JPH0287705A - 同調形発振器 - Google Patents
同調形発振器Info
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- JPH0287705A JPH0287705A JP23951888A JP23951888A JPH0287705A JP H0287705 A JPH0287705 A JP H0287705A JP 23951888 A JP23951888 A JP 23951888A JP 23951888 A JP23951888 A JP 23951888A JP H0287705 A JPH0287705 A JP H0287705A
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- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 43
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 12
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 31
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 6
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マイクロ波、ミリ波帯の同調形光振器に関
するものである。
するものである。
第5図は例えば米国特許4270097号(1981年
)。
)。
4630002号(1986年)に示された従来の同調
形光振器を示す構成図であり、図において、1はFET
(電界効果トランジスタ)などの能動素子、2゜3.4
は能動素子lのそれぞれゲート、ソース、ドレイン端子
、5.6はフェリ磁性体球共振器、7.8はフェリ磁性
体球共振器5.6とゲート端子2、ソース端子3とを結
合するための結合ループ、9はドレイン端子4に接続さ
れる整合回路、10は整合回路9に接続される負荷抵抗
である。
形光振器を示す構成図であり、図において、1はFET
(電界効果トランジスタ)などの能動素子、2゜3.4
は能動素子lのそれぞれゲート、ソース、ドレイン端子
、5.6はフェリ磁性体球共振器、7.8はフェリ磁性
体球共振器5.6とゲート端子2、ソース端子3とを結
合するための結合ループ、9はドレイン端子4に接続さ
れる整合回路、10は整合回路9に接続される負荷抵抗
である。
なお、この構成図では、ブエIJ磁性体球共振器5.6
に直流磁界を印加するための磁気回路を省略している。
に直流磁界を印加するための磁気回路を省略している。
また第6図は、第5図の具体的な構造例であり、第7図
は第6図のA−A断面図である。図において、11はフ
ェリ磁性体球共振器5.6を先端に接着して保持するた
めの誘電体棒、12は整合回路9をマイクロストリップ
線路などで形成するための誘電体基板、13は地導体、
14は接続用の導体ワイヤである。
は第6図のA−A断面図である。図において、11はフ
ェリ磁性体球共振器5.6を先端に接着して保持するた
めの誘電体棒、12は整合回路9をマイクロストリップ
線路などで形成するための誘電体基板、13は地導体、
14は接続用の導体ワイヤである。
次に動作について説明する。第8図には、第5図に示し
た従来の同調形光振器の近似的な等価回路を示す。この
図では整合回路を省略している。
た従来の同調形光振器の近似的な等価回路を示す。この
図では整合回路を省略している。
ソース端子3において回路を切り離し、能動素子1側を
見たアドミタンスをYa、フェリ磁性体球共振器6側を
見たアドミタンスをYbとする。
見たアドミタンスをYa、フェリ磁性体球共振器6側を
見たアドミタンスをYbとする。
近似的に能動素子の等価回路定数は、相互コンダクタン
ス8爪、ドレインとソース間の抵抗のコンダクタンスG
d、ゲートとソース間の容量C1で表わされるものとす
る。またV、をゲート・ソース間電圧、R1を負荷抵抗
とする。共振器5.6は近似的に並列共振回路で表され
、共振器5のリアクタンスをXG、共振器6のサセプタ
ンスをBbとする。
ス8爪、ドレインとソース間の抵抗のコンダクタンスG
d、ゲートとソース間の容量C1で表わされるものとす
る。またV、をゲート・ソース間電圧、R1を負荷抵抗
とする。共振器5.6は近似的に並列共振回路で表され
、共振器5のリアクタンスをXG、共振器6のサセプタ
ンスをBbとする。
ここでYa、Ybを次式のように実部と虚部に分けて示
す。
す。
Ya=Ga+ jBa −(1)Yb−Gb+
jBb ・・・(2)発振条件は次式で示され
る。
jBb ・・・(2)発振条件は次式で示され
る。
Ba+Bb−0−(41
第(3)式において、共振器6側を見たコンダクタンス
cbは、共振器6が受動素子であるため、常に正である
。このため能動素子1側を見たコンダクタンスGaは負
でなければならない。このGaは等価回路定数を用いて
、次式で表わされる。
cbは、共振器6が受動素子であるため、常に正である
。このため能動素子1側を見たコンダクタンスGaは負
でなければならない。このGaは等価回路定数を用いて
、次式で表わされる。
Gdが小さいとすると、Gaが負となる条件から、共振
器5のリアクタンスXGについて次式の条件が得られる
。この条件から、XGは誘導性リアクタンスとする必要
がある。
器5のリアクタンスXGについて次式の条件が得られる
。この条件から、XGは誘導性リアクタンスとする必要
がある。
また能動素子1側を見たサセプタンスBaは次式で表わ
される。
される。
1−ωC,XG
このBaは、第(6)式の条件より負になる。したがっ
て発振条件の第(4)式より共振器6側のサセプタンス
Bbは正、つまり共振器6は容量性サセプタンスとする
必要がある。
て発振条件の第(4)式より共振器6側のサセプタンス
Bbは正、つまり共振器6は容量性サセプタンスとする
必要がある。
結局、ゲート端子2に接続される共振器5は誘導性、ソ
ース端子3に接続される共振器6は容量性のりアクタン
スを呈した時に発振が生じる。この発振電力は整合回路
9を通して負荷抵抗10より取り出される。
ース端子3に接続される共振器6は容量性のりアクタン
スを呈した時に発振が生じる。この発振電力は整合回路
9を通して負荷抵抗10より取り出される。
フェリ磁性体球共振器5.6の入力インピーダンスの一
例を第9図に太い実線で示す。共振周波数近傍では、周
波数を上げるに従い、スミスインピータンス図表の外枠
に沿ってインピーダンスが急激に右回りに回転する軌跡
を描く、第10図(a)。
例を第9図に太い実線で示す。共振周波数近傍では、周
波数を上げるに従い、スミスインピータンス図表の外枠
に沿ってインピーダンスが急激に右回りに回転する軌跡
を描く、第10図(a)。
(b)にはそれぞれ共振器5.6のりアクタンスを周波
数の関数として示している。第9図中の周波数f1〜f
4 (f、<f、<f、<f4)は第10図(alのf
1〜f、に相当する。つまり共振器5゜6は共振周波数
近傍において、低い周波数側で誘導性、高い周波数側で
容量性リアクタンスを呈することを示している。そこで
、ゲート端子2側に接続した共振器5の共振周波数をソ
ース端子3側の共振器6に比較し高くすることによりゲ
ート側が誘導性、ソース側が容量性となるようにできる
。
数の関数として示している。第9図中の周波数f1〜f
4 (f、<f、<f、<f4)は第10図(alのf
1〜f、に相当する。つまり共振器5゜6は共振周波数
近傍において、低い周波数側で誘導性、高い周波数側で
容量性リアクタンスを呈することを示している。そこで
、ゲート端子2側に接続した共振器5の共振周波数をソ
ース端子3側の共振器6に比較し高くすることによりゲ
ート側が誘導性、ソース側が容量性となるようにできる
。
この領域を第10図(a)、 (bl中に斜線で示す。
この領域のうち発振条件の第(31,(41式とも満足
する周波数は一点でありこれを白丸で示す。
する周波数は一点でありこれを白丸で示す。
2つのフェリ磁性体球発振器5.6の共振周波数差の設
定は、フェリ磁性体球が単結晶であることによる磁気異
方性を利用し、直流磁界の方向に対し、2つのフェリ磁
性体球共振器5.6の結晶軸の方向を変えることにより
行われる。なお、球状であるため、直流磁界および高周
波磁界はフェリ磁性体内で均一な分布となり、結晶軸が
同一方向であれば、共振周波数は直径や飽和磁束密度に
よらない。
定は、フェリ磁性体球が単結晶であることによる磁気異
方性を利用し、直流磁界の方向に対し、2つのフェリ磁
性体球共振器5.6の結晶軸の方向を変えることにより
行われる。なお、球状であるため、直流磁界および高周
波磁界はフェリ磁性体内で均一な分布となり、結晶軸が
同一方向であれば、共振周波数は直径や飽和磁束密度に
よらない。
これら共振周波数差をもつ2つの共振器5,6に同一の
直流磁界を印加し、この直流磁界の強さを変化させると
、一定の共振周波数差を保ちつつ、共振周波数が変化し
、広い周波数範囲にわたり発振動作が得られる。IEE
E Trans、 Vol、MTT−28,No。
直流磁界を印加し、この直流磁界の強さを変化させると
、一定の共振周波数差を保ちつつ、共振周波数が変化し
、広い周波数範囲にわたり発振動作が得られる。IEE
E Trans、 Vol、MTT−28,No。
7、July 1980. pp、762−767など
に報告されている1つの共振器を用いる同調形見振器は
、発振帯域がせいぜい1オクターブであるのに対し、こ
こで説明している2つの共振器5,6を用いた同調形光
振器では、2オクタ一ブ以上の発振帯域が得られる特長
がある。
に報告されている1つの共振器を用いる同調形見振器は
、発振帯域がせいぜい1オクターブであるのに対し、こ
こで説明している2つの共振器5,6を用いた同調形光
振器では、2オクタ一ブ以上の発振帯域が得られる特長
がある。
従来の同調形光振器は以上のようにフェリ磁性体球共振
器5.6、結合ループ7.8、誘電体棒11を立体的に
構成しなければならず、集積化、量産化に適さず、機械
的強度も弱いという欠点があった。また、2つのフェリ
磁性体球共振器5゜6の共振周波数差を所定の値にする
ためには、1台毎に誘電体ロッド11を回転して結晶軸
方向を見つけ、傾き角を調整する必要があり、価格が高
くなるという欠点があった。
器5.6、結合ループ7.8、誘電体棒11を立体的に
構成しなければならず、集積化、量産化に適さず、機械
的強度も弱いという欠点があった。また、2つのフェリ
磁性体球共振器5゜6の共振周波数差を所定の値にする
ためには、1台毎に誘電体ロッド11を回転して結晶軸
方向を見つけ、傾き角を調整する必要があり、価格が高
くなるという欠点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、集積化、量産化に適し、機械的強度が強く、
低価格化が図れる同調形光振器を得ることを目的とする
。
たもので、集積化、量産化に適し、機械的強度が強く、
低価格化が図れる同調形光振器を得ることを目的とする
。
この発明に係る同調形光振器は、共振器として静磁波の
共振周波数が互いに異なる2個のフェリ磁性体薄膜を用
いたものであり、共振器の外形寸法、膜厚寸法、飽和磁
化または薄膜表面やその近傍に配置する導体の形状によ
り共振周波数差を与えるようにしたものである。
共振周波数が互いに異なる2個のフェリ磁性体薄膜を用
いたものであり、共振器の外形寸法、膜厚寸法、飽和磁
化または薄膜表面やその近傍に配置する導体の形状によ
り共振周波数差を与えるようにしたものである。
この発明における同調形光振器は、フェリ磁性体薄膜共
振器を用いることにより組立てが容易になり、かつ平面
的に構成できるとともに共振周波数差の調整が不要とな
る。
振器を用いることにより組立てが容易になり、かつ平面
的に構成できるとともに共振周波数差の調整が不要とな
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図(a)において、1〜4.9,10.12〜14
は従来と同じもの、15.16はそれぞれゲート端子2
、ソース端子3に接続されるフェリ磁性体薄膜共振器、
17はフェリ磁性体薄膜を液相成長させるために用いら
れかつフェリ磁性体薄膜を保持するための誘電体基板、
1Bはフェリ磁性体薄膜共振器15.16の表面に蒸着
した導体膜をフォトリソグラフィーなどにより形成した
ストリップ導体、19はストリップ導体18の先端を接
地するための接地用導体である。
は従来と同じもの、15.16はそれぞれゲート端子2
、ソース端子3に接続されるフェリ磁性体薄膜共振器、
17はフェリ磁性体薄膜を液相成長させるために用いら
れかつフェリ磁性体薄膜を保持するための誘電体基板、
1Bはフェリ磁性体薄膜共振器15.16の表面に蒸着
した導体膜をフォトリソグラフィーなどにより形成した
ストリップ導体、19はストリップ導体18の先端を接
地するための接地用導体である。
第1図(b)は第1図(a)のA−A断面図であり、2
0は誘電体基板17に蒸着された地導体膜である。
0は誘電体基板17に蒸着された地導体膜である。
なお、この構造図では、フェリ磁性体薄膜共振器15.
16に直流磁界を印加するための磁気回路を省略してい
る。
16に直流磁界を印加するための磁気回路を省略してい
る。
発振動作原理および発振条件は従来と同様である。また
、フェリ磁性体薄膜共振器15.16のりアクタンスを
発振条件を満たすようにそれぞれ誘導性、容量性とする
必要があることも同様である。
、フェリ磁性体薄膜共振器15.16のりアクタンスを
発振条件を満たすようにそれぞれ誘導性、容量性とする
必要があることも同様である。
第2図にフェリ磁性体薄膜共振器15または16の一例
を示す、ストリップ導体18を流れる高周波電流により
ストリップ導体18の周囲に高周波磁界が誘起される。
を示す、ストリップ導体18を流れる高周波電流により
ストリップ導体18の周囲に高周波磁界が誘起される。
この高周波磁界は静磁波の高周波磁界と結合し、フェリ
磁性体薄膜共振器15または16の一辺の長さのほぼ2
倍の波長の静磁波が存在する周波数で静磁波が共振する
。この共振器15.16のストリップ導体18の一端を
第1図中に示すように接地用導体19により接地した場
合、他端から見たインピーダンスは第9図と同様になる
。したがって従来用いているフェリ磁性体球共振器5.
6をフェリ磁性体薄膜共振器15.16で置き換えに本
実施例においても、従来と同様の性能を有する同調形光
振器が構成される。
磁性体薄膜共振器15または16の一辺の長さのほぼ2
倍の波長の静磁波が存在する周波数で静磁波が共振する
。この共振器15.16のストリップ導体18の一端を
第1図中に示すように接地用導体19により接地した場
合、他端から見たインピーダンスは第9図と同様になる
。したがって従来用いているフェリ磁性体球共振器5.
6をフェリ磁性体薄膜共振器15.16で置き換えに本
実施例においても、従来と同様の性能を有する同調形光
振器が構成される。
そして本実施例の従来のフェリ磁性体球共振器5.6と
異なる点は共振周波数に差を与える方法にある。従来の
共振器5.6は前記の通り球形状であるため、その共振
周波数は、印加直流磁界によって決定され、直径や飽和
磁化にはよらなかった。一方、本発明で用いるフェリ磁
性体薄膜共振器15.16は形状自体が異方性であるた
め均一な高周波磁界をもつモード分布は存在できず、静
磁波の共振周波数は、印加直流磁界の他に、外形寸法、
薄膜の厚さ、飽和磁化、および薄膜表面またはその近傍
に配置される導体の形状によって決定される。一般に、
外形寸法を小さく、薄膜の厚さを厚り、飽和磁化を小さ
く、または薄膜近傍の導体の面積を広くすると共振周波
数は高くなる。
異なる点は共振周波数に差を与える方法にある。従来の
共振器5.6は前記の通り球形状であるため、その共振
周波数は、印加直流磁界によって決定され、直径や飽和
磁化にはよらなかった。一方、本発明で用いるフェリ磁
性体薄膜共振器15.16は形状自体が異方性であるた
め均一な高周波磁界をもつモード分布は存在できず、静
磁波の共振周波数は、印加直流磁界の他に、外形寸法、
薄膜の厚さ、飽和磁化、および薄膜表面またはその近傍
に配置される導体の形状によって決定される。一般に、
外形寸法を小さく、薄膜の厚さを厚り、飽和磁化を小さ
く、または薄膜近傍の導体の面積を広くすると共振周波
数は高くなる。
第1図に示す実施例は、ストリップ導体18の長さ方向
のフェリ磁性体薄膜共振器15.16の寸法を変えた例
である。また薄膜近傍の導体の面積を変える方法として
共振器15.16上に配置しているストリップ導体18
の幅を変えてもよい。
のフェリ磁性体薄膜共振器15.16の寸法を変えた例
である。また薄膜近傍の導体の面積を変える方法として
共振器15.16上に配置しているストリップ導体18
の幅を変えてもよい。
従来のフエ’)磁性体球共振器5,6、結合ループ7.
8、誘電体棒11を立体的に構成したものに比較し、本
実施例によるフェリ磁性体薄膜共振器15.16はこれ
を平面的に配置できるため、集積化、量産化に適し、機
械的強度の向上が図れる。また共振周波数差は、共振器
15.16の外形寸法、薄膜の厚さ、飽和磁化または薄
膜近傍の導体寸法を精度良く加工、製造できるため、量
産時に個々に調整する必要は無く、低価格化を図ること
ができる。
8、誘電体棒11を立体的に構成したものに比較し、本
実施例によるフェリ磁性体薄膜共振器15.16はこれ
を平面的に配置できるため、集積化、量産化に適し、機
械的強度の向上が図れる。また共振周波数差は、共振器
15.16の外形寸法、薄膜の厚さ、飽和磁化または薄
膜近傍の導体寸法を精度良く加工、製造できるため、量
産時に個々に調整する必要は無く、低価格化を図ること
ができる。
第3図は本発明の他の実施例を示すもので、これでは1
つの誘電体基板17上に2つのフェリ磁性体薄膜共振器
15.16をリン酸エツチングを利用したフォトリソグ
ラフィーなどで作成している。このため、上記実施例と
同様の効果の他、部品点数が少なくなるという効果が得
られる。
つの誘電体基板17上に2つのフェリ磁性体薄膜共振器
15.16をリン酸エツチングを利用したフォトリソグ
ラフィーなどで作成している。このため、上記実施例と
同様の効果の他、部品点数が少なくなるという効果が得
られる。
第4図は本発明のさらに他の実施例を示すもので、これ
は2個のフェリ磁性体薄膜共振器、3端子能動素子、整
合回路、およびこれらを接続する線路等のすべての素子
をガリウム砒素などの1つの基板21上に形成している
。本実施例では集積度、量産性、機械的強度がさらに向
上し、かつ、価格をさらに下げることができる。また接
続部の物理的寸法が小さくなるため、発振帯域の高周波
数側を拡大できる効果がある。
は2個のフェリ磁性体薄膜共振器、3端子能動素子、整
合回路、およびこれらを接続する線路等のすべての素子
をガリウム砒素などの1つの基板21上に形成している
。本実施例では集積度、量産性、機械的強度がさらに向
上し、かつ、価格をさらに下げることができる。また接
続部の物理的寸法が小さくなるため、発振帯域の高周波
数側を拡大できる効果がある。
なお上記実施例では、矩形のフェリ磁性体薄膜共振器を
用いた場合を示したが、該共振器の形状としては円形や
だ円形等を用いても良い。また、能動素子としてFET
を用いた場合を示したが、バイポーラトランジスタを用
いても良い。
用いた場合を示したが、該共振器の形状としては円形や
だ円形等を用いても良い。また、能動素子としてFET
を用いた場合を示したが、バイポーラトランジスタを用
いても良い。
なお、以上のことから本発明の実施態様としては、以下
のものが考えられる。
のものが考えられる。
(2)2個のフェリ磁性体薄膜共振器の外形寸法差によ
り共振周波数差を与えたことを特徴とする請求項1記載
の同調形光振器。
り共振周波数差を与えたことを特徴とする請求項1記載
の同調形光振器。
(3)2個のフェリ磁性体薄膜共振器の膜厚寸法差によ
り共振周波数差を与えたことを特徴とする請求項1記載
の同調形光振器。
り共振周波数差を与えたことを特徴とする請求項1記載
の同調形光振器。
(4)2個のフェリ磁性体薄膜共振器の飽和磁化を変え
ることにより共振周波数差を与えたことを特徴とする請
求項1記載の同調形光振器。
ることにより共振周波数差を与えたことを特徴とする請
求項1記載の同調形光振器。
(5)2個のフェリ磁性体薄膜共振器の薄膜表面、また
はその近傍に異なる形状の導体を配置することにより共
振周波数差を与えたことを特徴とする請求項1記載の同
調形光振器。
はその近傍に異なる形状の導体を配置することにより共
振周波数差を与えたことを特徴とする請求項1記載の同
調形光振器。
(6)2個のフェリ磁性体薄膜共振器を1つの誘電体基
板上にフォトリソグラフィなどで製作したことを特徴と
する請求項1記載の同調形光振器。
板上にフォトリソグラフィなどで製作したことを特徴と
する請求項1記載の同調形光振器。
(7)2個のフェリ磁性体薄膜共振器、3端子能動素子
、整合回路、およびこれらを接続する線路を同一基板上
に形成したことを特徴とする請求項1記載の同調形光振
器。
、整合回路、およびこれらを接続する線路を同一基板上
に形成したことを特徴とする請求項1記載の同調形光振
器。
以上のようにこの発明によれば、精度良く共振周波数差
を設定できる2つのフェリ磁性体薄膜共振器を用いて同
調形光振器を構成したので、集積化、量産化に適したも
のが得られ、また、機械的強度を向上できるとともに低
価格化を実現できる効果がある。
を設定できる2つのフェリ磁性体薄膜共振器を用いて同
調形光振器を構成したので、集積化、量産化に適したも
のが得られ、また、機械的強度を向上できるとともに低
価格化を実現できる効果がある。
第1図(a)、 (′blはこの発明の一実施例による
同調形光振器を示す平面図及び断面図、第2図はこの発
明に用いるフェリ磁性体薄膜共振器を示す斜視図、第3
図、第4図はそれぞれこの発明の他の実施例及びさらに
他の実施例を示す平面図、第5図は従来の同調形光振器
を示す構成図、第6図は従来の同調形光振器の平面図、
第7図は第6図のA−A断面図、第8図は同調形光振器
の等価回路図、第9図はフェリ磁性体薄膜または球共振
器のインピーダンス特性を示すスミスインピーダンス図
表を示す図、第10図(al、 (b)はそれぞれゲー
ト端子、ソース端子に接続される共振器のりアクタンス
の周波数特性を示す図である。 1は能動素子、2はゲート端子、3はソース端子、4は
ドレイン端子、5,6はフェリ磁性体球共振器、7.8
は結合ループ、9は整合回路、10は負荷抵抗、11は
誘電体棒、12は誘電体基板、13は地導体、14は導
体ワイヤ、15,16はフェリ磁性体薄膜共振器、17
は誘電体基板、18はストリップ導体、19は接地用導
体、20は地導体膜、21は基板である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
同調形光振器を示す平面図及び断面図、第2図はこの発
明に用いるフェリ磁性体薄膜共振器を示す斜視図、第3
図、第4図はそれぞれこの発明の他の実施例及びさらに
他の実施例を示す平面図、第5図は従来の同調形光振器
を示す構成図、第6図は従来の同調形光振器の平面図、
第7図は第6図のA−A断面図、第8図は同調形光振器
の等価回路図、第9図はフェリ磁性体薄膜または球共振
器のインピーダンス特性を示すスミスインピーダンス図
表を示す図、第10図(al、 (b)はそれぞれゲー
ト端子、ソース端子に接続される共振器のりアクタンス
の周波数特性を示す図である。 1は能動素子、2はゲート端子、3はソース端子、4は
ドレイン端子、5,6はフェリ磁性体球共振器、7.8
は結合ループ、9は整合回路、10は負荷抵抗、11は
誘電体棒、12は誘電体基板、13は地導体、14は導
体ワイヤ、15,16はフェリ磁性体薄膜共振器、17
は誘電体基板、18はストリップ導体、19は接地用導
体、20は地導体膜、21は基板である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)共振周波数が可変な2個の共振器と能動素子より
構成され、上記共振周波数を変化させる手段と、発振出
力を取り出す手段を備えた同期形発振器において、 上記共振器として静磁波の共振周波数が互いに異なる2
個のフェリ磁性体薄膜共振器を用いたことを特徴とする
同調形発振器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23951888A JPH0287705A (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 同調形発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23951888A JPH0287705A (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 同調形発振器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0287705A true JPH0287705A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17045990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23951888A Pending JPH0287705A (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 同調形発振器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0287705A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54144855A (en) * | 1978-05-03 | 1979-11-12 | Thomson Csf | Singleemode tunable oscillator |
JPS55100702A (en) * | 1979-01-26 | 1980-07-31 | Thomson Csf | Microwave oscillator |
JPS60257607A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-19 | Sony Corp | 同調発振器 |
JPS61105909A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-24 | トムソン‐セエスエフ | ジヤイロ磁気共振器を有する超高周波発振器 |
-
1988
- 1988-09-24 JP JP23951888A patent/JPH0287705A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54144855A (en) * | 1978-05-03 | 1979-11-12 | Thomson Csf | Singleemode tunable oscillator |
JPS55100702A (en) * | 1979-01-26 | 1980-07-31 | Thomson Csf | Microwave oscillator |
JPS60257607A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-19 | Sony Corp | 同調発振器 |
JPS61105909A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-24 | トムソン‐セエスエフ | ジヤイロ磁気共振器を有する超高周波発振器 |
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