JPH0283974A - 光電変換装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光電変換装置に係り、特に同導電型領域よりな
る二つの主電極領域と該主電極領域と反対導１［型の制
御電極領域よりなる半導体トランジスタの該制御電極領
域に光を照射し、電荷を蓄積させる光電変換セルを有す
る複数のラインセンサが配Ｊ９された光電変換装置に関
する。

［従来の技術］ ラインセンサはファクシミリ等の情報処理装置に用いら
れており、例えばＣＣＤ　（Ｃｈａｒｇｅ　ＣａｕｐＩ
ｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）型ラインセンサが知られている。

第９ＵｇＪはＣＣＤ型ラインセンナの一構成例を示す構
成図である。

第９図に示すように、ＣＣＤ型ラインセンナにおいて、
センサ部３０１の信号は転送ゲート３０２を通して各偶
・奇数画素ごとに別個に設けられた二つのアナログシフ
トレジスタ３０３に送られ、これらのアナログシフトレ
ジスタ３０３で転送されて、出力グー）３０４で再び１
列の信号に整列され、その後プリアンプ３０５で増幅さ
れて、外部に送り出される。アナログシフトレジスタ３
０３および転送ゲート３０２は駆動パルス回路によって
制御される。

近年、カラー［稿を扱う読取装置の需要が高まってきて
おり、かかる読取装置に用いるカラーラインセンサとし
て、上記のようなラインセンサをモ行に五本配設してＲ
ＧＢの各ラインセンサごとにＲＧＢの信号を取り出すも
のが検討されている。

〔発１ｆＪが解決しようとする課題］ このようなカラーラインセンサを構成する場合、巾に一
ヒ述したＣＣＤ５ラインセンナを配設したものはセンサ
部とセンサ部との［１１１の非センサ部の占有面積が広
くなり、カラーラインセンサを設けるチップの大きさが
大きくなる問題点があった。

［課題を解決するための手段］ 本発明の光゛准変換装社は、同導電型領域よりなる二つ
の主電極領域と該主電極領域と反対導電型の制御電極領
域よりなる半導体トランジスタの該制御電極領域に光を
照射し、電荷を蓄積させる光′准変換セルを有する複数
のラインセンナが配設された光電変換装とにおいて、 前記複数のラインセンサの少なくとも一ラインの光電変
換セルにおける前記主電極領域の一方にスイッチ手段を
設けたことを特徴とする。

［作用］ 本発明の光電変換装置は、前記ラインセンサの少なくと
も一ラインの光電変換セルの主電極領域の−・方にスイ
ッチ手段を設けることにより、当該光゛屯変換セルから
の信号をスイッチ手段で０Ｎ−ＯＦＦ制御とし、出力信
号ラインを共通に接続することを回走とするものである
。

［実施例］ 以Ｆ、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。

本発明の説明に先だって本発明に用いるラインセンサの
光電変換セルの構成について説明する。

第８図は５本発明に用いるラインセンサの光電変換セル
の模式的断面図である。

同図において、ｎ型シリコン基板２０１上にエピタキシ
ャル成長によりコレクタ領域となるｎ−層２０２が形成
され、その中にｐベース領域２０３、更にｎ十エミッタ
領域２０４が形成され、バイポーラトランジスタを構成
している。

Ｐベース領域２０３には光が照射されて電荷が蓄積され
る。

隣接するＰベース領域２０３の間には、酸化膜２０７を
挟んでグー）７１２Ｍ２０Ｂが形成されている。したが
って、隣接するｐベース領域２０３を各々ソース・トレ
イン領域としてＰチャネルＭＯＳトランジスタが構成さ
れている。

このＭＯＳ）ランジスタはノーマリオフ型であり、ゲー
ト電極２０８の電位が接地電位又は正電位であればＯＦ
Ｆ状態である。したがって、隣接セル間のｐベース領域
２０３は電気的に分離された状、８となる。逆にゲート
′１「極２０８の電位がしきい値電位ｖｔｈを超える負
電位であると、ＯＮ状態となり、各セルのｐベース領域
２０３は相ｑに導通した状態となる。

ゲート電極２０８は不図示の駆動ラインに共通に接続さ
れている。これらの駆動ラインは酸化膜上に形成される
。

さらに透明絶縁層２１１を形成した後、エミッタ電８ｉ
２１２を形成し、エミッタ電極２１２は列ごとに垂直ラ
イン２１３に接続されている。また、コレクタ電極２１
４が基板２０１の裏面にオーミックコンタクト層を挟ん
で形成されている。

第１図は本発明の光電変換装２の第一実施例の回路構成
図である。

なお、同図において光電変換セルのセンサ部となるｎｐ
ｎ）ランジスタは簡易化のために、５ｌｌ−５３２の６
つのみ示しである（後述する他の実施例についても同様
とする）。

同図において、センナ部となるｎｐｎ）ランデスタ５１
１〜Ｓコ２のコレクタ電極には一定の正電圧Ｖｃｃが印
加されている＊　　ｎｐｎ）ランジスタＳ目Ｉ　Ｓ２１
１５３１のエミッタはそれぞれＭＯＳ）ランジスタＱＲ
Ｉ　、　ＱＧＩ　＋　ＱＧＩを介して垂直信号線Ｌ＋　
に共通に接続され、ｎｐｎトランジスタ５１２　、５２
２　、５３２のエミッタはそれぞれＭＯＳ）ランジスタ
Ｑｌ＋２　、　Ｑｌｌ；２　＊　Ｑ８２を介して垂直信
号線Ｌ２に共通に接続される。ＭＯＳ）ランジスタＱＲ
＋、Ｑｇｌのゲートには読出し動作を行うためのパルス
φ＋　（Ｒ）が印加され、ＭＯＳ）ランジスタＱｓ＋、
ＱＣ２のゲートには読出し動作を行うためのパルスφｒ
　（Ｇ）が印加され、ＭＯＳ）ランジスタＱ［ｌｌ　、
　Ｑａ２のゲートには読出し動作を行うためのパルスφ
ｒ　（Ｂ）が印加される。

ｎｐｎ）ランジスタＳ＋＋　、　Ｓ１２．　Ｓ２１　、
５２２　。

Ｓ３１．Ｓ３’のベースにはＭＯＳ）ランジスタＱ目、
　Ｑ１０　、　Ｑ２１　ｒ　Ｑ２２　ｒ　Ｑ３１　＃　
Ｑ３７がＷ続され、パルスφＲＦによってｎｐｎ）ラン
ジスタＳＩｌ”Ｓ３２のベース電位を基準電圧Ｖｌｌ＋
にリセットすることができる。なお、ｎｐｎ）ランジス
タＳ＋＋　、　５１２．　Ｓ２１　＋　５２２（７）画
素分離はＭＯＳトランジスタ９２１　＊　Ｑ２２によっ
て行うことができ、ラインセンナ間のスペースを最小に
設計することができる。

垂直ラインＬ１．Ｌ２は各々ＭＯ５）ランジスタＱｒ＋
、Ｑ＋ｚを介して蓄砧用コンデンサｃｒｔ　　、Ｃｒ２
に接続され２またＭＯＳトランジスタＱｖｃ＋　　、Ｑ
ｌｌｃ２に接続される。ＭＯＳトランジスタＱ目、Ｑ１
２のゲート電極は共通に接続され、パルスφ「が印加さ
れる。ＭＯＳ）ランジスタＱｖｃ＋　　＋　ＱＩｌｌＣ
２のゲート電極は共通に接続され、パルスφＶＣが印加
される。このパルスφｖｃ、φ＋（Ｒ）、φｒ（Ｇ）、
φｔ　（Ｂ）によりｎｐｎ）テンジスタＳ目〜Ｓ３１の
エミッタに所定の電圧ＶＶＣを印加することができる。

また、蓄積コンデンサＣ目　＊　ＣＴ　２はＭＯＳトラ
ンジスタＱｕ＋　、ＱＨ２を介してバッファＡＩ　およ
びトランジスタＱＢＣに接続される。ＭＯＳ）ランジス
タＱ旧、ＱＨ２は水乎走査回路によって制御され、順次
ＪＭ用コンデンサＣ目、Ｃ【２に蓄積された信号が転送
される。ＭＯＳ）ランジスタＱａｃはパルスφＲＣによ
って制御される。

なお、バッファは個々の蓄積コンデンサに対応して設け
ず、複数の蓄積用コンデンサ（本実施例では２個の蓄積
用コンデンサが示されている）に共通に接続され、浮遊
容量の低減を図っている。

バッファＡｌ　は出力ラインＨに接続され、この出力ラ
インは出力回路に接続される。出力ラインＨは、リフレ
ッシュするためのトランジスタＱ　ｕ　ｃを介して所定
の電位ＶＨＣが印加される。

第２図および第３図は、上記第一実施例の光電変換装置
の動作を説明するためのタイミングチャートである。

第２図において、ＴＨは−サイクルの区間を示す。

マス、パルスφＲ［を“Ｌ”レベルにスルトｎｐｎ）ラ
ン、ジスタＳｌｌ〜Ｓ３２のベースは基準電圧ＶＲＦに
リセットされる。この区間を完全リフレッシュ区間と呼
ぶ（図中Ｔ１は完全リフレッシュ区間）。

次に、垂直信号線Ｌｌ、Ｌ７　に接続されたＭＯＳ）ラ
ンジスタＱｖｃ＋　　、　ＱＩＩＣ２をパルスφＶＣに
よりＯＮ状態とするとともに、パルスφｔ　（Ｒ）、　
　φｔ　（Ｂ）、φｒ　（Ｇ）によッテトランジスタＱ
ＲＩ、　ＱＲ２、ＱＧＩ、　ＱＧ２、Ｑｓ＋、Ｑ８２を
ＯＮ状態として、ｎｐｎ）ランジスタ５ＩＩＮＳ３２（
７）エミッタ電位をＶＩＩＣとする。このとき、ベース
に蓄積されたホールはエミッタから注入される電子と再
結合して消滅する。この区間を過渡リフレッシュ区間と
呼ぶ（図中Ｔ２は過渡リフレッシュ区間）。

この過渡リフレッシュ動作によりベース電位は低下し、
その段階で不均一であったセンサ部のｎｐｎトランジス
タのベース電位のバラツキは低減する。

次に、パルスφｒ　（Ｒ）、φ■（Ｂ）、φＴ（Ｇ）に
よってトランジスタＱ大１．　Ｑ　Ｒ２、Ｑ　Ｇ　Ｉ　
、　Ｑ　ｅ　２・ＱＢＩ・ＱＢ２をＯＦＦ状態として、
ｎｐｎ）ランジスタＳ目〜５３２のエミッタを浮遊状態
とする。

この状態でｎｐｎ）ランジスタＳｌｌ”’Ｓ３１の受光
部に光が入射すると、光量に対応したキャリア（ここ゛
ではホール）がベースに蓄積される（図中Ｔ３は蓄粒区
間、このような蓄精勤作を順バイアス蓄積と呼ぶ）。

このようにｎｐｎ）ランジスタ５１１〜Ｓｏｌについて
、蓄積状態に移行させることができる。なお、本実施例
の光電変換装置においては、各ｎｐｎトラ７ジスタのベ
ースに蓄積された電荷による信号を選択的に読み出すこ
とができる。これは、ｎｐｎ）ランジスタＳ１１〜３３
１のエミッタが、ＭＯＳ）ランジスタＱ　ＲＩ、ＱＩＢ
、ＱＧＩ、Ｑ　ｃ　ｚ　、　Ｑ　ｅ　＋、Ｑａ２によっ
て垂直信号線と遮断状態となっているからである。すな
わち、各ｎｐｎ）ランジスタからの信号を読み出す順序
は基本的にどの色のラインセンサからであってもよい、
ｆｆ通出来るだけ、各色の信号レベルのバランスを揃え
たいので、本実施例では信号Ｇ、Ｂ、Ｈの順に読出すこ
とにする。

Ｇのｎｐｎ）ランジスタＳｏｌ　、　Ｓ２２　　の苓桔
を終了して蓄積されたフし荷に対応する信号を読み出す
前に、パルスφ丁によってＭＯＳ）ランジスタＱｚ　、
Ｑ１０をＯＮ状態、パルスφｖｃによタテＭＯＳトラン
ジスタＱｖｃ＋　　＋　Ｑｖｃ２　をＯＮ状態として蓄
積用コンデンサＣｒ＋、Ｃｒｚ上の残留電荷の除去を行
う（図中Ｔｃは゛重荷除去区間）。

その後、パルスφｒ　（Ｇ）を”Ｈ”レベルとすると、
Ｇのｎｐｎ）ランジスタ５２１　、　Ｓ７２のベースは
順バイアス状態となり、信号が蓄積用コンデンサＣＩｌ
、ＣＴ２に転送される（図中Ｔ４は転送区間）。

次に、水平走査回路の走査により、順次蓄績用コンデン
サＣＴ１．ＣＭ上の電荷を出力バッファＡ１に送り、か
かる電荷による信号を出力回路を経てチップ外に読み出
す、なお、出力回路には不図示のサンプル書ホールド回
路を含み、Ｓ／Ｈ信号によって制御される（図中Ｔ５は
読出区間）。

この時、出力ラインＨの浮遊容量に蓄積される電荷は水
平走査回路に加えられる小Ｈ＋、φＨ２によって各蓄積
コンデンサからの信号が読み出されるたびに、ＭＯＳ）
ランジスタＱＨＣによって所定の電位ＶＨＣにリセット
される。

次にＢのｎｐｎトランジスタ３３１　、５３２の蓄積を
終了し、蓄積された電荷に対応する信号の転送、読み出
し動作に移る。

信号を転送する前に垂直信号線Ｌｌ、Ｌ？　と蓄積コン
デンサＣｒ１．Ｃｒｙ上の残留電荷をクリアし、φｒ（
Ｂ）をＯＮ状態としてセンサ信号を蓄積用コンデンサｃ
ｒｔ、ｃｒｚへ転送させる。転送が終了し、次にＧの信
号読み出しと同様にして信号の読み出しが行われる。

Ｂの信号の読み出しが終了すると、次はＲのｎｐｎ）ラ
ンジスタＳ目、Ｓ１２の信号Ｒの転送。

読み出しが行なわれる。

信号を転送する前に垂直信号線Ｌｌ、Ｌ２　と蓄積用コ
ンデンサＣ＋＋　、ＣＩ２上の残留電荷をクリアし、φ
＋　（Ｒ）をＯＮ状態としてセンサ信号を蓄積用コンデ
ンサＣＴＩ、ＣＴ２へ転送させる。転送が終了し、次に
Ｇの信号読み出しと同様にして信号の読み出しが行われ
る。

第４図は本発明の光電変換装置の第二実施例の回路構成
図である。

同図に示すように、本実施例の光電変換装置は、ｎｐｎ
）ランジスタＳ２１　、５２２のベースにコンデンサを
取り付けた構成を取り、第一実施例におけるＭＯＳ）ラ
ンジスタＱ２１　、　Ｑ２２を設けず、第８図に示すよ
うなキャパシタ電極２０９（図中破線で図示）を設けた
ものである。

以下の説明において、キャパシタ電極以外の第一実施例
の光電変換装置と同一構成部材については、同一符号を
付して説明を略すものとする。

なお１本実施例の光電変換装置は、キャパシタ電極２０
９を設けることにより、ベース８竹が大きくなり出力信
号レベルが低下するが、ｎｐｎトランジスタＳ、！ｌ　
、Ｓ２２のエミッタ部にスイッチ手段を設ける必要がな
いため、！１成が簡易化される長所を有している０本実
施例ではカラーラインセンサ間の非受光部の占有面積を
減少させるために、中央部のｎｐｎ）ランジスタＳｉ’
ｌ、Ｓ２２にキャパシタ電極を設けている。なお、ｎｐ
ｎ）ランジスタ５２１　、３２２の受光部は出力信号レ
ベルが低下するため、光エネルギーが一番大きい色分解
フィルタを対応させた方がよい。

以下、上記光電変換装置の動作について説明する。なお
、キャパシタ電極を有するｎｐｎ）ランジスタ以外の他
の構成部の動作については、第一実施例と同様なので説
明を省略する。キャパシタ電極が影響をケえるのは過渡
りフレッシュ動作、蓄りａ動作、転送動作においてであ
る。

第５図は、Ｅ記第二実施例の光電変換装置の動作を説明
するためのタイミングチャートである。

過渡リフレッシュ区間Ｔ２において、垂直信号線ＬＩ　
、Ｌ２に接続されたＭＯＳ）ランジスタＱｖｃ＋　　、
　Ｑｖｃｚ　をパルスφｖｃによりＯＮ状慝としてｎｐ
ｎトランジスタＳ２１　、　Ｓ２２のエミッタ電位をＶ
ＶＣとするとともに、パルスφＶ＊　（Ｇ）を“Ｈ″と
して、キャパシタ電極を介してｎｐｎ）ランジスタＳｘ
、Ｓｚｚのベース′准位を所定の電位ＶＢ　　（ＶＤ　
＞Ｖｖｃ）とする、このとき、ベースに蓄積されたホー
ルはエミッタから注入される電子と再結合して消滅し過
渡リフレッシュが行われる。

Ｊ　Ｎ　ＩＫ−ＩＩ！ＩＴ　３Ｋ　Ｂ　イテ、φＶＲ（
Ｇ）ｅ　”ｒ、”状態とすると、ベース電位はエミッタ
電位に対して負′；Ｅ位となって逆バイアス状態となる
。この状態でｎｐｎトランジスタ５２１　、　Ｓ２２の
受光部に光が入射すると、光量に対応したキャリア（こ
こではホール）がベースに蓄積される。

このとき、ｎｐｎ）ランジスタのベース電位はエミッタ
電位に対して、逆バイアス状態となっており１強制的に
ベース電位がエミッタ電位に対して順方向にバイアスさ
れない限り、信号が読み出されることはない、従ってベ
ースに蓄積された電荷による信号を選択的に読み出すこ
とができる。

転送区間Ｔ４において、パルスφＶＲ（Ｇ）を′Ｈ″レ
ベルとすると、Ｇのｎｐｎｌ−ランジスタ５２１　、５
７２のベースの電位が上昇して順バイアス状態となり、
信号がコンデンサＣｒｌ　、　ＣＨ２に転送される。

第６図は本発明の光電変換！Ｉｃｒｌの第三実施例の回
路構成図である。

同図に示すように、本実施例の光電変換装置は、ｎｐｎ
）ランジスタ５２１　、　Ｓ７２のベースが直接、垂直
信号線Ｌｌ、Ｌ７に接続されており、第一実施例におけ
るＭＯＳ）ランジスタＱ２１゜Ｑ２２のない構成となっ
ている。

以下の説明において、第一実施例の光電変換装置と同一
構成部材については、同一符号を付して説明を略すもの
とする。

本実施例の光電変換装置は、単一実施例のように、ｎｐ
ｎ）ランジスタＳ２１　、　Ｓ２２のエミッタにスイッ
チ手段を設けず、また第二実施例のように、ｎｐｎ）ラ
ンジスタｓ、ｌ　５２２のベース玉にキャパシタ電極を
設けないため、構成がさらに簡易化される長所を有して
いる０本実施例ではカラーラインセンサ間の非受光部の
占有面積を減少させるために、中央部のｎｐｎトランジ
スタＳ月、Ｓ２２のエミッタを垂直信号線Ｌｌ、Ｌ７に
接続している。

以下、上記光電変換装置の動作について説明する。なお
、第一実施例と同一構成部材の動作については説明を省
略し、特徴部分となるｎｐｎトランジスタＳ２１　、５
２２の動作についてのみ説明するものとする。

第７図は、上記第三実施例の光電変換装置の動作を説明
するためのタイミングチャートである。

まず、完全リフレッシュ区間Ｔ１において、パルスφＬ
Ｆ２を“Ｌ”レベルにするとｎｐｎトランジスタ５２１
　、５２２のベースは基準電圧ＶＲＦにリセットされる
。

次に、過渡リフレッシュ区間Ｔ？において、垂直信号線
Ｌ１．Ｌ２　に接続されたＭＯ３＋−ランジスタＱＬＩ
ＣＩ　　、　ＱＶＣ２をパルスφｖｃによりＯＮ状態と
し、パルスφＲＦ２によって、ＭＯＳ）ランジスタＱｚ
１．　Ｑ２２をＯＦＦ状席すると、ｎｐｎ）ランジスタ
Ｓ２１　、　Ｓ２２のエミッタ電位はＶｖＣなる。この
とき、ベースに蓄積されたホールはエミッタから注入さ
れる電子と再結合して消滅する。この過渡リフレッシュ
動作によりベース電位は低下し。

その段階で不均一であったセンサ部のｎｐｎベース電位
のバラツキは低減する。

次に、蓄積区間Ｔ３において、パルスφＶＣによって、
トランジスタＱｖｃ＋　　＋　ＱＶＣ２をＯＦＦ状態と
して、ｎｐｎ）テンジスタＳ２１．３２２のエミッタを
浮遊状層とする。

この状態でＪ１Ｐｎトランジスタ３２１　、　Ｓ７２の
受光部に光が入射すると、光量に対応したキャリア（こ
こではホール）がベースにＪａされる。

次に、転送区１ｆＪｆ　Ｔ　４において、パルスφｒに
よってＭＯＳトランジスタＱｒ＋ｒ　Ｑ＋２をＯＮ状態
とし、Ｇのｎｐｎ）ランジスタ５２１１５２２に対応す
る信号を蓄積コンデンサＣ丁１．Ｃ［に転送する。なお
、ここでは、パルスφＶＣによってＭＯＳトランジスタ
Ｑｖｃ＋　　、　Ｑｖｃ２をＯＮ状態として蓄積コンデ
ンサＣＩＩ　Ｉ　Ｃ１０上の残留電荷の除去を行う、い
わゆる電荷除動作は行わない。

次に、読み出し区間Ｔ５において、パルスφＲＦ２　よ
ッテ、ＭｏｓトランジスタＱ２１、Ｑ２ｚｅＯＮ状態ト
シ、ｎｐｎ）う７ジスタＳ２１　、５２２（７）ベース
電位を所定の電位以下に保持する。ベース電位が所定の
電位以下に保持されるために、ｎｐｎ）ランジスタ５２
１　、　Ｓ２２のエミッタが接続されている垂直信号線
に影響を与えることはない、パルスφＲＦ２はＲ，Ｂの
信号の転送、ａみ出し時においてもＯＮ状態が保持され
、Ｒ，Ｈの読出し信号に影響を与えることはない。

次に１本発明を適用した画像読取装置の一例を示す。

第１０図は、画像読取装置の一例の概略的構成図である
。

同図において、原稿５０１は読取り部５０５に対して相
対的に矢印Ｙ方向に機械的に移動する。

また、画像の読み取りは、イメージセンサ５０４によっ
て矢印Ｘ方向に走査することで行われる。

まず、光源５０２からの光は原稿５０１で反射し、その
反射光が結像光学系５０３を通してイメージセンサ５０
４上に像を結像する。これによって、イメージセンサ５
０４には入射光の強さに対応したキャリアが蓄積され、
光電変換されて画像信号として出力する。

この画像信号は、ＡＤ変換器５０６によりデジタル変換
され、画像処理部５０７内のメモリに画像データとして
取り込まれる。そして、シェーディング補正１色補正等
の処理が行われ、パソコン５０８又はプリンタ等へ送信
される。

こうしてＸ方向の走査の画像信号転送が終了すると、＊
稿５０１がＹ方向へ相対的に移動し、以下同様の動作を
繰り返すことで、原稿５０１の前画像を電気信号に変換
し画像情報として取り出すことができる。

［発明の効果ゴ 以上詳細に説明したように、本発明の光電変換によれば
、ラインセンサの光電変換セルの１電極領域の一方にス
イッチ手段を設けることにより、当該光電変換セルから
の信号をスイッチ手段で０Ｎ−ＯＦＦ制御可渣２なって
信号ラインを共通に接続することかを可能となり、その
結果として、ラインセンサの配線を簡易化することがで
き、また蓄積コンデンサ等の回路構成部材を共有化する
ことができるので、センサ部（受光部）以外の非センサ
部（非受光部）の占有面積を減少させ、チップの大きさ
を小さくすることができる。

【図面の簡単な説明】

ｔ５１図は本発明の光電変！ｉ！装置の第一実施例の回
路Ｍｌ成因である。 第２図および第３図は、上記第一実施例の光電変換装置
の動作を説明するためのタイミングチャートである。 第４図は本発明の光電変換装置の第二実施例の回路構成
図である。 第５図は、上記第二実施例の光電変換装置の動作を説明
するためのタイミングチャートである。 第６図は本発明の光電変換装置の第三実施例の回路構成
図である。 第７図は、上記第三実施例の光電変換装置の動作を説明
するためのタイミングチャートである。 第８図は２本発明に用いるラインセンサのセンサ部の模
式的断面図である。 第９図はＣＣＤ型ラインセンサの一構成例を示すａ成因
である。 第１０図は１画像読取装置の一例の概略的構成図である
。 Ｓ口〜Ｓ３２・・・光電変換セル、 Ｑ１１〜にｈ２　、　Ｑｒ＋　、　Ｑｒ２＋　Ｑｖｃ＋
　　ｔ　ＱｖｃｚＱＨＩ　ｒ　Ｑｕ２＊　Ｑａｃ　＋　
ＱＨＣ・・・ＭＯＳ）ランジスタ、 Ｌｌ、Ｌ２・・・垂直信号線。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）同導電型領域よりなる二つの主電極領域と該主電
   極領域と反対導電型の制御電極領域よりなる半導体トラ
   ンジスタの該制御電極領域に光を照射し、電荷を蓄積さ
   せる光電変換セルを有する複数のラインセンサが配設さ
   れた光電変換装置において、 前記複数のラインセンサの少なくとも一ラインの光電変
   換セルにおける前記主電極領域の一方にスイッチ手段を
   設けたことを特徴とする光電変換装置。
2. （２）三つのカラーラインセンサが配設された光電変換
   装置において、 外側に配置する二つのラインセンサの光電変換セルの前
   記主電極領域の一方にスイッチ手段を設け、中央部に配
   置するラインセンサの光電変換セルの制御電極領域に絶
   縁体を介してキャパシタ電極を設けたことを特徴とする
   請求項１記載の光電変換装置。
3. （３）三つのカラーラインセンサが配設された光電変換
   装置において、 外側に配置するラインセンサの光電変換セルの前記主電
   極領域の一方にスイッチ手段を設け、中央部に配置する
   ラインセンサの光電変換セルの前記主電極領域にスイッ
   チ手段を設けないことを特徴とする請求項１記載の光電
   変換装置。