JPH0287523A - Method and equipment for bevelling semiconductor wafer notch - Google Patents

Method and equipment for bevelling semiconductor wafer notch

Info

Publication number
JPH0287523A
JPH0287523A JP23892488A JP23892488A JPH0287523A JP H0287523 A JPH0287523 A JP H0287523A JP 23892488 A JP23892488 A JP 23892488A JP 23892488 A JP23892488 A JP 23892488A JP H0287523 A JPH0287523 A JP H0287523A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
notch
semiconductor wafer
wafer
grindstone
whetstone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP23892488A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2541844B2 (en
Inventor
Toshio Sekikawa
利夫 関川
Kenichi Yoshihara
吉原 研一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority to JP63238924A priority Critical patent/JP2541844B2/en
Publication of JPH0287523A publication Critical patent/JPH0287523A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2541844B2 publication Critical patent/JP2541844B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a semiconductor wafer wherein cutouts do not generate in a notch part formed on the external periphery by bevelling the upper and the lower peripheries of the notch part formed on a part of the external periphery of a semiconductor wafer. CONSTITUTION:When either one of a whetstone 89 and a wafer W is moved, bevelling surfaces W1, W2 of a wafer notch part Wa are turned into concaved surfaces whose curvatures are equal to that of the external periphery of the whetstone 89. When the wafer W is moved together with whetstone 89, the bevelling surfaces W1, W2 of the water notch part Wa can be made a flat surface. The semiconductor wafer W, whose notch part Wa is bevelled, is subjected to bevelling of the upper and the lower peripheral edges of the external periphery by an external periphery abrasion part. The semiconductor wafer, whose notch part is subjected to bevelling process in addition to the external peripheral edge, does not generated cutouts even when the notch part Wa is engaged with a positioning pin in the course of device manufacturing process of the like.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、その外周部に形成されたノツチ部を面取りし
て成る半導体ウェーハと、該半導体ウェーハのノツチ部
の面取り方法及び面取り装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a semiconductor wafer having a notch formed on its outer periphery chamfered, and a method and a chamfering apparatus for chamfering the notch of the semiconductor wafer.

(従来の技術) 半導体電子装置の基板として用いられる半導体ウェーハ
は、例えばシリコン等の単結晶インゴットをその棒軸方
向に略直角にスライスし、スライスによって得られた薄
円板状のものに対して更にラッピング、エツチング、ポ
リッシング等の加工を施すことによって得られるが、通
常、その外周の一部には結晶性の方向を示すための、或
はオプティカルパターンの位置決め等のためのオリエン
テーション・フラットか形成される。このオリエンテー
ション・フラットは半導体ウェーハの外周の一部を直線
的に切り取ることによって形成されるため、この切り取
られた部分は半導体装置として使用することかてきず、
該ウェーハ上に作成される有効チップ数の減少を来たす
(Prior Art) Semiconductor wafers used as substrates for semiconductor electronic devices are produced by slicing a single crystal ingot of silicon or the like at approximately right angles to the rod axis direction, and then slicing the resulting thin disk-shaped wafer. It can be obtained by further processing such as lapping, etching, polishing, etc., but usually an orientation flat is formed on a part of the outer periphery to indicate the direction of crystallinity or to position an optical pattern. be done. This orientation flat is formed by cutting out part of the outer periphery of the semiconductor wafer in a straight line, so this cut out part cannot be used as a semiconductor device.
This results in a reduction in the effective number of chips produced on the wafer.

そこて、別の方法として半導体ウェーハの外周の一部に
小さなノツチ部を形成し、このノツチ部をオプティカル
パターンの位置決め等の基準とする方法か提案されてい
る(例えば、特開昭62−239517号公報参照)。
Therefore, as another method, a method has been proposed in which a small notch is formed in a part of the outer periphery of a semiconductor wafer and this notch is used as a reference for positioning an optical pattern, etc. (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 62-239517 (see publication).

ところて、゛ト導体ウェーハの素材であるシリコン、G
GG、リチウムタンタレート等は非常に堅くて脆い上、
単結晶であるため、特定の結晶軸方向に割れ易い。又、
近年、ウェーハ製造工程及びデバイス製造工程において
は自動化か進んでおり、ウェーハはそれらの工程中にラ
イン上を何回も搬送されるため、これの外周縁に面取り
加工を施さなければ、欠けやチップか発生し、欠けたシ
リコン等の粉かゴミや埃と同様にデバイスの特性劣化や
収率低下を引き起こす。このため、従来から半導体ウェ
ーハのオリエンテーション・フラットを含む外周縁に対
して面取り加工か施されている。
By the way, silicon, which is the material of conductor wafers,
GG, lithium tantalate, etc. are extremely hard and brittle, and
Since it is a single crystal, it is prone to cracking in specific crystal axis directions. or,
In recent years, automation has advanced in the wafer manufacturing process and device manufacturing process, and wafers are transported on the line many times during these processes. This causes deterioration of device characteristics and yield reduction in the same way as chipped silicon powder, dirt, and dust. For this reason, chamfering has conventionally been applied to the outer peripheral edge of a semiconductor wafer, including the orientation flat.

(発明か解決しようとする課題) しかしながら、前記提案に係る半導体ウェーハ、即ちそ
の外周にノツチ部を形成して成る半導体ウェーハにあっ
ては、そのノツチ部に対しては面取り加工か全く施され
ないため、デバイス製造工程等においてこのノツチ部を
位置決めピンに係合させたときに該ノツチ部に欠けか発
生して前述の問題か生ずる。
(Problem to be solved by the invention) However, in the semiconductor wafer according to the above proposal, that is, the semiconductor wafer having a notch formed on its outer periphery, the notch is not chamfered at all. When this notch portion is engaged with a positioning pin in a device manufacturing process or the like, chipping occurs in the notch portion, resulting in the above-mentioned problem.

本発明は上記問題に鑑みてなされたものて、その目的を
する処は、外周に形成されたノツチ部に欠は等が生しる
ことかない半導体ウェーハを提供するにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and its object is to provide a semiconductor wafer in which no cracks or the like occur in the notch portion formed on the outer periphery.

又、本発明の目的とする処は、半導体ウェーハに形成さ
れたノツチ部に対して一度に効率良く面取り加工を施す
ことがてきるノツチ面取り方法及びその装置を提供する
にある。
Another object of the present invention is to provide a notch chamfering method and an apparatus therefor that can efficiently chamfer a notch formed on a semiconductor wafer at once.

(課題を解決するための手段) 上記目的を達成すべく本発明は、半導体ウェーハの外周
部の一部に形成されたノツチ部の上下周縁を面取りする
ことを特徴とする。
(Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, the present invention is characterized in that the upper and lower peripheral edges of a notch portion formed in a part of the outer peripheral portion of a semiconductor wafer are chamfered.

又、本発明は半導体ウェーハの外周部に形成されたノツ
チ部の中心線上に、該ノツチ部の形状に対応する断面形
状を有する凸部を設けて成る砥石の該凸部の頂部を通る
砥石幅方向の中心線を一致せしめるとともに、該砥石の
回転中心を半導体ウェーハの水平面に対して上方又は下
方に位置せしめ、同砥石を回転させなから当該砥石又は
半導体ウェーハの少なくとも一方を移動させて砥石を半
導体ウェーハのノツチ部に当接せしめ、該ノツチ部の−
に下周縁の面取りを行なうようにしたことを特徴とする
The present invention also provides a grinding wheel having a protrusion having a cross-sectional shape corresponding to the shape of the notch on the center line of a notch formed on the outer periphery of a semiconductor wafer. While aligning the center lines of the directions, the center of rotation of the grindstone is positioned above or below the horizontal plane of the semiconductor wafer, and without rotating the grindstone, at least one of the grindstone or the semiconductor wafer is moved to rotate the grindstone. The notch part of the semiconductor wafer is brought into contact with the notch part, and the -
It is characterized in that the lower peripheral edge is chamfered.

更に1本発明は半導体ウェーハの外周部に形成されたノ
ツチ部を所定方向に位置決めする位置決め手段と、該位
置決めされた半導体ウェーハを加工位置まて搬送する搬
送手段と、加工位置に搬送された該半導体ウェーハを挟
持してこれを移動せしめる移動手段と、半導体ウェーハ
のノツチ部の形状に対応する断面形状を有する凸部を設
けて成る砥石と、該砥石を回転駆動する駆動手段と、同
砥石又は半導体ウェーハの少なくとも一方を移動せしめ
る移動手段を含んてノツチ面取り装置を構成したことを
特徴とする。
Furthermore, the present invention provides a positioning means for positioning a notch formed on the outer periphery of a semiconductor wafer in a predetermined direction, a transport means for transporting the positioned semiconductor wafer to a processing position, and a transport means for transporting the positioned semiconductor wafer to a processing position. A moving means for holding and moving a semiconductor wafer, a grinding wheel provided with a convex portion having a cross-sectional shape corresponding to the shape of a notch portion of the semiconductor wafer, a driving means for rotationally driving the grinding wheel, and a grinding wheel or The notch chamfering apparatus is characterized in that it includes a moving means for moving at least one of the semiconductor wafers.

(作用) 位置決め手段によって半導体ウェーハのノツチ部を所定
方向に位置決めした後、この半導体ウェーハを搬送手段
によって加工位置まて搬送すれば、該半導体ウェーハの
ノツチ部の中心線上に砥石の凸部の頂部を通る中心線か
一致する。そして、移動手段によって該半導体ウェーハ
を挟持してこれを移動させて砥石の回転中心を半導体ウ
ェーハの水平面に対して上方に位置せしめ、砥石を駆動
手段によって回転させながら移動手段によって該砥石又
はウェーハを移動させれば、ウェーハのノツチ部に砥石
の凸部か当接し、該ノツチ部の上部周縁が面取りされる
。これに対して砥石の回転中心をウェーハの水平面に対
して下方に位置せしめて上記と同様の作用を繰り返せば
、ノツチ部の下部周縁か面取りされる。この場合、砥石
の凸部の断面形状はウェーハのノツチ部の形状に対応し
ているため、この砥石の凸部はノツチ部の上下周縁に接
触し、ノツチ部の面取りか一度に能率良くなされる。
(Function) After the notch of the semiconductor wafer is positioned in a predetermined direction by the positioning means, if the semiconductor wafer is transported to the processing position by the transport means, the top of the protrusion of the grinding wheel will be placed on the center line of the notch of the semiconductor wafer. The center line passing through or coincides with. Then, the semiconductor wafer is held and moved by the moving means so that the center of rotation of the grindstone is positioned above the horizontal plane of the semiconductor wafer, and while the grindstone is rotated by the drive means, the grindstone or the wafer is moved by the moving means. When the grinding wheel is moved, the protrusion of the grindstone comes into contact with the notch of the wafer, and the upper peripheral edge of the notch is chamfered. On the other hand, if the center of rotation of the grindstone is positioned below the horizontal plane of the wafer and the same operation as described above is repeated, the lower peripheral edge of the notch portion will be chamfered. In this case, since the cross-sectional shape of the convex part of the grinding wheel corresponds to the shape of the notch part of the wafer, the convex part of the whetstone comes into contact with the upper and lower peripheral edges of the notch part, and the chamfering of the notch part can be efficiently done all at once. .

尚、上記のように半導体ウェーハ又は砥石の何れか一方
を静止させておき、他方を移動させると、ウェーハノツ
チ部の面取り面は砥石外周の曲率に等しい曲率の凹曲面
となるか、ウェーハと砥石を同面に移動させるようにす
れば、ウェーバノツチ部の面取り面を平面とすることが
できる。
Note that if either the semiconductor wafer or the grinding wheel is kept stationary as described above and the other is moved, the chamfered surface of the wafer notch becomes a concave curved surface with a curvature equal to the curvature of the outer periphery of the grinding wheel, or the wafer and the grinding wheel are separated. If they are moved in the same plane, the chamfered surface of the waver notch can be made flat.

斯くて、そのノツチ部にも面取りを施された半導体ウェ
ーハにおいては、位置決めに際してノツチ部を位置決め
ピンに係合させても欠けが生ずることかなく、欠けに伴
って生じていた前述の問題か有効に解消される。
Therefore, in semiconductor wafers whose notches are also chamfered, no chips occur even when the notches are engaged with positioning pins during positioning, and the above-mentioned problem caused by chipping is solved. It will be resolved in

(実施例) 以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。(Example) Embodiments of the present invention will be described below based on the accompanying drawings.

第1図は本発明に係るノツチ面取り装置の全体構成を示
す平面図であり、頚部取り装置は、ウェーハローダ一部
A、厚み測定部B、入ロコンベア部C、ハンドソングア
ーム部D、ウェーハアライメント部E、研削ロープイン
ク部F、ワーク台部G、ノツチ研削部H及び外周研削部
Iを含んで構成されるか、以下には頚部取り装置の主要
部を構成するウェーハアライメント部E、研削ローディ
ング部F、ワーク台部G及びノツチ研削部Hの構成の詳
細を説明する。
FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a notch chamfering device according to the present invention, and the neck chamfering device includes a wafer loader part A, a thickness measuring part B, an input conveyor part C, a handsong arm part D, and a wafer alignment part. It consists of a section E, a grinding rope ink section F, a work table section G, a notch grinding section H, and an outer periphery grinding section I, or the wafer alignment section E, which constitutes the main parts of the neck removal device, and the grinding loading section. The details of the configurations of section F, work table section G, and notch grinding section H will be explained.

先ず、ウェーハアライメント部Eの構成を第2図及び第
3図に基づいて説明する。第2図はウェーハアライメン
ト部Eの平面図、第3図は同側面図であり1図中、lは
ノツチ検出部てあって、これは垂直に起立するベース2
の上部に取り付けられている。ベース2の上部からは2
木のガイドバー3,3か水平に延出しており、これらガ
イドバー3.3にはスライダ一部材4か水平移動自在に
挿通保持されており、該スライダ一部材4の先部には凹
部5aを有するセンサー保持部材5か取り付けられてい
る。そして、このセンサー保持部材5の凹部5aの上下
には光電センサーを構成する3個の素子(図示せず)か
それぞれ幅方向に配列されて埋設されており、これら素
子からは光ファイバー9・・・、10・・・か導出して
いる。
First, the configuration of the wafer alignment section E will be explained based on FIGS. 2 and 3. Fig. 2 is a plan view of the wafer alignment section E, and Fig. 3 is a side view of the same.
is attached to the top of the. 2 from the top of base 2
Wooden guide bars 3, 3 extend horizontally, into which a slider member 4 is inserted and held so as to be horizontally movable, and at the tip of the slider member 4 is a recess 5a. A sensor holding member 5 having a diameter is attached to the sensor holding member 5. Three elements (not shown) constituting a photoelectric sensor are arranged in the width direction and buried in the upper and lower parts of the recess 5a of the sensor holding member 5, and optical fibers 9... , 10... are derived.

又、上記スライダ一部材4には軸受部材11とナツト部
材12か結着されており、ナツト部材12にはベース2
に取り付けられたモーター13から延出するネジ軸14
か螺合挿通しており、該ネジ軸14の端部は前記軸受部
材11によって回転自在に支持されている。
Further, a bearing member 11 and a nut member 12 are connected to the slider member 4, and a base 2 is connected to the nut member 12.
A screw shaft 14 extending from a motor 13 attached to
The end of the screw shaft 14 is rotatably supported by the bearing member 11.

一方、−h記ノツチ検出部1の近傍にはアライメント機
構20か設けられており、該アライメント機構20は不
図示の駆動手段によって同量たけ互いに接離するアライ
メント部材21.21を有している。各アライメント部
材21はその延長線か互いに直角に交わる斜面21a、
21aをその内側に有しており、その斜面21a、21
a近傍には複数個の回転可能なゴムローラー22・・・
か斜面21a、21aから幾分突出するようにして取り
付けられている。
On the other hand, an alignment mechanism 20 is provided in the vicinity of the notch detection unit 1 described in -h, and the alignment mechanism 20 has alignment members 21 and 21 that move toward and away from each other by the same amount by a driving means (not shown) . Each alignment member 21 has an extension line thereof or a slope 21a that intersects each other at right angles,
21a on its inside, and its slopes 21a, 21
A plurality of rotatable rubber rollers 22 are provided near a.
They are attached so as to protrude somewhat from the slopes 21a, 21a.

次に、前記研削ロープインク部Fの詳細を第4図乃至第
6図に基づいて説明する。尚、第4図は研削ローディン
グ部Fの平面図、第5図は第4図のV−V線断面図、第
6図は第4図のVl−vryJ断面図である。
Next, details of the grinding rope ink section F will be explained based on FIGS. 4 to 6. 4 is a plan view of the grinding loading portion F, FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV in FIG. 4, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line Vl-vryJ in FIG. 4.

図中、30.30は前記ワーク台部G(第1図参照)に
向かって敷設された互いに平行な2本のレールであって
、これらレール30.30上には搬送部材31か摺動自
在に載置されており、該搬送部材31の下部に取付けら
れたナツト部材32にはモーター33によって回転駆動
されるネジ軸34か螺合挿通している。尚、このネジ@
34はレール30.30の中間にこれらと平行に配され
ており、その一端はカップリング35を介して前記モー
ター33の出力軸33aに連結されており、これはベア
リング36,36.37を介して軸受部材38.39に
回転自在に支承されている。又、前記搬送部材31の先
部には円板状のワーク保持部材40かベアリンク41を
介して水平回転自在に保持されており、該ワーク保持部
材40の上面には大小の円形溝40a、40bとこれら
内円形溝40a、40bを連通せしめる4本の放射線状
溝40c・・・か形成されている。そして、円形溝40
a、40b及び放射線状溝40c・・・は不図示の真空
源に連通せしめられている。
In the figure, reference numerals 30 and 30 indicate two mutually parallel rails laid toward the work table G (see FIG. A screw shaft 34 rotated by a motor 33 is threaded into a nut member 32 attached to the lower part of the conveying member 31 . Furthermore, this screw @
34 is disposed parallel to these in the middle of the rails 30.30, and one end thereof is connected to the output shaft 33a of the motor 33 via a coupling 35, which is connected via bearings 36, 36.37. It is rotatably supported by bearing members 38 and 39. Further, a disk-shaped work holding member 40 is held at the tip of the conveying member 31 so as to be horizontally rotatable via a bear link 41, and the upper surface of the work holding member 40 is provided with large and small circular grooves 40a, Four radial grooves 40c are formed to communicate the inner circular grooves 40b and the inner circular grooves 40a and 40b. And the circular groove 40
a, 40b and the radial grooves 40c... are communicated with a vacuum source (not shown).

尚、ワーク保持部材40の下面にはプーリー45か結着
されている。
Note that a pulley 45 is connected to the lower surface of the workpiece holding member 40.

更に、ワーク保持部材40の先端部に一体に突出する突
起40eには3つの円孔46a。
Further, a protrusion 40e that integrally projects from the tip of the workpiece holding member 40 has three circular holes 46a.

46b、46cか穿設されており、その1つの円孔46
aには位置決めピン47か差し込まれて保持されている
46b, 46c are drilled, one circular hole 46
A positioning pin 47 is inserted and held in a.

一方、ワーク保持部材40の後部にはモーター48か垂
直に固設されており、該モーター48の出力@ 48 
aに結着されたプーリー49とワーク保持部材40に結
着された前記プーリー45との間にはベルト50か巻き
掛けられている。尚、搬送部材31の上面には上記ベル
ト50が通るべき直線溝40f、40fか形成されてい
る。
On the other hand, a motor 48 is vertically fixed at the rear of the workpiece holding member 40, and the output of the motor 48 is
A belt 50 is wound around between the pulley 49 connected to a and the pulley 45 connected to the workpiece holding member 40. Incidentally, on the upper surface of the conveying member 31, linear grooves 40f, 40f are formed through which the belt 50 passes.

次に、前記ワーク台部Gに設けられるワーク保持・移動
手段の構成を第7図の側断面図に基づいて説明する。
Next, the configuration of the workpiece holding/moving means provided on the workpiece platform G will be explained based on the side sectional view of FIG. 7.

即ち、第7図において51.52はワークを挟持すべき
フランジ状のチャック治具てあって、これらチャック治
具51,52は軸53の下端、軸54の上端にそれぞれ
結着されており、それぞれの相対向する面にはワークを
真空吸着すべき溝51a、52aか形成されており、こ
れら溝51a、52aは@53.54に各々形成された
通気孔55.56を介して不図示の真空源に連通せしめ
られている。
That is, in FIG. 7, reference numerals 51 and 52 denote flange-shaped chuck jigs for holding the workpiece, and these chuck jigs 51 and 52 are respectively connected to the lower end of the shaft 53 and the upper end of the shaft 54. Grooves 51a and 52a for vacuum suction of the workpiece are formed on each opposing surface, and these grooves 51a and 52a are connected to air holes (not shown) through ventilation holes 55.56 formed in @53.54, respectively. It is connected to a vacuum source.

上記軸53はベアリング57.57を介してガイド部材
58に摺動自在に挿通されており、その上部はベアリン
ク59.59を介して筒状部材60に回転自在に保持さ
れている。そして、この軸53の上端は筒状部材60内
に収納されたエンコーター61の出力軸61aに連結さ
れている。
The shaft 53 is slidably inserted through the guide member 58 via bearings 57, 57, and its upper portion is rotatably held by the cylindrical member 60 via bear links 59, 59. The upper end of this shaft 53 is connected to an output shaft 61a of an encoder 61 housed within the cylindrical member 60.

又、上記筒状部材60の上部に結着されたフランジ部材
62の中央部に嵌着されたナツト部材63にはネジ!!
+64か螺合挿通している。このネジ軸64はベアリン
グ65.65を介して支持部材66に回転自在に支持さ
れており、その上端部は枠体67に固設されたモーター
68の垂直下方へ延出する出力軸68aにカップリング
69を介して連結されている。
Also, a nut member 63 fitted into the center of the flange member 62 fixed to the upper part of the cylindrical member 60 has a screw! !
+64 screw is inserted. This screw shaft 64 is rotatably supported by a support member 66 via bearings 65, 65, and its upper end is cupped to an output shaft 68a extending vertically downward of a motor 68 fixed to a frame 67. They are connected via a ring 69.

他方、前記軸54の下部周辺の構成も軸53のそれと同
様であるため、それについての図示及び説明を省略する
か、軸54の上下移動手段か異なるため、該移動手段の
構成を図に基づいて説明する。即ち、第7図において7
0は軸54と共に移動するシリンダ部材てあり、該シリ
ンダ部材70内にはピストン部材71か上下摺動自在に
嵌装されており、該ピストン部材71)1部から左右に
突出するピン72.72はシリンダ部材70に形成され
た長円形のガイド溝70a、70aを貫通している。そ
して、ピン72.72とシリンダ部材70の下端フラン
ジ部に螺着されたボルト材73.73との間には、コイ
ルスプリング74゜74か介装されている。
On the other hand, since the structure around the lower part of the shaft 54 is the same as that of the shaft 53, illustration and explanation thereof will be omitted, or since the means for vertically moving the shaft 54 is different, the structure of the moving means will be explained based on the drawings. I will explain. That is, 7 in FIG.
0 is a cylinder member that moves together with the shaft 54. A piston member 71 is fitted into the cylinder member 70 so as to be slidable up and down, and pins 72 and 72 project from the piston member 71 to the left and right. pass through oval guide grooves 70a, 70a formed in the cylinder member 70. A coil spring 74.74 is interposed between the pin 72.72 and a bolt member 73.73 screwed onto the lower end flange portion of the cylinder member 70.

又、上記ピストン部材71にはこれの下方に固設された
エアシリンダー75のロット75aか結着されている。
Further, a rod 75a of an air cylinder 75 is fixedly attached to the piston member 71 below.

最後に、前記ノツチ研削部Hの詳細を第8図乃至第10
図に基づいて説明する。尚、第8図はノツチ研削部Hの
平面図、第9図は第8図の矢視X方向の図、第1O図は
第8図の矢視Y方向の図である。
Finally, the details of the notch grinding portion H are shown in FIGS. 8 to 10.
This will be explained based on the diagram. 8 is a plan view of the notch grinding portion H, FIG. 9 is a view in the X direction of the arrow in FIG. 8, and FIG. 1O is a view in the Y direction of the arrow in FIG.

図示のように、固定ベース80上には2木のレール81
.81か互いに平行に敷設されており。
As shown in the figure, there are two wooden rails 81 on the fixed base 80.
.. 81 are laid parallel to each other.

これらレール81.81上には可動ベース82が移動自
在に載置されている。そして、可動ベース82上にはモ
ーター83と砥石台84か固設されており、モーター8
3の出力軸83aに結着されたプーリー85と砥石台8
4の入力軸84aに結着されたプーリー86との間には
ベルト87か巻き掛けられている。又、砥石台84の出
力軸たるスピンドル88の端部には略円筒状の砥石89
か取り付けられている。更に、砥石台84からはアーム
90かスピンドル88と平行に延出しており、該アーム
90の先部にはストッパ9■か結着されている。
A movable base 82 is movably mounted on these rails 81,81. A motor 83 and a grindstone head 84 are fixedly mounted on the movable base 82.
A pulley 85 and a grindstone head 8 connected to an output shaft 83a of No. 3
A belt 87 is wound around a pulley 86 connected to the input shaft 84a of No. 4. Further, a substantially cylindrical whetstone 89 is attached to the end of the spindle 88 which is the output shaft of the whetstone head 84.
or installed. Furthermore, an arm 90 extends parallel to the spindle 88 from the grinding wheel head 84, and a stopper 9 is fixed to the tip of the arm 90.

一方、前記固定ベース80上のレール81゜81の中間
には、これらレール81.81に平行にエアシリンダー
92が固設されており、該エアシリンダー92のロット
92aの先部は前記可動ベース82に結着されたブラケ
ット93に連結されている。
On the other hand, an air cylinder 92 is fixed between the rails 81.81 on the fixed base 80 in parallel to these rails 81.81, and the tip of the rod 92a of the air cylinder 92 The bracket 93 is connected to the bracket 93 .

以上かノツチ面取り装置の主要部の構成であるか、この
ノツチ面取り装置における加工対象たる半導体ウェーハ
Wは第111”Jの平面図に示すように薄円板状に成形
され、その外周部の一部にはV形のノツチ部Waか形成
されている。
The above is the configuration of the main part of the notch chamfering device.The semiconductor wafer W to be processed in this notch chamfering device is formed into a thin disk shape as shown in the plan view of No. A V-shaped notch portion Wa is formed in the portion.

上記ノツチ部Waの詳細は第12図の拡大図に示される
か、本実施例においては該ノツチ部Waのノツチ角O1
は0.=90’、ノツチR寸法R,はR,=1.1mm
に設定されている。又、同図に示すように前記砥石89
の中央部にはノツチ部Waの形状に対応するV形断面形
状を有する山形状の凸部89aか全周に亘って一体に形
成されており1本実施例においては凸部89aの直径d
はd=20mm、頂角θ2はθ2=140’曲率半径R
2はR2=1.1mmに設定されている。尚、この砥石
89はダイヤモンドの焼結体によって構成されるダイヤ
モンド砥石である。
The details of the notch portion Wa are shown in the enlarged view of FIG. 12, or in this embodiment, the notch angle O1 of the notch portion Wa is
is 0. =90', notch R dimension R, = 1.1mm
is set to . In addition, as shown in the figure, the grindstone 89
A mountain-shaped convex portion 89a having a V-shaped cross section corresponding to the shape of the notch portion Wa is integrally formed in the center portion over the entire circumference, and in this embodiment, the diameter d of the convex portion 89a is
is d=20mm, apex angle θ2 is θ2=140' radius of curvature R
2 is set to R2=1.1 mm. Note that this whetstone 89 is a diamond whetstone made of a sintered body of diamond.

次に、本発明に係るノツチ面取り装置及びノツチ面取り
方法を用いて半導体ウェーハWに対して施されるノツチ
面取り加工を説明する。第1図に示すノツチ部取り装置
において、第11図に示すようなその外周部にノツチ部
Waを形成して成る半導体ウェーハWはウェーハロータ
一部Aにおいて1枚ずつ供給された後、厚み測定部Bに
搬送され、ここて接触式厚み測定器等の計器によって厚
さを測定され、その測定値か許容値の範囲内てあれば、
ライン上の入口コンベア部Cに搬送され、測定値か許容
範囲を逸脱していれば、側方へ払い出されてラインから
外される。
Next, a notch chamfering process performed on a semiconductor wafer W using the notch chamfering apparatus and notch chamfering method according to the present invention will be described. In the notch removal apparatus shown in FIG. 1, semiconductor wafers W having a notch Wa formed on the outer periphery as shown in FIG. The material is transported to section B, where the thickness is measured using an instrument such as a contact thickness measuring device, and if the measured value is within the tolerance range,
It is conveyed to the entrance conveyor section C on the line, and if the measured value deviates from the allowable range, it is discharged to the side and removed from the line.

上記人口コンベア部Cに達したウェーハWは更に搬送さ
れて図示aの位置に待機しており、ここてハンドリング
アーム部りを構成するハンドリングアーム100に吸着
保持されてウェハアライメント部E位置まて運ばれ、こ
こで位置決めがなされる。即ち、ハンドリングアーム1
00に保持された該ウェーハWは、第1図中、鎖線にて
示すように開いた両アライメント部材21.21の中間
に位置する研削ローディング部Fのワーク保持部材40
上に載置される。次にアライメント部材21.21かウ
ェーハWに近づいて第1図及び第2図において実線にて
示すように該アライメント部材21.21に設けた計4
個のゴムローラー22・・・かウェーハWの外周に当接
して該ウェーハWの芯出しを行なう。そして、ワーク保
持部材404:に6ニ置されたウェーハWは、ワーク保
持部材40の一ヒ面に形成された円形溝40a、40b
及び放射線状溝40c・・・(第4図参照)を介してな
される真空引きによってワーク保持部材40上に吸着保
持される。
The wafer W that has reached the artificial conveyor section C is further transported and is waiting at the position a in the figure, where it is sucked and held by the handling arm 100 that constitutes the handling arm section and transported to the wafer alignment section E position. positioning is done here. That is, handling arm 1
The wafer W held at 00 is held by the workpiece holding member 40 of the grinding loading section F, which is located between the two open alignment members 21 and 21 as shown by the chain line in FIG.
placed on top. Next, as the alignment member 21.21 approaches the wafer W, a total of four
The rubber rollers 22 contact the outer periphery of the wafer W to center the wafer W. The 6 wafers W placed on the workpiece holding member 404 are placed in circular grooves 40a and 40b formed on one surface of the workpiece holding member 40.
and the radial grooves 40c... (see FIG. 4), and are suction-held onto the workpiece holding member 40 by vacuuming.

すると、第2図及び第3図に示すノ・ンチ検出部1のモ
ーター13か駆動されてネジ軸14が回転せしめられ、
これによって該ネジ軸14にそのナツト部材工2か螺合
挿通するスライダ一部材4はウェーハW側に移動し、図
示のようにスライダー部材4の先部に取り付けられたセ
ンサー保M部材5の凹部5aの中にウェーハWの外周の
一部か入り込む。
Then, the motor 13 of the punch detection section 1 shown in FIGS. 2 and 3 is driven, and the screw shaft 14 is rotated.
As a result, the slider member 4, which the nut member 2 is threadedly inserted into the screw shaft 14, moves toward the wafer W side, and as shown in the figure, the slider member 4 is inserted into the recess of the sensor retaining member 5 attached to the tip of the slider member 4. A part of the outer periphery of the wafer W enters into the wafer 5a.

この状態で第4図及び第5図に示す研削ローディング部
Fのモーター48か駆動され、この回転動力はプーリー
49、ベルト50及びプーリー45を経てワーク保持部
材40に伝達され、該ワーク保持部材40とこれに吸着
保持されたウエーハWか回転せしめられる。このウェー
ハWの回転によってこれの外周に形成されたノツチ部W
aかセンサー保持部材5の凹部5aに至ると、上下の光
電センサー(本実施例ては、真ん中に位置する上下1対
の光電センサー)によってノツチ部Waか検知される。
In this state, the motor 48 of the grinding loading section F shown in FIGS. The wafer W held by suction is rotated. A notch W formed on the outer periphery of the wafer W by rotation of the wafer W.
When the notch Wa reaches the recess 5a of the sensor holding member 5, the notch Wa is detected by the upper and lower photoelectric sensors (in this embodiment, a pair of upper and lower photoelectric sensors located in the middle).

このようにノツチ部Waか検知されると1ウエーハWは
その時点から略906回動せしめられてノツチ部Waか
係合ピン47の方向(ワーク台部Gの方向)に向けられ
る。
When the notch Wa is detected in this way, one wafer W is rotated approximately 906 degrees from that point so that the notch Wa is directed toward the engagement pin 47 (in the direction of the work table G).

上記のようにノツチ部Waか検知され、その方向法めか
なされると、ウェーハWのワーク保持部材40上におけ
る吸着保持か解除され1次に再びアライメント部材21
.21かウェーハWに近づいて第1図及び第2図におい
て実線にて示すように該アライメント部材21.21に
設けた計4個のゴムローラー22・・・かウェーハWの
外周に当接して該ウェーハWのノツチ基準の芯出しを行
なう。この芯出しか終了した時点てウェーハWのノツチ
部Waか位置決めビン47に係合し、その後、該ウェー
ハWは再びワーク保持部材40上に吸着保持される。
As described above, when the notch Wa is detected and its direction is determined, the suction holding of the wafer W on the work holding member 40 is released and the first alignment member 21 is moved again.
.. 21 approaches the wafer W, and as shown by solid lines in FIGS. 1 and 2, a total of four rubber rollers 22 provided on the alignment member 21. Centering of the wafer W is performed based on the notch reference. When this centering is completed, the notch portion Wa of the wafer W engages with the positioning pin 47, and then the wafer W is held by suction on the workpiece holding member 40 again.

次に、第4図及び第5図に示すモーター33か駆動され
てネジ軸34か回転せしめられ、これによって搬送部材
31かワーク台部G方向へ送られ、ウェーハWも同方向
へ送られて第7図に示す開き状態にある両チャック治具
51,52間に位こせしめられる。すると、第7図に示
すモーター68か駆動されてネジ軸64か回転せしめら
れ、これによって筒状部材60と軸53か一体に下動し
、軸53の下端に結若されたチャック治具51かウェー
ハWの上面に密着して該ウェーハWを真空吸着する。そ
の後、ウェーハWのワーク保持部材40上での吸着保持
か解除されて該ウェーハWはチャック治具51の下面に
吸着保持され、再びモーター68か駆動されてネジ軸6
4か逆転せしめられ、チャック治具51か上動し、これ
の上動か完rした時点て第4図及び第5図に示すモータ
ー33か再び駆動されてネジ軸34か逆転せしめられ、
ウェーハWをチャック治具5工に受は渡した搬送部材3
1か退避せしめられる。
Next, the motor 33 shown in FIGS. 4 and 5 is driven and the screw shaft 34 is rotated, whereby the transport member 31 is sent in the direction of the work table G, and the wafer W is also sent in the same direction. It is placed between both chuck jigs 51 and 52 which are in the open state shown in FIG. Then, the motor 68 shown in FIG. 7 is driven and the screw shaft 64 is rotated, whereby the cylindrical member 60 and the shaft 53 are moved downward together, and the chuck jig 51 tied to the lower end of the shaft 53 is moved downward. The wafer W is vacuum-adsorbed by being in close contact with the upper surface of the wafer W. Thereafter, the suction holding of the wafer W on the work holding member 40 is released, the wafer W is suction held on the lower surface of the chuck jig 51, and the motor 68 is driven again to hold the screw shaft 6.
4 is reversed, the chuck jig 51 is moved upward, and when this upward movement is completed, the motor 33 shown in FIGS. 4 and 5 is driven again to reverse the screw shaft 34,
Transfer member 3 that transferred the wafer W to the chuck jig 5
1 or be forced to evacuate.

再びチャック治具51か下動すると回持に第7図に示す
エアシリンターフ5か駆動されてピストン部材71か上
動すると、コイルスプリング74.74のばね力を受け
てシソンタ部材70と軸54か一体に上動し、軸54の
上端に結若されたチャック治具52かウェーハWの下端
に密着する。そして、ウェーハWにチャック治具52か
密着した後、更にピストン部材71を幾分上動せしめる
と、チャック治具52はコイルスプリング74.74の
ばね力を受けてウェーハWを所定の圧力で押圧し、斯く
てウェーハWは両チャック治具51,52間に挟持され
る。
When the chuck jig 51 moves downward again, the air cylinder turf 5 shown in FIG. The chuck jig 52, which is tied to the upper end of the shaft 54, comes into close contact with the lower end of the wafer W. After the chuck jig 52 has come into close contact with the wafer W, when the piston member 71 is further moved upward a little, the chuck jig 52 receives the spring force of the coil springs 74 and 74 and presses the wafer W with a predetermined pressure. However, the wafer W is thus held between both chuck jigs 51 and 52.

上記のように、ワーク台部GにおけるウェーハWのセッ
トか終了すると、第8図に示すノツチ研削部Hのモータ
ー83か駆動されるとともに、エアシリンダー92か駆
動される。モーター83か駆動されると、これの回転動
力はプーリー85、ベルト87、プーリ86及び入力軸
84aを経てスピンドル88に伝達され、該スピンドル
88及びこれに取り付けられた砥石89か回転駆動せし
められる。又、エアシリンター92か駆動されてこれの
ロツF 92 aか前方へ延出すると、可動ベース82
かレール81.81上を第8図中、矢印方向へ移動し、
これによって回転中の砥石89かウェーハW側に近づき
、やかてウェーハWのノツチ部W a C”!3接して
該ノツチ部Waの面取り加工を行なう。尚、砥石89の
移動は、第10図に示すストッパ91のチャック治具5
1への当接によって規制される。この場合、第12図に
示すようにノツチ部Waの中心線と、砥石89の凸部8
9aの頂部を通る幅方向の中心線とか一致せしめられて
おり、且つ第13図に示すように砥石89の回転中心0
かウェーハWの水平面に対して上方に位置せしめられて
いる。尚1本実施例においては、第13図に示すように
砥石89の中心OはウェーハWの表面よりy 、 = 
r / r 2 = 7 、07mm(ここにrは砥石
半径)上方に位置せしめられており、図示の角度α、と
距51 x 1はそれぞれα1=45°、 XI =7
.07mm (=V+ )に、投置されている。
As described above, when the setting of the wafer W on the work table G is completed, the motor 83 of the notch grinding section H shown in FIG. 8 is driven, and the air cylinder 92 is also driven. When the motor 83 is driven, its rotational power is transmitted to the spindle 88 via the pulley 85, belt 87, pulley 86, and input shaft 84a, thereby rotating the spindle 88 and the grindstone 89 attached thereto. Also, when the air cylinder 92 is driven and extends forward, the movable base 82
or move on the rail 81.81 in the direction of the arrow in Figure 8,
As a result, the rotating whetstone 89 approaches the wafer W side and comes into contact with the notch W a C''!3 of the wafer W to chamfer the notch Wa. Chuck jig 5 for stopper 91 shown in the figure
It is regulated by contact with 1. In this case, as shown in FIG.
The center line in the width direction passing through the top of the grinding wheel 9a coincides with the center line in the width direction, and as shown in FIG.
The wafer W is positioned above the horizontal plane of the wafer W. In this embodiment, as shown in FIG. 13, the center O of the grinding wheel 89 is y, =
r / r 2 = 7,07 mm (here r is the radius of the grinding wheel), and the angle α and distance 51 x 1 shown in the figure are α1 = 45°, XI = 7, respectively.
.. 07mm (=V+).

而して、砥石89の凸部89aの断面形状は前述のよう
にウェーハWのノツチ部Waの形状に対応しているため
、この砥石89の凸部89aはノツチ部Waの上部周縁
に均一に接触し、この結果、第15図に示すようにウェ
ーハWのノツチ部Waの上部周縁か一度に能率良く面取
りされる。
Since the cross-sectional shape of the convex portion 89a of the grindstone 89 corresponds to the shape of the notch portion Wa of the wafer W as described above, the convex portion 89a of the whetstone 89 is uniformly formed on the upper periphery of the notch portion Wa. As a result, as shown in FIG. 15, the upper peripheral edge of the notch portion Wa of the wafer W is efficiently chamfered at once.

尚、第15図において面取り面をW、にて示すか、本実
施例における面取り面W1の幅b1はb + = 20
0〜400 g mとされる。
In FIG. 15, the chamfered surface is indicated by W, or the width b1 of the chamfered surface W1 in this embodiment is b + = 20.
0 to 400 gm.

他方、第14図に示すように砥石89の回転中心0をウ
ェーハWの水平面に対して下方に位置せしめて上記と同
様の作用を繰り返せば、ウェーハWのノツチ部Waの下
部周縁か面取りされる。この場合の砥石89の中心0の
位置関係において、14図に示すX2 + 3’2 +
 (E2はそれぞれx2=y2=7.07mm、α、=
45’に設定されている。尚、第15図において面取り
面をW2にて示すか、本実施例においてはこの面取り面
W2の幅b2は上部周縁の面取り面WIの幅b1と同じ
< b 2 = 200〜400 p−rnとされる。
On the other hand, as shown in FIG. 14, if the rotation center 0 of the grindstone 89 is positioned below the horizontal plane of the wafer W and the same operation as described above is repeated, the lower peripheral edge of the notch portion Wa of the wafer W will be chamfered. . In this case, in the positional relationship of the center 0 of the grindstone 89, X2 + 3'2 + shown in Fig. 14
(E2 is x2=y2=7.07mm, α,=
It is set to 45'. In addition, in FIG. 15, the chamfered surface is indicated by W2, or in this embodiment, the width b2 of this chamfered surface W2 is the same as the width b1 of the chamfered surface WI on the upper periphery. be done.

ところて、以上の実施例においてはワークたるウェーハ
Wを静止させ、砥石89を回転させながらこれをウェー
ハWに対して移動させることによって所要の面取り加工
を行なうようにしたか、回転中の砥石89を静止させて
おいて該砥石89に対してウェーハWを移動させるよう
にしても同様に面取り加工を行なうことかできる。又、
以上はV形のノツチ部に対する面取り加工について言及
したか、半円形その他任意の形状を有するノツチ部に対
しても、砥石の凸部の断面形状をそのノツチ部の形状に
対応させれば、同様に面取り加工を行なうことかできる
However, in the embodiments described above, the required chamfering process is performed by keeping the wafer W, which is the workpiece, stationary and moving the grindstone 89 relative to the wafer W while rotating, or by moving the grindstone 89 relative to the wafer W while rotating the grindstone 89. Chamfering can be similarly performed by keeping the wafer W stationary and moving the wafer W relative to the grindstone 89. or,
The above has referred to the chamfering process for a V-shaped notch, but the same can be said for a notch having a semicircular or other arbitrary shape, if the cross-sectional shape of the convex part of the grindstone corresponds to the shape of the notch. It is possible to perform chamfering on the surface.

尚1以上のように砥石89.ウェーハWの何れか一方の
みを移動させるようにすれば、ウェーハノツチ部Waの
面取り面W、、W2は砥石89の外周の曲率に等しい曲
率の凹曲面となるかウェーハWを砥石89を共に移動さ
せるようにすれば、ウェーハノツチ部Waの面取り面W
、、W2を平面とすることがてきる。又、ウェーハWと
砥石89相互の相対運動を適当な速さに設定すれば任意
の角度の面取り面にも出来るし、各々の移動を不等速に
すれば、凸面面取りも可能である。構成的には第8I2
11及びfJIJlo図に示すエアシリンダー92の代
わりにモーターを用い、このモーターによってネジ軸を
回して可動ベース82の移動を制御することて対処する
ことかできる。
As mentioned above, grindstone 89. If only one of the wafers W is moved, the chamfered surfaces W, W2 of the wafer notch Wa will become a concave curved surface with a curvature equal to the curvature of the outer periphery of the grindstone 89, or the wafer W and the grindstone 89 will be moved together. By doing this, the chamfered surface W of the wafer notch Wa
, , W2 can be a plane. Further, by setting the relative movement between the wafer W and the grindstone 89 at an appropriate speed, a chamfered surface of any angle can be obtained, and by making each movement at an inconstant speed, a convex chamfering is also possible. Compositionally, the 8th I2
This problem can be solved by using a motor instead of the air cylinder 92 shown in Figures 11 and fJIJlo, and controlling the movement of the movable base 82 by turning the screw shaft with the motor.

而して、ノツチ部Waの面取り加工か施された半導体ウ
ェーハWは、第1図に示す外周研削部■によってその外
周の上下周縁を面取・すされる。
Then, the semiconductor wafer W, which has been chamfered at the notch portion Wa, has its upper and lower outer periphery edges chamfered and polished by the outer periphery grinding section 2 shown in FIG.

斯くて、外周縁の他にノツチ部Waにも面取り加工を施
された半導体ウェーハWは、デバイス製造工程等におい
てこのノツチ部Waを位置決めピンに係合させても欠け
を生ずることかなく、欠けたシリコンの粉かデバイスに
悪影響を及ぼしたり、当該ウェーハW上にエピタキシャ
ル層を成長させる際にクラウン現像か発生する等の欠け
に伴って生ずる種々の問題か効果的に解消される。
In this way, the semiconductor wafer W, in which the notch Wa in addition to the outer periphery is chamfered, will not be chipped even when the notch Wa is engaged with a positioning pin in a device manufacturing process, etc., and will not be chipped. This effectively eliminates various problems that occur due to chips, such as silicon powder having an adverse effect on devices and crown development occurring when an epitaxial layer is grown on the wafer W.

(発明の効果) 以上の説明で明らかな如く本発明によれば、外周部に形
成されたノツチ部に欠は等が生しることかない半導体ウ
ェーハを得ることかできる。
(Effects of the Invention) As is clear from the above description, according to the present invention, it is possible to obtain a semiconductor wafer without any defects in the notch portion formed on the outer periphery.

又1本発明によれば、≠導体ウェーハに形成されたノツ
チ部に対して一度に効率良く面取り加工を施すことかて
きるという効果か得られる。
Furthermore, according to the present invention, it is possible to efficiently chamfer the notches formed on the conductor wafer at one time.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に係るノツチ部取り装置の全体構成を示
す平面図、第2図はウェーハアライメント部の上面図、
第3図は同側面図、第4図は研削ロープインク部の平面
図、第5図は第4図のVV線断面図、第6図は第4図の
VT−Vl線断面図第7図はワーク台部の側断面図、第
8図はノツチ研削部の平面図、第9図は第8図の矢視X
方向の図、第10は第8図の矢視Y方向の図、第11図
は半導体ウェーハの平面図、第12図はウェーバノツチ
部と砥石との関係を示す拡大平面図、第13図及び第1
4図は砥石の回転中心と半導体ウェーハWとの位置関係
を示す破断側面図、第15図は面取りされたウェーハノ
ツチ部の斜視図である。 E・−・ウェーハアライメント部、F−・・研削ローデ
インク部、G・・・ワーク台部、H・・・ノツチ研削部
、W・・・半導体ウェーハ、Wa・・・ノツチ部、Wl
。 W2・・・ノツチ部面取り面、l・・・ノツチ検出部2
0・・・アライメント機構、51.52・・・チャック
治具、68・・・モーター(移動手段)、83・・・モ
ーター(駆動手段)、89・・・砥石、89a・・・砥
石の凸部、92・・・エアシリンダー(移動手段)。 特許出願人   信越半導体株式会社 代理人 弁理士     山  下 亮第11図 第12図 第14図 手羞売ネ市圧汁) (方 式) %式% 発明の名称 半導体ウェーハ ノツチ面取り方法及びその装置 (発進口 昭和63年12月20日) 6、補正の対象 明細書の「図面の簡単な説明」の欄 ゛”\ ′it1
FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of the notch removal device according to the present invention, FIG. 2 is a top view of the wafer alignment section,
Fig. 3 is a side view of the same side, Fig. 4 is a plan view of the grinding rope ink section, Fig. 5 is a sectional view taken along the VV line in Fig. 4, and Fig. 6 is a sectional view taken along the VT-Vl line in Fig. 4. Fig. 7 is a side sectional view of the workpiece table, FIG. 8 is a plan view of the notch grinding section, and FIG. 9 is a view taken in the direction of arrow X in FIG.
10 is a view in the direction of the arrow Y in FIG. 8, FIG. 11 is a plan view of the semiconductor wafer, FIG. 12 is an enlarged plan view showing the relationship between the wafer notch and the grindstone, and FIGS. 1
FIG. 4 is a cutaway side view showing the positional relationship between the center of rotation of the grindstone and the semiconductor wafer W, and FIG. 15 is a perspective view of the chamfered wafer notch. E: Wafer alignment section, F: Grinding load ink section, G: Work table section, H: Notch grinding section, W: Semiconductor wafer, Wa: Notch section, Wl
. W2...notch part chamfered surface, l...notch detection part 2
0... Alignment mechanism, 51.52... Chuck jig, 68... Motor (moving means), 83... Motor (driving means), 89... Grinding stone, 89a... Convex of grinding wheel Section 92... Air cylinder (transportation means). Patent Applicant Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd. Agent Patent Attorney Ryo Yamashita (December 20, 1988) 6. “Brief explanation of drawings” column of the specification to be amended ゛”\ ’it1

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)その外周部の一部にノッチ部を有し、該ノッチ部
の上下周縁を面取りして成る半導体ウエーハ。
(1) A semiconductor wafer which has a notch part on a part of its outer periphery, and the upper and lower peripheral edges of the notch part are chamfered.
(2)半導体ウェーハの外周部に形成されたノッチ部の
中心線上に、該ノッチ部の形状に対応する断面形状を有
する凸部を設けて成る砥石の該凸部の頂部を通る砥石幅
方向の中心線を一致せしめるとともに、該砥石の回転中
心を半導体ウェーハの水平面に対して上方又は下方に位
置せしめ、同砥石を回転させながら当該砥石又は半導体
ウェーハの少なくとも一方を移動させて砥石を半導体ウ
ェーハのノッチ部に当接せしめ、該ノッチ部の上下周縁
の面取りを行なうようにしたことを特徴とするノッチ面
取り方法。
(2) A grinding wheel in which a convex portion having a cross-sectional shape corresponding to the shape of the notch portion is provided on the center line of a notch portion formed on the outer periphery of a semiconductor wafer, the width direction of the whetstone passing through the top of the convex portion While aligning the center lines, the center of rotation of the grindstone is positioned above or below the horizontal plane of the semiconductor wafer, and while rotating the grindstone, at least one of the grindstone or the semiconductor wafer is moved to rotate the grindstone to the semiconductor wafer. A method for chamfering a notch, characterized in that the upper and lower peripheral edges of the notch are chamfered by contacting the notch.
(3)前記砥石を回転させなから該砥石と半導体ウェー
ハの双方を移動せしめ、半導体ウェーハのノッチ部の面
取り面か平面となるようにしたことを特徴とする請求項
2記載のノッチ面取り方法。
(3) The notch chamfering method according to claim 2, characterized in that, without rotating the whetstone, both the whetstone and the semiconductor wafer are moved so that the chamfered surface of the notch portion of the semiconductor wafer becomes a flat surface.
(4)半導体ウェーハの外周部に形成されたノッチ部を
所定方向に位置決めする位置決め手段と、該位置決めさ
れた半導体ウェーハを加工位置まで搬送する搬送手段と
、加工位置に搬送された該半導体ウェーハを挟持してこ
れを移動せしめる移動手段と、半導体ウェーハのノッチ
部の形状に対応する断面形状を有する凸部を設けて成る
砥石と、該砥石を回転駆動する駆動手段と、同砥石又は
半導体ウェーハの少なくとも一方を移動せしめる移動手
段を含んで構成されることを特徴とするノッチ面取り装
置。
(4) a positioning means for positioning a notch formed on the outer periphery of a semiconductor wafer in a predetermined direction; a transport means for transporting the positioned semiconductor wafer to a processing position; and a transport means for transporting the semiconductor wafer transported to the processing position. A moving means for holding and moving the grinding wheel, a grinding wheel provided with a convex portion having a cross-sectional shape corresponding to the shape of the notch portion of the semiconductor wafer, a driving means for rotationally driving the grinding wheel, A notch chamfering device characterized by comprising a moving means for moving at least one side.
JP63238924A 1988-09-26 1988-09-26 Semiconductor wafer, notch chamfering method and device Expired - Fee Related JP2541844B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63238924A JP2541844B2 (en) 1988-09-26 1988-09-26 Semiconductor wafer, notch chamfering method and device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63238924A JP2541844B2 (en) 1988-09-26 1988-09-26 Semiconductor wafer, notch chamfering method and device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0287523A true JPH0287523A (en) 1990-03-28
JP2541844B2 JP2541844B2 (en) 1996-10-09

Family

ID=17037299

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63238924A Expired - Fee Related JP2541844B2 (en) 1988-09-26 1988-09-26 Semiconductor wafer, notch chamfering method and device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2541844B2 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04364729A (en) * 1991-06-12 1992-12-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd Apparatus for chamfering wafer notch
JPH04364727A (en) * 1991-06-12 1992-12-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd Method and apparatus for chamfering wafer notch
DE4331727A1 (en) * 1992-09-19 1994-03-24 Daito Shoji Co Ltd Grinding of rim of indented circular semiconductor wafer - using abrasive wheel having annular peripheral groove of trapezoidal cross-section with rounded edges at base
US5429544A (en) * 1993-07-08 1995-07-04 Shin-Etsu Handotal Co., Ltd. Polishing apparatus for notch portion of wafer
US5609514A (en) * 1993-11-16 1997-03-11 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Wafer chamfering machine
US6302769B1 (en) 1998-04-13 2001-10-16 Nippei Toyama Corporation Method for chamfering a wafer

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56113410A (en) * 1980-02-15 1981-09-07 Tokyo Shibaura Electric Co Method of working groove
JPS5757556U (en) * 1980-09-19 1982-04-05
JPS62239517A (en) * 1986-04-10 1987-10-20 Nec Corp Semiconductor substrate
JPS63244611A (en) * 1987-03-30 1988-10-12 Shinetsu Eng Kk Chamfering of notch part at semiconductor wafer

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56113410A (en) * 1980-02-15 1981-09-07 Tokyo Shibaura Electric Co Method of working groove
JPS5757556U (en) * 1980-09-19 1982-04-05
JPS62239517A (en) * 1986-04-10 1987-10-20 Nec Corp Semiconductor substrate
JPS63244611A (en) * 1987-03-30 1988-10-12 Shinetsu Eng Kk Chamfering of notch part at semiconductor wafer

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04364729A (en) * 1991-06-12 1992-12-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd Apparatus for chamfering wafer notch
JPH04364727A (en) * 1991-06-12 1992-12-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd Method and apparatus for chamfering wafer notch
DE4331727A1 (en) * 1992-09-19 1994-03-24 Daito Shoji Co Ltd Grinding of rim of indented circular semiconductor wafer - using abrasive wheel having annular peripheral groove of trapezoidal cross-section with rounded edges at base
US5429544A (en) * 1993-07-08 1995-07-04 Shin-Etsu Handotal Co., Ltd. Polishing apparatus for notch portion of wafer
US5609514A (en) * 1993-11-16 1997-03-11 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Wafer chamfering machine
US6302769B1 (en) 1998-04-13 2001-10-16 Nippei Toyama Corporation Method for chamfering a wafer

Also Published As

Publication number Publication date
JP2541844B2 (en) 1996-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0150074B1 (en) Method and apparatus for grinding the surface of a semiconductor wafer
US6672943B2 (en) Eccentric abrasive wheel for wafer processing
US7278903B2 (en) Processing method for wafer and processing apparatus therefor
KR102214368B1 (en) Conveyance apparatus
US5189843A (en) Wafer slicing and grinding machine and a method of slicing and grinding wafers
US9496129B2 (en) Method for manufacturing a circular wafer by polishing the periphery, including a notch or orientation flat, of a wafer comprising crystal material, by use of polishing tape
TWI637449B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPH11320363A (en) Wafer chamferring device
US4905425A (en) Method for chamfering the notch of a notch-cut semiconductor wafer
JPH0287523A (en) Method and equipment for bevelling semiconductor wafer notch
JP6598668B2 (en) Grinding equipment
KR20190030164A (en) Grinding wheel and grinding apparatus
JP2554432B2 (en) Peripheral surface processing equipment for semiconductor wafers
US4984392A (en) Chamfering the notch of a semiconductor wafer
US6358132B1 (en) Apparatus for grinding spherical objects
JP2000158306A (en) Both-surface grinding device
CN114619294A (en) Method for grinding workpiece
JPH029535A (en) Method and device of manufacturing thin base sheet
JPS6179557A (en) Grinding attachment
JP2003163187A (en) Method and machine for grinding edge of work
TW202346024A (en) Grinding device and wafer grinding method capable of uniformizing the grinding time and amount of each chuck table
KR830002583B1 (en) Method manufacture of lene-like articles and the like
JPS63244611A (en) Chamfering of notch part at semiconductor wafer
JPH0758065A (en) Chamfering method for semiconductor wafer
JPH02139165A (en) Method and device for automatic beveling of wafer

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725

Year of fee payment: 12

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725

Year of fee payment: 12

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees