JPH0284936A - 磁気共鳴用磁石の放射遮蔽体用の低熱コンダクタンス支持装置 - Google Patents
磁気共鳴用磁石の放射遮蔽体用の低熱コンダクタンス支持装置Info
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- JPH0284936A JPH0284936A JP1172066A JP17206689A JPH0284936A JP H0284936 A JPH0284936 A JP H0284936A JP 1172066 A JP1172066 A JP 1172066A JP 17206689 A JP17206689 A JP 17206689A JP H0284936 A JPH0284936 A JP H0284936A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/28—Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
- G01R33/38—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field
- G01R33/381—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field using electromagnets
- G01R33/3815—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field using electromagnets with superconducting coils, e.g. power supply therefor
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- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
この発明は磁気共鳴用超電電磁石の放射遮蔽体に対する
支持装置に関する。
支持装置に関する。
超導電磁石では、磁石巻線は極低温槽内に配置されて、
外部の周囲状態から熱的に隔離される。
外部の周囲状態から熱的に隔離される。
所望通りに熱絶縁を達成するために、熱放射遮蔽体が巻
線を取囲んで該巻線から隔たるように設けられる。この
遮蔽体と磁石は異なる温度で働くように設計されていて
、磁石巻線は最低の温度にされる。遮蔽体は、運送時の
荷重に耐え、しかも磁石巻線への熱伝達を制限するよう
に充分に安定性をもって支持しなければならない。
線を取囲んで該巻線から隔たるように設けられる。この
遮蔽体と磁石は異なる温度で働くように設計されていて
、磁石巻線は最低の温度にされる。遮蔽体は、運送時の
荷重に耐え、しかも磁石巻線への熱伝達を制限するよう
に充分に安定性をもって支持しなければならない。
全ての磁気共鳴(MR)用磁石は、磁石巻線に対する放
射熱入力を減じるために熱遮蔽体を備えている。遮蔽体
は、磁石巻線を包み込むヘリウム容器から又は真空容器
から支持されている。このための支持装置は、典型的に
硝子繊維のような熱伝導率の低い材料から作られている
。ヘリウム容器とその周囲の遮蔽体との半径方向距離は
数対にして、少なくともその長さの支持装置が得られる
ようにしている。
射熱入力を減じるために熱遮蔽体を備えている。遮蔽体
は、磁石巻線を包み込むヘリウム容器から又は真空容器
から支持されている。このための支持装置は、典型的に
硝子繊維のような熱伝導率の低い材料から作られている
。ヘリウム容器とその周囲の遮蔽体との半径方向距離は
数対にして、少なくともその長さの支持装置が得られる
ようにしている。
ニオブ錫のような超電電線を超電電状態で動作させるた
めに、ヘリウム容器を持たずに極低温冷却器のみを用い
る磁石では、熱遮蔽体及び懸架支持装置からの熱人力並
びに電力導線に対する伝導による熱入力の全てを極低温
冷却器により除去しなければならない。極低温冷却器だ
けを用いて動作させるようにしたコンパクトな設計の磁
石では、巻線と遮蔽体との間の空間が制限されているの
で、遮蔽体支持装置から、異なる温度で動作する巻線へ
の熱伝導により、巻線の温度が上昇する。遮蔽体支持装
置は機械的な静荷重及び動荷重に耐えるために充分な断
面面積が必要である。しかし、支゛持装置として長さが
短く断面積が充分大きいスペーサを用いることは、過大
な熱の漏れが生じることになる。
めに、ヘリウム容器を持たずに極低温冷却器のみを用い
る磁石では、熱遮蔽体及び懸架支持装置からの熱人力並
びに電力導線に対する伝導による熱入力の全てを極低温
冷却器により除去しなければならない。極低温冷却器だ
けを用いて動作させるようにしたコンパクトな設計の磁
石では、巻線と遮蔽体との間の空間が制限されているの
で、遮蔽体支持装置から、異なる温度で動作する巻線へ
の熱伝導により、巻線の温度が上昇する。遮蔽体支持装
置は機械的な静荷重及び動荷重に耐えるために充分な断
面面積が必要である。しかし、支゛持装置として長さが
短く断面積が充分大きいスペーサを用いることは、過大
な熱の漏れが生じることになる。
この発明の目的は、熱遮蔽体と巻線支持体との間の半径
方向距離が制限されているMR磁石で熱遮蔽体に対して
圧縮状態で動作して、遮蔽体の質量を静的及び動的に支
えると共に、磁石巻線への熱の漏れを低くすることので
きる、熱コンダクタンスの低い支持装置を提供すること
である。
方向距離が制限されているMR磁石で熱遮蔽体に対して
圧縮状態で動作して、遮蔽体の質量を静的及び動的に支
えると共に、磁石巻線への熱の漏れを低くすることので
きる、熱コンダクタンスの低い支持装置を提供すること
である。
この発明の別の目的は、MR装置の熱遮蔽体に対して圧
縮状態で動作する、組立て容易な低熱コンダクタンス支
持装置を提供することである。
縮状態で動作する、組立て容易な低熱コンダクタンス支
持装置を提供することである。
この発明の更に別の目的は、MR装置の熱遮蔽体に対し
て圧縮状態で動作し、且つ磁石巻線に対して熱遮蔽体を
動かすための調節能力を有する低熱コンダクタンス支持
装置を提供することである。
て圧縮状態で動作し、且つ磁石巻線に対して熱遮蔽体を
動かすための調節能力を有する低熱コンダクタンス支持
装置を提供することである。
発明の要約
この発明の一面によれば、磁気共鳴用磁石の放射遮蔽体
用の熱コンダクタンスの低い支持装置は、スペーサ手段
をする。スペーサ手段は、真空容器から支持され且つ超
電電巻線を備えた円筒形コイル巻型に設けられている開
口の中に部分的に配置されて、該開口の壁から隔たって
いて、その一端がコイル巻型に固定されている。スペー
サ手段はコイル巻型の表面を越えて突出して放射遮蔽体
に接触する。スペーサ手段の長さはコイル巻型と遮蔽体
との間の半径方向距離より大きく、これによりコイル巻
型と遮蔽体との間の熱伝導路の長さが大きくなる。
用の熱コンダクタンスの低い支持装置は、スペーサ手段
をする。スペーサ手段は、真空容器から支持され且つ超
電電巻線を備えた円筒形コイル巻型に設けられている開
口の中に部分的に配置されて、該開口の壁から隔たって
いて、その一端がコイル巻型に固定されている。スペー
サ手段はコイル巻型の表面を越えて突出して放射遮蔽体
に接触する。スペーサ手段の長さはコイル巻型と遮蔽体
との間の半径方向距離より大きく、これによりコイル巻
型と遮蔽体との間の熱伝導路の長さが大きくなる。
この発明の要旨は特許請求の範囲に具体的に且つ明確に
記載しであるが、この発明の構成、作用及びその他の目
的並びに利点は、以下図面について説明する所から最も
よく理解されよう。
記載しであるが、この発明の構成、作用及びその他の目
的並びに利点は、以下図面について説明する所から最も
よく理解されよう。
発明の詳細な説明
図面全体にわたり、同様な部分には同じ参照数字を用い
ているが、極低温剤を持たない超導電磁石の幾つかの実
施例が示されている。磁石は高温超導電体、即ち、実施
例ではニオブ錫(Nb3Sn)を使って動作する様に設
計されている。磁石は、ギフオード−?クマホン(Gl
f’ford McMahon )サイクルに基づく信
頼性の高い2段形極低温冷却器によって直接的に冷却さ
れる。1.5Tまでの磁界で動作する円筒形の磁石では
、磁石の形状は、超電電体内のピーク磁束密度が出来る
だけ低くなる様に構成されている。この条件は、92K
又はそれ以上の高温に於けるNt)z Snn超電電体
本質的な磁界対電流能力によって要求されるものである
。
ているが、極低温剤を持たない超導電磁石の幾つかの実
施例が示されている。磁石は高温超導電体、即ち、実施
例ではニオブ錫(Nb3Sn)を使って動作する様に設
計されている。磁石は、ギフオード−?クマホン(Gl
f’ford McMahon )サイクルに基づく信
頼性の高い2段形極低温冷却器によって直接的に冷却さ
れる。1.5Tまでの磁界で動作する円筒形の磁石では
、磁石の形状は、超電電体内のピーク磁束密度が出来る
だけ低くなる様に構成されている。この条件は、92K
又はそれ以上の高温に於けるNt)z Snn超電電体
本質的な磁界対電流能力によって要求されるものである
。
4Tよりずっと高いピーク磁界は、10 @Kに於ける
かなり高い電流密度によって対処することが出来ない。
かなり高い電流密度によって対処することが出来ない。
巻線のピーク磁界を下げる為、硝子繊維の絶縁物を一層
多く使うことにより、又はクエンチの伝搬及び巻線のフ
ープ強度を改善する為に安定材のストランドを一緒に巻
くことによって、巻線の電流密度を下げなければならな
い。長くて細いコイル・モジュールは短くて太いものよ
りも、ピーク磁界が低いから、巻線を軸方向に広げて、
第1図及び第10図の実施例に示すように長くて細いソ
レノイドの形にする。
多く使うことにより、又はクエンチの伝搬及び巻線のフ
ープ強度を改善する為に安定材のストランドを一緒に巻
くことによって、巻線の電流密度を下げなければならな
い。長くて細いコイル・モジュールは短くて太いものよ
りも、ピーク磁界が低いから、巻線を軸方向に広げて、
第1図及び第10図の実施例に示すように長くて細いソ
レノイドの形にする。
次に第1図について説明すると、遮蔽された真空容器ま
たはハウジング15内に一体のエポキシ含浸巻線13を
持つ円筒形の磁気共鳴用磁石11が示されている。円筒
形の繊維で補強した巻型が、この実施例では硝子繊維の
巻型25で構成されているが、その軸方向の中心平面に
対して対称的に配置されたスロット内に、6つの巻線1
7.18゜19.20,21.22が巻装されている。
たはハウジング15内に一体のエポキシ含浸巻線13を
持つ円筒形の磁気共鳴用磁石11が示されている。円筒
形の繊維で補強した巻型が、この実施例では硝子繊維の
巻型25で構成されているが、その軸方向の中心平面に
対して対称的に配置されたスロット内に、6つの巻線1
7.18゜19.20,21.22が巻装されている。
第1図、第2図、第3図及び第4図について説明すると
、円筒形の硝子繊維巻型25が、−様な厚さを持つ殻体
として製造され、その扱銅のコネクタに対するくりぬき
を持つ様に加工される。このコネクタは軸方向及び円周
方向に伸びる部分31,27を持っている。円周方向部
分はコイル巻型の途中までしか伸びていない。動作中の
ブスバー(bus bar )の抵抗値を小さくする為
に、ブスバーの軸方向部分に設けた溝の中で何本かの超
厚電線をはんだ付けすることが出来る。ニオブ錫超導電
体の相互間に超厚電性を持つ継目を作るのは困難である
。銅コネクタを使って6つの巻線を直列に結合する。銅
コネクタが、エポキシを用いて、硝子繊維巻型25に結
合される。銅コネクタを所定位置に置いて硝子繊維巻型
を再び加工して、円周方向に伸びる6つの巻線スロット
を設け、コネクタの円周方向部分がこのスロットの両側
に来る様にする。この加工の際、片側はスロットの底、
反対側はスロットの頂部の近くで、円周方向に伸びる銅
コネクタ27に桟部33を加工する。銅のマトリクス中
のニオブ錫超導電体で構成された超厚電線35及びこの
実施例では絶縁銅線で構成される安定材37のストラン
ドが、スロットの中に一緒に巻装される。Nb3 Sn
及び銅線が、スロットの底にある餉コネクタの桟部には
んだ付けされて、巻線の始めとし、第4図に示す様に硝
子織布41によって隔てられた層に分けて巻装される。
、円筒形の硝子繊維巻型25が、−様な厚さを持つ殻体
として製造され、その扱銅のコネクタに対するくりぬき
を持つ様に加工される。このコネクタは軸方向及び円周
方向に伸びる部分31,27を持っている。円周方向部
分はコイル巻型の途中までしか伸びていない。動作中の
ブスバー(bus bar )の抵抗値を小さくする為
に、ブスバーの軸方向部分に設けた溝の中で何本かの超
厚電線をはんだ付けすることが出来る。ニオブ錫超導電
体の相互間に超厚電性を持つ継目を作るのは困難である
。銅コネクタを使って6つの巻線を直列に結合する。銅
コネクタが、エポキシを用いて、硝子繊維巻型25に結
合される。銅コネクタを所定位置に置いて硝子繊維巻型
を再び加工して、円周方向に伸びる6つの巻線スロット
を設け、コネクタの円周方向部分がこのスロットの両側
に来る様にする。この加工の際、片側はスロットの底、
反対側はスロットの頂部の近くで、円周方向に伸びる銅
コネクタ27に桟部33を加工する。銅のマトリクス中
のニオブ錫超導電体で構成された超厚電線35及びこの
実施例では絶縁銅線で構成される安定材37のストラン
ドが、スロットの中に一緒に巻装される。Nb3 Sn
及び銅線が、スロットの底にある餉コネクタの桟部には
んだ付けされて、巻線の始めとし、第4図に示す様に硝
子織布41によって隔てられた層に分けて巻装される。
超厚電線及び安定材は、巻線の層毎にはんだ付けするこ
とが好ましい。はんだ付けの前に安定材から絶縁物を取
去り、例えばテープを使って接続部を再び絶縁する。や
はり第4図に示す様に、コイルを巻装する前に、スロッ
トの内張りとしてやはり硝子布を使う。スロット内の巻
線が、スロットの反対側にある銅コネクタの桟部33に
対するはんだ接続で終端する。
とが好ましい。はんだ付けの前に安定材から絶縁物を取
去り、例えばテープを使って接続部を再び絶縁する。や
はり第4図に示す様に、コイルを巻装する前に、スロッ
トの内張りとしてやはり硝子布を使う。スロット内の巻
線が、スロットの反対側にある銅コネクタの桟部33に
対するはんだ接続で終端する。
第4図に示す様に、銅箔43の閉ループが、何層か毎に
、例えば3層又は4層毎に巻線内に分布している。銅箔
は硝子布の絶縁物により、その上下が巻線の層から隔て
られている。箔を部分的に重ね合せてはんだ付けし、巻
線を包む様にして、導電ループを形成する。ループの一
部分を細くして、次の層を開始する為に、2本の線がル
ープに沿って伸びる様に一緒に巻くことが出来る様にす
る。任意の巻線で使われる銅の閉ループの数が、利用し
得る場所の広さ、必要とするクエンチ保護及びコストの
様な幾つかの因子によって決定される。軸方向に伸びる
銅コネクタ31が隣合った円周方向の銅コネクタ27を
結合する。この様に超厚電体を巻装して終端すると、超
厚電線を損傷する惧れのある様な、各々のコイルの初め
又は終りに於ける尖ったアングル形のターンを設けなく
て済む。絶縁銅線37を超厚電線と一緒に巻装すること
により、ピーク磁界が制御され、クエンチ伝搬が改善さ
れる。銅コネクタの上方に配置された充填材45がエポ
キシによつて銅コネクタに結合されて、一定半径の外周
面を作る。充填材は例えばG−10で構成することが出
来る。第3図に示す様に、巻装されたコイルの上にステ
ンレス鋼線47を巻付けて、磁石が一杯の磁界を持つ時
、コイルに作用するローレンツ(Lorenz)力に対
する支持作用を強める。
、例えば3層又は4層毎に巻線内に分布している。銅箔
は硝子布の絶縁物により、その上下が巻線の層から隔て
られている。箔を部分的に重ね合せてはんだ付けし、巻
線を包む様にして、導電ループを形成する。ループの一
部分を細くして、次の層を開始する為に、2本の線がル
ープに沿って伸びる様に一緒に巻くことが出来る様にす
る。任意の巻線で使われる銅の閉ループの数が、利用し
得る場所の広さ、必要とするクエンチ保護及びコストの
様な幾つかの因子によって決定される。軸方向に伸びる
銅コネクタ31が隣合った円周方向の銅コネクタ27を
結合する。この様に超厚電体を巻装して終端すると、超
厚電線を損傷する惧れのある様な、各々のコイルの初め
又は終りに於ける尖ったアングル形のターンを設けなく
て済む。絶縁銅線37を超厚電線と一緒に巻装すること
により、ピーク磁界が制御され、クエンチ伝搬が改善さ
れる。銅コネクタの上方に配置された充填材45がエポ
キシによつて銅コネクタに結合されて、一定半径の外周
面を作る。充填材は例えばG−10で構成することが出
来る。第3図に示す様に、巻装されたコイルの上にステ
ンレス鋼線47を巻付けて、磁石が一杯の磁界を持つ時
、コイルに作用するローレンツ(Lorenz)力に対
する支持作用を強める。
ステンレ鋼の様な熱伝導材料のリング51がコイル巻型
25の両端にボルト締めされる。リングは、第4図に示
した硝子繊維のコイル巻型にある軸方向のスロットと整
合した円周方向の溝53を持っている。軸方向のスロッ
ト55がコイル巻型の長さにわたって伸び、巻型上の巻
線の間にある円周方向スロット56によって互いに相互
接続される。銅の様な熱伝導度の高い非磁性材料をコイ
ル巻型の外側に巻付けて殻体57を形成するが、これが
第2図及び第3図に示されている。殻体は、薄板の両端
を重ね合せてはんだ付けし、殻体の縁をステンレス鋼の
リング51に固着する為に熱伝導度の高いエポキシを使
って取付けられる。低温に於ける熱伝導度が高い点、並
びに硝子繊維の巻型25と温度による収縮が密接に釣合
う点で、殻体には電解に強いピッチ(ETP)銅を使う
ことが好ましい。アルミニウムの殻体を使う場合、硝子
繊維の巻型に結合しようとする面は、アムケム・プロダ
クツ・インコーボレーテット社の商品名であるアロダイ
ン(商標’)12005の様な市場に出ているクロム酸
化学変換被覆を用いて、又は重クロム酸ナトリウム−硫
酸方法、又はクロム酸−硫酸方法又はアルコール−燐酸
方法又は陽極酸化の様な同様な方法を用いて処理し、エ
ポキシ接着剤に対する結合をよくする。更に結合をよく
する為に、サンド−ブラスティング又はローレット加工
の様な粗萌化を用いてもよい。銅の殻体に対する表面処
理の好ましい方法は、コレクチカット州のエントン・イ
ンコーボレーテット社の商品名であるエボロール(登録
商標)“C“特殊黒色キュブリック酸化物被覆を使うこ
とである。別の方法として、亜硫酸アンモニア方法、塩
化第2鉄方法又は塩化水素酸−塩化第2鉄方法又は重ク
ロム酸ナトリウム−硫酸方法がある。
25の両端にボルト締めされる。リングは、第4図に示
した硝子繊維のコイル巻型にある軸方向のスロットと整
合した円周方向の溝53を持っている。軸方向のスロッ
ト55がコイル巻型の長さにわたって伸び、巻型上の巻
線の間にある円周方向スロット56によって互いに相互
接続される。銅の様な熱伝導度の高い非磁性材料をコイ
ル巻型の外側に巻付けて殻体57を形成するが、これが
第2図及び第3図に示されている。殻体は、薄板の両端
を重ね合せてはんだ付けし、殻体の縁をステンレス鋼の
リング51に固着する為に熱伝導度の高いエポキシを使
って取付けられる。低温に於ける熱伝導度が高い点、並
びに硝子繊維の巻型25と温度による収縮が密接に釣合
う点で、殻体には電解に強いピッチ(ETP)銅を使う
ことが好ましい。アルミニウムの殻体を使う場合、硝子
繊維の巻型に結合しようとする面は、アムケム・プロダ
クツ・インコーボレーテット社の商品名であるアロダイ
ン(商標’)12005の様な市場に出ているクロム酸
化学変換被覆を用いて、又は重クロム酸ナトリウム−硫
酸方法、又はクロム酸−硫酸方法又はアルコール−燐酸
方法又は陽極酸化の様な同様な方法を用いて処理し、エ
ポキシ接着剤に対する結合をよくする。更に結合をよく
する為に、サンド−ブラスティング又はローレット加工
の様な粗萌化を用いてもよい。銅の殻体に対する表面処
理の好ましい方法は、コレクチカット州のエントン・イ
ンコーボレーテット社の商品名であるエボロール(登録
商標)“C“特殊黒色キュブリック酸化物被覆を使うこ
とである。別の方法として、亜硫酸アンモニア方法、塩
化第2鉄方法又は塩化水素酸−塩化第2鉄方法又は重ク
ロム酸ナトリウム−硫酸方法がある。
コイル巻型の両端で、はんだ付けにより、又はインジウ
ム圧力継目を使うことにより、ブスバー61.63が円
周方向コネクタ27に結合される。
ム圧力継目を使うことにより、ブスバー61.63が円
周方向コネクタ27に結合される。
ブスバーが絶縁体64上でコイルの中心平面に向って伸
びる。コイル、コイル巻型、リング及び殻体の完成した
集成体をエポキシで真空含浸する。
びる。コイル、コイル巻型、リング及び殻体の完成した
集成体をエポキシで真空含浸する。
この含浸は、集成体を1端で立て〜、リング51の管継
手(図面に示してない)を介して下端にエポキシを導入
することによって行なうことが出来る。リング51の円
周方向の溝53が、巻型の中の全ての軸方向のスロット
55にエポキシを分配するのを助ける。別の円周方向の
スロット56が、巻線の内部全体にわたり、並びに巻型
25と殻体57の間にエポキシを良好に分配するのを助
ける。
手(図面に示してない)を介して下端にエポキシを導入
することによって行なうことが出来る。リング51の円
周方向の溝53が、巻型の中の全ての軸方向のスロット
55にエポキシを分配するのを助ける。別の円周方向の
スロット56が、巻線の内部全体にわたり、並びに巻型
25と殻体57の間にエポキシを良好に分配するのを助
ける。
含浸の後、磁゛石集成体は、遮蔽体65によって取囲ま
れるようにして、真空ハウジング15の内側に取付ける
。この遮蔽体は銅又はアルミニウムで作ることが出来る
。
れるようにして、真空ハウジング15の内側に取付ける
。この遮蔽体は銅又はアルミニウムで作ることが出来る
。
ブスバーは、コイル相互間の電流を通す他に、コイル相
互間の熱ブリッジとなり、クエンチの際に発生された熱
を樹脂含浸コイルの内部から隣接するコイルへ運び、ク
エンチが他のコイルに拡がる速度を高める。クエンチが
層に拡がるのが速ければ速い程、磁石のエネルギを散逸
し得る面積が一層大きくなる。
互間の熱ブリッジとなり、クエンチの際に発生された熱
を樹脂含浸コイルの内部から隣接するコイルへ運び、ク
エンチが他のコイルに拡がる速度を高める。クエンチが
層に拡がるのが速ければ速い程、磁石のエネルギを散逸
し得る面積が一層大きくなる。
次に第1図、第5図及び第6図について説明すると、コ
イル巻型25が遮蔽された真空ハウジング15内に、半
径方向及び軸方向ケーブル懸架装置によって懸架される
。半径方向懸架部は、真空にひくことが出来るハウジン
グに対してコイル巻型が半径方向に移動するのを防ぐも
のであるが、4本のケーブル67.68.69.70と
、対73a及び73b、75a及び75b、77a及び
77b、79a及び79bに分けて配置された8本のケ
ーブル緊張材を有する。ケーブル緊張材がハウジング1
5の外側に固定される。真空にひくことが出来るハウジ
ングの各々の端で、2対のケーブル緊張材を用い、各対
のケーブル緊張材が、末端リング51を通る仮想の直径
方向の線が真空にひくことが出来るハウジングから出て
来る場所の両側で、円周方向に隔たる様に配置さ・れる
。各々のケーブルは、1端が各対の対応する1つのケー
ブル緊張材に取付けられた後、ハウジングの開口及び遮
蔽体65を通抜けてから、リングの外面にある夫々1つ
の溝81の中を、リングに沿って半分以上伸びる。その
後、各々のケーブルは遮蔽体及びハウジングの開口を通
抜け、その対の他方のケーブル緊張材に固着される。
イル巻型25が遮蔽された真空ハウジング15内に、半
径方向及び軸方向ケーブル懸架装置によって懸架される
。半径方向懸架部は、真空にひくことが出来るハウジン
グに対してコイル巻型が半径方向に移動するのを防ぐも
のであるが、4本のケーブル67.68.69.70と
、対73a及び73b、75a及び75b、77a及び
77b、79a及び79bに分けて配置された8本のケ
ーブル緊張材を有する。ケーブル緊張材がハウジング1
5の外側に固定される。真空にひくことが出来るハウジ
ングの各々の端で、2対のケーブル緊張材を用い、各対
のケーブル緊張材が、末端リング51を通る仮想の直径
方向の線が真空にひくことが出来るハウジングから出て
来る場所の両側で、円周方向に隔たる様に配置さ・れる
。各々のケーブルは、1端が各対の対応する1つのケー
ブル緊張材に取付けられた後、ハウジングの開口及び遮
蔽体65を通抜けてから、リングの外面にある夫々1つ
の溝81の中を、リングに沿って半分以上伸びる。その
後、各々のケーブルは遮蔽体及びハウジングの開口を通
抜け、その対の他方のケーブル緊張材に固着される。
ケーブルは1/4吋のステンレス鋼線索又は1/4吋の
アラミド繊維ケーブルで構成することが出来る。ケーブ
ルがねじ棒83に終端し、このねじ棒が例えばしのぎ継
手によってケーブルに固定される。ケーブル緊張材は、
鋼製ハウジングに溶接された加工された鋼索係止延長部
で構成される。
アラミド繊維ケーブルで構成することが出来る。ケーブ
ルがねじ棒83に終端し、このねじ棒が例えばしのぎ継
手によってケーブルに固定される。ケーブル緊張材は、
鋼製ハウジングに溶接された加工された鋼索係止延長部
で構成される。
ケーブル係止部の外側には、1対のねじ棒を予定の角度
で受入れる2つの孔がある。皿形座金87及びナツト8
5がケーブルの端を固定し、ケーブルが冷却する間、ケ
ーブルに張力がかNった状態に保つ。この代りに、皿孔
をハウジングに適当な角度で設け、ケーブルを直接的に
ハウジングに固着してもよい。ハウジング15が気密に
とVまる様に、磁石を組立てた後、各対の緊張材の上の
所定位置に気密カバー91を溶接する。
で受入れる2つの孔がある。皿形座金87及びナツト8
5がケーブルの端を固定し、ケーブルが冷却する間、ケ
ーブルに張力がかNった状態に保つ。この代りに、皿孔
をハウジングに適当な角度で設け、ケーブルを直接的に
ハウジングに固着してもよい。ハウジング15が気密に
とVまる様に、磁石を組立てた後、各対の緊張材の上の
所定位置に気密カバー91を溶接する。
第6図には、コイル巻型の軸方向懸架部が示されている
。ハウジングに対するコイルの軸方向の動きを防ぐ為、
4本のケーブル93.94,95゜96の夫々1端がル
ープになっていて、このループが4つのトラニオン97
の夫々1つに引掛けである。トラニオンは互いに向い合
っで配置されており、コイル巻型の各々の側面に2つの
トラニオンがある。各々の側面にあるトラニオンは、コ
イル巻型の軸方向中心平面に対して軸方向に対称的に隔
たっていて、巻型に固定されている。トラニオンは軸方
向中心平面に接近して設けて、磁石が冷却され、コイル
巻型が収縮する時の、ハウジングに対するトラニオンの
動きを制限する。各々のトラニオンにループを引掛けた
ケーブルが、真空ハウジング15の一番近い方の端に向
って軸方向に伸びる。組立ての際の調節を簡単にする為
、ケーブルの1端又は両端は、ハウジングの両端を通抜
ける代りに、ハウジングに取付けられた滑車101の周
りに半径方向外向きに廻す。ケーブルがハウジングの開
口を半径方向に通って固定手段に至る。この固定手段は
緊張ボルト103で構成されており、ケーブルをその周
りに巻付け、U字形ブラケット105がハウジングから
ボルトを支持している。ナツト及び固定ナツト107が
緊張ボルトに設けられていて、ボルトがブラケットに対
して回転しない様にする。
。ハウジングに対するコイルの軸方向の動きを防ぐ為、
4本のケーブル93.94,95゜96の夫々1端がル
ープになっていて、このループが4つのトラニオン97
の夫々1つに引掛けである。トラニオンは互いに向い合
っで配置されており、コイル巻型の各々の側面に2つの
トラニオンがある。各々の側面にあるトラニオンは、コ
イル巻型の軸方向中心平面に対して軸方向に対称的に隔
たっていて、巻型に固定されている。トラニオンは軸方
向中心平面に接近して設けて、磁石が冷却され、コイル
巻型が収縮する時の、ハウジングに対するトラニオンの
動きを制限する。各々のトラニオンにループを引掛けた
ケーブルが、真空ハウジング15の一番近い方の端に向
って軸方向に伸びる。組立ての際の調節を簡単にする為
、ケーブルの1端又は両端は、ハウジングの両端を通抜
ける代りに、ハウジングに取付けられた滑車101の周
りに半径方向外向きに廻す。ケーブルがハウジングの開
口を半径方向に通って固定手段に至る。この固定手段は
緊張ボルト103で構成されており、ケーブルをその周
りに巻付け、U字形ブラケット105がハウジングから
ボルトを支持している。ナツト及び固定ナツト107が
緊張ボルトに設けられていて、ボルトがブラケットに対
して回転しない様にする。
次に第5図、第7図及び第8図について説明すると、遮
蔽体65の支持部が示されている。遮蔽体65は、コイ
ル巻型に固定されていて、巻型から半径方向に伸びる9
本のスペーサによってコイル巻型から支持される。6つ
のスペーサ111が、円周方向に等間隔で半径方向外向
きに伸びる3本ずつのスペーサの2つの群に分けて配置
されている。
蔽体65の支持部が示されている。遮蔽体65は、コイ
ル巻型に固定されていて、巻型から半径方向に伸びる9
本のスペーサによってコイル巻型から支持される。6つ
のスペーサ111が、円周方向に等間隔で半径方向外向
きに伸びる3本ずつのスペーサの2つの群に分けて配置
されている。
スペーサ111は何れも肉厚の薄いG−10円筒であっ
て、円板形プラグ113が1端にあり、他端には露出し
たねじ山を持つプラグ114がある。プラグはやはりG
−10で作ることが出来るが、これが剛性を持たせる。
て、円板形プラグ113が1端にあり、他端には露出し
たねじ山を持つプラグ114がある。プラグはやはりG
−10で作ることが出来るが、これが剛性を持たせる。
スペーサ111が、コイル巻型25の熱伝導スリーブ1
15を通抜ける孔の中に配置されている。スリーブがフ
ランジつきの端を持ち、この端がコイル巻型の銅の殻体
57に固着されている。スリーブの他端が半径方向内向
きに伸び、内ねじを持つ開口を持っていて、これがプラ
グ114のねじ山を設けた端を受入れる。ねじ山を設け
たプラグ114に溝孔116があり、これがスペーサの
内部まで伸び、磁石を真空にひく際、スペーサの通気を
するのに役立つと共に、スペーサのプラグ113側の端
がコイル巻型の先まで伸び′る様に、スペーサを巻型か
ら半径方向外向きに調節する為のねじ廻し用の溝孔とな
る。スペーサ111はコイル巻型を取巻く遮蔽体δ5を
巻型又は殻体57から隔てると共に、そのどの部分とも
直接的に接触しない様にする。
15を通抜ける孔の中に配置されている。スリーブがフ
ランジつきの端を持ち、この端がコイル巻型の銅の殻体
57に固着されている。スリーブの他端が半径方向内向
きに伸び、内ねじを持つ開口を持っていて、これがプラ
グ114のねじ山を設けた端を受入れる。ねじ山を設け
たプラグ114に溝孔116があり、これがスペーサの
内部まで伸び、磁石を真空にひく際、スペーサの通気を
するのに役立つと共に、スペーサのプラグ113側の端
がコイル巻型の先まで伸び′る様に、スペーサを巻型か
ら半径方向外向きに調節する為のねじ廻し用の溝孔とな
る。スペーサ111はコイル巻型を取巻く遮蔽体δ5を
巻型又は殻体57から隔てると共に、そのどの部分とも
直接的に接触しない様にする。
次に第5図、第7図及び第9図について説明すると、コ
イル巻型の軸方向中心平面118に沿って円周方向に相
隔たって、コイル巻型の内部から伸びる3本のスペーサ
117が、遮蔽体65の内の、コイル巻型より内側にあ
る部分を隔てた状態に保つ。スペーサ117は肉厚の薄
いG−10円筒で構成されていて、1端に円板形プラグ
119が挿入され、絶縁材料のリング120が他端を取
囲んでいる。リング120の外面にはねじ山が設けられ
ている。スペーサ117がコイル巻型の開口内に配置さ
れる。開口の殻体側の端にねじ山が設けられている。ス
ペーサ117が所定位置に螺着し、コイル巻型から半径
方向内向きに突出する。
イル巻型の軸方向中心平面118に沿って円周方向に相
隔たって、コイル巻型の内部から伸びる3本のスペーサ
117が、遮蔽体65の内の、コイル巻型より内側にあ
る部分を隔てた状態に保つ。スペーサ117は肉厚の薄
いG−10円筒で構成されていて、1端に円板形プラグ
119が挿入され、絶縁材料のリング120が他端を取
囲んでいる。リング120の外面にはねじ山が設けられ
ている。スペーサ117がコイル巻型の開口内に配置さ
れる。開口の殻体側の端にねじ山が設けられている。ス
ペーサ117が所定位置に螺着し、コイル巻型から半径
方向内向きに突出する。
9本の半径方向のスペーサの他に、何れもコイル巻型の
各々の軸方向の端に2つずつある4本のスペーサ121
が、遮蔽体の両端がコイル巻型に接触しない様に、開口
内に位置ぎめされている。
各々の軸方向の端に2つずつある4本のスペーサ121
が、遮蔽体の両端がコイル巻型に接触しない様に、開口
内に位置ぎめされている。
全てのスペーサ111,117.121は、開口内に配
置されるが、開口内にある端を除いてコイル巻型と接触
しないようになっており、またコイル巻型とそれに隣接
する遮蔽体との間の距離よりも長さが長くなっており、
その為、スペーサの実効熱通路は、コイル巻型と遮蔽体
の間の距離よりも大きくなる。
置されるが、開口内にある端を除いてコイル巻型と接触
しないようになっており、またコイル巻型とそれに隣接
する遮蔽体との間の距離よりも長さが長くなっており、
その為、スペーサの実効熱通路は、コイル巻型と遮蔽体
の間の距離よりも大きくなる。
組立ての際、真空圧力含浸した硝子繊維のコイル巻型を
、両端を取外した真空ハウジングの内側に配置する。軸
方向懸架装置の4本のケーブルをトラニオンにループ状
にかける。内側及び外側の円筒と2つの末端リングで構
成される遮蔽体の外側円筒をコイル巻型の上に滑りばめ
にする。組立ての便宜の為、コイル巻型は、やはり1端
の上に立てたハウジングの内側で、1端で立たせること
が出来る。最初はコイル巻型の外側と殆んど面一に引込
めたスペーサ111を、コイル巻型の内部から接近し得
る調節用溝孔を使って、外向きに伸ばし、コイル巻型と
放射遮蔽体の外側円筒の間の間隔を調節する。スペーサ
117が、コイル巻型から半径方向内向きに一定距離だ
け突出するが、最初の取付は後は、調節が出来ない。ス
ペーサ121がコイル巻型の両端から一定距離だけ突出
する。スペーサ117.121は普通は遮蔽体と接触し
ないで、短かな距離だけ離れていて、組立てを容易にす
ると共に、熱伝導通路を少なくする。
、両端を取外した真空ハウジングの内側に配置する。軸
方向懸架装置の4本のケーブルをトラニオンにループ状
にかける。内側及び外側の円筒と2つの末端リングで構
成される遮蔽体の外側円筒をコイル巻型の上に滑りばめ
にする。組立ての便宜の為、コイル巻型は、やはり1端
の上に立てたハウジングの内側で、1端で立たせること
が出来る。最初はコイル巻型の外側と殆んど面一に引込
めたスペーサ111を、コイル巻型の内部から接近し得
る調節用溝孔を使って、外向きに伸ばし、コイル巻型と
放射遮蔽体の外側円筒の間の間隔を調節する。スペーサ
117が、コイル巻型から半径方向内向きに一定距離だ
け突出するが、最初の取付は後は、調節が出来ない。ス
ペーサ121がコイル巻型の両端から一定距離だけ突出
する。スペーサ117.121は普通は遮蔽体と接触し
ないで、短かな距離だけ離れていて、組立てを容易にす
ると共に、熱伝導通路を少なくする。
輸送中の様に、磁石が震動した場合、スペーサ117.
121は遮蔽体とコイル巻型の間の接触を防止する。典
型的には、輸送中の重力より大きいピークの加速度は、
あらゆる方向に1gである。
121は遮蔽体とコイル巻型の間の接触を防止する。典
型的には、輸送中の重力より大きいピークの加速度は、
あらゆる方向に1gである。
磁石はコイルが超電電の状態で輸送されるから、遮蔽体
とコイル巻型の間の直接接触を避けるべきである。軸方
向懸架ケーブルが遮蔽体を通抜けるようにして、遮蔽体
の末端リングが所定位置にボルト締めされる。−旦ケー
ブル懸架部が所定位置に配置され、正しく張力がかけら
れると、遮蔽体の両端は所定位置にボルト締め又は溶接
することが出来る。
とコイル巻型の間の直接接触を避けるべきである。軸方
向懸架ケーブルが遮蔽体を通抜けるようにして、遮蔽体
の末端リングが所定位置にボルト締めされる。−旦ケー
ブル懸架部が所定位置に配置され、正しく張力がかけら
れると、遮蔽体の両端は所定位置にボルト締め又は溶接
することが出来る。
スペーサ117.121が、遮蔽体の撓みを制限するバ
ンパーとして作用するが、スペーサ111.117,1
21は何れも、遮蔽体の塑性変形があった場合、又は遮
蔽体が丸さを失った時、熱の漏れが最小限になる様に設
計しなければならない。
ンパーとして作用するが、スペーサ111.117,1
21は何れも、遮蔽体の塑性変形があった場合、又は遮
蔽体が丸さを失った時、熱の漏れが最小限になる様に設
計しなければならない。
磁石と遮蔽体の間のすき間が3/8吋であって、コイル
巻型の厚さが1吋である場合、熱通路長は3.7倍に増
加することが出来る。熱伝導の通路が増加するが、支持
体は、圧縮荷重に於ける支持体の座屈の惧れがあること
を念頭において設計しなければならない。最も簡単な真
直ぐな管状の柱の設計では、長さ1吋で、両端を円板形
挿着体によって締付けた硝子繊維エポキシの臨界的な座
屈荷重の内輪の推定値は、自由端モデルを使って表わす
ことが出来る。即ち Pcr−(7,5X10’ )t2 (1)こ−
でPcrはボンド数で表わした臨界荷重であり、tは吋
で表わした半径方向の厚さである。遮蔽体の質量が30
0ボンドで、最小限2本の垂直方向の支持体によって合
計2gの動的な荷重を支える場合、Pcrは300ボン
ドでなければならない。従って、管の最小の厚さは0.
0063吋である。厚さ0.010吋の管にすれば、適
当な安全率が得られる。
巻型の厚さが1吋である場合、熱通路長は3.7倍に増
加することが出来る。熱伝導の通路が増加するが、支持
体は、圧縮荷重に於ける支持体の座屈の惧れがあること
を念頭において設計しなければならない。最も簡単な真
直ぐな管状の柱の設計では、長さ1吋で、両端を円板形
挿着体によって締付けた硝子繊維エポキシの臨界的な座
屈荷重の内輪の推定値は、自由端モデルを使って表わす
ことが出来る。即ち Pcr−(7,5X10’ )t2 (1)こ−
でPcrはボンド数で表わした臨界荷重であり、tは吋
で表わした半径方向の厚さである。遮蔽体の質量が30
0ボンドで、最小限2本の垂直方向の支持体によって合
計2gの動的な荷重を支える場合、Pcrは300ボン
ドでなければならない。従って、管の最小の厚さは0.
0063吋である。厚さ0.010吋の管にすれば、適
当な安全率が得られる。
遮蔽体の公称の動作温度である50@Kから10 @K
まで、直径5/8吋で、厚さ0601吋の管に沿った熱
の漏れは6mWである。従って、11本の支持体が0.
066Wの合計熱負荷を表わすが、これは0.03 @
にと云う磁石の動作温度にとって無視し得る増加である
。この熱の漏れは、コイル巻型を取巻く銅の殻体によっ
て冷却器に運ばなければならないので、その熱の漏れを
殻体に伝える銅スリーブに外向きの半径方向の支持体が
取付けられる。内側の半径方向の支持体がコイル巻型の
外径に螺着され、その為、その熱が直接的に殻体に入る
。軸方向の支持体をコイル巻型にある金属の末端リング
に螺着し、こうしてその熱を直接的に銅の殻体に伝える
。
まで、直径5/8吋で、厚さ0601吋の管に沿った熱
の漏れは6mWである。従って、11本の支持体が0.
066Wの合計熱負荷を表わすが、これは0.03 @
にと云う磁石の動作温度にとって無視し得る増加である
。この熱の漏れは、コイル巻型を取巻く銅の殻体によっ
て冷却器に運ばなければならないので、その熱の漏れを
殻体に伝える銅スリーブに外向きの半径方向の支持体が
取付けられる。内側の半径方向の支持体がコイル巻型の
外径に螺着され、その為、その熱が直接的に殻体に入る
。軸方向の支持体をコイル巻型にある金属の末端リング
に螺着し、こうしてその熱を直接的に銅の殻体に伝える
。
第1図に示す様に、極低温冷却器123が、円筒形集成
体の中心平面にある磁界の小さい領域内で、垂直サービ
ス・スタック125内に位置ぎめされる。このスタック
が外側の真空ハウジング15及び熱放射遮蔽体65を通
る。極低温冷却器の第2及び第1のヒート・ステーショ
ンが殻体57及び遮蔽体65と緊密に接触していて、直
接的な熱伝導による冷却により、温度を夫々10 @K
及び50″に以下に維持する。ブスバーが第2のヒート
・ステーションに対して熱的に連結される。
体の中心平面にある磁界の小さい領域内で、垂直サービ
ス・スタック125内に位置ぎめされる。このスタック
が外側の真空ハウジング15及び熱放射遮蔽体65を通
る。極低温冷却器の第2及び第1のヒート・ステーショ
ンが殻体57及び遮蔽体65と緊密に接触していて、直
接的な熱伝導による冷却により、温度を夫々10 @K
及び50″に以下に維持する。ブスバーが第2のヒート
・ステーションに対して熱的に連結される。
永久的に接続された導線がサービス・スタックに沿って
伸び、両方のヒート・ステーションに熱的に連結される
と共に、ブスバー61.63に電気接続される。198
8年7月5日に出願された係属中の米国特許出願通し番
号節215.114号に記載されている様な極低温冷却
器の低温ヘッド界面ソケットを第1図の実施例に使うこ
とが出来る。
伸び、両方のヒート・ステーションに熱的に連結される
と共に、ブスバー61.63に電気接続される。198
8年7月5日に出願された係属中の米国特許出願通し番
号節215.114号に記載されている様な極低温冷却
器の低温ヘッド界面ソケットを第1図の実施例に使うこ
とが出来る。
極低温槽の真空ハウジング15が、高さ12訳の天井を
持つ標準的な病院の室内に磁石を取付けるのに典型的に
要求される様に、半径3m及び長さ8mの円筒面の中に
0,5層磁石の5ガウスのフリンジ磁界を収容する為の
受動形磁気遮蔽体として設計されていることが示されて
いる。
持つ標準的な病院の室内に磁石を取付けるのに典型的に
要求される様に、半径3m及び長さ8mの円筒面の中に
0,5層磁石の5ガウスのフリンジ磁界を収容する為の
受動形磁気遮蔽体として設計されていることが示されて
いる。
1実施例の0.5層磁石では、第1図のコイルは、直径
0.018吋のNbs Sn裸線と直径0.018吋の
絶縁銅線を用いて巻装される。層間硝子布絶縁物は0.
004吋であり、導体に流れる電流は58アンペアであ
る。
0.018吋のNbs Sn裸線と直径0.018吋の
絶縁銅線を用いて巻装される。層間硝子布絶縁物は0.
004吋であり、導体に流れる電流は58アンペアであ
る。
遮蔽した真空ハウジングを用いると、5ガウスの線は、
中孔の中心から測定して半径方向に289mであり、中
孔の中心から軸方向に測定して4゜0mである。中孔の
中心に置いた直径50c+nの球形容積の表面上の非均
質性は、65ppmであり、中孔の中心に置いた直径4
0cmの球形容積では15 ppmである。
中孔の中心から測定して半径方向に289mであり、中
孔の中心から軸方向に測定して4゜0mである。中孔の
中心に置いた直径50c+nの球形容積の表面上の非均
質性は、65ppmであり、中孔の中心に置いた直径4
0cmの球形容積では15 ppmである。
第10図には、個別に巻装したコイルを持つ超厚電磁石
131が示されている。3対のコイル135と136.
137と138、及び139と140が、Nb3Sn裸
線と安定材のストランドとを用いて一緒に巻装されてい
る。この安定材が第10図の実施例では絶縁銅線である
。Nb3 Sn線及び銅線は少なくとも各々のコイルの
初めと終りで電気接続する。個別に構成したコイル巻線
は、層の間に硝子繊維布の様な絶縁層を入れて、真空エ
ポキシ含浸し、全てのコイルは、各々の超電車コイルの
外側の重ね巻きの硝子繊維の厚さを調節することにより
、同じ外径を持つ様にする。何層か毎に、例えば3層又
は4層毎に、銅箔の閉ループを使って、前に説明した様
にクエンチに対する保護を行なう。円筒形殻体の硝子繊
維スペーサ143を用いると共にコイルを組立て〜、円
筒形集成体を形成する。この時、コイルの対は、円筒形
殻体の中点の周りに、軸方向に対称的に配置される。例
えば銅のブスバーを用いて、スペーサの外側にある軸方
向に伸びる溝(図面に示してない)の中でコイルとコイ
ル導線の接続を行なう。円筒形集成体を加工して、滑か
な円筒形外面が得られる様にする。この集成体を熱伝導
度の高い殻体145の内側に接着剤で結合する。この殻
体は巻線の側面及び内径を包み込むように熱伝導度の高
い銅又はアルミニウムで作られる。導線147.149
が大体円周方向の同じ位置で、巻線から伸びている。
131が示されている。3対のコイル135と136.
137と138、及び139と140が、Nb3Sn裸
線と安定材のストランドとを用いて一緒に巻装されてい
る。この安定材が第10図の実施例では絶縁銅線である
。Nb3 Sn線及び銅線は少なくとも各々のコイルの
初めと終りで電気接続する。個別に構成したコイル巻線
は、層の間に硝子繊維布の様な絶縁層を入れて、真空エ
ポキシ含浸し、全てのコイルは、各々の超電車コイルの
外側の重ね巻きの硝子繊維の厚さを調節することにより
、同じ外径を持つ様にする。何層か毎に、例えば3層又
は4層毎に、銅箔の閉ループを使って、前に説明した様
にクエンチに対する保護を行なう。円筒形殻体の硝子繊
維スペーサ143を用いると共にコイルを組立て〜、円
筒形集成体を形成する。この時、コイルの対は、円筒形
殻体の中点の周りに、軸方向に対称的に配置される。例
えば銅のブスバーを用いて、スペーサの外側にある軸方
向に伸びる溝(図面に示してない)の中でコイルとコイ
ル導線の接続を行なう。円筒形集成体を加工して、滑か
な円筒形外面が得られる様にする。この集成体を熱伝導
度の高い殻体145の内側に接着剤で結合する。この殻
体は巻線の側面及び内径を包み込むように熱伝導度の高
い銅又はアルミニウムで作られる。導線147.149
が大体円周方向の同じ位置で、巻線から伸びている。
導線は熱伝導度の高い殻体から電気絶縁されている。こ
の熱伝導度の高い殻体によって包み込まれたコイル集成
体が、熱放射遮蔽体151の中に位置ぎめされるが、こ
の熱放射遮蔽体はコイル集成体から隔たっている。
の熱伝導度の高い殻体によって包み込まれたコイル集成
体が、熱放射遮蔽体151の中に位置ぎめされるが、こ
の熱放射遮蔽体はコイル集成体から隔たっている。
第11図を参照して説明すると、殻体の中でコイルが、
第1図でコイル巻型を支持するのに使った懸架部と同様
な半径方向及び軸方向ケーブル懸架部により、真空ハウ
ジング内に懸架される。ステンレス・リング153が外
面に1本の円周方向の溝を持っていて、それが銅の殻体
145にボルト締めされる。4本のケーブル155,1
56゜157.158及び8本のケーブル緊張材161
aと161b、163aと136b、165aと165
b、167aと167bを同じ様に使う。
第1図でコイル巻型を支持するのに使った懸架部と同様
な半径方向及び軸方向ケーブル懸架部により、真空ハウ
ジング内に懸架される。ステンレス・リング153が外
面に1本の円周方向の溝を持っていて、それが銅の殻体
145にボルト締めされる。4本のケーブル155,1
56゜157.158及び8本のケーブル緊張材161
aと161b、163aと136b、165aと165
b、167aと167bを同じ様に使う。
ケーブル緊張材は前に説明した様に位置ぎめするが、ケ
ーブルの接続の仕方が異なる。各々の端に更に2本のケ
ーブルを使うが、各々のケーブルが、円周方向に最も接
近している各々の対のケーブル緊張材の内の一方の間に
接続される。各々のケーブルは円周方向の溝の中をリン
グの周りに半分未満だけ伸びている。軸方向の支持は前
と同じである。遮蔽体151が、前に説明したように、
離散的な場所でコイル集成体から支持される。
ーブルの接続の仕方が異なる。各々の端に更に2本のケ
ーブルを使うが、各々のケーブルが、円周方向に最も接
近している各々の対のケーブル緊張材の内の一方の間に
接続される。各々のケーブルは円周方向の溝の中をリン
グの周りに半分未満だけ伸びている。軸方向の支持は前
と同じである。遮蔽体151が、前に説明したように、
離散的な場所でコイル集成体から支持される。
2段のギフオード・マクマホン形極低温冷却器123が
、外側の真空ハウジング171及び熱放射遮蔽体151
を通抜ける垂直サービス・スタック125内で、円筒形
集成体の中心平面内の磁界の弱い領域内に配置される。
、外側の真空ハウジング171及び熱放射遮蔽体151
を通抜ける垂直サービス・スタック125内で、円筒形
集成体の中心平面内の磁界の弱い領域内に配置される。
極低温冷却器の第2段は、約9°にで動作するが、熱伝
導度の高い殻体と緊密に接触している。冷却器の第1段
は、約50°にで動作するが、熱放射遮蔽体が151と
緊密に接触している。
導度の高い殻体と緊密に接触している。冷却器の第1段
は、約50°にで動作するが、熱放射遮蔽体が151と
緊密に接触している。
第11図に示した1実施例の磁石で、磁石の中孔の磁界
が1.5Tである時、磁石の巻線を通る電流は50アン
ペアである。超電電コイルは直径0.043cmのNb
3 Sn裸線を、やはり直径0.043CI11の絶縁
銅線と一緒に巻装して構成される。
が1.5Tである時、磁石の巻線を通る電流は50アン
ペアである。超電電コイルは直径0.043cmのNb
3 Sn裸線を、やはり直径0.043CI11の絶縁
銅線と一緒に巻装して構成される。
Nb3 Sn裸線は直径5ミクロンの1500本のフィ
ラメントと共に1個の心を有する。銅とマトリクスの比
は1.5である。この線は例えばニューヨーク州のイン
ターマグネティラス・ゼネラル・コーポレ〜ジョン社か
ら入手することが出来る。層間絶縁の厚さはo、oio
■である。Nbz Sn線の直径が0.043(至)の
場合の磁石の負荷線が第12図に示されている。予想さ
れる非均質性は、磁石の中孔の中心に置いた直径50c
mの球形容積の表面で29ppmであり、磁石の中孔の
中心に置いた直径40cmの球形容積の表面で4 pp
a+である。
ラメントと共に1個の心を有する。銅とマトリクスの比
は1.5である。この線は例えばニューヨーク州のイン
ターマグネティラス・ゼネラル・コーポレ〜ジョン社か
ら入手することが出来る。層間絶縁の厚さはo、oio
■である。Nbz Sn線の直径が0.043(至)の
場合の磁石の負荷線が第12図に示されている。予想さ
れる非均質性は、磁石の中孔の中心に置いた直径50c
mの球形容積の表面で29ppmであり、磁石の中孔の
中心に置いた直径40cmの球形容積の表面で4 pp
a+である。
磁気共鳴作像装置に使うのに適した混成形超電電/抵抗
形磁石179が第13図、第14図及び第15図に示さ
れている。2つのエポキシ含浸超導電コイル181,1
83が何れもアルミニウム・リング185に支持されて
いる。こう云うリングはエポキシ含浸コイルの外面に締
りばめになっている。2つのコイルは互いに隔たってい
て、平行な平面内にあり、それらの中心はこれらの平面
に対して垂直に伸びる線上にある。アルミニウム・リン
グ185は、コイルの外面を取巻く他に、互いに向い合
うコイルの面を覆っている。コイルが4つの中実な(即
ち中空でない)アルミニウム柱187によって隔てられ
ている。これらの柱はアルミニウム争リングの内、コイ
ルの向い合う面を覆う部分の間に固着されている。コイ
ル及び柱が、各々の柱及びコイルを個別に取巻く熱遮蔽
体191により取囲まれている。コイル及び熱遮蔽体が
、3つの懸架柱194によって真空ハウジング193の
内側に支持されている。各々の懸架柱は2つの同心のG
−10薄肉管195.197で構成されていて、巻線を
支持する。これらの管の外面は放射率を下げる為に、ア
ルミ化マイラーで覆うことが出来る。内側の管195の
1端が、アルミニウム・リング185に固定したアルミ
ニウム・ブラケット201と接触している。内側管の他
端が、中心開口205を持つアルミニウム・カップ20
3の中に支持されている。このカップは同心の2番目の
管197の1端にも固定されている。同心の2番目の管
の他端がリング207によって懸架されている。このリ
ングが、同心の2本の管195.197を取巻く同心の
3番目の管211によって支持されている。同心の3番
目の管211は、同心の2番目の管197を支持する他
に、熱遮蔽体191をも支持する。同心の3番目の管の
他端がリング213により、やはり同心の3本の管の支
持体を個別・に取巻く真空ハウジング193に固定され
ている。この支持体にある内側の管195及び3番目の
管211は圧縮を受けるが、2番目の管197は張力を
受ける。懸架柱は、冷却の際、真空ハウジングに対する
遮蔽体及び巻線の半径方向の熱収縮が出来る位の可撓性
がある。
形磁石179が第13図、第14図及び第15図に示さ
れている。2つのエポキシ含浸超導電コイル181,1
83が何れもアルミニウム・リング185に支持されて
いる。こう云うリングはエポキシ含浸コイルの外面に締
りばめになっている。2つのコイルは互いに隔たってい
て、平行な平面内にあり、それらの中心はこれらの平面
に対して垂直に伸びる線上にある。アルミニウム・リン
グ185は、コイルの外面を取巻く他に、互いに向い合
うコイルの面を覆っている。コイルが4つの中実な(即
ち中空でない)アルミニウム柱187によって隔てられ
ている。これらの柱はアルミニウム争リングの内、コイ
ルの向い合う面を覆う部分の間に固着されている。コイ
ル及び柱が、各々の柱及びコイルを個別に取巻く熱遮蔽
体191により取囲まれている。コイル及び熱遮蔽体が
、3つの懸架柱194によって真空ハウジング193の
内側に支持されている。各々の懸架柱は2つの同心のG
−10薄肉管195.197で構成されていて、巻線を
支持する。これらの管の外面は放射率を下げる為に、ア
ルミ化マイラーで覆うことが出来る。内側の管195の
1端が、アルミニウム・リング185に固定したアルミ
ニウム・ブラケット201と接触している。内側管の他
端が、中心開口205を持つアルミニウム・カップ20
3の中に支持されている。このカップは同心の2番目の
管197の1端にも固定されている。同心の2番目の管
の他端がリング207によって懸架されている。このリ
ングが、同心の2本の管195.197を取巻く同心の
3番目の管211によって支持されている。同心の3番
目の管211は、同心の2番目の管197を支持する他
に、熱遮蔽体191をも支持する。同心の3番目の管の
他端がリング213により、やはり同心の3本の管の支
持体を個別・に取巻く真空ハウジング193に固定され
ている。この支持体にある内側の管195及び3番目の
管211は圧縮を受けるが、2番目の管197は張力を
受ける。懸架柱は、冷却の際、真空ハウジングに対する
遮蔽体及び巻線の半径方向の熱収縮が出来る位の可撓性
がある。
真空ハウジング193及び熱遮蔽体191は何れも横方
向に分割したトロイドとして作られる。
向に分割したトロイドとして作られる。
熱遮蔽体の外側を銀で覆って、その熱放射率を下げるこ
とが出来る。熱遮蔽体の両半分ははんだ付けにより、又
は熱伝導性のエポキシによって一緒に結合することが出
来る。ステレンス鋼のハウジングは、気密外波を作る為
に、両半分を結合する溶接継目を持っている。
とが出来る。熱遮蔽体の両半分ははんだ付けにより、又
は熱伝導性のエポキシによって一緒に結合することが出
来る。ステレンス鋼のハウジングは、気密外波を作る為
に、両半分を結合する溶接継目を持っている。
巻線は、真空ハウジングの延長部の中に配置された2段
形極低温冷却器215によって冷却される。この極低温
冷却器の第1段が熱遮蔽体191に熱結合されて、熱遮
蔽体を50@Kに保ち、第2段が巻線のアルミニウム・
リング185と熱接触していて、巻線を10°により低
く保つ。軟質インジウム・ガスケットによる高圧接触に
より、極低温冷却器のヒート・ステーションと遮蔽体及
び巻線のステーションとの間に低い熱抵抗を設定する。
形極低温冷却器215によって冷却される。この極低温
冷却器の第1段が熱遮蔽体191に熱結合されて、熱遮
蔽体を50@Kに保ち、第2段が巻線のアルミニウム・
リング185と熱接触していて、巻線を10°により低
く保つ。軟質インジウム・ガスケットによる高圧接触に
より、極低温冷却器のヒート・ステーションと遮蔽体及
び巻線のステーションとの間に低い熱抵抗を設定する。
内側の抵抗形コイル217は、各々の超導電コイルと大
体同じ平面内で、それと同心に配置されている。内側の
抵抗形コイルは、500A/c−の電流密度で動作する
様に、中空の水冷の銅の導体で巻装し得る様に、十分に
アンペア・ターンを小さくしである。抵抗形コイルが真
空ハウジングから、半径方向に伸びる4つのブラケット
220によって夫々支持される。抵抗形コイル及び超導
電コイルは全部直列に接続されていて、各々が同じ円周
方向に電流を通す。永久接続の熱的に連結された導線に
より、′超導電コイルに対して電流が供給される。
体同じ平面内で、それと同心に配置されている。内側の
抵抗形コイルは、500A/c−の電流密度で動作する
様に、中空の水冷の銅の導体で巻装し得る様に、十分に
アンペア・ターンを小さくしである。抵抗形コイルが真
空ハウジングから、半径方向に伸びる4つのブラケット
220によって夫々支持される。抵抗形コイル及び超導
電コイルは全部直列に接続されていて、各々が同じ円周
方向に電流を通す。永久接続の熱的に連結された導線に
より、′超導電コイルに対して電流が供給される。
この混成超電電/抵抗形磁石の0.57の実施例は、次
に述べる様な特性を有する。球形作像容積は20cmで
、ピーク間の非均質性は30ppmである。患者出入開
口は40×70Cmである。超導電及び抵抗形コイルは
夫々50アンペアを通し、夫々6074ターン及び13
5ターンであり、コイルの電流密度は夫々11400及
び500アンペア/cdである。各々の超導電コイルの
半径は59.4cmであり、抵抗形コイルの半径は15
.21である。超導電コイルは軸方向に51.4cm隔
たっているが、抵抗形コイルは52.2cmだけ隔たっ
ている。超導電コイル及び抵抗形コイルの高さに幅をか
けた断面は3,8X7cs及び3.7×3.7備である
。磁石のインダクタンスは206Hであり、蓄積エネル
ギは258キロジユールである。超導電線はNb3 S
n線であり、銅線を一緒に巻装する。Nb3 Sn裸線
及び絶縁銅線は何れも直径が0.043CIlであり、
銅と超厚電体の比は1゜5である。超導電線は10@に
で超導電になる。
に述べる様な特性を有する。球形作像容積は20cmで
、ピーク間の非均質性は30ppmである。患者出入開
口は40×70Cmである。超導電及び抵抗形コイルは
夫々50アンペアを通し、夫々6074ターン及び13
5ターンであり、コイルの電流密度は夫々11400及
び500アンペア/cdである。各々の超導電コイルの
半径は59.4cmであり、抵抗形コイルの半径は15
.21である。超導電コイルは軸方向に51.4cm隔
たっているが、抵抗形コイルは52.2cmだけ隔たっ
ている。超導電コイル及び抵抗形コイルの高さに幅をか
けた断面は3,8X7cs及び3.7×3.7備である
。磁石のインダクタンスは206Hであり、蓄積エネル
ギは258キロジユールである。超導電線はNb3 S
n線であり、銅線を一緒に巻装する。Nb3 Sn裸線
及び絶縁銅線は何れも直径が0.043CIlであり、
銅と超厚電体の比は1゜5である。超導電線は10@に
で超導電になる。
第16図、第17図、第18図及び第19図には、混成
超電電/抵抗形磁石の別の実施例が示されている。磁石
222は全体的な形は第13図の磁石と同じである。2
つの超導電コイル221゜223がU字形断面を持つ銅
のコイル巻型225の周りに巻付けられている。コイル
巻型は3つの部材、即ち銅ストリップを丸めてその両端
を溶接して形成される帯227と、2つの円形フランジ
229とで構成されており、フランジは中心開口を持ち
、帯227の両側で、その内径の所ではんだ付は等によ
って結合されている。超導電線は0゜017XO,02
5吋のNb3 Snn超電電体構成することか出来、銅
と超厚電体の比は0.5にする。
超電電/抵抗形磁石の別の実施例が示されている。磁石
222は全体的な形は第13図の磁石と同じである。2
つの超導電コイル221゜223がU字形断面を持つ銅
のコイル巻型225の周りに巻付けられている。コイル
巻型は3つの部材、即ち銅ストリップを丸めてその両端
を溶接して形成される帯227と、2つの円形フランジ
229とで構成されており、フランジは中心開口を持ち
、帯227の両側で、その内径の所ではんだ付は等によ
って結合されている。超導電線は0゜017XO,02
5吋のNb3 Snn超電電体構成することか出来、銅
と超厚電体の比は0.5にする。
この線が0.0025吋の硝子の編組によって覆われて
いる。この線を青銅法によって処理するが、これはオッ
クスフォードφエアコ社から入手し得る。
いる。この線を青銅法によって処理するが、これはオッ
クスフォードφエアコ社から入手し得る。
巻型の内側を処理して、エポキシに対する結合を改善す
ると共に、硝子繊維布で内張すする。特に第17図につ
いて説明すると、絶縁ブロック233によってフランジ
の他の部分から絶縁されたフランジ229内の出発端子
231に線がはんだ付けされる。この線を3乃至5オン
スの張力で巻付ける。各層は硝子繊維布絶縁物で隔てる
。4番目又は5番目の層毎に、厚さ約0.010吋の薄
い銅箔の帯で取巻く。この帯がコイル巻型にある線の層
を取凹み、両端が重なり合って、はんだ付けされる。こ
の帯は巻線が前に述べた様に次の層へ通過出来る様にす
る。巻線が終り端子235で終端し、この端子にはんだ
付けされる。重ね継ぎを必要とする場合、取除いた絶縁
物と線の30吋の重なりをはんだ付けし、その結果得ら
れた継目は超導電ではないが、抵抗値が非常に小さい。
ると共に、硝子繊維布で内張すする。特に第17図につ
いて説明すると、絶縁ブロック233によってフランジ
の他の部分から絶縁されたフランジ229内の出発端子
231に線がはんだ付けされる。この線を3乃至5オン
スの張力で巻付ける。各層は硝子繊維布絶縁物で隔てる
。4番目又は5番目の層毎に、厚さ約0.010吋の薄
い銅箔の帯で取巻く。この帯がコイル巻型にある線の層
を取凹み、両端が重なり合って、はんだ付けされる。こ
の帯は巻線が前に述べた様に次の層へ通過出来る様にす
る。巻線が終り端子235で終端し、この端子にはんだ
付けされる。重ね継ぎを必要とする場合、取除いた絶縁
物と線の30吋の重なりをはんだ付けし、その結果得ら
れた継目は超導電ではないが、抵抗値が非常に小さい。
巻線を硝子繊維布で覆い、フランジに形成した溝孔に銅
板237を滑り込ませる。銅板が巻線を完全に取囲む時
、絶縁されていないステンレス鋼の重ね巻き241が銅
板を包み込む。この重ね巻きは離型材で覆い、真鍮のシ
ム(図面に示してない)で覆う。このシムはワイヤ(図
面に示してない)によって所定位置に保持し、両方のコ
イル221゜223を真空エポキシ含浸する。ワイヤ及
び真鍮のシムが、過剰のエポキシがあれば、それと共に
除去される。含浸の後、板は溝孔の中にしっかりと位置
ぎめされる。銅板が、磁石の動作中に、巻線によって発
生された半径方向外向きの荷重の一部分をU字形コイル
巻型に伝達する。
板237を滑り込ませる。銅板が巻線を完全に取囲む時
、絶縁されていないステンレス鋼の重ね巻き241が銅
板を包み込む。この重ね巻きは離型材で覆い、真鍮のシ
ム(図面に示してない)で覆う。このシムはワイヤ(図
面に示してない)によって所定位置に保持し、両方のコ
イル221゜223を真空エポキシ含浸する。ワイヤ及
び真鍮のシムが、過剰のエポキシがあれば、それと共に
除去される。含浸の後、板は溝孔の中にしっかりと位置
ぎめされる。銅板が、磁石の動作中に、巻線によって発
生された半径方向外向きの荷重の一部分をU字形コイル
巻型に伝達する。
コイルが50”Kの遮蔽体191に取囲まれており、こ
の遮蔽体が真空ハウジング193に取囲まれている。遮
蔽体及びハウジングの両方が前に説明した様に製造され
、3つの支持体194によって極低温槽内に支持される
。各々の支持体は、やはり前に説明した形式の3本の同
心の管195゜197.211を存する。4本のアルミ
ニウム柱187がコイル221をコイル223の上方に
支持する。締付はブラケット243がコイル巻型225
及びコイルを保持し、支持体及び柱に固定される。抵抗
形コイルが前に説明した様にブラケットによって支持さ
れる。導線が極低温冷却器に永久的に取付けられ、2つ
の超導電コイルを直列に接続する。入っ′で来る導線は
極低温冷却器の2段に対して熱的に連結される。第2段
のヒート・ステーションからの導線が巻線223の入力
端子及び巻線221の出力端子に結合される。夫々巻線
223.221の出力端子及び入力端子が一緒に結合さ
れる。抵抗形コイルも互いに直列に、且つ超導電コイル
と直列に接続される。全てのコイルの全ての電流が同じ
円周方向に流れる。
の遮蔽体が真空ハウジング193に取囲まれている。遮
蔽体及びハウジングの両方が前に説明した様に製造され
、3つの支持体194によって極低温槽内に支持される
。各々の支持体は、やはり前に説明した形式の3本の同
心の管195゜197.211を存する。4本のアルミ
ニウム柱187がコイル221をコイル223の上方に
支持する。締付はブラケット243がコイル巻型225
及びコイルを保持し、支持体及び柱に固定される。抵抗
形コイルが前に説明した様にブラケットによって支持さ
れる。導線が極低温冷却器に永久的に取付けられ、2つ
の超導電コイルを直列に接続する。入っ′で来る導線は
極低温冷却器の2段に対して熱的に連結される。第2段
のヒート・ステーションからの導線が巻線223の入力
端子及び巻線221の出力端子に結合される。夫々巻線
223.221の出力端子及び入力端子が一緒に結合さ
れる。抵抗形コイルも互いに直列に、且つ超導電コイル
と直列に接続される。全てのコイルの全ての電流が同じ
円周方向に流れる。
開放形磁石の別の実施例が第21図に示されている。磁
石244は抵抗形コイルを持たないが、4つの超導電樹
脂含浸コイル251,252,253.254を持って
いる。極低温槽の2つのトロイダル形部分の夫々に2つ
の超導電コイル251と252、及び253と254が
ある。コイル251.253は直径及びターン数が同じ
であり、その何れもコイル252.254より大きいが
、コイル252,254は直径及びターン数が同じであ
る。各々のトロイダル形部分にある超導電コイルが銅の
巻型257に巻装される。コイル巻型は互いに平行に隔
たっていて、それらの中心は、各々のコイルがある平面
に対して垂直な同じ線上にある。コイル巻型が、前に説
明した様なアルミニウム柱によって隔てられるが、両方
のコイル巻型は何れも3本の同心の管を有する支持体1
94によって支持される。熱放射遮蔽体がコイル巻型を
取囲んでいて、それを真空ハウジングが取囲んでいる。
石244は抵抗形コイルを持たないが、4つの超導電樹
脂含浸コイル251,252,253.254を持って
いる。極低温槽の2つのトロイダル形部分の夫々に2つ
の超導電コイル251と252、及び253と254が
ある。コイル251.253は直径及びターン数が同じ
であり、その何れもコイル252.254より大きいが
、コイル252,254は直径及びターン数が同じであ
る。各々のトロイダル形部分にある超導電コイルが銅の
巻型257に巻装される。コイル巻型は互いに平行に隔
たっていて、それらの中心は、各々のコイルがある平面
に対して垂直な同じ線上にある。コイル巻型が、前に説
明した様なアルミニウム柱によって隔てられるが、両方
のコイル巻型は何れも3本の同心の管を有する支持体1
94によって支持される。熱放射遮蔽体がコイル巻型を
取囲んでいて、それを真空ハウジングが取囲んでいる。
動作中、全てのコイルが直列に接続され、コイル251
.253は同じ方向に電流を通すが、コイル252.2
54は反対の円周方向に電流を通す。
.253は同じ方向に電流を通すが、コイル252.2
54は反対の円周方向に電流を通す。
第21図の磁石では、コイル251,252゜253.
254は、金属のコイル巻型257の形を持つ硝子繊維
の巻型上に巻装することが出来る。
254は、金属のコイル巻型257の形を持つ硝子繊維
の巻型上に巻装することが出来る。
導電性の殻体がコイル巻型の下側部分及び側面を取囲ん
でいて、コイル253.254を支持することが出来る
。例えば銅で作った全体的にU字形の殻体を鍋として使
い、その中でコイルを真空圧力含浸することか出来る。
でいて、コイル253.254を支持することが出来る
。例えば銅で作った全体的にU字形の殻体を鍋として使
い、その中でコイルを真空圧力含浸することか出来る。
第21図の0.5Tの実施例では、外側コイルは互いに
65c+n隔たっていて、半径が56.1cmである。
65c+n隔たっていて、半径が56.1cmである。
外側コイルは、直径0.043cmのNb3Sn線を直
径0.43CI11の絶縁銅線と一緒に巻装したものに
50アンペアを通す。コイルの断面は、高、:2. 6
cm、幅14c+nである。超導電コイル252.25
4は51.8cm隔たっていて、半径が49cmである
。コイル252,254は、同じ寸法の銅線及びNb3
Sn線を一緒に巻装し、50アンペアを通す。コイル
252.254の夫々の断面は高さ2cI111幅3.
4cmである。この磁石の空いている中孔の直径は70
cI11であり、横方向の患者出入口が40X70(至
)である。25(2)の球内での計算による均質性は1
3p9mである。
径0.43CI11の絶縁銅線と一緒に巻装したものに
50アンペアを通す。コイルの断面は、高、:2. 6
cm、幅14c+nである。超導電コイル252.25
4は51.8cm隔たっていて、半径が49cmである
。コイル252,254は、同じ寸法の銅線及びNb3
Sn線を一緒に巻装し、50アンペアを通す。コイル
252.254の夫々の断面は高さ2cI111幅3.
4cmである。この磁石の空いている中孔の直径は70
cI11であり、横方向の患者出入口が40X70(至
)である。25(2)の球内での計算による均質性は1
3p9mである。
第22図及び第23図に示す様に、開放形磁石179は
、閉じた円筒形のコイル巻型に一連のコイルを設けた磁
石よりも、患者の視野が一層大きい。開放形磁石は、作
像しようとする患者261を立たせて、又は横にして使
うことが出来る。第23図に示す形式では、患者は不動
のま\であってよく、磁石が必要に応じて垂直方向に移
動する。
、閉じた円筒形のコイル巻型に一連のコイルを設けた磁
石よりも、患者の視野が一層大きい。開放形磁石は、作
像しようとする患者261を立たせて、又は横にして使
うことが出来る。第23図に示す形式では、患者は不動
のま\であってよく、磁石が必要に応じて垂直方向に移
動する。
マサチューセッツ州のCTIクライオジエニックス社か
ら人手し得る1020形クライオダイン極低温冷却器を
60Hz電源で運転した時の典型的な冷却能力が第24
図に示されている。この図は、異なる実施例の超導電磁
石に使った時の、極低温冷却器の動作点をも示している
。磁石の冷却負荷は大体次の通りである。
ら人手し得る1020形クライオダイン極低温冷却器を
60Hz電源で運転した時の典型的な冷却能力が第24
図に示されている。この図は、異なる実施例の超導電磁
石に使った時の、極低温冷却器の動作点をも示している
。磁石の冷却負荷は大体次の通りである。
Nb3 S口巻線
放射 0.110
導電 0.090
電流導線、銅 o、eo。
極低温冷却器の第2段の熱負荷 o、gooワット放射
遮蔽体 放射 8.6 導電 2.0 電流導線、銅 4.8 極低温冷却器の第1段の熱負荷 15.4ワツト始動の
際、極低温器を動作させ、電源が傾斜状に、電流導線を
通る電流が一定の50アンペアになるまで徐々に上昇す
る。この傾斜状の変化の際、コイルの各層にある導電ル
ープに電流が誘起される。然し、こう云う電流は、電流
の変化が徐々であるから問題にならない。−旦超導電動
作に達したら、コイルは超厚電であるが、電源は接続し
たま−にしておいてよい。コイルを接続する銅棒及び電
流導線は抵抗損失がある。然し、こう云う損失は余り大
きくなく、磁石のインダクタンスが大きく、抵抗値が小
さいことにより、時定数が大きい。
遮蔽体 放射 8.6 導電 2.0 電流導線、銅 4.8 極低温冷却器の第1段の熱負荷 15.4ワツト始動の
際、極低温器を動作させ、電源が傾斜状に、電流導線を
通る電流が一定の50アンペアになるまで徐々に上昇す
る。この傾斜状の変化の際、コイルの各層にある導電ル
ープに電流が誘起される。然し、こう云う電流は、電流
の変化が徐々であるから問題にならない。−旦超導電動
作に達したら、コイルは超厚電であるが、電源は接続し
たま−にしておいてよい。コイルを接続する銅棒及び電
流導線は抵抗損失がある。然し、こう云う損失は余り大
きくなく、磁石のインダクタンスが大きく、抵抗値が小
さいことにより、時定数が大きい。
動作中、放射及び伝導によって磁石の表面に運ばれた全
ての熱は、極低温冷却器によって取去って、超導電線の
温度が遷移温度より上昇してクエンチを起さない様にし
なければならない。
ての熱は、極低温冷却器によって取去って、超導電線の
温度が遷移温度より上昇してクエンチを起さない様にし
なければならない。
クエンチが生じた場合、導電性の箔のループが、磁界の
減少によりループ内に誘起された電流を通し始める。ル
ープが発熱し、クエンチ状態を急速に他のコイルにまで
拡げる。クエンチが他のコイルに急速に拡がらなければ
、磁石の全ての蓄積エネルギは、始めにクエンチが発生
した地点で散逸しなければならなくなり、線を過熱して
それを破壊する。
減少によりループ内に誘起された電流を通し始める。ル
ープが発熱し、クエンチ状態を急速に他のコイルにまで
拡げる。クエンチが他のコイルに急速に拡がらなければ
、磁石の全ての蓄積エネルギは、始めにクエンチが発生
した地点で散逸しなければならなくなり、線を過熱して
それを破壊する。
一緒に巻装する安定材は、層毎に超厚電体にはんだ付け
した場合、クエンチ状態になった超導電線の部分と並列
の小さい抵抗を構成し、クエンチを生じた超厚電体に通
る電流を減少させる。
した場合、クエンチ状態になった超導電線の部分と並列
の小さい抵抗を構成し、クエンチを生じた超厚電体に通
る電流を減少させる。
この発明の実施例の超導電磁石に対する電流導線は、消
耗性極低温剤を使っていないから、ヘリウム蒸気で冷却
することによって超導電磁石への伝導による熱伝達を少
なくすると共に、導線の抵抗性発熱を散逸することが出
来ない。使われる電流導線は、極低温冷却器の第1段及
び第2段に熱的に連結されて、超厚電コイルに達する前
に熱を遮る。
耗性極低温剤を使っていないから、ヘリウム蒸気で冷却
することによって超導電磁石への伝導による熱伝達を少
なくすると共に、導線の抵抗性発熱を散逸することが出
来ない。使われる電流導線は、極低温冷却器の第1段及
び第2段に熱的に連結されて、超厚電コイルに達する前
に熱を遮る。
この発明で使われる極低温冷却器では、銅の様な抵抗性
金属導体が、300 @にの周囲温度にある極低温槽の
外部から、動作中は50 °にの温度を持つ極低温冷却
器の第1段までの導線部分として使われる。抵抗性金属
導体は、50°Kにある極低温冷却器の第1段から10
@Kにある第2段までの導線部分としても使われる。
金属導体が、300 @にの周囲温度にある極低温槽の
外部から、動作中は50 °にの温度を持つ極低温冷却
器の第1段までの導線部分として使われる。抵抗性金属
導体は、50°Kにある極低温冷却器の第1段から10
@Kにある第2段までの導線部分としても使われる。
電流導線によるヒート・ステーションへの伝導による熱
伝達を最小限に抑える為、所定の電流に対する導線の縦
横比を最適にしなければならない。
伝達を最小限に抑える為、所定の電流に対する導線の縦
横比を最適にしなければならない。
抵抗性金属導体の抵抗性発熱が断面積に対する長さ(L
/A)に正比例し、−層低温のヒート・ステーションに
対する伝導による熱伝達がL/Aに反比例するので、−
層低温のステーションに伝導によって伝達される熱が最
小になる様な最適のL/Aがある。その長さに沿って比
抵抗が殆んど一定である抵抗性導線では、温度の低いス
テーションに伝達される最小の熱は、導線部分の抵抗性
発熱に温度の高いステーションから伝達された伝導によ
る熱を加えたちの一半分に等しい。縦横比をこの様に調
節すると、温度の高いステーションから伝達される正味
の熱は、抵抗性発熱の残り半分が、このステーションか
ら伝達された伝導による熱と釣合う為に、ゼロである。
/A)に正比例し、−層低温のヒート・ステーションに
対する伝導による熱伝達がL/Aに反比例するので、−
層低温のステーションに伝導によって伝達される熱が最
小になる様な最適のL/Aがある。その長さに沿って比
抵抗が殆んど一定である抵抗性導線では、温度の低いス
テーションに伝達される最小の熱は、導線部分の抵抗性
発熱に温度の高いステーションから伝達された伝導によ
る熱を加えたちの一半分に等しい。縦横比をこの様に調
節すると、温度の高いステーションから伝達される正味
の熱は、抵抗性発熱の残り半分が、このステーションか
ら伝達された伝導による熱と釣合う為に、ゼロである。
50アンペアの電流に対し、縦横比を最適にした電流導
線の電流分布が、第25図に示されている。10”K及
び50”Kのヒート・ステーションの間を伸びる導線が
、50’にのヒート・ステーションに近付く時の温度分
布の勾配が水平になり、抵抗並びに伝導による熱の流れ
が釣合うことを示している。同様に、50 ″にのヒー
ト・ステーションと周囲との間の電流導線の温度分布の
勾配は、導線が周囲温度に近付く時、水平である。
線の電流分布が、第25図に示されている。10”K及
び50”Kのヒート・ステーションの間を伸びる導線が
、50’にのヒート・ステーションに近付く時の温度分
布の勾配が水平になり、抵抗並びに伝導による熱の流れ
が釣合うことを示している。同様に、50 ″にのヒー
ト・ステーションと周囲との間の電流導線の温度分布の
勾配は、導線が周囲温度に近付く時、水平である。
50 @にのヒート・ステーションから10 @にのヒ
ート・ステーションへの導線部分に高温セラミック超導
電体を使った場合、この導線部分に於ける抵抗性発熱が
ゼロであり、この部分に対しては最適の導線の縦横比が
ない。セラミック超導電体の導線部分は、必要な電流I
を通す様に十分大きく作り、導線の長さを十分長くして
、10°にのヒート・ステーションへの伝導による熱伝
達が許容し得るものになる様にする。材料の臨界電流密
度J、が温度Tと共に急に減少する為、導線の断面積A
は次式のように温度に対して反比例する形で変えて、 A−[I/Jl > [1/Jc (T)]しかも十
分な安全余裕(Jc−J)/Jcが約10乃至30%に
なる様にしなければならない。ニーでJがセラミック導
線の実際の電流密度であり、■が電流である。
ート・ステーションへの導線部分に高温セラミック超導
電体を使った場合、この導線部分に於ける抵抗性発熱が
ゼロであり、この部分に対しては最適の導線の縦横比が
ない。セラミック超導電体の導線部分は、必要な電流I
を通す様に十分大きく作り、導線の長さを十分長くして
、10°にのヒート・ステーションへの伝導による熱伝
達が許容し得るものになる様にする。材料の臨界電流密
度J、が温度Tと共に急に減少する為、導線の断面積A
は次式のように温度に対して反比例する形で変えて、 A−[I/Jl > [1/Jc (T)]しかも十
分な安全余裕(Jc−J)/Jcが約10乃至30%に
なる様にしなければならない。ニーでJがセラミック導
線の実際の電流密度であり、■が電流である。
第26図は真空ハウジング260内の極低温冷却器のス
リーブの低温端部分を示す。2本の真直ぐなセラミック
導線261が極低温冷却器のスリーブの夫々50’K及
び10@にのステーション263.265から伸びてい
て、導線は先細になっていて、導線は高温側の端で断面
積が一層大きくなる様になっている。セラミック導線は
夫々50″K及び10°にのヒート・ステーション26
3.261に熱的に連結される。周囲(300″K)及
び50’にのヒート・ステーションの間にある導線の高
温部分は、動作電流の時、50”Kのステーションに伝
達される熱を最小限にする様に最適にしたL/Aを持つ
銅の導体で構成される。一般的に、導線は銀でメタライ
ズすべきである。1つの方法はスパッタリングであり、
別の方法は銀エポキシを使うことである。セラミック導
線261は電流の導電接続部を作る領域で、銀装填エポ
キシで被覆する。セラミックを処理する際、エポキシが
蒸発し、銀の被覆を残し、銅の導線をそれにはんだ付け
することが出来る。抵抗性金属導体が、インジウムはん
だの様な比抵抗の小さいはんだを用いて、10”Kのヒ
ート・ステーションの所でセラミック導線にはんだ付け
される。
リーブの低温端部分を示す。2本の真直ぐなセラミック
導線261が極低温冷却器のスリーブの夫々50’K及
び10@にのステーション263.265から伸びてい
て、導線は先細になっていて、導線は高温側の端で断面
積が一層大きくなる様になっている。セラミック導線は
夫々50″K及び10°にのヒート・ステーション26
3.261に熱的に連結される。周囲(300″K)及
び50’にのヒート・ステーションの間にある導線の高
温部分は、動作電流の時、50”Kのステーションに伝
達される熱を最小限にする様に最適にしたL/Aを持つ
銅の導体で構成される。一般的に、導線は銀でメタライ
ズすべきである。1つの方法はスパッタリングであり、
別の方法は銀エポキシを使うことである。セラミック導
線261は電流の導電接続部を作る領域で、銀装填エポ
キシで被覆する。セラミックを処理する際、エポキシが
蒸発し、銀の被覆を残し、銅の導線をそれにはんだ付け
することが出来る。抵抗性金属導体が、インジウムはん
だの様な比抵抗の小さいはんだを用いて、10”Kのヒ
ート・ステーションの所でセラミック導線にはんだ付け
される。
周囲から伸びる銅の導線は、50’にのヒート・ステー
ションの近くでセラミック導線にはんだ付けされる。セ
ラミック導線は、例えば、両側を銅又はニッケルでメタ
ライズし、メタライズしたセラミック導線と極低温冷却
器のスリーブのヒート・ステーションとの間にはんだ付
けしたベリリア又はアルミナを使って、熱的に連結する
ことが出来る。これは1988年7月5日に出願された
係属中の米国特許第215,131号を参照されたい。
ションの近くでセラミック導線にはんだ付けされる。セ
ラミック導線は、例えば、両側を銅又はニッケルでメタ
ライズし、メタライズしたセラミック導線と極低温冷却
器のスリーブのヒート・ステーションとの間にはんだ付
けしたベリリア又はアルミナを使って、熱的に連結する
ことが出来る。これは1988年7月5日に出願された
係属中の米国特許第215,131号を参照されたい。
第27図及び第28図は2つの先細形の螺旋形高温セラ
ミック超導電体271,273を示す。
ミック超導電体271,273を示す。
これは酸化イツトリウム・バリウム銅(YBaz Cu
30、c)の様な1本の円柱形のセラミック超導電体で
作ることが出来る。セラミック導線が夫々50@にのヒ
ート・ステーション263から10 @にのヒート・ス
テーション265へ伸び、50 @K及び10@にのヒ
ート・ステーションに結合される。セラミック導線は、
それを全装填エポキシで被覆すること等によって銀でメ
タライズする。このエポキシが、加熱の時、銀の被覆を
残し、抵抗性金属導体を10@にのヒート・ステーショ
ンの所で銀被覆のセラミック導線にはんだ付けすること
が出来る様にする。インジウムはんだの様な抵抗値の小
さいはんだを使うことが好ましい。各々の周囲温度から
の電流導線は、50°にのヒート・ステーションの近く
でセラミック導線にはんだ付けされる。
30、c)の様な1本の円柱形のセラミック超導電体で
作ることが出来る。セラミック導線が夫々50@にのヒ
ート・ステーション263から10 @にのヒート・ス
テーション265へ伸び、50 @K及び10@にのヒ
ート・ステーションに結合される。セラミック導線は、
それを全装填エポキシで被覆すること等によって銀でメ
タライズする。このエポキシが、加熱の時、銀の被覆を
残し、抵抗性金属導体を10@にのヒート・ステーショ
ンの所で銀被覆のセラミック導線にはんだ付けすること
が出来る様にする。インジウムはんだの様な抵抗値の小
さいはんだを使うことが好ましい。各々の周囲温度から
の電流導線は、50°にのヒート・ステーションの近く
でセラミック導線にはんだ付けされる。
従って、磁石の極低iJi teの10’K及び50”
Kのヒート・ステーションに熱結合されたスリーブ内に
ある極低温冷却器は、最適の縦横比を持つ抵抗性金属導
体又はセラミック超導電体を使った時、106にのステ
ーションの所で電流導線から受ける熱負荷を無視し得る
。10 °にのステーションに於ける冷却容量が制限さ
れており、ヒート・ステーションが電流導線から受ける
熱負荷が無視し得るが、50’にのヒート拳ステニショ
ンに於ける導線の熱負荷は、この温度で利用し得る冷却
容量を増加することによって、容易に処理することが出
来る。
Kのヒート・ステーションに熱結合されたスリーブ内に
ある極低温冷却器は、最適の縦横比を持つ抵抗性金属導
体又はセラミック超導電体を使った時、106にのステ
ーションの所で電流導線から受ける熱負荷を無視し得る
。10 °にのステーションに於ける冷却容量が制限さ
れており、ヒート・ステーションが電流導線から受ける
熱負荷が無視し得るが、50’にのヒート拳ステニショ
ンに於ける導線の熱負荷は、この温度で利用し得る冷却
容量を増加することによって、容易に処理することが出
来る。
この発明では、安定な電源に導線を永久接続することに
よって、磁石に電力を供給する。この電源は、銅のブス
バー、電流導線及び超厚電体の重ね継ぎに於ける抵抗に
よって失われた電力を供給する。導線が偶発的に切れた
場合、又はセラミック超導電体の導線のクエンチが生じ
た場合、アークが発生しない様にする為、磁石にダイオ
ードを接続して、連続的な電流通路を作る。電流導線を
接続して、それが正しく動作している時の動作中、ダイ
オードの両端の電圧はそれを導電させる程にならない。
よって、磁石に電力を供給する。この電源は、銅のブス
バー、電流導線及び超厚電体の重ね継ぎに於ける抵抗に
よって失われた電力を供給する。導線が偶発的に切れた
場合、又はセラミック超導電体の導線のクエンチが生じ
た場合、アークが発生しない様にする為、磁石にダイオ
ードを接続して、連続的な電流通路を作る。電流導線を
接続して、それが正しく動作している時の動作中、ダイ
オードの両端の電圧はそれを導電させる程にならない。
導線の電流が遮断されると、ダイオードの両端の電圧が
増加し、ダイオードを導電させる。
増加し、ダイオードを導電させる。
ニオブ錫超導電線に作った継目は非超導電であるが、抵
抗値が゛非常に小さい。超厚電線だけを使って、銅のブ
スバーとか或いは永久接続の導線を使わなければ、磁石
の抵抗値は約10−8オームである。磁石のインダクタ
ンスは、図示の実施例では、160乃至1600ヘンリ
ーにわたって変化するが、磁界強度に関係する。−旦超
導電コイルに電流が設定されると、磁石回路の長い時定
数(何千年)により、事実上永続的な動作が得られ゛、
磁石内に安定な磁界が得られる。
抗値が゛非常に小さい。超厚電線だけを使って、銅のブ
スバーとか或いは永久接続の導線を使わなければ、磁石
の抵抗値は約10−8オームである。磁石のインダクタ
ンスは、図示の実施例では、160乃至1600ヘンリ
ーにわたって変化するが、磁界強度に関係する。−旦超
導電コイルに電流が設定されると、磁石回路の長い時定
数(何千年)により、事実上永続的な動作が得られ゛、
磁石内に安定な磁界が得られる。
この発明を幾つかの実施例について具体的に図示して説
明してきたが、当業者であれば、この発明の範囲内で、
細部に種々の変更を加えることが出来ることは明らかで
あろう。
明してきたが、当業者であれば、この発明の範囲内で、
細部に種々の変更を加えることが出来ることは明らかで
あろう。
第1図は超導電磁石の一部分の軸方向に沿った断面図、
第2図は第1図の超厚電コイルの接続に使われる銅コネ
クタ部分を示す部分断面斜視図、第3図は超厚電巻線及
び重ね巻き線を所定位置においた第2図の銅コネクタ部
分の部分断面斜視図、第4図は第1図の巻型の巻線スロ
ット部分を、巻線の層を取巻く導電性の箔ループと共に
示す部分断面斜視図、第5図は第1図の磁石の端面を一
部破断して、半径方向ケーブル懸架部を示す部分的な端
面図、第6図は第1図の磁石の一部分を破断して、軸方
向ケーブル懸架部を示す斜視図、第7図はコイル巻型か
ら熱放射遮蔽体を支持するのに使われるスペーサを示す
、磁石の一部分の断面図、第8図は半径方向外向きに伸
びるスペーサを示す断面図、第9図は半径方向内向きに
伸びるスペーサを示す断面図、第10図は軸方向に沿っ
た超導電磁石の一部分の断面図、第11図は第10図の
磁石の一部破断部分的端面図、第12図は異なる動作温
度に於ける磁石の負荷線を電流及び磁界強度の関数とし
て示すグラフ、第13図は抵抗形及び超厚電コイルを持
つ開放混成形磁石の斜視図、第14図は第13図の線1
4−14で切った断面図、第15図は第13図の線15
−15で切った断面図、第16図は別の実施例の混成形
磁石の斜視図、第17図は第16図の線17−17で切
った断面図、第18図は第16図の線1g−18で切っ
た断面図、第19図は第16図の磁石で超厚電コイルが
巻装される様子を示す、一部分を断面で示し、一部分を
分解した斜視図、第20図はこじんまりした開放形超導
電磁石の一部分を断面で示した側面図、第21図はこじ
んまりした開放形超導電磁石の一部分を断面で示した斜
視図、第22図は磁石の中孔の中に患者を配置した開放
混成形磁石の斜視図、m23図は垂直方向に可動であっ
て、患者を立った姿勢で収容する開放混成形磁石の斜視
図、第24図は極低温冷却器に加えられる熱負荷の関数
として、極低温冷却器の第1段及び第2段の温度を示す
グラフ、第25図は所定の電流に対して長さと面積の比
を最適にした抵抗性電流導線に於ける温度分布を示すグ
ラフ、第26図は第1段及び第2段の間に先細の超厚電
セラミック導線を持つ極低温冷却器の低温側の端の一部
分を切欠いた斜視図、第27図は第1段及び第2段の間
に先細の螺旋形超導電電流導線を持つ極低温冷却器の低
温側の端の一部分を切欠いた斜視図、第28図は第27
図の先細の螺旋形セラミック超導電導線の側面図である
。 [主なn号の説明コ 11:超厚電磁石 13:エポキシ含浸巻線 15:真空ハウジング 17.18,19,20,21,22:巻線25:コイ
ル巻型 27.31:銅コネクタ 35:超厚電線 37:安定材のストランド 41:硝子織布 43:銅箔 57:殻体 61.63ニブスパー 65:熱放射遮蔽体 67、 6g、 69. 93゜ 73 a、 73 b、 75 a。 94.95:ケープ ル 75b二ケーブル緊 張材 97:トラニオン 101:滑車 111.117,121ニスペーサ 123:極低温冷却器
第2図は第1図の超厚電コイルの接続に使われる銅コネ
クタ部分を示す部分断面斜視図、第3図は超厚電巻線及
び重ね巻き線を所定位置においた第2図の銅コネクタ部
分の部分断面斜視図、第4図は第1図の巻型の巻線スロ
ット部分を、巻線の層を取巻く導電性の箔ループと共に
示す部分断面斜視図、第5図は第1図の磁石の端面を一
部破断して、半径方向ケーブル懸架部を示す部分的な端
面図、第6図は第1図の磁石の一部分を破断して、軸方
向ケーブル懸架部を示す斜視図、第7図はコイル巻型か
ら熱放射遮蔽体を支持するのに使われるスペーサを示す
、磁石の一部分の断面図、第8図は半径方向外向きに伸
びるスペーサを示す断面図、第9図は半径方向内向きに
伸びるスペーサを示す断面図、第10図は軸方向に沿っ
た超導電磁石の一部分の断面図、第11図は第10図の
磁石の一部破断部分的端面図、第12図は異なる動作温
度に於ける磁石の負荷線を電流及び磁界強度の関数とし
て示すグラフ、第13図は抵抗形及び超厚電コイルを持
つ開放混成形磁石の斜視図、第14図は第13図の線1
4−14で切った断面図、第15図は第13図の線15
−15で切った断面図、第16図は別の実施例の混成形
磁石の斜視図、第17図は第16図の線17−17で切
った断面図、第18図は第16図の線1g−18で切っ
た断面図、第19図は第16図の磁石で超厚電コイルが
巻装される様子を示す、一部分を断面で示し、一部分を
分解した斜視図、第20図はこじんまりした開放形超導
電磁石の一部分を断面で示した側面図、第21図はこじ
んまりした開放形超導電磁石の一部分を断面で示した斜
視図、第22図は磁石の中孔の中に患者を配置した開放
混成形磁石の斜視図、m23図は垂直方向に可動であっ
て、患者を立った姿勢で収容する開放混成形磁石の斜視
図、第24図は極低温冷却器に加えられる熱負荷の関数
として、極低温冷却器の第1段及び第2段の温度を示す
グラフ、第25図は所定の電流に対して長さと面積の比
を最適にした抵抗性電流導線に於ける温度分布を示すグ
ラフ、第26図は第1段及び第2段の間に先細の超厚電
セラミック導線を持つ極低温冷却器の低温側の端の一部
分を切欠いた斜視図、第27図は第1段及び第2段の間
に先細の螺旋形超導電電流導線を持つ極低温冷却器の低
温側の端の一部分を切欠いた斜視図、第28図は第27
図の先細の螺旋形セラミック超導電導線の側面図である
。 [主なn号の説明コ 11:超厚電磁石 13:エポキシ含浸巻線 15:真空ハウジング 17.18,19,20,21,22:巻線25:コイ
ル巻型 27.31:銅コネクタ 35:超厚電線 37:安定材のストランド 41:硝子織布 43:銅箔 57:殻体 61.63ニブスパー 65:熱放射遮蔽体 67、 6g、 69. 93゜ 73 a、 73 b、 75 a。 94.95:ケープ ル 75b二ケーブル緊 張材 97:トラニオン 101:滑車 111.117,121ニスペーサ 123:極低温冷却器
Claims (4)
- 1.真空容器と、 前記真空容器から支持され、超導電巻線が設けられた円
筒形コイル巻型であって、当該円筒形コイル巻型の表面
から内向きに伸びる複数個の円周方向に間隔をおいて設
けられた開口を持つ当該円筒形コイル巻型と、 前記コイル巻型を取囲み、且つ前記コイル巻型から隔た
っている放射遮蔽体と、 前記開口の中に部分的に配置されて、前記開口の壁から
隔たっていて、一端が前記コイル巻型に固定されている
と共に、前記コイル巻型の表面を越えて半径方向に突出
して前記遮蔽体と接触しているスペーサ手段であって、
当該スペーサ手段の長さが前記コイル巻型の表面と前記
遮蔽体との間の距離より大きく、これにより前記コイル
巻型と前記遮蔽体との間の熱伝導路の長さを増大した当
該スペーサ手段とを有する磁気共鳴用磁石。 - 2.前記スペーサ手段手段が半径方向に調節可能に前記
コイル巻型に固定されている請求項1記載の磁気共鳴用
磁石。 - 3.前記スペーサ手段が熱絶縁材料の円筒体と該円筒体
の一方の開放端内に固定された円板形挿着体とを有する
請求項1記載の磁気共鳴用磁石。 - 4.前記コイル巻型が、その内面から外向きに伸びる複
数個の円周方向に間隔をおいて設けられた開口及び該コ
イル巻型の両端から軸方向内向きに伸びる複数個の円周
方向に間隔をおいて設けられた開口を持ち、これらの開
口の中に部分的にスペーサ手段が配置されて該開口の壁
から隔たっており、該スペーサ手段はその一端が前記コ
イル巻型に固定されていると共に、他端が前記コイル巻
型から突出して前記遮蔽体に接触している請求項1記載
の磁気共鳴用磁石。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US215111 | 1988-07-05 | ||
US07/215,111 US4935714A (en) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | Low thermal conductance support for a radiation shield in a MR magnet |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0284936A true JPH0284936A (ja) | 1990-03-26 |
JPH0418853B2 JPH0418853B2 (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=22801702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1172066A Granted JPH0284936A (ja) | 1988-07-05 | 1989-07-05 | 磁気共鳴用磁石の放射遮蔽体用の低熱コンダクタンス支持装置 |
Country Status (5)
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---|---|
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EP (1) | EP0350262B1 (ja) |
JP (1) | JPH0284936A (ja) |
DE (1) | DE68907276T2 (ja) |
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- 1988-07-05 US US07/215,111 patent/US4935714A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-06-20 IL IL90670A patent/IL90670A/xx not_active IP Right Cessation
- 1989-07-04 EP EP89306782A patent/EP0350262B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-04 DE DE89306782T patent/DE68907276T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-07-05 JP JP1172066A patent/JPH0284936A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS60132304A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-07-15 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 低温槽 |
JPS6313308A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Hitachi Ltd | 超電導装置 |
JPS63116409A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | クライオスタツト |
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EP0350262B1 (en) | 1993-06-23 |
DE68907276T2 (de) | 1994-02-17 |
IL90670A0 (en) | 1990-01-18 |
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