JPH02827A - Production of transparent substrate having transparent conductive pattern separated by light shieldable insulating film and surface colored body - Google Patents
Production of transparent substrate having transparent conductive pattern separated by light shieldable insulating film and surface colored bodyInfo
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Landscapes
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は遮光性絶縁膜によって分離された透明導電性パ
ターンを有する透明基板の製造方法およびこの方法を利
用した表面着色体の製造方法に関するものである。Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a transparent substrate having transparent conductive patterns separated by a light-shielding insulating film, and a method for manufacturing a colored surface body using this method. It is.
[従来の技術及びその問題点]
表示素子や固体撮像素子のカラーフィルター等に用いら
れる表面着色体を製造する従来方法として、高分子電着
法による方法が特開昭59−115886号公報に開示
されている。この従来方法は、透明基板上に透明導電性
パターンを形成した後、得られた透明導電性パターンを
有する基板を色素含有高分子電着浴に浸漬し、前記透明
導電性パターンを電極として対極との間に電圧を印加し
て透明導電性パターン上に着色層を形成するものであり
、電着条件を広範囲に変動させることができるので極め
て汎用性が高く、また筒便であるという特長を有する。[Prior art and its problems] As a conventional method for manufacturing surface colored bodies used for color filters of display elements and solid-state image pickup devices, a method using a polymer electrodeposition method is disclosed in JP-A-59-115886. has been done. In this conventional method, after forming a transparent conductive pattern on a transparent substrate, the substrate having the obtained transparent conductive pattern is immersed in a dye-containing polymer electrodeposition bath, and the transparent conductive pattern is used as an electrode and a counter electrode. A colored layer is formed on a transparent conductive pattern by applying a voltage between the two electrodes.The electrodeposition conditions can be varied over a wide range, making it extremely versatile and convenient. .
ところで高分解能が要求されるカラーフィルターにおい
ては、青色、緑色、赤色の各着色層の面積が極めて小さ
くなるので、各着色層間の境界近傍を透過した光が一部
重なり合い色分解能を低下させることがあり、前述の特
開昭59−115886号公報に記載の表面着色体も、
この色分解能の低下を防止する手段が講じられておらず
、カラーフィルターに応用した場合に色分解能の低下は
避けることができない。By the way, in color filters that require high resolution, the areas of the blue, green, and red colored layers are extremely small, so the light that passes through the vicinity of the boundaries between the colored layers may partially overlap, reducing the color resolution. There is also a surface colored body described in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-115886,
No means have been taken to prevent this decrease in color resolution, and when applied to color filters, the decrease in color resolution is unavoidable.
そこで表面着色体を構成する各着色層の間隙に不要光を
遮光する遮光性絶縁膜を充填させることが行なわれてい
る。このような遮光性絶縁膜の形成のために考えられる
方法として、シルクスクリーン法あるいはオフセット法
などの印刷による方法およびフォトリソグラフィー法に
よる方法が挙げられるが、上記の印刷による方法は透明
導電性パターンの間隙が約100μm程度までの粗い精
度のものしかできず、高分解能カラーフィルターにおけ
る遮光性絶縁膜の形成には適用できない。Therefore, the spaces between the colored layers constituting the surface colored body are filled with a light-shielding insulating film that blocks unnecessary light. Possible methods for forming such a light-shielding insulating film include printing methods such as silk screen method or offset method, and photolithography method. The gap can only be formed with rough precision of about 100 μm, and it cannot be applied to the formation of a light-shielding insulating film in a high-resolution color filter.
またフォトリソグラフィー法による方法として、例えば
特開昭62−247331号公報に記載されている方法
がある。この方法は、透明導電性パターン上に、高分子
電着法により青、緑及び赤の3色の着色層を形成した後
、顔料含有光硬化性樹脂を塗布し、次いで前記着色層を
遮光性膜として機能させて、透明基板の背面より透明導
電性パターンの間隙のみを露光し、この間隙の光硬化性
樹脂を硬化させた後、前記遮光性膜により露光されず、
未硬化の光硬化性樹脂部分を除去して、透明導電性パタ
ーンの間隙に顔料含有硬化樹脂からなる遮光性絶縁膜を
形成するものである。Further, as a method using photolithography, for example, there is a method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-247331. This method involves forming three colored layers of blue, green, and red on a transparent conductive pattern by polymer electrodeposition, applying a pigment-containing photocurable resin, and then applying the colored layer to a light-shielding layer. Functioning as a film, only the gap between the transparent conductive patterns is exposed to light from the back side of the transparent substrate, and after the photocurable resin in this gap is cured, it is not exposed to light by the light-shielding film,
The uncured photocurable resin portion is removed to form a light-shielding insulating film made of a pigment-containing cured resin in the gap between the transparent conductive patterns.
しかしながら上記特開昭62−2473315号公報に
記載された方法においては、最終製品においてカラーフ
ィルターとして機能する、透明導電性パターン上の着色
層に遮光性膜としての機能ももたせているが、その遮光
性が通常は十分でなく、透明基板の背面露光時の紫外線
照射量が例えば75J/−の如く強いと、着色層上の光
硬化性樹脂部分が望ましくない光硬化反応を起し、これ
を防止するために紫外線照射量を例えば50J/−の如
く弱くすると、着色層上の光硬化性樹脂部分の光硬化は
起らないが、目的とする、透明導電性パターンの間隙の
光硬化性樹脂部分の硬化が不十分となり、前記パターン
間隙に緻密な遮光性絶縁膜が得られず、所望の緻密な遮
光性絶縁膜を形成するには、露光条件を厳密にコントロ
ールしなければならないという欠点があった。However, in the method described in JP-A-62-2473315, the colored layer on the transparent conductive pattern, which functions as a color filter in the final product, also has the function of a light-shielding film; If the amount of UV irradiation during back exposure of the transparent substrate is strong, such as 75 J/-, the photocurable resin portion on the colored layer will cause an undesirable photocuring reaction, which can be prevented. If the amount of ultraviolet irradiation is reduced to 50 J/-, for example, the photocurable resin portion on the colored layer will not be photocured, but the photocurable resin portion in the gap between the transparent conductive patterns, which is the target, will not be photocured. There is a drawback that the curing of the insulating film becomes insufficient and a dense light-shielding insulating film cannot be obtained between the pattern gaps, and the exposure conditions must be strictly controlled in order to form the desired dense light-shielding insulating film. Ta.
従って本発明の第1の目的は、透明導電性パターン付き
透明基板の所定パターンを分離するための、形状、寸法
等の精度に優れ、緻密な遮光性絶縁膜を有する透明導電
性パターン付き透明基板を製造する方法を提供すること
にある。Therefore, the first object of the present invention is to provide a transparent substrate with a transparent conductive pattern, which has excellent accuracy in shape, size, etc., and has a dense light-shielding insulating film, for separating a predetermined pattern of the transparent substrate with a transparent conductive pattern. The purpose is to provide a method for manufacturing.
また本発明の第2の目的は、透明導電性パターン付き透
明基板の所定パターンを分離するための、形状、寸法等
の精度に優れ、緻密な遮光性絶縁膜を有し、さらに前記
透明導電性パターン上に、これも形状、寸法等の精度に
優れ、緻密な着色層を有する表面着色体を製造する方法
を提供することにある。A second object of the present invention is to have a transparent conductive patterned transparent substrate having a dense light-shielding insulating film with excellent precision in shape, size, etc., for separating a predetermined pattern of the transparent conductive patterned transparent substrate; The object of the present invention is to provide a method for manufacturing a surface colored body having a dense colored layer with excellent accuracy in shape, size, etc., on a pattern.
[問題点を解決するための手段]
上述の本発明の第1の目的は、遮光性絶縁膜によって分
離された透明導電性パターンを有する透明基板の製造方
法において、
(I) その上に遮光性無機膜パターンを有する透明
導電性パターンを透明基板上に形成する工程、(II)
前記透明基板上に、顔料及び/又は染料含有硬化性
樹脂を塗布する工程、
(III)前記透明基板の背面より露光し、遮光性無機
膜パターンをマスクとして硬化性樹脂を選択的に硬化す
る工程、
(IV) 前記硬化性樹脂の未硬化部分を除去して着
色硬化樹脂からなる遮光性絶縁膜を形成する工程、(V
) 前記透明導電性パターン上の遮光性無機膜パター
ンを剥離する工程、
を順次実施することを特徴とする方法によって達成され
た。[Means for Solving the Problems] The first object of the present invention is to provide a method for manufacturing a transparent substrate having transparent conductive patterns separated by a light-shielding insulating film, (I) having a light-shielding insulating film thereon; Step of forming a transparent conductive pattern having an inorganic film pattern on a transparent substrate, (II)
a step of applying a curable resin containing pigment and/or dye on the transparent substrate; (III) a step of exposing the transparent substrate to light from the back side and selectively curing the curable resin using the light-shielding inorganic film pattern as a mask; , (IV) a step of removing the uncured portion of the curable resin to form a light-shielding insulating film made of a colored curable resin, (V
) The step of peeling off the light-shielding inorganic film pattern on the transparent conductive pattern was achieved by a method characterized by sequentially performing the following steps.
また上述の本発明の第2の目的は、前記工程(I)〜(
V)を順次実施した後、
(VI) 前記透明導電性パターン上に着色層を形成
する工程
を実施することを特徴とする表面着色体の製造方法によ
って達成された。Further, the second object of the present invention described above is the steps (I) to (
This was achieved by a method for manufacturing a colored surface body, characterized in that after carrying out step (V) in sequence, (VI) a step of forming a colored layer on the transparent conductive pattern is carried out.
先ず工程(I)〜(V)からなる、遮光性絶縁膜によっ
て分離された透明導電性パターンを有する透明基板の製
造方法について説明する。First, a method for manufacturing a transparent substrate having transparent conductive patterns separated by a light-shielding insulating film, which includes steps (I) to (V), will be described.
工程(I)は、透明基板上に、遮光性無機膜パターンを
有する透明導電性パターンを形成する工程である。Step (I) is a step of forming a transparent conductive pattern having a light-shielding inorganic film pattern on a transparent substrate.
本発明において使用される透明基板としてはアルミノボ
ロシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、ホウ
ケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、石英ガラス等のガ
ラス基板あるいはアクリル樹脂、ポリカーボネート等の
プラスチック基板が挙げられるが、透明なものであれば
他の材料例えばセラミックスやサファイヤ等も使用され
る。透明基板としては、ガラス基板等の表面に二酸化ケ
イ素等の透明薄膜を形成したものも含まれる。Examples of the transparent substrate used in the present invention include glass substrates such as aluminoborosilicate glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, soda lime glass, and quartz glass, and plastic substrates such as acrylic resin and polycarbonate. Other materials such as ceramics and sapphire may also be used. Examples of the transparent substrate include those in which a transparent thin film of silicon dioxide or the like is formed on the surface of a glass substrate or the like.
この透明基板上への遮光性無機膜パターン付き透明導電
性パターンの形成は例えば下記の方法(^)、 (B)
等により行なわれる。For example, the transparent conductive pattern with a light-shielding inorganic film pattern can be formed on the transparent substrate using the following methods (^) and (B).
etc.
方法旦り
透明基板上に、所定のパターン形成手段(例えばフォト
リソグラフィー法等)により、透明導電性パターンを形
成する工程(a1)と、工程(a1)で形成された透明
導電性パターン上に、所定の成膜手段(例えば電気メツ
キ法や無電解メツキ法等)により遮光性無機膜パターン
を形成する工程(a2)と、
を含む。A step (a1) of forming a transparent conductive pattern on a transparent substrate by a predetermined pattern forming means (for example, photolithography method, etc.); and on the transparent conductive pattern formed in step (a1), A step (a2) of forming a light-shielding inorganic film pattern by a predetermined film forming method (for example, electroplating method, electroless plating method, etc.).
方法建り
透明基板上に透明導電性膜を形成した後、該透明導電性
膜上に、透明導電性膜のエツチング手段に対して耐性を
有する遮光性無機膜を形成し、しかる後、該遮光性無機
膜上にレジスト膜を形成する工程(b1)と、
工程(b1)で形成されたレジスト膜を選択的に露光現
像してレジストパターンを形成した後、該レジストパタ
ーンをマスクとし前記遮光性無機膜をそのエツチング手
段によりエツチングして遮光性無機膜パターンを形成し
、次いで該遮光性無機膜パターンをマスクとし前記透明
導電性膜をそのエツチング手段によりエツチングして透
明導電性パターンを形成する工程(b2)と、
を含む。After forming a transparent conductive film on a transparent substrate, a light-shielding inorganic film that is resistant to etching means for the transparent conductive film is formed on the transparent conductive film, and then the light-shielding inorganic film is a step (b1) of forming a resist film on the organic inorganic film; and after selectively exposing and developing the resist film formed in step (b1) to form a resist pattern, the resist pattern is used as a mask to provide the light-shielding property. A step of etching the inorganic film using the etching means to form a light-shielding inorganic film pattern, and then using the light-shielding inorganic film pattern as a mask, etching the transparent conductive film using the etching means to form a transparent conductive pattern. (b2) and (b2).
先ず方法(A)による、透明基板上への遮光性無機膜パ
ターン付き透明導電性パターンの形成について説明する
。First, the formation of a transparent conductive pattern with a light-shielding inorganic film pattern on a transparent substrate by method (A) will be described.
この方法(A)によれば、先ず、工程(a1)において
、例えばITO膜(酸化インジウム錫膜)やネサ膜(必
要によりアンチモンをドープした酸化錫膜)よりなる透
明導電性パターンを、所定のパターン形成手段、例えば
フォトリソグラフィー法等を用いて透明基板上に形成す
るが、この工程(a1)は当業者に良く知られているの
で、ここに詳述するのを省略する。According to this method (A), first, in step (a1), a transparent conductive pattern made of, for example, an ITO film (indium tin oxide film) or a NESA film (tin oxide film doped with antimony if necessary) is It is formed on a transparent substrate using a pattern forming means, such as photolithography, but since this step (a1) is well known to those skilled in the art, a detailed description thereof will be omitted here.
次に工程(a2)について説明すると、透明導電性パタ
ーン上に設けられる遮光性無機膜パターンの材料として
は、遮光性を有するものであれば、如何なる種類の金属
を用いても良く、例えばニツケル、銀、金、銅、クロム
、コバルト、白金等が挙げられる。遮光性無機膜パター
ンの厚さは、遮光性膜としての機能を果すに十分な厚さ
であれば良く、例えば500〜10,000μmである
。これらの遮光性無機膜パターンは、所定の成膜手段例
えば電気メツキ法や無電解メツキ法等により形成される
。Next, step (a2) will be explained. As the material of the light-shielding inorganic film pattern provided on the transparent conductive pattern, any kind of metal may be used as long as it has light-shielding properties, such as nickel, Examples include silver, gold, copper, chromium, cobalt, and platinum. The thickness of the light-shielding inorganic film pattern may be any thickness sufficient to function as a light-shielding film, and is, for example, 500 to 10,000 μm. These light-shielding inorganic film patterns are formed by a predetermined film forming method such as an electroplating method or an electroless plating method.
なおこの遮光性無機膜パターンはその目的を果した後、
後述の工程(V)において剥離しやすいものが好ましい
。特に好ましい遮光性無機膜パターンとして、無電解メ
ツキ法により形成されるニッケルメッキ膜パターンが挙
げられる。この無電解メツキ法によるニッケルメッキ膜
パターンの形成を更に詳しく述べると以下のとおりであ
る。即ち、透明導電性パターン付き透明基板上にフォト
レジストを全面塗布した後、透明導電性パターンの上部
のみのレジストをフォトリソグラフィー法により剥離し
、その後、露出している透明導電性パターン表面の活性
化、触媒付与、触媒活性化等の前処理の後、常法による
無電解ニッケルメッキ処理を施し、残存しているレジス
ト上に析出したニッケルをレジストごと剥離し、前記透
明導電性パターン上のみにニッケルメッキ膜にニッケル
メッキ膜パターンを形成させる。また、このニッケルメ
ッキ膜パターンの形成は、上述したフォトレジストの塗
布工程を含むフォトリソグラフィー法を省略して、通常
の無電解メツキ法によって行っても良い。After this light-shielding inorganic film pattern has fulfilled its purpose,
It is preferable to use a material that can be easily peeled off in step (V) described below. A particularly preferred light-shielding inorganic film pattern is a nickel plating film pattern formed by electroless plating. The formation of the nickel plating film pattern by this electroless plating method will be described in more detail below. That is, after coating the entire surface of a transparent substrate with a transparent conductive pattern with photoresist, the resist only on the upper part of the transparent conductive pattern is removed by photolithography, and then the exposed surface of the transparent conductive pattern is activated. After pretreatment such as catalyst addition and catalyst activation, electroless nickel plating is performed using a conventional method, and the nickel deposited on the remaining resist is peeled off along with the resist, and nickel is deposited only on the transparent conductive pattern. A nickel plating film pattern is formed on the plating film. Further, the formation of this nickel plating film pattern may be performed by a normal electroless plating method, omitting the photolithography method including the photoresist coating step described above.
また、透明導電性パターン上への遮光性無機膜パターン
の形成は、上述したようにフォトリソグラフィー法によ
り透明導電性パターンの上部のみのレジストを剥離し、
次いでスパッタリング法や真空蒸着法等により、全面に
クロム等の遮光性無機膜を形成した後、残存しているレ
ジスト上の遮光性無機膜をレジスト膜ごと剥離すること
によって行なってもよい。In addition, to form a light-shielding inorganic film pattern on the transparent conductive pattern, as described above, the resist only on the upper part of the transparent conductive pattern is peeled off using the photolithography method.
Next, after forming a light-shielding inorganic film such as chromium on the entire surface by sputtering method, vacuum evaporation method, etc., the light-shielding inorganic film remaining on the resist may be peeled off together with the resist film.
得られたニッケルメッキ膜等の遮光性無機膜パターンは
、従来遮光性膜として用いられていた顔料や染料を含む
着色膜と比べて、すぐれた遮光性を有するので、後述の
工程(II)で塗布される硬化性樹脂の工程(III)
での露光処理において、紫外線等の光線の透過を抑え、
その上部に存在する硬化性樹脂の硬化を著しく防止する
という利点を有する。The obtained light-shielding inorganic film pattern such as a nickel plating film has superior light-shielding properties compared to colored films containing pigments and dyes that have been conventionally used as light-shielding films, so it is used in step (II) described below. Step of applying curable resin (III)
In the exposure process, it suppresses the transmission of light such as ultraviolet rays,
It has the advantage of significantly preventing the curing of the curable resin present thereon.
次に方法(8)による、透明基板上への遮光性無機膜パ
ターン付き透明導電性パターンの形成について説明する
。Next, the formation of a transparent conductive pattern with a light-shielding inorganic film pattern on a transparent substrate by method (8) will be described.
この方法(8)によれば、先ず工程(b1)において、
透明基板上に例えばITO膜やネサ膜などからなる透明
導電性膜を形成した後、該透明導電性膜上に、透明導電
性膜のエツチング手段に対して耐性を有する遮光性無機
膜を形成し、しかる後、該遮光性無機膜上にレジスト膜
を形成する。According to this method (8), first in step (b1),
After forming a transparent conductive film made of, for example, an ITO film or a NESA film on a transparent substrate, a light-shielding inorganic film that is resistant to etching means for the transparent conductive film is formed on the transparent conductive film. After that, a resist film is formed on the light-shielding inorganic film.
前記の透明導電性膜上に形成される遮光性無機膜として
は、チタン、クロム、タンタル、タングステン、モリブ
デン等の金属、シリコン、ホウ素等の半金属、炭素等の
非金属、またはそれらの窒化物、酸化物、炭化物、ホウ
化物、珪化物等からなるもの、さらにはそれらを混合し
てなるものであってもよい。さらに、セラミックスから
なる薄膜であってもよい。すなわち、遮光性無機膜の組
成としては、透明導電性膜のエツチング手段に対して耐
性を有するものであればいずれも使用され得る。ここに
「透明導電性膜のエツチング手段に対して耐性を有する
」とは、透明導電性膜のエツチング手段により遮光性無
機膜がエツチングされないことのみならず、遮光性無機
膜が透明導電性膜よりもエツチングされにくいことをも
意味する。The light-shielding inorganic film formed on the transparent conductive film may include metals such as titanium, chromium, tantalum, tungsten, and molybdenum, semimetals such as silicon and boron, nonmetals such as carbon, or nitrides thereof. , oxides, carbides, borides, silicides, etc., or a mixture thereof. Furthermore, a thin film made of ceramics may be used. That is, as the composition of the light-shielding inorganic film, any composition can be used as long as it is resistant to etching means for transparent conductive films. Here, "having resistance to the etching means of the transparent conductive film" means not only that the light-shielding inorganic film is not etched by the etching means of the transparent conductive film, but also that the light-shielding inorganic film is more resistant than the transparent conductive film. It also means that it is difficult to be etched.
また遮光性無機膜としては、透明導電性膜との付着性及
びレジスト膜との付着性の良好なものを用いるのが好ま
しい。遮光性無機膜の形成方法としてはスパッタリング
法、CVD法、イオンブレーティング法、真空蒸着法等
を採用し得る。この場合に、遮光性無機膜の膜厚は透明
導電性膜を均一に覆いかつ後述の工程(III)におけ
る背面露光時に遮光性を有するに足る厚さであることが
望まれ、例えば500Å以上の膜厚が推奨される。Further, as the light-shielding inorganic film, it is preferable to use one that has good adhesion to the transparent conductive film and good adhesion to the resist film. As a method for forming the light-shielding inorganic film, a sputtering method, a CVD method, an ion blating method, a vacuum evaporation method, etc. can be adopted. In this case, the thickness of the light-shielding inorganic film is desired to be thick enough to uniformly cover the transparent conductive film and to have light-shielding properties during back exposure in step (III) described below. Recommended film thickness.
遮光性無機膜は2層以上の多層膜であっても良く、この
場合、透明導電性膜に隣接する側のみが透明導電性膜と
の付着性の良好なものであれば良く、レジスト膜に隣接
する側はレジスト膜との付着性の良好なものが好ましい
。The light-shielding inorganic film may be a multilayer film of two or more layers, and in this case, it is sufficient that only the side adjacent to the transparent conductive film has good adhesion to the transparent conductive film, and the resist film has good adhesion to the transparent conductive film. The adjacent side preferably has good adhesion to the resist film.
前記の遮光性無機膜上に形成されるレジスト膜としては
、ポジ型フォトレジスト膜1、ネガ型フォトレジスト膜
、並びにポジ型及びネガ型電子線レジスト膜を用いても
よい。レジスト膜の形成方法は、スピンコード法、スプ
レーコート法、ロールコート法等を採用し得る。なお、
電子線レジスト膜の場合には、レジストパターンの形成
のために電子線露光法を採用すればよい。As the resist film formed on the light-shielding inorganic film, a positive photoresist film 1, a negative photoresist film, and positive and negative electron beam resist films may be used. As a method for forming the resist film, a spin code method, a spray coating method, a roll coating method, etc. can be adopted. In addition,
In the case of an electron beam resist film, an electron beam exposure method may be employed to form a resist pattern.
方法(B)によれば、次に工程(b2)において、レジ
スト膜を選択的に露光し現像してレジストパターンを形
成した後、該レジストパターンをマスクとし前記遮光性
無機膜をそのエツチング手段によりエツチングして遮光
性無機膜パターンを形成し、次いで該遮光性無機膜パタ
ーンをマスクとし前記透明導電性膜をそのエツチング手
段によりエツチングして透明導電性パターンを形成する
。According to method (B), in step (b2), the resist film is selectively exposed and developed to form a resist pattern, and then the light-shielding inorganic film is etched using the resist pattern as a mask. A light-shielding inorganic film pattern is formed by etching, and then, using the light-shielding inorganic film pattern as a mask, the transparent conductive film is etched by the etching means to form a transparent conductive pattern.
この工程(b2)において、レジストパターンをマスク
とする遮光性無機膜のエツチング及び該エツチングで得
られた遮光性無機膜パターンをマスクとする透明導電性
膜のエツチングは、エツチング液を用いる湿式エツチン
グ法や、プラズマエツチング法、スパッタエツチング法
及びリアクティブイオンエツチング法等の乾式エツチン
グ法により行なわれる。In this step (b2), the etching of the light-shielding inorganic film using the resist pattern as a mask and the etching of the transparent conductive film using the light-shielding inorganic film pattern obtained by this etching as a mask are performed using a wet etching method using an etching solution. Alternatively, dry etching methods such as plasma etching, sputter etching, and reactive ion etching may be used.
また遮光性無機膜のエツチング及び透明導電性膜のエツ
チングを上記湿式法又は乾式法により2工程で行なう場
合、最初の遮光性無機膜のエツチング工程で、透明導電
性膜が部分的にエツチングされても構わない。Furthermore, when etching the light-shielding inorganic film and etching the transparent conductive film in two steps using the wet method or dry method described above, the transparent conductive film may be partially etched in the first etching step of the light-shielding inorganic film. I don't mind.
またレジストパターンをマスクとして遮光性無機膜パタ
ーンを形成した後、遮光性無機膜パターンをマスクとし
透明導電性膜パターンを形成し、次いでレジストパター
ンを剥離しても良いが、これ以外に遮光性無機膜パター
ンを形成した後、レジストパターンを剥離し、遮光性無
機膜パターンのみをマスクとして透明導電性膜パターン
を形成しても良い。Furthermore, after forming a light-shielding inorganic film pattern using the resist pattern as a mask, a transparent conductive film pattern may be formed using the light-shielding inorganic film pattern as a mask, and then the resist pattern may be peeled off. After forming the film pattern, the resist pattern may be peeled off and a transparent conductive film pattern may be formed using only the light-shielding inorganic film pattern as a mask.
この方法(8)によれば、工程(bl〉において、透明
導電性膜とレジスト膜との間に設けられた遮光性無機膜
が、透明導電性膜のエツチング手段に対して耐性を有す
るので、工程(b2)において、レジストパターンをマ
スクとして形成された遮光性無機膜パターンをマスクと
し、透明導電性膜をそのエツチング手段によりエツチン
グして透明導電性パターンを形成する際に、前記遮光性
無機膜パターンが、有機物からなるレジストパターンに
比べ透明導電性膜との付着性に優れ、その下にある透明
導電性膜のエツチングされるべきでない部分をエツチン
グ手段から保護する。従って透明導電性パターンがサイ
ドエツチングされるのが防止され、寸法精度に優れた遮
光性無機膜パターンを有する透明導電性パターンを得る
ことができるという利点がある。According to this method (8), in step (bl>), the light-shielding inorganic film provided between the transparent conductive film and the resist film has resistance to the etching means of the transparent conductive film, so that In step (b2), when forming a transparent conductive pattern by etching the transparent conductive film using the etching means using the light-shielding inorganic film pattern formed using the resist pattern as a mask, the light-shielding inorganic film is The pattern has superior adhesion to the transparent conductive film compared to a resist pattern made of organic matter, and protects the underlying transparent conductive film that should not be etched from the etching means.Therefore, the transparent conductive pattern This method has the advantage that it is possible to obtain a transparent conductive pattern having a light-shielding inorganic film pattern that is prevented from being etched and has excellent dimensional accuracy.
透明導電性パターンには、複数本のパターン要素がスト
ライプ状に配列されたストライブパターンの他に、ピク
セルパターンとリードパターンとからなり、ピクセルパ
ターンがリードパターンを介してトライアングル状又は
モザイク状に配列されたトライアングルパターン又はモ
ザイクパターンとがある。The transparent conductive pattern includes a stripe pattern in which a plurality of pattern elements are arranged in a stripe pattern, as well as a pixel pattern and a lead pattern, and the pixel pattern is arranged in a triangle shape or a mosaic shape through the lead pattern. There is a triangular pattern or a mosaic pattern.
このトライアングルパターン又はモザイクパターンでは
、ピクセルパターンのみに着色層が形成され、ピクセル
パターン以外の、リードパターンを含む領域に遮光性絶
縁膜が形成されるので、工程(I)においてピクセルパ
ターン上にのみ遮光性無機膜パターンを形成する必要が
ある、これは、例えば下記の方法(c) 、 (D)に
よって行なわれる。In this triangle pattern or mosaic pattern, a colored layer is formed only on the pixel pattern, and a light-shielding insulating film is formed on the region other than the pixel pattern, including the lead pattern, so in step (I), the light-shielding layer is formed only on the pixel pattern. It is necessary to form an organic inorganic film pattern, and this can be done, for example, by the following methods (c) and (D).
方法包し
所定のパターン形成手段(例えばフォトリソグラフィー
法等)により、ピクセルパターンとリードパターンとか
らなる透明導電性パターンを透明基板上に形成する工程
(c1)と、
工程(c1)で得られた透明導電性パターン付き透明基
板上にレジスト膜を形成した後、該レジスト膜を選択的
に露光現像して、ピクセルパターン以外の、リードパタ
ーンを含む領域にレジストパターンを形成する工程(c
2)と、
工程(c2)で形成されたレジストパターンの間隙のピ
クセルパターン上に所定の成膜手段(例えば方法(A)
の工程(a2)で用いた電気メツキ法や無電解メツキ法
など)により遮光性無機膜パターンを形成する工程(c
3)と、
を含む。The method includes a step (c1) of forming a transparent conductive pattern consisting of a pixel pattern and a lead pattern on a transparent substrate by a predetermined pattern forming means (for example, photolithography method, etc.); After forming a resist film on a transparent substrate with a transparent conductive pattern, the resist film is selectively exposed and developed to form a resist pattern in an area including a lead pattern other than the pixel pattern (c
2) and a predetermined film forming method (for example, method (A)) on the pixel pattern in the gap between the resist patterns formed in step (c2).
Step (c) of forming a light-shielding inorganic film pattern using the electroplating method or electroless plating method used in step (a2)
3) and .
友汰伊と
透明基板上に透明導電性膜を形成した後、該透明導電性
膜上に、透明導電性膜のエツチング手段に対して耐性を
有する遮光性無機膜を形成し、しかる後、該遮光性無機
膜上にレジスト膜を形成する工程(d1)と、
工程(d1)で形成されたレジスト膜を選択的に露光現
像してレジストパターンを形成した後、該レジストパタ
ーンをマスクとし前記遮光性無機膜をそのエツチング手
段によりエツチングして遮光性無機膜パターンを形成し
、次いで該遮光性無機膜パターンをマスクとし前記透明
導電性膜をそのエツチング手段によりエツチングして、
ピクセルパターンとリードパターンとからなる透明導電
性パターンを形成する工程(d2)と、
工程(d2)で形成された、その上に遮光性無機膜パタ
ーンを有する透明導電性パターン付き透明基板上にレジ
スト膜を形成しノご後、該レジスト膜を選択的に露光現
像し、遮光性無機膜パターンを有するリードパターン以
外の部分にレジストパターンを形成し、その後、リード
パターン上の露出している遮光性無機膜パターンおよび
レジストパターンを順次除去する工程(d3)と、を含
む。After forming a transparent conductive film on a transparent substrate, a light-shielding inorganic film that is resistant to etching means for the transparent conductive film is formed on the transparent conductive film, and then Step (d1) of forming a resist film on the light-shielding inorganic film; After selectively exposing and developing the resist film formed in step (d1) to form a resist pattern, using the resist pattern as a mask, the light-shielding etching the transparent conductive film using the etching means to form a light-shielding inorganic film pattern; then using the light-shielding inorganic film pattern as a mask, etching the transparent conductive film using the etching means;
A step (d2) of forming a transparent conductive pattern consisting of a pixel pattern and a lead pattern, and a resist on the transparent substrate with the transparent conductive pattern formed in step (d2) and having a light-shielding inorganic film pattern thereon. After forming the film, the resist film is selectively exposed and developed to form a resist pattern on the portion other than the lead pattern having the light-shielding inorganic film pattern, and then the exposed light-shielding on the lead pattern is The method includes a step (d3) of sequentially removing the inorganic film pattern and the resist pattern.
なお透明導電性パターン((イ)ストライプパターンや
(ロ)トライアングルパターン又はモザイクパターン中
のピクセルパターン)上に形成される遮光性無機膜パタ
ーンの形状は、透明導電性パターンの形状と同一であっ
ても良く、また透明導電性パターンの形状よりも小さく
ても良い。なお、後者の場合、後記工程(II)〜(V
)により、透明導電性パターン上にも着色硬化樹脂が部
分的に存在する遮光性絶縁膜が形成され、さらに後記工
程(VI)により、透明導電性パターンの形状よりも小
さい着色層が形成される。Note that the shape of the light-shielding inorganic film pattern formed on the transparent conductive pattern ((a) stripe pattern, (b) triangle pattern, or pixel pattern in a mosaic pattern) must be the same as the shape of the transparent conductive pattern. It may also be smaller than the shape of the transparent conductive pattern. In the latter case, steps (II) to (V
), a light-shielding insulating film in which colored cured resin is partially present also on the transparent conductive pattern is formed, and further, in step (VI) described later, a colored layer smaller than the shape of the transparent conductive pattern is formed. .
さらに、透明導電性パターン、例えばストライプパター
ン上に形成される遮光性無機膜パターンは、ストライプ
パターン上に所定形状(例えば矩形状)で所定間隔を保
って並べ設けたものであってもよく、この場合、後記工
程(TI)〜(V)により、ストライブパターン上にも
遮光性絶縁膜が形成され、さらに後記工程(vr)によ
りストライプパターン上に所定形状(例えば矩形状)で
所定間隔を保って着色層が形成される。Further, the light-shielding inorganic film pattern formed on the transparent conductive pattern, for example, the stripe pattern, may be arranged in a predetermined shape (for example, rectangular shape) at a predetermined interval on the stripe pattern. In this case, a light-shielding insulating film is also formed on the stripe pattern in the steps (TI) to (V) described later, and a light-shielding insulating film is formed on the stripe pattern in a predetermined shape (for example, rectangular shape) at a predetermined interval in the step (vr) described later. A colored layer is formed.
次に本発明の工程(II)は、顔料及び又は染料含有硬
化性樹脂を透明基板上に塗布する工程である。Next, step (II) of the present invention is a step of applying a pigment- and/or dye-containing curable resin onto a transparent substrate.
この工程(II)において用いられる硬化性樹脂として
紫外線領域の光線で硬化反応する所謂紫外線硬化型の材
料がその使用の容易なことから好ましい。かかる材料の
主成分としてはアクリル系、ウレタン系、エポキシ系、
合成ゴム系、ポリビニルアルコール系、ポリケイ皮酸ビ
ニル系等の各樹脂、さらには還元ゴム(シスイソプレン
)とアリルジアジドの架橋剤の組合せからなるものや、
ゼラチンがあり、それぞれ単独であるいは混合して使用
することができる。これらは光硬化型塗料あるいはネガ
型レジストとして市販されており、市販品の代表例とし
て東京応化(株)製OMR−85が挙げられる。これら
の樹脂の光硬化性やその他の物性を更に向上させるため
反応性希釈剤、光反応開始剤、光増悪剤等を適宜加える
ことができる。As the curable resin used in step (II), a so-called ultraviolet curable material that undergoes a curing reaction with light in the ultraviolet region is preferred because it is easy to use. The main components of such materials include acrylic, urethane, epoxy,
Synthetic rubber-based, polyvinyl alcohol-based, polyvinyl cinnamate-based resins, etc., as well as those made of a combination of reduced rubber (cisisoprene) and allyl diazide crosslinking agents,
There are gelatins, each of which can be used alone or in combination. These are commercially available as photocurable paints or negative resists, and OMR-85 manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd. is a typical example of a commercially available product. In order to further improve the photocurability and other physical properties of these resins, a reactive diluent, photoinitiator, photoenhancement agent, etc. can be added as appropriate.
硬化性樹脂は、透明導電性パターンを分離する薄膜を遮
光性絶縁膜とするために、必須成分として顔料及び/又
は染料を含有する。顔料の例としては、カーボンブラッ
ク、酸化鉄、チタン白、フタロシアニン系顔料、スレン
系顔料、アニリンブラック等が挙げられ、また染料の例
としては、アゾ系、アントラキノン系、インジゴイド系
、ベンゾキノン系、ナフトキノン系、ナフタルイミド系
、メチン系、キノリン系、ニトロ系、ニトロソ系、フタ
ロシアニン系、カルボニウム系、キノイミン系、ペリノ
ン系、サルファイド系染料等が挙げられる。なお、顕色
剤との反応により着色生成物を生じる無色染料を用いて
も良いが、無色染料を用いる場合には、顕色剤を併用し
、後述する工程(III)の露光後、適当な時期に加熱
し、着色生成物を形成させる必要がある。しかし無色染
料を用いた場合、硬化性樹脂混合物が工程(III)の
露光時に無色で透光性が良いので、低い紫外線照射量で
露光できるという利点がある。この無色染料としては、
感熱記録材料において発色剤として用いられるものが原
則的に全て使用でき、その例としてラクトン系、トリフ
ェニルメタン系、フルオラン系、ローダミンラクタム系
、フルオレン系、スピロピラン系等の化合物が挙げられ
る。この無色染料の市販品として、PSD−150(新
日曹化工(株))、TH−107(保土谷化学(株))
、S−205(山田化学(株)>、DEOC(山田化学
(株))等が挙げられる。また加熱により上記無色染料
と反応する顕色剤としては、感熱記録材料において顕色
剤として用いられているものが原則的に全て使用でき、
その例としてビスフェノールA、ビスフェノールS、ベ
ンジル−p−ヒドロキシベンゾエート等が挙げられる。The curable resin contains a pigment and/or dye as an essential component in order to make the thin film separating the transparent conductive patterns into a light-shielding insulating film. Examples of pigments include carbon black, iron oxide, titanium white, phthalocyanine pigments, threne pigments, aniline black, etc. Examples of dyes include azo, anthraquinone, indigoid, benzoquinone, and naphthoquinone. dyes, naphthalimide dyes, methine dyes, quinoline dyes, nitro dyes, nitroso dyes, phthalocyanine dyes, carbonium dyes, quinoimine dyes, perinone dyes, and sulfide dyes. Note that a colorless dye that produces a colored product by reaction with a color developer may be used, but when a colorless dye is used, a color developer is used in combination, and after exposure in step (III) described below, an appropriate colorant is used. It is necessary to heat the product in time to form a colored product. However, when a colorless dye is used, the curable resin mixture is colorless and has good translucency during exposure in step (III), so there is an advantage that exposure can be performed with a low amount of ultraviolet irradiation. This colorless dye is
In principle, all coloring agents used in heat-sensitive recording materials can be used, examples of which include lactone-based, triphenylmethane-based, fluoran-based, rhodamine-lactam-based, fluorene-based, and spiropyran-based compounds. Commercial products of this colorless dye include PSD-150 (Shin Nisso Kako Co., Ltd.) and TH-107 (Hodogaya Chemical Co., Ltd.).
, S-205 (Yamada Chemical Co., Ltd.), DEOC (Yamada Chemical Co., Ltd.), etc. Also, as a color developer that reacts with the above-mentioned colorless dye by heating, it is used as a color developer in heat-sensitive recording materials. In principle, you can use all of the
Examples include bisphenol A, bisphenol S, benzyl-p-hydroxybenzoate, and the like.
この顔料及び/又は染料含有硬化性樹脂の透明基板上へ
の塗布は、スクリーン法やオフセット法などの印刷によ
る方法、ロールコート法、デイツプ法、スピンコード法
等により行なわれる。なお、顔料及び/又は染料含有硬
化性樹脂に炭化水素、アルコール、エステル、ケトン、
エチルセロソルブ等の希釈剤を加えて低粘度化すること
により、塗布性を向上させることも適宜性なわれる。The pigment and/or dye-containing curable resin is applied onto the transparent substrate by a printing method such as a screen method or an offset method, a roll coating method, a dip method, a spin code method, or the like. In addition, hydrocarbons, alcohols, esters, ketones,
Applicability may be improved by adding a diluent such as ethyl cellosolve to lower the viscosity.
また塗布後、塗布膜にある程度の強度をもたせせ、透明
基板との密着性を向上させるため、そして希釈剤を用い
た場合はこれを揮散させるために硬化性樹脂を予備硬化
しても良い。予備硬化の条件は、例えば50〜120℃
で10〜60分間程度である。Further, after coating, the curable resin may be precured in order to impart a certain degree of strength to the coating film, improve adhesion to the transparent substrate, and, if a diluent is used, to volatilize the diluent. Precuring conditions are, for example, 50 to 120°C.
It takes about 10 to 60 minutes.
なお光硬化性樹脂の代りに電子線硬化型樹脂を用いても
よい。Note that an electron beam curable resin may be used instead of a photocurable resin.
次に本発明の工程(III)は、前記透明基板の背面す
なわち基板の透明導電性パターンを有しない側より露光
する工程である。Next, step (III) of the present invention is a step of exposing the transparent substrate from the back side, that is, the side of the substrate that does not have a transparent conductive pattern.
この工程により、透明導電性パターン上の遮光性無機膜
パターン(OD (光学濃度)1.5以上が望ましい)
の上に存在する硬化性樹脂は露光されないことから硬化
せず、それ以外の領域の硬化性樹脂は露光されて硬化す
る。この遮光性無機膜パターンは遮光性にすぐれている
ので、背面露光により硬化性樹脂の硬化部分と未硬化部
分とがシャープに形成されるという利点がある。Through this process, a light-shielding inorganic film pattern (OD (optical density) of 1.5 or more is desirable) on a transparent conductive pattern is formed.
The curable resin present on the surface is not exposed to light and is therefore not cured, and the curable resin in other areas is exposed to light and cured. Since this light-shielding inorganic film pattern has excellent light-shielding properties, it has the advantage that the hardened portion and uncured portion of the curable resin are sharply formed by back exposure.
硬化性樹脂として光硬化型樹脂を用い、これに有色の顔
料や染料を加えた場合には、紫外線照射量は50〜10
0J/cdであるのが好ましいが、場合によりこれ以外
の紫外線照射量を採用することもできる。また同種の樹
脂に無色染料及び顕色剤を加えた場合には、紫外線照射
量は10〜200mJ/−で良い。この方法によれば、
上述の如く遮光性無機膜パターンが遮光性にすぐれてい
るので、遮光性無機膜パターン上の硬化性樹脂は硬化せ
ず、それ以外の領域の硬化性樹脂が目的とする厚さで硬
化するに必要な紫外線照射量を与えれば良いので、露光
条件のコントロールが容易であるという利点もある。When a photocurable resin is used as the curable resin and colored pigments or dyes are added to it, the amount of ultraviolet irradiation is 50 to 10
Although 0 J/cd is preferable, other ultraviolet irradiation amounts may be used depending on the case. Further, when a colorless dye and a color developer are added to the same type of resin, the amount of ultraviolet irradiation may be 10 to 200 mJ/-. According to this method,
As mentioned above, since the light-shielding inorganic film pattern has excellent light-shielding properties, the curable resin on the light-shielding inorganic film pattern does not harden, and the curable resin in other areas hardens to the desired thickness. There is also the advantage that the exposure conditions can be easily controlled because it is sufficient to apply the necessary amount of ultraviolet irradiation.
次に本発明の工程(IV)は硬化性樹脂の未硬化部分を
除去する工程である。Next, step (IV) of the present invention is a step of removing the uncured portion of the curable resin.
この硬化性樹脂の未硬化部分の除去は適当な溶解力を有
する薬剤(以下現像液という)を用いることによって行
なわれる。現像液は前記工程(II)で塗布された硬化
性樹脂の種類によって種々選択されるが、通常は苛性ソ
ーダ、炭酸ナトリウム等のアルカリ性水溶液、あるいは
エステル、ケトン、アルコール、芳香族炭化水素、脂肪
族炭化水素、塩素化炭化水素等の有機溶剤が適宜選択使
用される。この除去処理は浸漬あるいはシャワーなどに
より10秒ないし5分程度行なえばよく、またこの処理
を超音波を与えながら行なってもよい。この工程(IV
)により硬化性樹脂の未硬化部分は除去され、硬化部分
において、着色硬化樹脂が所定の厚さで残存し、これが
遮光性絶縁膜となる。The uncured portion of the curable resin is removed by using a chemical having an appropriate dissolving power (hereinafter referred to as a developer). Various developers are selected depending on the type of curable resin applied in step (II), but usually an alkaline aqueous solution such as caustic soda or sodium carbonate, or an ester, ketone, alcohol, aromatic hydrocarbon, or aliphatic carbon. Organic solvents such as hydrogen and chlorinated hydrocarbons are appropriately selected and used. This removal treatment may be carried out for about 10 seconds to 5 minutes by immersion or showering, or may be carried out while applying ultrasonic waves. This process (IV
), the uncured portion of the curable resin is removed, and the colored cured resin remains at a predetermined thickness in the cured portion, which becomes a light-shielding insulating film.
この方法によれば、上述の如く、露光により硬化性樹脂
の硬化部分と未硬化部分とがシャープに形成されるので
、所定の透明導電性パターンを明確に分離する遮光性絶
縁膜が形成され、遮光性無機膜パターン上には硬化され
た樹脂が全く形成されないという利点がある。According to this method, as described above, the cured portion and uncured portion of the curable resin are sharply formed by exposure, so that a light-shielding insulating film that clearly separates a predetermined transparent conductive pattern is formed. There is an advantage that no hardened resin is formed on the light-shielding inorganic film pattern.
この未硬化樹脂の除去処理の後、水、有機溶剤等による
通常の洗浄処理が行なわれる。またこの洗浄処理の後、
後硬化処理(焼付けともいう)が通常行なわれる。なお
硬化性樹脂に加えられる染料として無色染料を用い、顕
色剤と併用した場合には、この後硬化により無色染料と
顕色剤とが反応して着色生成物を生じ、この段階で遮光
性が付与される。後硬化の条件としては樹脂の種類によ
るが、通常は150〜250℃で30分〜2時間である
。After this uncured resin removal treatment, a normal cleaning treatment using water, an organic solvent, etc. is performed. Also, after this cleaning process,
A post-cure treatment (also called baking) is commonly performed. In addition, when a colorless dye is used as the dye added to the curable resin and used in combination with a color developer, the colorless dye and color developer react with each other during post-curing to produce a colored product, and at this stage light-shielding properties are obtained. will be granted. Post-curing conditions depend on the type of resin, but are usually 150 to 250°C for 30 minutes to 2 hours.
次に本発明の工程(V)は、前述の工程(IV)の後、
その目的を終えた、透明導電性パターン上の遮光性無機
膜パターンを剥離する工程である。Next, step (V) of the present invention includes, after the above-mentioned step (IV),
This is the step of peeling off the light-shielding inorganic film pattern on the transparent conductive pattern, which has completed its purpose.
通常、この剥離処理はそれぞれの遮光性無機膜パターン
を溶解する薬液を用いる湿式法により行なわれる。ニッ
ケル膜の場合は、濃硝酸や濃塩酸−濃硝酸−水混液(モ
ル濃度比1/1/3)を用いて行なわれ、通常はこの後
にアルカリ水溶液、水、イソプロピルアルコール、フロ
ン等をこの順序で用いる洗浄処理が行なわれる。Usually, this peeling treatment is performed by a wet method using a chemical solution that dissolves each light-shielding inorganic film pattern. In the case of nickel films, this is done using concentrated nitric acid or a mixed solution of concentrated hydrochloric acid, concentrated nitric acid, and water (molar concentration ratio 1/1/3), and this is usually followed by an aqueous alkaline solution, water, isopropyl alcohol, CFC, etc. in this order. The cleaning process used in
このようにして得られた製品は、透明基板上の透明導電
性パターンを明確に分離する、形状、寸法等の精度にす
ぐれ、かつ緻密な遮光性絶縁膜が形成されているので、
遮光膜付き透明電極基板として好ましく使用される。The product obtained in this way has excellent precision in shape and size, and has a dense light-shielding insulating film that clearly separates the transparent conductive pattern on the transparent substrate.
It is preferably used as a transparent electrode substrate with a light-shielding film.
次に、本発明の表面着色体の製造方法は、工程(I)〜
(V)を順次実施した後、得られた上記製品について、
更に工程(VI)として、透明導電性パターン上に着色
層を形成する工程を実施するものである。Next, the method for producing a surface colored body of the present invention includes steps (I) to
After sequentially carrying out (V), for the above-mentioned product obtained,
Further, as step (VI), a step of forming a colored layer on the transparent conductive pattern is performed.
この工程(V1)における着色層を形成する方法として
は、オフセット、シルクスクリーン等の印刷による方法
、フォトリソグラフィーによる方法、更には高分子電着
法による方法等があるが、これらのうち、高分子電着法
が透明導電性パターン上に忠実に精度良く着色層を形成
することができるため有用である。この高分子電着法は
一最に電着塗装として知られており、公知の方法である
。この電着塗装にはアニオン系電着塗装とカチオン系電
着塗装があり、何れの方法も使用できる。Methods for forming the colored layer in this step (V1) include offset printing, silk screen printing, photolithography, and polymer electrodeposition. Electrodeposition is useful because it allows a colored layer to be faithfully and precisely formed on a transparent conductive pattern. This polymer electrodeposition method is most commonly known as electrodeposition coating, and is a well-known method. This electrodeposition coating includes anionic electrodeposition coating and cationic electrodeposition coating, and either method can be used.
上記着色層に使用しうる材料としては、マレイン化油系
、アクリル系、ポリエステル系、ポリブタジェン系、ポ
リオレフィン系等の樹脂材料が挙げられる。これらの樹
脂材料はそれぞれ単独であるいは混合して使用される。Examples of materials that can be used for the colored layer include maleated oil-based, acrylic-based, polyester-based, polybutadiene-based, and polyolefin-based resin materials. These resin materials may be used alone or in combination.
この工程(vi)で形成される着色層が特にカラーフィ
ルターとして機能する薄膜である場合には、例えば赤、
緑、青の3種の顔料を使用し、この3種の顔料のそれぞ
れを含有する高分子電着層を赤、緑、青の順で規則的に
形成する。かかる顔料としてはベンガラ、アゾ系赤色顔
料、キナクリドン系赤色顔料、ペリレン系赤色顔料、フ
タロシアニン系緑色顔料、フタロシアニン系青色顔料等
が使用し得る。上述したように3種の顔料を用いて3色
の着色層を形成する以外に、単色に着色してもよく、あ
るいは2色以上で種々の色の組み合せを選択して着色し
てもよい。When the colored layer formed in this step (vi) is a thin film that functions as a color filter, for example, red,
Three types of pigments, green and blue, are used, and polymer electrodeposition layers containing each of these three types of pigments are regularly formed in the order of red, green, and blue. As such pigments, red pigments, azo red pigments, quinacridone red pigments, perylene red pigments, phthalocyanine green pigments, phthalocyanine blue pigments, etc. can be used. In addition to forming a colored layer of three colors using three types of pigments as described above, it may be colored in a single color, or it may be colored by selecting various combinations of two or more colors.
上述の如く、工程(I)〜(V)を順次実施することに
より形状、寸法等の精度にすぐれ、かつ緻密な遮光性絶
縁膜が形成されているので、更に工程(VI)を実施す
ることにより、前記遮光性絶縁膜の間隙にこれも形状、
寸法等の精度にすぐれ、かつ緻密な着色層を有する表面
着色体を製造し得るという利点がある。As mentioned above, by sequentially performing steps (I) to (V), a dense light-shielding insulating film with excellent shape, dimension, etc. accuracy is formed, so step (VI) is further performed. Therefore, the gap between the light-shielding insulating films also has a shape,
This method has the advantage that it is possible to produce a surface-colored body with excellent dimensional accuracy and a dense colored layer.
[実施例] 以下実施例により本発明を更に具体的に説明する。[Example] The present invention will be explained in more detail with reference to Examples below.
実施例1
(1) 第1図において、透明基板1として、表面を
研磨したアルミノボロシリケートガラス基板を用い、こ
の基板1上に通常のフォトリソグラフィー法により10
00人の厚さのITOからなる、ストライブ状の透明導
電性パターン2aを形成した。Example 1 (1) In FIG. 1, an aluminoborosilicate glass substrate whose surface has been polished is used as the transparent substrate 1, and 100% of
A striped transparent conductive pattern 2a made of ITO with a thickness of 0.00 mm was formed.
次に透明基板1上に透明導電性パターン2aが完全に被
覆されるようにフォトレジスト(例:ヘキスト社製A2
1350)を全面塗布し、90℃で30分間ベークした
後、透明導電性パターン2aの上部のみのフォトレジス
トを通常のフォトリソグラフィー法により剥離し、次い
で透明導電性パターン2aの表面活性化、触媒付与、触
媒活性化等の通常の前処理の後、通常の無電解ニッケル
メッキ処理を施し、次いで残存しているフォトレジスト
上に析出したニッケルをレジストごと剥離し、前記透明
導電性パターン2a上のみにニッケルからなる遮光性無
機膜パターン3a(膜厚500人)を形成させなく第1
図(a)参照)。Next, a photoresist (for example, A2 manufactured by Hoechst) is applied so that the transparent conductive pattern 2a is completely covered on the transparent substrate 1.
1350) on the entire surface and baked at 90° C. for 30 minutes, the photoresist only on the upper part of the transparent conductive pattern 2a is peeled off by a normal photolithography method, and then the surface of the transparent conductive pattern 2a is activated and a catalyst is applied. After normal pretreatment such as catalyst activation, a normal electroless nickel plating process is performed, and then the nickel deposited on the remaining photoresist is peeled off along with the resist, leaving only the transparent conductive pattern 2a. The first method was performed without forming the light-shielding inorganic film pattern 3a (film thickness: 500 mm) made of nickel.
(See figure (a)).
(2) 次に酸化鉄15重量部とフタロシアニン系顔
料5重量部とを混合して得た顔料混合物20重量部に硬
化性樹脂として光硬化性アクリル樹脂(東京応化(株)
OMR−85)を80重量部、さらに硬化開始剤と
してイルガキュア181(チバガイギー社)を5PHR
加えた後、得られた樹脂混合物をスクリーン印刷法によ
り基板1上に塗布し、膜厚4〜6μmの顔料含有光硬化
性樹脂塗膜4を形成したく第1図(b)参照)。(2) Next, 20 parts by weight of a pigment mixture obtained by mixing 15 parts by weight of iron oxide and 5 parts by weight of a phthalocyanine pigment were added to a photocurable acrylic resin (Tokyo Ohka Co., Ltd.) as a curable resin.
80 parts by weight of OMR-85) and 5 PHR of Irgacure 181 (Ciba Geigy) as a curing initiator.
After the addition, the resulting resin mixture is applied onto the substrate 1 by screen printing to form a pigment-containing photocurable resin coating 4 having a thickness of 4 to 6 μm (see FIG. 1(b)).
(3) 次に顔料含有光硬化性樹脂塗膜4を50〜1
20℃で30分間予備硬化した後、基板1の背面(透明
導電性パターン2a、が存在しない側)から50〜10
0J/−の紫外線照射量の紫外線5を日本電池(株)製
紫外線露光装置ASE−20型を用いて照射した(第1
図(c)参照)、上述の如く透明導電性パターン2a上
には遮光性無機膜パターン3aが存在するので、その上
の光硬化性樹脂塗膜4の部分は全く露光されずに未硬化
のままであり、透明導電性パターン2aの間隙の光硬化
性樹脂塗膜4の部分のみがシャープに露光されて、厚さ
1.6μmの硬化塗膜部分が形成された(第1図(c)
において塗膜4のスマッジング部分が硬化塗膜部分を、
それ以外の部分が未硬化塗膜部分を示す)。(3) Next, apply a pigment-containing photocurable resin coating 4 of 50 to 1
After precuring for 30 minutes at 20°C, 50 to 10
Ultraviolet 5 was irradiated with an ultraviolet irradiation amount of 0 J/- using an ultraviolet exposure device ASE-20 manufactured by Nippon Battery Co., Ltd. (1st
(See Figure (c)) As mentioned above, since the light-shielding inorganic film pattern 3a exists on the transparent conductive pattern 2a, the photocurable resin coating 4 on it is not exposed at all and remains uncured. Only the portions of the photocurable resin coating 4 in the gaps between the transparent conductive patterns 2a were sharply exposed, forming a cured coating with a thickness of 1.6 μm (Fig. 1(c)).
, the smudging part of the coating film 4 replaces the cured coating part,
The other parts indicate uncured coating parts).
(4) 露光後、基板全体を25℃の現像液(エッソ
社製ツルペッツ100)に浸漬し、40HH2の超音波
を与えながら2〜3分間現像処理した後、新規なツルペ
ッツ100を用いて、上の現像処理と同一条件で洗浄処
理し、次いで200℃で60分間かけて後硬化(焼付け
)して、黒色硬化樹脂からなる遮光性絶縁膜4aを形成
した(第1図(d)参照)。なお透明導電性パターン2
a上の遮光性無機膜パターン3a上には樹脂の硬化部分
は認められなかった。(4) After exposure, the entire substrate is immersed in a developer at 25°C (Tsurupez 100 manufactured by Esso) and developed for 2 to 3 minutes while applying 40HH2 ultrasonic waves. A cleaning treatment was carried out under the same conditions as the development treatment described above, followed by post-curing (baking) at 200° C. for 60 minutes to form a light-shielding insulating film 4a made of a black cured resin (see FIG. 1(d)). Note that transparent conductive pattern 2
No hardened portion of the resin was observed on the light-shielding inorganic film pattern 3a above a.
(5) 次に基板全体を濃硝酸中に浸漬して、遮光性
無機膜パターン3aを剥離した後、洗浄液としてアルカ
リ水溶液、水、イソプロピルアルコール、フロンをこの
順序で用いて洗浄して基板1上の透明導電性パターン2
aの間隙に厚さ1.6μmの黒色硬化樹脂からなる遮光
性絶縁膜4aを有する製品を得た(第1図(e)参照)
。(5) Next, the entire substrate is immersed in concentrated nitric acid to peel off the light-shielding inorganic film pattern 3a, and then the substrate 1 is cleaned using an alkaline aqueous solution, water, isopropyl alcohol, and CFC in this order as cleaning liquids. transparent conductive pattern 2
A product having a light-shielding insulating film 4a made of a black cured resin with a thickness of 1.6 μm in the gap a was obtained (see FIG. 1(e)).
.
この遮光性絶縁膜4aは、遮光性を有するだけでなく、
形状、寸法等の精度にすぐれ、かつ緻密であるため、本
実施例で得られた製品は、精度の良い遮光性絶縁膜付き
透明電極基板として使用することができた。This light-shielding insulating film 4a not only has a light-shielding property, but also
The product obtained in this example was able to be used as a highly accurate transparent electrode substrate with a light-shielding insulating film because it had excellent precision in shape, size, etc., and was dense.
実施例2
実施例1で得られた、基板1上の透明導電性パターン2
aの間隙に、黒色硬化樹脂からなる遮光性絶縁膜4aを
有する製品を高分子電着塗装処理して、透明導電性パタ
ーン2a上に着色層を形成した。Example 2 Transparent conductive pattern 2 on substrate 1 obtained in Example 1
In the gap a, a product having a light-shielding insulating film 4a made of a black cured resin was subjected to polymer electrodeposition coating to form a colored layer on the transparent conductive pattern 2a.
電着溶液として下記の3種のものを用いた。The following three types of electrodeposition solutions were used.
(以下余白)
着色層の形成は、先ず電着溶液(A−1>を用いて青色
着色層6bを形成させ、次いで電着溶液(A−2>を用
いて緑色着色層6gを形成させ、最後に電着溶液(A−
3)を用いて赤色着色層6rを形成させる3段階法によ
り行ない、着色層6b、6g、6rを透明導電性パター
ン2上に形成した(第1図(f)参照)。なお各段階に
おいて印加電圧は約40V、印加時間は10秒間であり
、各段階後、純水にて洗浄しその後80℃で10分間乾
燥させた。(The following is a blank space) Formation of the colored layer involves first forming a blue colored layer 6b using an electrodeposition solution (A-1>, then forming a green colored layer 6g using an electrodeposition solution (A-2>), Finally, the electrodeposition solution (A-
3) to form a red colored layer 6r, colored layers 6b, 6g, and 6r were formed on the transparent conductive pattern 2 (see FIG. 1(f)). In each step, the applied voltage was about 40 V and the application time was 10 seconds. After each step, the sample was washed with pure water and then dried at 80° C. for 10 minutes.
実施例1で述べたように、遮光性絶縁膜4aが形状、寸
法等の精度にすぐれているため、この遮光性絶縁膜4a
の間隙に形成された着色層6b。As described in Example 1, since the light-shielding insulating film 4a has excellent precision in shape, dimensions, etc., this light-shielding insulating film 4a
Colored layer 6b formed in the gap.
6g、6rも形状、寸法等の精度にすぐれたものであっ
た。また、透明導電性パターン2a上に形成された着色
層は、青色着色層6b、緑色着色層6g、赤色着色層6
rの順で規則的に配列されているので、カラーフィルタ
ー用薄膜として有効であった。6g and 6r also had excellent accuracy in shape, size, etc. The colored layers formed on the transparent conductive pattern 2a include a blue colored layer 6b, a green colored layer 6g, and a red colored layer 6.
Since they were regularly arranged in the order of r, they were effective as thin films for color filters.
従って本実施例で得られた製品は、透明導電性パターン
上に精度の良い3色着色層を、そして透明導電性パター
ンの間隙にこれも精度の良い黒色遮光性絶縁膜を有する
ので、遮光性絶縁膜付きカラーフィルターとして好適に
使用することができた。Therefore, the product obtained in this example has a three-color colored layer with high precision on the transparent conductive pattern, and a black light-shielding insulating film with high precision between the transparent conductive patterns, so it has light-shielding properties. It could be suitably used as a color filter with an insulating film.
実施例3
(1) 第2図において、透明基板1として、表面を
精密研磨したアルミノボロシリケートガラス基板を用い
、この透明基板1の表面上に1000人の厚さのITO
からなる透明導電性膜2を、酸化インジウム(95重1
%)と酸化錫(5重量%)とを混合してなる蒸発源を用
いる真空蒸着法により形成した。次いでこの透明導電性
膜2上に膜厚800人のクロム窒化物からなる遮光性無
機膜3を、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気(N2含
有率20体積%、圧力3 X 10 ’Torr)中チ
クロムからなるターゲットを用い直流マグネトロンスパ
ッタリング法により形成した。このクロム窒化物からな
る遮光性無機膜3は透明導電性膜2のエツチング手段に
対して耐性を有する。さらにこの遮光性無機膜3上に膜
厚5000人のレジスト膜7をポジ型フォトレジスト(
ヘキスト社製AZ−1350>をスピンコード法により
塗布することにより形成した(第2図(a)参照)。そ
の後、温度90℃の雰囲気下で30分間レジスト膜7を
ベークした。Example 3 (1) In FIG. 2, an aluminoborosilicate glass substrate whose surface has been precisely polished is used as the transparent substrate 1, and ITO with a thickness of 1000 mm is deposited on the surface of the transparent substrate 1.
A transparent conductive film 2 consisting of indium oxide (95x1
%) and tin oxide (5% by weight) by a vacuum evaporation method using an evaporation source. Next, a light-shielding inorganic film 3 made of chromium nitride with a film thickness of 800 mm was placed on the transparent conductive film 2 in a mixed gas atmosphere of argon and nitrogen (N2 content 20% by volume, pressure 3 x 10' Torr). It was formed by direct current magnetron sputtering using a target made of thichrome. This light-shielding inorganic film 3 made of chromium nitride has resistance to etching means for the transparent conductive film 2. Furthermore, on this light-shielding inorganic film 3, a positive photoresist (
It was formed by applying AZ-1350 manufactured by Hoechst Co., Ltd. by a spin code method (see FIG. 2(a)). Thereafter, the resist film 7 was baked for 30 minutes in an atmosphere at a temperature of 90°C.
次に、所定のパターンが形成しであるフォトマスクを通
して紫外線によりレジスト膜7を選択的に露光し、AZ
−1350専用現像液により現像してレジスト膜7の未
露光部分からなるレジストパターン7aを形成した(第
2図(b)参照)。Next, the resist film 7 is selectively exposed to ultraviolet light through a photomask on which a predetermined pattern is formed, and the AZ
-1350 exclusive developer was used to form a resist pattern 7a consisting of the unexposed portion of the resist film 7 (see FIG. 2(b)).
次にレジストパターン7aをマスクとし、硫酸第2セリ
ウムアンモニウム165gと過塩素酸(70%)42m
lに純水を加えて10100Oにした溶液からなるエツ
チング液(液温:23℃)を用い、遮光性膜3を50秒
間エツチングして遮光性無機膜パターン3aを形成した
(第2図(c)参照)0次いで40ボ一メ度塩化第2鉄
水溶液及び36重量%塩酸を1:1に混合し、50℃に
加熱したエツチング溶液を用い、遮光性無機膜パターン
3aをマスクとし透明導電性膜2を66秒間エツチング
して、透明導電性パターン2aを形成した(第2図(d
)参照)。Next, using the resist pattern 7a as a mask, add 165 g of ceric ammonium sulfate and 42 m of perchloric acid (70%).
The light-shielding film 3 was etched for 50 seconds using an etching solution (liquid temperature: 23° C.) consisting of a solution made by adding pure water to 10100 O to form a light-shielding inorganic film pattern 3a (see Fig. 2 (c). )) Next, using an etching solution that was prepared by mixing a 1:1 ferric chloride aqueous solution and 36% by weight hydrochloric acid and heating it to 50°C, a transparent conductive film was formed using the light-shielding inorganic film pattern 3a as a mask. The film 2 was etched for 66 seconds to form a transparent conductive pattern 2a (see Figure 2(d)).
)reference).
次に、レジストパターン7aを5重量%苛性ソーダ水溶
液からなるレジスト剥離液にて剥離し、透明導電性パタ
ーン2aおよび遮光性無機膜パターン3aを順次有する
透明基板1を得な(第2図(e)参照)。Next, the resist pattern 7a is peeled off using a resist stripping solution consisting of a 5% by weight aqueous solution of caustic soda to obtain a transparent substrate 1 having a transparent conductive pattern 2a and a light-shielding inorganic film pattern 3a in this order (FIG. 2(e)). reference).
この方法によれば、透明導電性パターン2aを形成する
際に、透明導電性膜2のエツチング手段に対して耐性を
有する遮光性無機膜パターン3aをマスクとしているた
め、透明導電膜2のサイドエツチングを防止して、より
高精度な透明導電性パターン2aが形成されるという利
点がある。According to this method, when forming the transparent conductive pattern 2a, the light-shielding inorganic film pattern 3a, which is resistant to the etching means of the transparent conductive film 2, is used as a mask, so that side etching of the transparent conductive film 2 is avoided. This has the advantage that a more precise transparent conductive pattern 2a can be formed by preventing this.
(2) 上記(1)で得られた遮光性無機膜パターン
3a付き透明導電性パターン2aを有する透明基板1(
第1図(a)参照)について、実施例1の(2)〜(5
)と同様に処理して(第1図の(b)〜(d)参照)、
第1図(e)に示されたような、透明基板1上の透明導
電性パターン2aの間隙に黒色硬化樹脂からなる遮光性
絶縁膜4aを有する製品を得な。本実施例の方法では、
上述の如く透明導電性パターン2aを形成する際、透明
導電性膜2のエツチング手段に対して耐性を有する遮光
性無機膜パターン3aをマスクとしているため、透明導
電性膜2のサイドエツチングを防止して、実施例1の場
合よりも高精度な形状を有する透明導電性パターン2a
が形成されているので、その間隙に形成される黒色硬化
樹脂からなる遮光性絶縁膜4aも高精度な形状を有する
という利点がある。(2) A transparent substrate 1 having a transparent conductive pattern 2a with a light-blocking inorganic film pattern 3a obtained in (1) above
(See FIG. 1(a)), (2) to (5) of Example 1
) (see (b) to (d) in Figure 1),
A product having a light-shielding insulating film 4a made of a black cured resin in the gap between the transparent conductive patterns 2a on the transparent substrate 1 as shown in FIG. 1(e) is obtained. In the method of this example,
As described above, when forming the transparent conductive pattern 2a, since the light-shielding inorganic film pattern 3a, which is resistant to the etching means of the transparent conductive film 2, is used as a mask, side etching of the transparent conductive film 2 is prevented. Therefore, the transparent conductive pattern 2a has a more precise shape than that of Example 1.
, there is an advantage that the light-shielding insulating film 4a made of black cured resin formed in the gap also has a highly accurate shape.
実施例4
実施例3で得られた、基板1上の透明導電性パターン2
aの間隙に、寸法精度の良い遮光性絶縁膜4aを有する
製品(第1図(e)参照)を、実施例2と同様に高分子
電着塗装処理して、第1図(f)に示されたような、透
明導電性パターン2a上に青色着色層6b、緑色着色層
6g、赤色着色層6rが規則的に配列された表面着色体
を得な。Example 4 Transparent conductive pattern 2 on substrate 1 obtained in Example 3
A product having a light-shielding insulating film 4a with good dimensional accuracy in the gap a (see Fig. 1(e)) was treated with polymer electrodeposition coating in the same manner as in Example 2, and the product shown in Fig. 1(f) was obtained. Obtain a surface colored body in which a blue colored layer 6b, a green colored layer 6g, and a red colored layer 6r are regularly arranged on a transparent conductive pattern 2a as shown.
本実施例の方法では、高精度な形状を有する遮光性絶縁
膜4aの間隙に着色層6b、6g、6rを形成するので
、着色層も形状精度に優れている。In the method of this embodiment, the colored layers 6b, 6g, and 6r are formed in the gaps of the light-shielding insulating film 4a having highly accurate shapes, so the colored layers also have excellent shape accuracy.
すなわち、本実施例で得られた製品は、透明導電性パタ
ーン2a上に精度の良い3色着色層6b。That is, the product obtained in this example has a highly accurate three-color colored layer 6b on a transparent conductive pattern 2a.
6g、6rを、そして透明導電性パターンの間隙にこれ
も精度の良い黒色遮光性絶縁膜を有するので、遮光性絶
縁膜付きカラーフィルターとして極めて好適に使用する
ことができた。6g and 6r, which also had a black light-shielding insulating film with high precision in the gap between the transparent conductive patterns, could be used very suitably as a color filter with a light-shielding insulating film.
実施例5
(1)第3図において、透明基板1として、表面を精密
研磨したアルミノボロシリケートガラス基板を用い、こ
の上に透明導電性膜としてIT○からなる膜を1.70
0人の厚さに真空蒸着し、さらにその上にフォトレジス
トとしてポジ型フォトレジスト(例;ヘキスト社製A2
1350)をスピンコード法により10,000人の厚
さに塗布した後、90°Cで30分間ベークして、透明
導電性膜及びフォトレジストを有する基板を作成した。Example 5 (1) In FIG. 3, an aluminoborosilicate glass substrate whose surface has been precisely polished is used as the transparent substrate 1, and a film made of IT○ is coated thereon with a film thickness of 1.70 mm as a transparent conductive film.
Vacuum evaporated to a thickness of 0.0 mm, and then a positive photoresist (e.g. A2 manufactured by Hoechst) on top of it as a photoresist.
1350) was coated to a thickness of 10,000 wafers by a spin-coating method, and then baked at 90° C. for 30 minutes to produce a substrate having a transparent conductive film and a photoresist.
次に所定のパターンを有するフォトマスクを用い、前記
フォトレジストを紫外線により選択的に露光し、次いで
所定の現像液(例:AZ専用現像液)により現像処理し
て、所望のレジストパターンを形成した後、120℃で
30分間ポストベークして、透明導電性膜とレジストパ
ターンとの密着性を高めな上で、前記レジストパターン
をマスクとじ40ボ一メ度塩化第2鉄水溶液と36重量
%塩酸の1/1混合液からなるエツチング液(50℃)
を用いて、透明導電性膜をエツチングし、レジストパタ
ーンに対応した透明導電性パターンを形成した。このと
きのエツチング時間は1.700人の透明導電性膜がエ
ツチングされるに要する最少限の時間である56秒の倍
の1分52秒であった。Next, the photoresist was selectively exposed to ultraviolet light using a photomask having a predetermined pattern, and then developed with a predetermined developer (e.g., AZ exclusive developer) to form a desired resist pattern. After that, post-baking at 120° C. for 30 minutes to increase the adhesion between the transparent conductive film and the resist pattern, and then sealing the resist pattern with a mask and adding 40 degrees of ferric chloride aqueous solution and 36% hydrochloric acid. Etching solution (50℃) consisting of a 1/1 mixture of
The transparent conductive film was etched to form a transparent conductive pattern corresponding to the resist pattern. The etching time at this time was 1 minute and 52 seconds, which is twice the minimum time of 56 seconds required for etching 1,700 transparent conductive films.
次にレジストパターンを、先ずメチルセロソルブを用い
て10分間超音波洗浄し、次いでイソプロピルアルコー
ルを用いて10分間超音波洗浄することにより剥離し、
さらにイソプロピルアルコール蒸気を用いて乾燥するこ
とにより、透明導電性膜からなるピクセルパターン2p
及びリードパターン2i!を有する透明基板1を得た(
第3図(a)参照)。Next, the resist pattern is peeled off by first ultrasonic cleaning using methyl cellosolve for 10 minutes, and then ultrasonically cleaning using isopropyl alcohol for 10 minutes,
Furthermore, by drying using isopropyl alcohol vapor, a pixel pattern 2p made of a transparent conductive film is formed.
and lead pattern 2i! A transparent substrate 1 having (
(See Figure 3(a)).
(2)次に、上記の(1)で用いたと同一のフォトレジ
スト(ヘキスト社製A21350)を上記(1)で用い
たと同様の方法で10,000人の厚さに塗布した後、
90℃で30分間ベークして、密着性を高めた上で、ピ
クセルパターン2pの上方の部分のみが露光されるマス
クを用いて、前記レジストを選択的に露光し、次いで所
定の現像液(AZ専用現像液)を用いて現像処理して、
リードパターン21を含む、ピクセルパターン2P。(2) Next, the same photoresist (A21350 manufactured by Hoechst Co., Ltd.) used in (1) above was applied to a thickness of 10,000 mm using the same method as used in (1) above.
After baking at 90° C. for 30 minutes to improve adhesion, the resist is selectively exposed using a mask that exposes only the upper part of the pixel pattern 2p, and then a predetermined developer (AZ Developed using special developer),
Pixel pattern 2P including lead pattern 21.
2pの間隙部分にレジストパターン7aを形成した(第
3図(b)参照)。A resist pattern 7a was formed in the gap 2p (see FIG. 3(b)).
次いで、塩酸を含有する溶液を用いて露出透明導電性膜
(ピクセルパターン2p>の活性化、浸漬法によるPd
、Snの錯塩を主成分とする触媒の付与、Pd、Snの
錯塩から触媒金属(Pd)を析出させるための触媒の活
性化処理等の前処理を、ホウフッ化水素酸等のフッ化物
を含有した強酸性溶液を用いることによって行ない、塩
化ニッケルもしくは硫酸ニッケル及び還元剤として次亜
リン酸ナトリウムを主成分とするメツキ洛中で80℃に
加熱し、無電解ニッケルメッキを施し、リンその他の不
純物を少量含有するニッケルからなる遮光性無機膜パタ
ーン3aをピクセルパターン2p上に形成した(第3図
(c)参照)。このパターン3aはOD(光学濃度)が
2以上となるように膜厚を1.000人とした。Next, the exposed transparent conductive film (pixel pattern 2p) is activated using a solution containing hydrochloric acid, and Pd is activated by a dipping method.
, applying a catalyst mainly composed of a complex salt of Sn, and activating the catalyst to precipitate the catalyst metal (Pd) from the complex salt of Pd and Sn. This is done by using a strongly acidic solution containing nickel chloride or nickel sulfate and sodium hypophosphite as the reducing agent, heated to 80°C, electroless nickel plating is applied, and phosphorus and other impurities are removed. A light-shielding inorganic film pattern 3a made of nickel containing a small amount was formed on the pixel pattern 2p (see FIG. 3(c)). The film thickness of this pattern 3a was set to 1.000 mm so that the OD (optical density) was 2 or more.
次にメチルセロソルブを用いて、レジストパターン7a
上のニッケルメッキ層3bをレジストパターン7aごと
剥離し、ピクセルパターン2p上にのみニッケルからな
る遮光性無機膜パターン3aを形成させた(第3図(d
)参照)。ピクセルパターン2p以外の部分に予めレジ
ストパターン7aが形成されているので、ニッケルから
なる遮光性無機膜パターン3aはピクセルパターン2p
上にのみ形成され、それ以外の部分においてニッケルメ
ッキ層の形成は観察されなかった。Next, using methyl cellosolve, resist pattern 7a is
The upper nickel plating layer 3b was peeled off along with the resist pattern 7a, and a light-shielding inorganic film pattern 3a made of nickel was formed only on the pixel pattern 2p (see Fig. 3(d)).
)reference). Since the resist pattern 7a is previously formed in the area other than the pixel pattern 2p, the light-shielding inorganic film pattern 3a made of nickel is formed in the area other than the pixel pattern 2p.
A nickel plating layer was formed only on the top, and no nickel plating layer was observed on other parts.
(3) 次にカーボンブラック及び酸化鉄を含む透性
顔料と光硬化性アクリル樹脂(東京応化(株)OMR−
85>との混合物(顔料/樹脂の重量比は20/80〜
40/60、望ましくは35/65であり、この35/
65の場合において、顔料骨35の内訳はカーボンブラ
ックが5、酸化鉄が30であって、カーボンブラックと
酸化鉄がこのような割合であると、抵抗値が約109Ω
であり、絶縁性を有する)を基板1全体に、ピクセルパ
ターン2p及びリードパターン21が存在しない部分の
膜厚が3μmとなるように塗布して絶縁性を有する顔料
含有光硬化性樹脂塗膜4を形成した(第3図(e)参照
)。これを80〜90°Cで10分間ベークした後、紫
外線照射量75J/−の紫外線5により透明基板1の背
面(基板1のピクセルパターン2p及びリードパターン
21を有しない側)より露光した(第3図(f)参照)
。この露光において、ピクセルパターン2p上のニッケ
ルからなるパターン3aが遮光性膜として機能するので
、このパターン3a上の顔料含有光硬化性樹脂塗膜4の
部分は露光されず未硬化のままであり、ピクセルパター
ン29.2pの間隙の部分(リードパターン2βのある
部分を含み、第3図げ)におけるスマッジング部分)の
みが紫外線を透過して光硬化しな。(3) Next, a transparent pigment containing carbon black and iron oxide and a photocurable acrylic resin (Tokyo Ohka Co., Ltd. OMR-
85> (pigment/resin weight ratio 20/80~
40/60, preferably 35/65, and this 35/60
In the case of No. 65, the pigment bones 35 are composed of 5 carbon black and 30 iron oxide, and when carbon black and iron oxide are in this proportion, the resistance value is about 109Ω.
and has insulating properties) is applied to the entire substrate 1 so that the thickness of the part where the pixel pattern 2p and lead pattern 21 are not present is 3 μm to form a pigment-containing photocurable resin coating 4 having insulating properties. was formed (see Figure 3(e)). After baking this at 80 to 90°C for 10 minutes, the back surface of the transparent substrate 1 (the side without the pixel pattern 2p and lead pattern 21 of the substrate 1) was exposed to ultraviolet 5 with an ultraviolet irradiation amount of 75 J/-. (See Figure 3 (f))
. In this exposure, since the pattern 3a made of nickel on the pixel pattern 2p functions as a light-shielding film, the portion of the pigment-containing photocurable resin coating 4 on this pattern 3a is not exposed to light and remains uncured. Only the gap portion of pixel pattern 29.2p (including the portion with lead pattern 2β, the smudging portion in Figure 3) transmits the ultraviolet rays and is not photocured.
次にニッケルからなる遮光性無機膜パターン3a上の顔
料含有光硬化性樹脂塗膜4の未硬化部分を前記光硬化性
アクリル樹脂用専用現像液(エッソ社製ツルペッツ10
0:液温22℃)を用いて溶解除去した後、純水からな
る洗浄液によりスクラブ洗浄し、更に200℃で60分
間かけて焼付けして、ピクセルパターン2P、2Pの間
隙に黒色硬化樹脂からなる遮光性絶縁膜パターン4aを
形成した(第3図(9)参照)。次にピクセルパターン
2p上のニッケルからなる遮光性無機膜パターン3aを
濃塩酸−濃硝酸−水混液(モル濃度比1/1/2)にて
溶解除去して、ピクセルパターン2P、2pの間隙に遮
光性絶縁膜4aを有する製品を得た(第3図(h)参照
)。得られた製品において、遮光性絶縁膜4aは、その
形成過程において、前記ニッケルからなる遮光性無機膜
パターン3aの存在により、顔料含有光硬化性樹脂4の
未露光未硬化部分と露光硬化部分とがシャープに形成さ
れているので、形状、寸法等の精度に優れ、かつ緻密な
ものであった。従って本実施例で得られた製品は、精度
の良い遮光性絶縁膜付き透明電極基板として使用するこ
とができた。Next, the uncured portion of the pigment-containing photocurable resin coating film 4 on the light-shielding inorganic film pattern 3a made of nickel was coated with the special developer for photocurable acrylic resin (Tsurupez 10 manufactured by Esso).
0: solution temperature 22°C) and then scrubbed with a cleaning solution consisting of pure water, and then baked at 200°C for 60 minutes to fill the gaps between pixel patterns 2P and 2P with black cured resin. A light-shielding insulating film pattern 4a was formed (see FIG. 3 (9)). Next, the light-shielding inorganic film pattern 3a made of nickel on the pixel pattern 2p is dissolved and removed with a mixed solution of concentrated hydrochloric acid, concentrated nitric acid, and water (molar concentration ratio 1/1/2) to fill the gap between the pixel patterns 2P and 2p. A product having a light-shielding insulating film 4a was obtained (see FIG. 3(h)). In the obtained product, during the formation process, the light-shielding insulating film 4a separates the unexposed and uncured portions of the pigment-containing photocurable resin 4 from the exposed and hardened portions due to the presence of the light-shielding inorganic film pattern 3a made of nickel. Because it is sharply formed, it has excellent precision in shape, size, etc., and is dense. Therefore, the product obtained in this example could be used as a transparent electrode substrate with a light-shielding insulating film with high precision.
実施例6
実施例5で得られた、透明基板1上のピクセルパターン
2p、2pの間隙に遮光性絶縁膜4aを有する製品を以
下のように高分子電着法により処理してピクセルパター
ン2p上に着色層6aを形成しな(第3図(i)参照)
。Example 6 The product obtained in Example 5 and having the light-shielding insulating film 4a in the gap between the pixel patterns 2p and 2p on the transparent substrate 1 was treated by polymer electrodeposition as follows to form a product on the pixel pattern 2p. The colored layer 6a is not formed on the surface (see FIG. 3(i)).
.
この高分子電着法による着色層の形成を更に詳細に述べ
ると以下の通りである。The formation of a colored layer by this polymer electrodeposition method will be described in more detail below.
電着溶液として実施例2で用いたと同一の3種の電着溶
液(A−1)、(A−2)、(A−3)を用いた。The same three types of electrodeposition solutions (A-1), (A-2), and (A-3) used in Example 2 were used as electrodeposition solutions.
先ず、以下のようにして青色に着色した。すなわち、第
4図に示すごとく、ピクセルパターンとリードパターン
とからなる透明導電性パターン11.12.13が形成
されている透明基板1をフタロシアニンブルーを含有す
る電着溶液(A−1)に浸漬し、透明導電性パターン1
1を陽極として対極との間に約40Vの電圧を10秒間
印加して、導電性膜パターン11中のピクセルパターン
上のみに青色着色層6Bを形成させた後、これを取り出
して純水にて洗浄し、その後80℃で10分間乾燥させ
た。なお、導電性パターン11中のリードパターン(第
4図において青色着色層6Bが形成されているピクセル
パターン以外の導電性パターン部分)上には、第3図(
h)に示すように、遮光性絶縁膜4aが存在するので、
青色着色層は形成されない。First, it was colored blue as follows. That is, as shown in FIG. 4, a transparent substrate 1 on which a transparent conductive pattern 11, 12, 13 consisting of a pixel pattern and a lead pattern is formed is immersed in an electrodeposition solution (A-1) containing phthalocyanine blue. Transparent conductive pattern 1
1 as an anode and a voltage of about 40 V was applied for 10 seconds between it and the counter electrode to form a blue colored layer 6B only on the pixel pattern in the conductive film pattern 11. After that, the blue colored layer 6B was taken out and soaked in pure water. It was washed and then dried at 80°C for 10 minutes. Note that on the lead pattern (the conductive pattern portion other than the pixel pattern where the blue colored layer 6B is formed in FIG. 4) in the conductive pattern 11, the conductive pattern shown in FIG.
As shown in h), since the light-shielding insulating film 4a is present,
No blue colored layer is formed.
次に、以下のようにして緑色に着色した。すなわち、上
で導電性パターン11中のどクセルパターンが青色着色
層6Bにより青色に着色されている透明基板1をフタロ
シアニングリーンを含有する電着浴液(A−2>に浸漬
し、導電性パターン12を陽極として、対極との間に同
様の条件で電圧を印加して、導電性パターン12中のピ
クセルパターン上のみに緑色着色層6Gを形成させた後
、同様に洗浄、乾燥処理した。なお、この緑色着色処理
において、既に青色に着色されている導電性パターン1
1は高温乾燥されて電気絶縁層となっているので、第4
図においてXの部分の基板上に導電性ゴム(銀ペースト
を用いても良い)を接触させることにより導電性パター
ン12のみに通電させることができた。またこの緑色着
色処理において、導電性パターン12中のリードパター
ン上に着色層が形成されないのは、前記の青色着色処理
の場合と同様である。Next, it was colored green as follows. That is, the transparent substrate 1 whose dorsal pattern in the conductive pattern 11 is colored blue by the blue colored layer 6B is immersed in an electrodeposition bath liquid (A-2>) containing phthalocyanine green, and the conductive pattern 12 A voltage was applied between the anode and the counter electrode under the same conditions to form the green colored layer 6G only on the pixel pattern in the conductive pattern 12, and then washed and dried in the same manner. In this green coloring process, the conductive pattern 1 that has already been colored blue
1 is dried at high temperature and becomes an electrical insulating layer, so the 4th
By bringing a conductive rubber (silver paste may be used) into contact with the substrate at the part indicated by X in the figure, it was possible to energize only the conductive pattern 12. Further, in this green coloring process, no colored layer is formed on the lead pattern in the conductive pattern 12, as in the case of the blue coloring process described above.
さらに以下のようにして赤色に着色した。すなわち、上
で導電性パターン11.12のピクセルパターン上が青
色着色層6B、緑色着色層6Gにより青色、緑色にそれ
ぞれ着色されている透明基板1をアゾ系赤色顔料を含有
する電着浴液(A−3)に浸漬し、導電性パターン13
を陽極として対極との間に同様の条件で電圧を印加して
、導電性パターン13中のピクセルパターン上のみに赤
色着色層6Rを形成させた後、同様に洗浄、乾燥処理し
た。なお、この赤色着色処理において、既に青色、緑色
に着色されている導電性パターン11.12は高温乾燥
により電気絶縁層となっているため、第4図においてy
の部分の基板上に導電性ゴムを接触させることにより導
電性パターン13のみに通電させることができな。まな
この赤色着色処理において、導電□性パターン13中の
リードパターン上に着色層が形成されないのは、前記の
青色着色処理及び緑色着色処理の場合と同様である。Furthermore, it was colored red as follows. That is, the transparent substrate 1 whose pixel patterns of the conductive patterns 11 and 12 are colored blue and green by the blue colored layer 6B and the green colored layer 6G, respectively, is coated with an electrodeposition bath liquid containing an azo red pigment ( A-3) and conductive pattern 13
A voltage was applied between the anode and the counter electrode under the same conditions to form a red colored layer 6R only on the pixel pattern in the conductive pattern 13, and then washed and dried in the same manner. In addition, in this red coloring process, the conductive patterns 11 and 12, which have already been colored blue and green, have become electrically insulating layers due to high temperature drying.
It is not possible to energize only the conductive pattern 13 by bringing the conductive rubber into contact with the portion of the substrate. In Manako's red coloring process, no colored layer is formed on the lead pattern in the conductive □ pattern 13, as in the case of the blue coloring process and green coloring process described above.
最後に200℃で60分間焼付けを行ない、架橋反応を
生ぜしめ、着色層を硬化させて、第4図に示すように、
導電性パターン11のピクセルパターン上に青色着色層
6Bが、そして導電性パターン12のピクセルパターン
上に緑色着色層6Gが、更に導電性パターン13のピク
セルパターン上に赤色着色層6Rがトライアングル状に
配列された表面着色体を得な。Finally, baking was performed at 200°C for 60 minutes to cause a crosslinking reaction and harden the colored layer, as shown in Figure 4.
A blue colored layer 6B is arranged on the pixel pattern of the conductive pattern 11, a green colored layer 6G is arranged on the pixel pattern of the conductive pattern 12, and a red colored layer 6R is arranged in a triangle on the pixel pattern of the conductive pattern 13. Obtain a surface colored object.
得られた表面着色体において、着色層(第3図(i)に
おける6a及び第4図における6B、6G、6R)は、
これら着色層が形成されるビクセルパターン以外の部分
に予め、形状、寸法等の精度に優れ、かつ緻密な黒色硬
化樹脂からなる遮光性絶縁膜4aが形成されているなめ
、同様に形状、寸法等の精度に優れ、かつ緻密なもので
あり、色のはみ出しは認められなかった。In the obtained surface colored body, the colored layers (6a in FIG. 3(i) and 6B, 6G, 6R in FIG. 4) are as follows:
Since a light-shielding insulating film 4a made of a dense black cured resin with excellent accuracy in shape, size, etc. is formed in advance on parts other than the pixel pattern where these colored layers are formed, the shape, size, etc. It was highly accurate and detailed, and no color protrusion was observed.
また電着による着色層の形成に先立ち、遮光性無機膜パ
ターン3aであるニッケルメッキ層を完全に溶解除去し
たので、残存ニッケルメッキ片による電着時のショート
は皆無であった。また仮に溶解不良によりニッケルメッ
キ片が残存したとしても、ピクセルパターンの間隙に遮
光性絶縁膜がケルメツキ片が残存したとしても、ピクセ
ルパターンの間隙に遮光性絶縁膜が既に形成されている
ので、前記電着時のショートは起り得ない。Moreover, since the nickel plating layer, which is the light-shielding inorganic film pattern 3a, was completely dissolved and removed prior to forming the colored layer by electrodeposition, there was no short circuit during electrodeposition due to residual nickel plating pieces. Furthermore, even if pieces of nickel plating remain due to poor dissolution, even if pieces of the light-shielding insulating film remain in the gaps between the pixel patterns, the light-shielding insulating film has already been formed in the gaps between the pixel patterns. Short circuits cannot occur during electrodeposition.
また上述のようにリードパターン上には着色層は形成さ
れないので、色分解能に優れていた。Further, as mentioned above, since no colored layer was formed on the lead pattern, the color resolution was excellent.
実施例7
(1) 第5図において、透明基板1として、表面を
精密研磨したアルミノボロシリケートガラス基板を用い
、この透明基板1の表面上に1゜700人の厚さのIT
Oからなる透明導電性M2を、酸化インジウム(95重
量%)と酸化錫(95重量%)とを混合してなる蒸発源
を用いる真空蒸着法により形成した。次いでこの透明導
電性膜2上に膜厚800人のクロム窒化物からなる遮光
性無機膜3を、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気(N
2含有率20体積%、圧力3 x 10−5Torr)
中でクロムからなるターゲットを用い直流マグネトロン
スパッタリング法により形成しな。このクロム窒化物か
らなる遮光性無機膜3は透明導電性膜2のエツチング手
段に対して耐性を有する。さらにこの遮光性無機[3上
に膜厚5,000人のレジスト膜7をポジ型フォトレジ
スト(ヘキスト社製AZ−1350)をスピンコード法
により塗布することにより形成した(第5図(a)参照
)。Example 7 (1) In FIG. 5, an aluminoborosilicate glass substrate with a precisely polished surface is used as the transparent substrate 1, and an IT film with a thickness of 1°700 mm is placed on the surface of the transparent substrate 1.
Transparent conductive M2 made of O was formed by a vacuum evaporation method using an evaporation source made of a mixture of indium oxide (95% by weight) and tin oxide (95% by weight). Next, on this transparent conductive film 2, a light-shielding inorganic film 3 made of chromium nitride with a film thickness of 800 mm is placed in a mixed gas atmosphere of argon and nitrogen (N
2 content 20% by volume, pressure 3 x 10-5 Torr)
It is formed by direct current magnetron sputtering using a target made of chromium. This light-shielding inorganic film 3 made of chromium nitride has resistance to etching means for the transparent conductive film 2. Furthermore, a resist film 7 with a film thickness of 5,000 yen was formed on this light-shielding inorganic material [3] by applying a positive photoresist (AZ-1350 manufactured by Hoechst Co., Ltd.) by a spin-coding method (Fig. 5(a)). reference).
その後、温度90℃の雰囲気中で30分間レジスト膜7
をベークした。After that, the resist film 7 was heated for 30 minutes in an atmosphere at a temperature of 90°C.
Baked.
次に、所定のパターンが形成しであるフォトマスクを通
して紫外線によりレジスト膜7を選択的に露光しAZ−
1350専用現像液により現像してレジスト膜7の未露
光部分からなるレジストパターン7a、7bを形成した
(第5図(1))参照)。Next, the resist film 7 is selectively exposed to ultraviolet light through a photomask on which a predetermined pattern has been formed.
Resist patterns 7a and 7b consisting of unexposed portions of the resist film 7 were formed by developing with a 1350 exclusive developer (see FIG. 5(1)).
次にレジストパターン7a、7bをマスクとし、硝酸第
2セリウムアンモニウム165gと過塩素i!(70%
>42m1に純水を加えて10100Oにした溶液から
なるエツチング液(液温:23℃)を用い、遮光性無機
膜3を50秒間エツチングして遮光性無機膜パターン3
a、3bを形成した(第5図(c)参照)。Next, using resist patterns 7a and 7b as masks, 165 g of ceric ammonium nitrate and perchlorine i! (70%
The light-shielding inorganic film pattern 3 was formed by etching the light-shielding inorganic film 3 for 50 seconds using an etching solution (liquid temperature: 23°C) made of a solution made by adding pure water to 10100 O
a and 3b were formed (see FIG. 5(c)).
次いで40ボ一メ度塩化第2鉄水溶液及び36重量%塩
酸を1:1に混合し、50℃に加熱したエツチング液を
用い、遮光性無機膜パターン3a。Next, a light-shielding inorganic film pattern 3a is formed using an etching solution prepared by mixing a 40° C. ferric chloride aqueous solution and 36% by weight hydrochloric acid at a ratio of 1:1 and heating the mixture to 50° C.
3bをマスクとし透明導電性膜2をエツチングして、透
明導電性パターン2p、21を形成した(第5図(d)
参照)。このときエツチング時間は上記膜厚の透明導電
膜2がちょうど基板1の表面までエツチングされるに要
する時間(ジャストエツチング時間〉の2倍の112秒
である。3b as a mask, the transparent conductive film 2 was etched to form transparent conductive patterns 2p and 21 (FIG. 5(d)).
reference). At this time, the etching time is 112 seconds, which is twice the time required for etching the transparent conductive film 2 of the above thickness to the surface of the substrate 1 (just etching time).
次にレジストパターン?a、7bを5重量%苛性ソーダ
水溶液からなるレジスト剥難液にて剥離し、上部に遮光
性無機膜パターン3a、3bをそれぞれ有する透明導電
性パターン2p、21を、透明基板1の表面に形成した
く第5図(e)参照)。Next is the resist pattern? A and 7b are removed using a resist stripping solution consisting of a 5% by weight aqueous solution of caustic soda, and transparent conductive patterns 2p and 21 having light-shielding inorganic film patterns 3a and 3b on top, respectively, are formed on the surface of the transparent substrate 1. (See Figure 5(e)).
なお、パターン2pがビクセルパターンに、パターン2
ftがリードパターンに相当する。Note that pattern 2p is a pixel pattern, and pattern 2p is a pixel pattern.
ft corresponds to the lead pattern.
この方法によれば、ピクセルパターン2P及びリードパ
ターン2j2を形成するに際に、透明導電性Jl!2の
エツチング手段に対して耐性を有する遮光性無機膜パタ
ーン3a、3bをマスクとしているため、透明導電性膜
2のサイドエツチングを防止で、より高精度なピクセル
パターン2p及びリードパターン21が形成されるとい
う利点がある。According to this method, when forming the pixel pattern 2P and the lead pattern 2j2, the transparent conductive Jl! Since the light-shielding inorganic film patterns 3a and 3b, which are resistant to the etching method described in 2, are used as masks, side etching of the transparent conductive film 2 is prevented, and more accurate pixel patterns 2p and lead patterns 21 are formed. It has the advantage of being
(2) 次に、透明導電性パターン2p、212を表
面に形成した透明基板1の前記表面に、膜厚5゜000
人のレジスト膜8をポジ型フォトレジスト(ヘキスト社
製AZ−1350>をスピンコード法により塗布するこ
とにより形成した(第5図(f)参照)。その後、温度
90℃の雰囲気下で30分間レジスト膜8をベークした
。(2) Next, a film with a thickness of 5°000 is applied to the surface of the transparent substrate 1 on which the transparent conductive patterns 2p and 212 are formed.
A human resist film 8 was formed by applying a positive photoresist (AZ-1350 manufactured by Hoechst Co., Ltd.) using a spin code method (see Fig. 5(f)). Thereafter, the resist film 8 was coated in an atmosphere at a temperature of 90° C. for 30 minutes. The resist film 8 was baked.
次に、遮光性無機膜パターン3bの上方のレジスト膜の
みを露光するパターンを有するフォトマスフを通して、
紫外線によりレジスト膜8を選択的に露光し、次いで前
記したと同様の現像液により現像して、レジスト膜8の
未露光部分からなるレジストパターン8aを形成した(
第5図(g)参照)。なお、遮光性無機膜パターン3a
上にのみレジストパターン8aを形成しても良い。Next, through a photomask having a pattern that exposes only the resist film above the light-shielding inorganic film pattern 3b,
The resist film 8 was selectively exposed to ultraviolet light and then developed using the same developer as described above to form a resist pattern 8a consisting of the unexposed portion of the resist film 8 (
(See Figure 5(g)). Note that the light-shielding inorganic film pattern 3a
The resist pattern 8a may be formed only on top.
次いで、前記した遮光性無機膜3のエツチング液を用い
て、レジストパターン8aにより被覆されていない遮光
性パターン3bを50秒間エツチングして除去した(第
5図(h)参照)。Next, using the etching solution for the light-shielding inorganic film 3 described above, the light-shielding pattern 3b not covered by the resist pattern 8a was etched for 50 seconds to remove it (see FIG. 5(h)).
その後、5重量%苛性ソーダ水溶液からなるレジスト剥
離液を用いてレジストパターン8aを剥離して、上部に
遮光性無機膜パターン3aを有するビクセルパターン2
pと、リードパターン21とを表面に形成した透明基板
1を得た(第5図(i)参照)。After that, the resist pattern 8a is peeled off using a resist stripping solution consisting of a 5% by weight aqueous solution of caustic soda, and the vixel pattern 8a having the light-shielding inorganic film pattern 3a on the upper part is removed.
A transparent substrate 1 having a lead pattern 21 and a lead pattern 21 formed on its surface was obtained (see FIG. 5(i)).
この方法によれば、フォトリソグラフィー法により、遮
光性無機膜パターン3b付きリードパターン21以外の
部分に形状、寸法等の精度にすぐれたレジストパターン
8aを形成できるので、遮光性無機膜3のエツチング液
により、遮光性無機膜パターン3bのみが完全に除去さ
れるという利点がある。According to this method, the resist pattern 8a with excellent precision in shape, size, etc. can be formed in the portion other than the lead pattern 21 with the light-shielding inorganic film pattern 3b by photolithography, so that the etching solution for the light-shielding inorganic film 3 can be formed. This has the advantage that only the light-shielding inorganic film pattern 3b is completely removed.
(3) 上記(2)で得られた遮光性無機膜パターン
3a付きピクセルパターン2pと、リードパターン2f
lとを有する透明基板1について、実施例5の(3)と
同様に処理して、第3図(h)に示されるような、ピク
セルパターン2p、2Pの間隙の、リードパターン21
を含む領域に黒色硬化樹脂からなる遮光性絶縁膜4aを
有する製品を得た。(3) Pixel pattern 2p with light-shielding inorganic film pattern 3a obtained in (2) above and lead pattern 2f
The transparent substrate 1 having the same pixel patterns 2p and 2P is processed in the same manner as in (3) of Example 5 to form a lead pattern 21 in the gap between the pixel patterns 2p and 2P as shown in FIG. 3(h).
A product was obtained which had a light-shielding insulating film 4a made of a black cured resin in a region including .
本実施例の方法は、上述の如くピクセルパターン2pを
形成する際、透明導電性@2のエツチング手段に対して
耐性を有する遮光性無機膜パターン3aをマスクとして
いるため、透明導電性膜2のサイドエツチングを防止し
て、実施例5の場合よりも高精度な形状を有するピクセ
ルパターン2pが形成されているので、その間隙に形成
される黒色硬化樹脂からなる遮光性絶縁膜4aも高精度
な形状を有するという利点がある。In the method of this embodiment, when forming the pixel pattern 2p as described above, the light-shielding inorganic film pattern 3a, which is resistant to the etching means of the transparent conductive @2, is used as a mask. Since side etching is prevented and the pixel pattern 2p is formed with a more precise shape than in the case of Example 5, the light-shielding insulating film 4a made of black cured resin formed in the gap also has a highly accurate shape. It has the advantage of having a shape.
実施例8
実施例7で得られた、透明基板1上のピクセルパターン
2p、2pの間隙に遮光性無機膜4aを有する製品を実
施例6と同様に高分子電着法により処理して、第3図(
i)に示すように、ビクセルパターン2p上に着色層6
aを有する表面着色体を得た。この表面着色体は、これ
を平面的に見れば、第4図に示すように、透明導電性パ
ターン11のピクセルパターン上に青色着色層6Bが、
そして透明導電性パターン12のビクセルパターン上に
緑色着色層6Gが、更に透明導電性パターン13のピク
セルパターン13のビクセルパターン上に赤色着色層6
Rがトライアングル状に配列されている。Example 8 The product obtained in Example 7 and having the light-shielding inorganic film 4a in the gaps between the pixel patterns 2p and 2p on the transparent substrate 1 was treated by the polymer electrodeposition method in the same manner as in Example 6. Figure 3 (
As shown in i), a colored layer 6 is formed on the pixel pattern 2p.
A colored body with a surface was obtained. When this surface colored body is viewed from above, as shown in FIG. 4, a blue colored layer 6B is formed on the pixel pattern of the transparent conductive pattern 11.
Then, a green colored layer 6G is formed on the pixel pattern of the transparent conductive pattern 12, and a red colored layer 6G is further formed on the pixel pattern of the pixel pattern 13 of the transparent conductive pattern 13.
The R's are arranged in a triangle.
得られた表面着色体において、着色層(第3図(1)に
おける6a及び第4図における6B、6G。In the obtained surface-colored body, the colored layer (6a in FIG. 3(1) and 6B, 6G in FIG. 4).
6R)は、これら着色層が形成されるビクセル以外の部
分に予め、形状、寸法等の精度に優れ、かつ緻密な黒色
硬化樹脂からなる遮光性絶縁膜4aが形成されているた
め、同様に形状、寸法等の精度に優れ、かつ緻密なもの
であり、色のはみ出しは認められなかった。6R) has a light-shielding insulating film 4a made of a dense black cured resin with excellent precision in shape and size, and is formed in advance on parts other than the pixels where these colored layers are formed. It had excellent dimensional accuracy and was dense, and no color protrusion was observed.
[発明の効果]
本発明の透明導電性パターン付き透明基板の製造方法に
よれば、高精度かつ緻密な遮光性絶縁膜を有する透明導
電性パターン付き透明基板を得ることができる。[Effects of the Invention] According to the method for manufacturing a transparent substrate with a transparent conductive pattern of the present invention, a transparent substrate with a transparent conductive pattern having a highly accurate and dense light-shielding insulating film can be obtained.
また本発明の表面着色体の製造方法によれば、透明電導
性パターン上に高精度かつ緻密な着色層を有し、しかも
高精度かつ緻密な遮光性絶縁膜を有する表面着色体を得
ることができる。Further, according to the method for producing a colored surface body of the present invention, it is possible to obtain a colored surface body having a highly accurate and dense colored layer on a transparent conductive pattern and a highly accurate and dense light-shielding insulating film. can.
第1図は、遮光性絶縁膜によって分離された透明導電性
パターンを有する透明基板を製造し、次いで表面着色体
を製造するための工程図、第2図は、その上に遮光性無
機膜パターンを有する透明導電性パターンを透明基板上
に形成するための工程図、
第3図は、遮光性絶縁膜によって分離された透明導電性
パターンを有する透明基板を製造し、次いで表面着色体
を製造するための他の工程図、第4図は、得られた表面
着色体の一例を示す平面図、
第5図は、その上に遮光性無機膜パターンを有する透明
導電性パターンを透明基板上に形成するための他の工程
図である。
1・・・透明基板、2・・・透明導電性膜、2a・・・
透明導電性パターン、2p・・・ビクセルパターン、2
1・・・リードパターン、3・・・遮光性無機膜、3a
、3b・・・遮光性無機膜パターン、4・・・顔料及び
/又は染料含有硬化性樹脂塗膜、4a・・・遮光性絶縁
膜、5・・・紫外線、6a、6b、6g、6r、6B、
6G6R・・・着色層、7,8・・・レジスト膜、7a
、8b・・・レジストパターン、11.12.13・・
・透明導電性パターン
出願人 株式会社シントーケミトロン
ホーヤ株式会社
代理人 弁理士 中 村 静 男
第
図
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図
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図
畳
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図
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図
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図
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図
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図
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図Fig. 1 is a process diagram for manufacturing a transparent substrate having a transparent conductive pattern separated by a light-shielding insulating film, and then producing a colored body on the surface. A process diagram for forming a transparent conductive pattern on a transparent substrate with Figure 4 is a plan view showing an example of the obtained surface-colored body, and Figure 5 is a diagram showing the formation of a transparent conductive pattern on a transparent substrate with a light-shielding inorganic film pattern thereon. This is another process diagram for the process. 1... Transparent substrate, 2... Transparent conductive film, 2a...
Transparent conductive pattern, 2p... Vixel pattern, 2
1... Lead pattern, 3... Light-shielding inorganic film, 3a
, 3b... Light-blocking inorganic film pattern, 4... Curable resin coating containing pigment and/or dye, 4a... Light-blocking insulating film, 5... Ultraviolet light, 6a, 6b, 6g, 6r, 6B,
6G6R...Colored layer, 7,8...Resist film, 7a
, 8b... resist pattern, 11.12.13...
・Transparent conductive pattern applicant Shinto Chemitron Hoya Co., Ltd. Agent Patent attorney Shizuka Nakamura Diagram! ! 11 to 5 Diagram of condolence tatami threatening sound tatami f + f +! 5 Figure Figure Figure 4 Figure Figure Figure Figure
Claims (8)
電性パターンを有する透明基板の製造方法において、 ( I )その上に遮光性無機膜パターンを有する透明導
電性パターンを透明基板上に形成する工程、(II)前記
透明基板上に顔料及び/又は染料含有硬化性樹脂を塗布
する工程、 (III)前記透明基板の背面より露光し、遮光性無機膜
パターンをマスクとして硬化性樹脂を選択的に硬化する
工程、 (IV)前記硬化性樹脂の未硬化部分を除去して着色硬化
樹脂からなる遮光性絶縁膜を形成する工程、(V)前記
透明導電性パターン上の遮光性無機膜パターンを剥離す
る工程、 を順次実施することを特徴とする方法。(1) In a method for manufacturing a transparent substrate having a predetermined transparent conductive pattern separated by a light-shielding insulating film, (I) forming a transparent conductive pattern having a light-shielding inorganic film pattern thereon on a transparent substrate; (II) a step of applying a curable resin containing pigment and/or dye on the transparent substrate; (III) exposing the transparent substrate to light from the back side and selecting a curable resin using the light-shielding inorganic film pattern as a mask; (IV) removing an uncured portion of the curable resin to form a light-shielding insulating film made of a colored cured resin; (V) a light-shielding inorganic film pattern on the transparent conductive pattern; A method characterized by sequentially carrying out the step of peeling off.
無機膜パターン付き透明導電性パターンの形成が、 前記透明基板上に、所定のパターン形成手段により、透
明導電性パターンを形成する工程(a_1)と、 工程(a_1)で形成された透明導電性パターン上に、
所定の成膜手段により、遮光性無機膜パターンを形成す
る工程(a_2)と、 を含む方法(A)によって実施される、請求項(1)に
記載の方法。(2) The formation of a transparent conductive pattern with a light-shielding inorganic film pattern on the transparent substrate in step (I) is a step of forming a transparent conductive pattern on the transparent substrate by a predetermined pattern forming means ( a_1) and on the transparent conductive pattern formed in step (a_1),
The method according to claim (1), which is carried out by the method (A) comprising: a step (a_2) of forming a light-shielding inorganic film pattern by a predetermined film forming means.
無機膜パターン付き透明導電性パターンの形成が、 前記透明基板上に透明導電性膜を形成した後、該透明導
電性膜上に、透明導電性膜のエッチング手段に対して耐
性を有する遮光性無機膜を形成し、しかる後、該遮光性
無機膜上にレジスト膜を形成する工程(b_1)と、 工程(b_1)で形成されたレジスト膜を選択的に露光
現像してレジストパターンを形成した後、該レジストパ
ターンをマスクとし前記遮光性無機膜をそのエッチング
手段によりエッチングして遮光性無機膜パターンを形成
し、次いで該遮光性無機膜パターンをマスクとし前記透
明導電性膜をそのエッチング手段によりエッチングして
透明導電性膜パターンを形成する工程(b_2)、 を含む方法(B)によって実施される、請求項(1)に
記載の方法。(3) Formation of a transparent conductive pattern with a light-shielding inorganic film pattern on the transparent substrate in step (I) includes forming a transparent conductive film on the transparent substrate, and then forming a transparent conductive pattern on the transparent conductive film. A step (b_1) of forming a light-shielding inorganic film that is resistant to etching means for a transparent conductive film, and then forming a resist film on the light-shielding inorganic film; After selectively exposing and developing the resist film to form a resist pattern, using the resist pattern as a mask, the light-shielding inorganic film is etched by the etching means to form a light-shielding inorganic film pattern; The method (B) according to claim (1), which is carried out by the method (B), comprising a step (b_2) of forming a transparent conductive film pattern by etching the transparent conductive film using the film pattern as a mask using the etching means. Method.
又はモザイクパターンであり、工程( I )において、
実質的に透明導電性パターン中のピクセルパターンの領
域上にのみ遮光性無機膜パターンが形成される、請求項
(1)に記載の方法。(4) The transparent conductive pattern is a triangle pattern or a mosaic pattern, and in step (I),
The method according to claim 1, wherein the light-shielding inorganic film pattern is formed substantially only on the region of the pixel pattern in the transparent conductive pattern.
上への遮光性無機膜パターンの形成が、所定のパターン
形成手段により、ピクセルパターンとリードパターンと
からなる透明導電性パターンを透明基板上に形成する工
程(c_1)と、工程(c_1)で得られた透明導電性
パターン付き透明基板上にレジスト膜を形成した後、該
レジスト膜を選択的に露光現像して、ピクセルパターン
以外の、リードパターンを含む領域にレジストパターン
を形成する工程(c_2)と、 工程(c_2)で形成されたレジストパターンの間隙の
ピクセルパターン上に、所定の成膜手段により、遮光性
無機膜パターンを形成する工程(c_3)と、 を含む方法(c)によって実施される、請求項(4)に
記載の方法。(5) Formation of a light-shielding inorganic film pattern on the pixel pattern area in the transparent conductive pattern is performed by forming a transparent conductive pattern consisting of a pixel pattern and a lead pattern on a transparent substrate using a predetermined pattern forming means. After forming a resist film on the transparent substrate with the transparent conductive pattern obtained in step (c_1), the resist film is selectively exposed and developed to form a lead pattern other than the pixel pattern. a step (c_2) of forming a resist pattern in a region including the resist pattern; and a step (c_2) of forming a light-shielding inorganic film pattern on the pixel pattern in the gap between the resist patterns formed in step (c_2) by a predetermined film forming means. The method according to claim (4), carried out by method (c) comprising: c_3);
上への遮光性無機膜パターンの形成が、前記透明基板上
に透明導電性膜を形成した後、該透明導電性膜上に、透
明導電性膜のエッチング手段に対して耐性を有する遮光
性無機膜を形成し、しかる後、該遮光性無機膜上にレジ
スト膜を形成する工程(d_1)、 工程(d_1)で形成されたレジスト膜を選択的に露光
現像してレジストパターンを形成した後、該レジストパ
ターンをマスクとし前記遮光性無機膜をそのエッチング
手段によりエッチングして遮光性無機膜パターンを形成
し、次いで該遮光性膜パターンをマスクとし前記透明導
電性膜をそのエッチング手段によりエッチングして、ピ
クセルパターンとリードパターンとからなる透明導電性
パターンを形成する工程(d_2)と、 工程(d_2)で形成された、その上に遮光性無機膜パ
ターンを有する透明導電性パターン付き透明基板上にレ
ジスト膜を形成した後、該レジスト膜を選択的に露光現
像し、遮光性無機膜パターンを有するリードパターン以
外の部分にレジストパターンを形成し、その後、リード
パターン上の露出している遮光性無機膜パターン及びレ
ジストパターンを順次除去する工程(d_3)と、 を含む方法(D)によつて実施される、請求項(4)に
記載の方法。(6) Formation of a light-shielding inorganic film pattern on the pixel pattern region in the transparent conductive pattern is performed by forming a transparent conductive film on the transparent conductive film after forming the transparent conductive film on the transparent substrate. Step (d_1) of forming a light-shielding inorganic film that is resistant to film etching means, and then forming a resist film on the light-shielding inorganic film; selecting the resist film formed in step (d_1); After exposure and development to form a resist pattern, using the resist pattern as a mask, the light-shielding inorganic film is etched by the etching means to form a light-shielding inorganic film pattern, and then the light-shielding film pattern is used as a mask. a step (d_2) of etching the transparent conductive film using the etching means to form a transparent conductive pattern consisting of a pixel pattern and a lead pattern; After forming a resist film on a transparent substrate with a transparent conductive pattern having a film pattern, selectively exposing and developing the resist film to form a resist pattern in a portion other than the lead pattern having a light-shielding inorganic film pattern, The method according to claim (4), which is carried out by the method (D), which includes a step (d_3) of sequentially removing the exposed light-shielding inorganic film pattern and resist pattern on the lead pattern. .
電性パターンを透明基板上に有し、さらに前記透明導電
性パターン上に着色層を有する表面着色体の製造方法に
おいて、 ( I )その上に遮光性無機膜パターンを有する透明導
電性パターンを透明基板上に形成する工程、(II)前記
透明基板上に、顔料及び/又は染料含有硬化性樹脂を塗
布する工程、 (III)前記透明基板の背面より露光し、遮光性無機膜
パターンをマスクとして硬化性樹脂を選択的に硬化する
工程、 (IV)前記硬化性樹脂の未硬化部分を除去して着色硬化
樹脂からなる遮光性絶縁膜を形成する工程、(V)前記
透明導電性パターン上の遮光性無機膜パターンを剥離す
る工程、 (VI)前記透明導電性パターン上に着色層を形成する工
程、 を順次実施することを特徴とする方法。(7) A method for producing a colored surface body having a predetermined transparent conductive pattern on a transparent substrate separated by a light-shielding insulating film, and further having a colored layer on the transparent conductive pattern, comprising: (I ) forming a transparent conductive pattern having a light-shielding inorganic film pattern thereon on a transparent substrate; (II) coating a curable resin containing pigment and/or dye on the transparent substrate; (III) a step of exposing the transparent substrate to light from the back side and selectively curing the curable resin using the light-shielding inorganic film pattern as a mask; (IV) removing the uncured portion of the curable resin to form a light-shielding resin made of a colored hardened resin; (V) peeling off the light-shielding inorganic film pattern on the transparent conductive pattern; and (VI) forming a colored layer on the transparent conductive pattern. How to characterize it.
法により実施される、請求項(7)に記載の方法。(8) The method according to claim (7), wherein the formation of the colored layer in step (VI) is performed by polymer electrodeposition.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63335217A JPH02827A (en) | 1987-12-30 | 1988-12-29 | Production of transparent substrate having transparent conductive pattern separated by light shieldable insulating film and surface colored body |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62-334002 | 1987-12-30 | ||
JP62-334005 | 1987-12-30 | ||
JP33400287 | 1987-12-30 | ||
JP63335217A JPH02827A (en) | 1987-12-30 | 1988-12-29 | Production of transparent substrate having transparent conductive pattern separated by light shieldable insulating film and surface colored body |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02827A true JPH02827A (en) | 1990-01-05 |
Family
ID=26574702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63335217A Pending JPH02827A (en) | 1987-12-30 | 1988-12-29 | Production of transparent substrate having transparent conductive pattern separated by light shieldable insulating film and surface colored body |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02827A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0413106A (en) * | 1990-05-07 | 1992-01-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Resist for light shielding film, production of light shielding film using this resist for light shielding film and production of color filter using resist for light shielding film |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6177031A (en) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Fujitsu Ltd | Production of liquid crystal panel |
JPS63144390A (en) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | Manufacture of display device |
-
1988
- 1988-12-29 JP JP63335217A patent/JPH02827A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6177031A (en) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Fujitsu Ltd | Production of liquid crystal panel |
JPS63144390A (en) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | Manufacture of display device |
Cited By (1)
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JPH0413106A (en) * | 1990-05-07 | 1992-01-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Resist for light shielding film, production of light shielding film using this resist for light shielding film and production of color filter using resist for light shielding film |
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