lead terminal 21. In the electronic device 100 in which the lead terminal 21 is exposed from the mold resin 50 on the same surface, the island 10 and the lead terminal 21 are made of different members. Can be provided.

このような特徴を有する電子装置１００は、上記した本実施形態の製造方法によって、適切に製造されるものであり、その作用効果は、上記した通りである。   The electronic device 100 having such characteristics is appropriately manufactured by the manufacturing method of the present embodiment described above, and the operation and effects thereof are as described above.

［変形例］
図３は、本実施形態の変形例としての半導体装置の概略平面構成を示す図である。 [Modification]
FIG. 3 is a diagram showing a schematic planar configuration of a semiconductor device as a modification of the present embodiment.

上述したように、本実施形態によれば、リードフレーム２０を用いたＱＦＮ構造を有する電子装置において、アイランド１０周囲の吊りリードを省略した構成とすることができる。   As described above, according to the present embodiment, in the electronic device having the QFN structure using the lead frame 20, the suspension leads around the island 10 can be omitted.

そのため、リード端子２１の数や配置形態の自由度が広がるだけでなく、アイランド１０の形状の自由度も大きくなる。たとえば、図３に示されるように、従来において吊りリードが存在していた部位に、アイランド１０が入り込んだ形状を採用することができる。この場合、アイランド１０の面積を大きくすることができ、ヒートシンクとしてより高い放熱性を実現することができる。   Therefore, not only the number of lead terminals 21 and the degree of freedom of the arrangement form are increased, but also the degree of freedom of the shape of the island 10 is increased. For example, as shown in FIG. 3, it is possible to adopt a shape in which the island 10 enters a portion where a suspension lead has existed in the past. In this case, the area of the island 10 can be increased, and higher heat dissipation can be realized as a heat sink.

（第２実施形態）
図４は、本発明の第２実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置１１０の構成を示す図であり、（ａ）は同電子装置１１０の概略平面図、（ｂ）は同電子装置１１０の概略断面図である。 (Second Embodiment)
4A and 4B are diagrams showing a configuration of an electronic device 110 having a QFN structure using a lead frame according to the second embodiment of the present invention, wherein FIG. 4A is a schematic plan view of the electronic device 110, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the electronic device 110. FIG.

本実施形態の電子装置１１０は、半導体素子３０と、半導体素子３０の周囲に位置し半導体素子３０と電気的に接続されたリード端子２１と、半導体素子３０およびリード端子２１を封止するモールド樹脂５０とを備え、半導体素子３０およびリード端子２１が同一側の面にてモールド樹脂５０から露出していることを特徴としている。   The electronic device 110 according to this embodiment includes a semiconductor element 30, a lead terminal 21 that is located around the semiconductor element 30 and is electrically connected to the semiconductor element 30, and a mold resin that seals the semiconductor element 30 and the lead terminal 21. 50, and the semiconductor element 30 and the lead terminal 21 are exposed from the mold resin 50 on the same surface.

本実施形態の電子装置１１０は、上記第１実施形態における製造方法において、別部材１０を半導体素子３０そのものとすることにより、製造できるものである。そして、この場合には、アイランド自体を排除した電子装置１１０を実現でき、構成部品の簡素化、および電子装置の薄型化が可能となる。   The electronic device 110 according to the present embodiment can be manufactured by using the separate member 10 as the semiconductor element 30 itself in the manufacturing method according to the first embodiment. In this case, the electronic device 110 excluding the island itself can be realized, and the components can be simplified and the electronic device can be thinned.

つまり、本実施形態によれば、リードフレーム２０を用いた電子装置１１０の製造方法であって、リードフレーム２０として開口部２２およびこの開口部２２の周辺部にリード端子２１が形成された板状のものを用意し、開口部２２に半導体素子３０を配置し、リードフレーム２０の一面側に取り外し可能なテープ部材２００を貼り付けることにより、リードフレーム２０と半導体素子３０とをテープ部材２００により一体に固定し、リードフレーム２０および半導体素子３０をモールド樹脂５０により封止した後、テープ部材２００をはがすことを特徴とする電子装置１１０の製造方法を提供することができる。   In other words, according to the present embodiment, the method of manufacturing the electronic device 110 using the lead frame 20 is a plate shape in which the lead frame 20 is formed with the opening 22 and the lead terminal 21 around the opening 22. 1 is prepared, the semiconductor element 30 is disposed in the opening 22, and a removable tape member 200 is attached to one surface side of the lead frame 20, whereby the lead frame 20 and the semiconductor element 30 are integrated with the tape member 200. After the lead frame 20 and the semiconductor element 30 are sealed with the mold resin 50, the tape member 200 is peeled off, and a method for manufacturing the electronic device 110 can be provided.

（第３実施形態）
図５は、本発明の第３実施形態に係る電子装置の要部構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。 (Third embodiment)
FIGS. 5A and 5B are diagrams showing the main configuration of an electronic device according to the third embodiment of the present invention, where FIG. 5A is a schematic plan view and FIG. 5B is a schematic cross-sectional view.

本実施形態では、図５に示されるように、リードフレーム２０のリード端子２１の一部を別部材であるアイランド１０に接続している。この場合、モールド樹脂５０による封止を行った後でも、リードフレーム２０を介してアイランド１０の導通がとれる。   In this embodiment, as shown in FIG. 5, a part of the lead terminal 21 of the lead frame 20 is connected to the island 10 which is a separate member. In this case, even after sealing with the mold resin 50, the island 10 can be electrically connected via the lead frame 20.

そのため、テープ部材２００をはがした後、アイランド１０の下面に対して外装の電解はんだめっきを行うことが必要となる場合に有効である。アイランド１０の下面にこのようなめっきを行うことは、アイランド１０の下面におけるはんだ接合性を向上させる目的などによる。   Therefore, it is effective when it is necessary to perform external electrolytic solder plating on the lower surface of the island 10 after the tape member 200 is peeled off. The plating on the lower surface of the island 10 is based on the purpose of improving the solderability on the lower surface of the island 10.

なお、図５では、２本のリード端子２１とアイランド１０とを接続してあるが、アイランド１０と接続されるリード端子２１は、１本でもよく３本以上でもよい。また、どのリード端子２１とアイランド１０とを接続してもよい。   In FIG. 5, the two lead terminals 21 and the island 10 are connected, but the lead terminal 21 connected to the island 10 may be one or more than three. Any lead terminal 21 and the island 10 may be connected.

（第４実施形態）
図６は、本発明の第４実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置１２０の構成を示す概略断面図である。 (Fourth embodiment)
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of an electronic device 120 having a QFN structure using a lead frame according to the fourth embodiment of the present invention.

本実施形態の電子装置１２０では、アイランド１０の下面がリード端子２１の下面よりも、モールド樹脂５０から突出している。つまり、アイランド１０とリード端子２１とにスタンドオフｄを設けた構造としている。   In the electronic device 120 of this embodiment, the lower surface of the island 10 protrudes from the mold resin 50 more than the lower surface of the lead terminal 21. That is, a standoff d is provided on the island 10 and the lead terminal 21.

このようなスタンドオフｄは、上記製造方法においてアイランド１０をテープ部材２００に押し込むことにより形成することができる。そして、このような構造とすることにより、スタンドオフｄを設けた分、リード端子２１におけるはんだ付けの高さを確保することができ、電子装置１２０における実装時の接続信頼性の向上が図れる。   Such a stand-off d can be formed by pushing the island 10 into the tape member 200 in the above manufacturing method. And by setting it as such a structure, the height of the soldering in the lead terminal 21 can be ensured for the part which provided the standoff d, and the connection reliability at the time of mounting in the electronic device 120 can be aimed at.

なお、このようなスタンドオフｄを設けた構成は、上記第２実施形態においても適用可能である。つまり、上記製造方法において半導体素子３０をテープ部材２００に押し込むことにより形成することができる。それにより、半導体素子３０とリード端子２１とにスタンドオフｄを設けた構造となる。   Note that the configuration provided with such a standoff d is also applicable to the second embodiment. That is, it can be formed by pressing the semiconductor element 30 into the tape member 200 in the above manufacturing method. As a result, the semiconductor element 30 and the lead terminal 21 are provided with standoffs d.

（第５実施形態）
図７は、本発明の第５実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置１３０の構成を示す概略断面図である。 (Fifth embodiment)
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of an electronic device 130 having a QFN structure using a lead frame according to the fifth embodiment of the present invention.

本実施形態の電子装置１３０では、モールド樹脂５０による封止後に、テープ部材２００を一部残した構成であり、図７に示されるように、アイランド１０の下面にテープ部材２００が残った構成となっている。   The electronic device 130 according to the present embodiment has a configuration in which a part of the tape member 200 is left after sealing with the mold resin 50, and a configuration in which the tape member 200 remains on the lower surface of the island 10 as shown in FIG. 7. It has become.

このような構造とすることにより、アイランド１０の下面に残ったテープ部材２００の厚さの分、リード端子２１におけるはんだ付けの高さを確保することができ、電子装置１２０における実装時の接続信頼性の向上が図れる。   With such a structure, it is possible to ensure the soldering height of the lead terminal 21 by the thickness of the tape member 200 remaining on the lower surface of the island 10, and the connection reliability at the time of mounting in the electronic device 120. Can improve the performance.

また、このようなテープ部材２００の一部を残す構成は、上記第２実施形態においても適用可能である。つまり、モールド樹脂５０から露出する半導体素子３０の下面にテープ部材２００を残すことになる。   Moreover, the structure which leaves such a part of tape member 200 is applicable also to the said 2nd Embodiment. That is, the tape member 200 is left on the lower surface of the semiconductor element 30 exposed from the mold resin 50.

（第６実施形態）
図８は、本発明の第６実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置１４０の構成を示す概略平面図である。 (Sixth embodiment)
FIG. 8 is a schematic plan view showing the configuration of an electronic device 140 having a QFN structure using a lead frame according to the sixth embodiment of the present invention.

本実施形態の電子装置１４０は、上記図２に示されるリードフレーム２０において、リード端子２１が開口部２２の開口縁部とは離れて形成されているものを用いることにより、製造することができる。   The electronic device 140 of the present embodiment can be manufactured by using the lead frame 20 shown in FIG. 2 in which the lead terminals 21 are formed away from the opening edge of the opening 22. .

リード端子２１が開口部２２の開口縁部とは離れていても、アイランド１０を開口部２２に配置した後、テープ部材２００により、リードフレーム２０、リード端子２１およびアイランド１０は、テープ部材２００により固定されるため、モールド樹脂５０による封止工程を行うまでに、リード端子２１は固定される。   Even if the lead terminal 21 is separated from the opening edge of the opening 22, after the island 10 is disposed in the opening 22, the lead frame 20, the lead terminal 21, and the island 10 are removed by the tape member 200. In order to be fixed, the lead terminal 21 is fixed before the sealing step with the mold resin 50 is performed.

そして、モールド樹脂５０による封止後は、モールド樹脂５０により固定されるが、このとき、リード端子２１と開口部２２との間にもモールド樹脂５０は充填されるため、本実施形態の電子装置１４０においては、図８に示されるように、リード端子２１は、モールド樹脂５０の側面から露出しない。そのため、本実施形態では、リード端子２１間の絶縁性が向上する。   Then, after sealing with the mold resin 50, the mold resin 50 is used to fix the mold resin 50. At this time, the mold resin 50 is also filled between the lead terminal 21 and the opening 22, so that the electronic device of this embodiment is used. In 140, the lead terminal 21 is not exposed from the side surface of the mold resin 50 as shown in FIG. 8. Therefore, in this embodiment, the insulation between the lead terminals 21 is improved.

また、このようなリード端子２１が開口部２２の開口縁部とは離れている構成は、上記第２実施形態においても適用可能である。   Such a configuration in which the lead terminal 21 is separated from the opening edge of the opening 22 can also be applied to the second embodiment.

（第７実施形態）
図９は、本発明の第７実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置１５０の構成を示す概略断面図である。 (Seventh embodiment)
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of an electronic device 150 having a QFN structure using a lead frame according to the seventh embodiment of the present invention.

上記図１に示される例では、アイランド１０はリード端子２１よりも厚いものとして構成されていたが、本実施形態の電子装置１５０は、図９に示されるように、アイランド１０はリード端子２１よりも薄いものとして構成されている。   In the example shown in FIG. 1, the island 10 is configured to be thicker than the lead terminal 21. However, in the electronic device 150 of this embodiment, the island 10 is larger than the lead terminal 21 as shown in FIG. 9. Are also configured as thin.

このような構造とした場合、アイランド１０上に位置する半導体素子３０の上面とリード端子２１の上面との高さを近づけることができるため、ワイヤボンディングが容易になるという利点がある。   With such a structure, the height of the upper surface of the semiconductor element 30 located on the island 10 and the upper surface of the lead terminal 21 can be made closer, and thus there is an advantage that wire bonding is facilitated.

（第８実施形態）
図１０は、本発明の第８実施形態に係る電子装置の製造方法を示す図であり、リードフレーム２０にテープ部材２００を貼り付けた状態を示す概略断面図である。また、図１１は、本実施形態の製造方法により製造された電子装置１６０の概略断面構成を示す図である。 (Eighth embodiment)
FIG. 10 is a diagram illustrating a method for manufacturing an electronic device according to the eighth embodiment of the present invention, and is a schematic cross-sectional view illustrating a state in which a tape member 200 is attached to the lead frame 20. FIG. 11 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of the electronic device 160 manufactured by the manufacturing method of the present embodiment.

本実施形態では、図１０に示されるように、テープ部材２００として、穴２０１の開いたものを用いる。このようなテープ部材２００を用いた場合、この穴２０１の部分に、モールド樹脂５０が充填され、テープ部材２００をはがした後も、その部分に樹脂が残ることになる。   In this embodiment, as shown in FIG. 10, a tape member 200 having a hole 201 is used. When such a tape member 200 is used, the portion of the hole 201 is filled with the mold resin 50, and the resin remains in the portion even after the tape member 200 is peeled off.

具体的には、図１１に示されるように、本実施形態の電子装置１６０において、モールド樹脂５０から露出するアイランド１０の下面およびリード端子２１の下面の一部に、モールド樹脂５０の一部である樹脂突起部５１が付着した形になる。   Specifically, as shown in FIG. 11, in the electronic device 160 of this embodiment, a part of the mold resin 50 is formed on the lower surface of the island 10 exposed from the mold resin 50 and a part of the lower surface of the lead terminal 21. A certain resin protrusion 51 is attached.

また、電子装置１６０における実装時においては、この樹脂突起部５１の部分には、はんだが付着しないため、この樹脂突起部５１を絶縁保護膜の如く機能させることができる。それによって、電子装置１６０における部分的な絶縁性の確保を実現することができる。 Further, at the time of mounting the electronic device 160, the portion of the resin protrusion 51, because the solder does not adhere, the resin protrusion 51 can function as an insulating protective film. Thereby, partial insulation of the electronic device 160 can be ensured.

また、電子装置１６０における実装時においては、この樹脂突起部５１の部分には、はんだが付着しないため、この樹脂突起部５１を絶縁保護膜の如く機能させることができる。それによって、電子装置１６０における部分的な絶縁性の確保を実現することができる。 Further, at the time of mounting the electronic device 160, the portion of the resin protrusion 51, because the solder does not adhere, the resin protrusion 51 can function as an insulating protective film. Thereby, partial insulation of the electronic device 160 can be ensured.

また、このような穴２０１を有するテープ部材２００を用いた製造方法およびその製造方法による樹脂突起部５１が形成された構成は、上記第２実施形態においても適用可能である。 The manufacturing method using the tape member 200 having the hole 201 and the configuration in which the resin protrusion 51 is formed by the manufacturing method can also be applied to the second embodiment.

また、上記各実施形態は、実現可能な範囲で適宜組み合わせてもよいことは、もちろんである。   Moreover, it is needless to say that the above embodiments may be appropriately combined within a realizable range.

本発明の第１実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置の構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。It is a figure which shows the structure of the electronic device which has the QFN structure using the lead frame which concerns on 1st Embodiment of this invention, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic sectional drawing. 上記第１実施形態に係る電子装置の製造方法を示す工程図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the electronic device which concerns on the said 1st Embodiment, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic sectional drawing. 上記第１実施形態の変形例としての半導体装置の概略平面図である。It is a schematic plan view of the semiconductor device as a modified example of the first embodiment. 本発明の第２実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置の構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。It is a figure which shows the structure of the electronic apparatus which has the QFN structure using the lead frame which concerns on 2nd Embodiment of this invention, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic sectional drawing. 本発明の第３実施形態に係る電子装置の要部構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。It is a figure which shows the principal part structure of the electronic device which concerns on 3rd Embodiment of this invention, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic sectional drawing. 本発明の第４実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置の構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the electronic device which has the QFN structure using the lead frame which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第５実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置の構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the electronic device which has the QFN structure using the lead frame which concerns on 5th Embodiment of this invention. 本発明の第６実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置の構成を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the structure of the electronic device which has the QFN structure using the lead frame which concerns on 6th Embodiment of this invention. 本発明の第７実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置の構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the electronic device which has the QFN structure using the lead frame which concerns on 7th Embodiment of this invention. 本発明の第８実施形態に係る電子装置の製造方法を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the manufacturing method of the electronic device which concerns on 8th Embodiment of this invention. 上記第８実施形態の製造方法により製造された電子装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the electronic device manufactured by the manufacturing method of the said 8th Embodiment. 従来のリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置におけるリードフレームの概略平面図である。It is a schematic plan view of a lead frame in an electronic device having a QFN structure using a conventional lead frame. 図１２に示されるリードフレームの概略断面図である。FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of the lead frame shown in FIG. 12.

符号の説明Explanation of symbols

１０…別部材としてのアイランド、２０…リードフレーム、２１…リード端子、
２２…開口部、３０…部品としての半導体素子、５０…モールド樹脂、
２００…テープ部材。 10 ... Island as a separate member, 20 ... Lead frame, 21 ... Lead terminal,
22 ... Opening, 30 ... Semiconductor element as part, 50 ... Mold resin,
200: Tape member.

Claims (9)

リードフレーム（２０）を用いた電子装置の製造方法であって、
前記リードフレーム（２０）として開口部（２２）およびこの開口部（２２）の周辺部にリード端子（２１）が形成された板状のものを用意し、
前記開口部（２２）に前記リードフレーム（２０）とは別体の別部材（１０）を配置し、
前記リードフレーム（２０）の一面側に取り外し可能なテープ部材（２００）を貼り付けることにより、前記リードフレーム（２０）と前記別部材（１０）とを前記テープ部材（２００）により一体に固定し、
前記リードフレーム（２０）および前記別部材（１０）をモールド樹脂（５０）により封止した後、前記テープ部材（２００）をはがすようにし、
前記テープ部材（２００）を剥がす工程では、前記別部材（１０）における前記テープ部材（２００）の貼り付け面の一部に、前記テープ部材（２００）を残すようにすることを特徴とする電子装置の製造方法。 A method of manufacturing an electronic device using a lead frame (20), comprising:
As the lead frame (20), an opening (22) and a plate-like one having lead terminals (21) formed around the opening (22) are prepared,
A separate member (10) separate from the lead frame (20) is disposed in the opening (22),
By attaching a removable tape member (200) to one side of the lead frame (20), the lead frame (20) and the separate member (10) are integrally fixed by the tape member (200). ,
After sealing the lead frame (20) and the separate member (10) with a mold resin (50), the tape member (200) is peeled off,
In the step of peeling off the tape member (200), the tape member (200) is left on a part of the attachment surface of the tape member (200) in the separate member (10). Device manufacturing method. 前記別部材（１０）として、材質が前記リードフレーム（２０）とは異なるものを用いることを特徴とする請求項１に記載の電子装置の製造方法。 2. The method of manufacturing an electronic device according to claim 1 , wherein a material different from that of the lead frame is used as the separate member. 前記別部材（１０）として、厚さが前記リードフレーム（２０）とは異なるものを用いることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置の製造方法。 3. The method of manufacturing an electronic device according to claim 1, wherein a thickness different from that of the lead frame is used as the separate member. 前記別部材（１０）として、半導体素子（３０）を用いることを特徴とする請求項１に記載の電子装置の製造方法。 As the separate member (10), a manufacturing method of an electronic device according to claim 1, characterized in that a semiconductor element (30). 前記リード端子（２１）は、前記開口部（２２）の開口縁部と連結して形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法。 It said lead terminals (21) The manufacturing method of an electronic device according to any one of claims 1 to 4, characterized in that it is formed by connecting the opening edge of the opening (22). 前記リード端子（２１）は、前記開口部（２２）の開口縁部とは離れて形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法。 It said lead terminals (21) The manufacturing method of an electronic device according to any one of claims 1 to 4, characterized in that it is formed apart from the opening edge of the opening (22). 部品（３０）が搭載されるアイランド（１０）と、
前記アイランド（１０）の周囲に位置するリード端子（２１）と、
前記アイランド（１０）および前記リード端子（２１）を封止するモールド樹脂（５０）とを備え、
前記アイランド（１０）および前記リード端子（２１）が同一側の面にて前記モールド樹脂（５０）から露出している電子装置において、
前記アイランド（１０）と前記リード端子（２１）とが、別部材から作られたものであり、
前記アイランド（１０）における前記モールド樹脂（５０）から露出する面は、前記リード端子（２１）における前記モールド樹脂（５０）から露出する面よりも、前記モールド樹脂（５０）から突出しており、
前記アイランド（１０）は１枚の板材であって、前記部品（３０）が搭載される面とは反対側の面を前記モールド樹脂（５０）から突出させていることを特徴とする電子装置。 An island (10) on which the component (30) is mounted;
Lead terminals (21) located around the island (10);
A mold resin (50) for sealing the island (10) and the lead terminal (21);
In the electronic device in which the island (10) and the lead terminal (21) are exposed from the mold resin (50) on the same side surface,
The island (10) and the lead terminal (21) are made from different members,
The surface exposed from the mold resin (50) in the island (10) protrudes from the mold resin (50) than the surface exposed from the mold resin (50) in the lead terminal (21) .
The island (10) is a single plate material, and the surface opposite to the surface on which the component (30) is mounted protrudes from the mold resin (50) . 前記アイランド（１０）と前記リード端子（２１）とは、材質が異なるものであることを特徴とする請求項７に記載の電子装置。 8. The electronic device according to claim 7 , wherein the island (10) and the lead terminal (21) are made of different materials. 前記アイランド（１０）と前記リード端子（２１）とは、厚さが異なるものであることを
特徴とする請求項７または８に記載の電子装置。 The electronic device according to claim 7 or 8 , wherein the island (10) and the lead terminal (21) have different thicknesses.
JP2004211592A 2004-07-20 2004-07-20 Electronic device and manufacturing method thereof Expired - Fee Related JP4311294B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004211592A JP4311294B2 (en) 2004-07-20 2004-07-20 Electronic device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004211592A JP4311294B2 (en) 2004-07-20 2004-07-20 Electronic device and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006032772A JP2006032772A (en) 2006-02-02
JP4311294B2 true JP4311294B2 (en) 2009-08-12

Family

ID=35898730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004211592A Expired - Fee Related JP4311294B2 (en) 2004-07-20 2004-07-20 Electronic device and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4311294B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6784511B2 (en) * 2016-05-17 2020-11-11 ローム株式会社 Mounting structure including semiconductor device and semiconductor device and mounting board

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006032772A (en) 2006-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100347706B1 (en) New molded package having a implantable circuits and manufacturing method thereof
CN102420217B (en) Multi-chip semiconductor packages and assembling thereof
US6482674B1 (en) Semiconductor package having metal foil die mounting plate
CN101546718B (en) Semiconductor device package and method of making a semiconductor device package
US8487424B2 (en) Routable array metal integrated circuit package fabricated using partial etching process
JP3436159B2 (en) Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device
EP3840039B1 (en) A semiconductor device and corresponding method
US20210265214A1 (en) Methods and apparatus for an improved integrated circuit package
JP2003017524A (en) Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device
KR20010110154A (en) Lead frame, semiconductor device and manufacturing the same, circuit substrate and electronic device
JP2005294443A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2024026696A (en) Semiconductor device and its manufacturing method
CN110517998A (en) Two sides are in combination with lead frame
US8785253B2 (en) Leadframe for IC package and method of manufacture
JP4311294B2 (en) Electronic device and manufacturing method thereof
JP2006147918A (en) Semiconductor device
JP3680812B2 (en) Manufacturing method of resin-encapsulated semiconductor device
US20030214019A1 (en) Packaging system for semiconductor devices
JP2001127228A (en) Terminal land frame and method of manufacturing the same, resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH07326690A (en) Semiconductor device package and semiconductor device
JP2002164496A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR200159861Y1 (en) Semiconductor package
JP2001015667A (en) Lead frame, resin-sealed semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same
JP2001127195A (en) Terminal land frame and method of manufacturing the same, resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH05251502A (en) Film carrier semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060919

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081202

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090210

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090327

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090421

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090504

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120522

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120522

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130522

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140522

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees