JPH0280901A

JPH0280901A - プローブ

Info

Publication number: JPH0280901A
Application number: JP63233260A
Authority: JP
Inventors: Koichi Sasagawa; 孝市笹川; Takeshi Nosaka; 野坂　竹志
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1988-09-17
Filing date: 1988-09-17
Publication date: 1990-03-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、プローブ特に三次元測定機の接触子として有
用なプローブに関する。

〔従来の技術〕

物体（被測定物）の三次元形状寸法を測定するために、
三次元測定機が多用されている。

三次元測定機は、ＸＹＺの直交３軸方向に移動可能なプ
ローブ（接触子）を各軸方向から被測定物に接触させ、
そのときのプローブ先端の座標値をそれぞれ読み取るこ
とにより、三次元形状を測定するものである。

旧来のプローブは、棒１の先端に球状部２を備えたもの
であり、Ｚ軸を例にとり、２軸座標値を読み取る方法を
第３図を引用して説明する。まず、Ｘ＠Ｙ軸を固定して
プローブをＺ軸方向から降下させ、点Ｐにおいて被測定
物に接触してプローブが停止したとする。この接触点Ｐ
がＺ軸に対して垂直な面上にあるときには、点Ｐの座標
Ｚｘは、球状部２の座標Ｚｏに球状部２の半径ｒを加え
た和（Ｚｘ＝Ｚｏ＋　ｒ　）となる。

しかし、第４図に示すように、被測定物が、Ｚ軸に垂直
な水平面に対して、角度βだけ傾斜していたとすると、
プローブをＺ軸方向から降下させた場合、点Ｑにおいて
被測定物に接触してプローブは停止する。この場合、実
際には点Ｐの座標を測定したいのに、球状部２の座標Ｚ
ｏに球状部２０半径ｒを加えた和（Ｚｏ＋ｒ）が測定さ
れてしまい、点Ｐ′の座標を測定したことになる。そう
すると、実際の接触点Ｐの座標値とは、 Δ−ｒ（１／ｃｏｓβ）−ｒ−−一　式１の誤差を生じ
ていることになる。

一般には、被測定物が傾斜している確率が高いので、結
局のところ、測定値は誤差Δを有することになる。

この誤差Δをなくすには、まずβを知り、式１によりΔ
を計算して求め、これを測定値（Ｚｏ＋ｒ）に加えれば
よい。そうすれば、実際に測定したい点Ｐの正確な座標
値Ｚｘが求まる。

βを知るには、球状部２がどの点Ｑで被測定物と接触し
ているかを知る必要があり、そのため、第２図に示すよ
うに、球状部２を抵抗被膜３で被覆し、その抵抗被膜３
の適当に邪魔にならない個所に４個の電極４を設け、こ
れにリード線５を取りつけて、被測定物から抵抗被膜３
を介して各リード線５に定電流を流し、接触点Ｑから各
電極４までの抵抗を測定することにより、接触点Ｑの位
置を知る方法が発明されたく特開昭６２、−１９７７０
１号参照）。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、このプローブに使用された抵抗被膜３は
、抵抗塗料の塗膜であり、耐摩耗性が悪く実用的ではな
いという問題点があった。

また、球状部２Ｌこ抵抗塗料を塗布するので、重力の影
響で均一な厚さに塗膜が形成されず、そのため球状部２
の見掛けの真球度が低下するという問題点があった。

更に、この問題点から、直径の比較的大きい球状部２に
は塗布できても、より正確な測定ができる直径の比較的
小さい球状部２には塗布できないという問題点があった
。

従って、本発明の目的は、抵抗被膜３の耐摩耗性が良好
で、球状部２の見掛けの真球度が低くなく、しかも球状
部２の小型化が図れるプローブを提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者らは、このような抵抗被膜３について鋭意研究
の結果、耐摩耗性、見掛けの真球度の外に次の点が要求
されることか判明した。

１）抵抗値が余り小さいと抵抗測定誤差が大きくなり、
また逆に余り大きいと抵抗の測定が複雑になってしまう
ので、抵抗被膜３の表面抵抗値はｌＯ〜１０００ΩＣｌ
１１の範囲内にあることが必要である。

２）抵抗被膜３ば、もともと抵抗材料なので、抵抗値を
測定するため電流を流していると、ジュール熱を発して
、多少温度が上昇する。

仮に発熱しなくとも、抵抗被膜３の温度は周囲の環境温
度により変化する。

更に被測定物が１００℃ぐらいまで加熱された状態のも
のであるときには、これに接触することにより抵抗液１
ｔ！３の温度は、上昇する。

従って、結局のところ、抵抗被膜３の温度は、測定中に
通常、室温〜１００℃の間で変化し、その結果、抵抗被
膜３の抵抗値が変化してしまうごとになる。

しかし、抵抗値が変化してしまうと、元々抵抗変化がな
いことを前提に計算式がプログラムされておるので、接
触点Ｑの正確な位置を求めることができなくなってしま
う。

そこで、抵抗被膜３の温度が室温〜１００℃の間で変化
しても、常に一定の安定した抵抗値を示す抵抗被膜３が
必要である。

温度変化による抵抗値の安定性を現わす因子は、温度係
数である。温度係数は任意の各温度における抵抗値の変
化率（微分値）である。温度係数が小さいほど温度によ
る抵抗変化が少ないと言える。

従って、抵抗液［３としては、室温〜１００℃の温度範
囲において、温度係数が−５０〜＋５０　ｐｐｍ７℃の
間に納まっているものが必要である。

３）抵抗被膜３は、被測定物の表面に接触するため摩耗
し易いので、耐摩耗性が必要であるが、特に次の観点か
らも耐摩耗性が必要である。つまり、耐摩耗性が悪いと
次第に抵抗被膜３が薄くなり、抵抗値も大きくなってし
まい、１）の範囲から外れてしまう。

従来、薄膜抵抗材料として常用されているのは、電気回
路を構成する抵抗器に用いられているＮｉＣｒ系合金薄
膜や酸化ルテニウム薄膜である。しかし、これらの抵抗
薄膜の一般的な特性は、表面抵抗値力月〜１００　Ｘｌ
０−６Ω■と小さく、かつ温度係数が１１００ｐｐ　／
　’ｃ以上と大きく、上記諸要求を満足させないことが
判った。

本発明者らは、次にＮｉ−Ｃｒ系合金″ｆＪ膜のＮｉと
Ｃｒの組成比を変えて抵抗被膜３を形成したが、組成比
を変えると、表面抵抗値は１０〜１００００ｍの範囲内
に収めることができたものの、温度係数を小さくするこ
とはできなかった。また、耐摩耗性も十分ではなかった
。

更に、本発明者らは、Ｎｉ−Ｃｒ系合金薄膜にＳｉを添
加することを試みた。Ｓｉ添加量を増すにつれて抵抗値
は大きくなり、温度係数は小さくなった。

しかし、抵抗値は最大で１０Ω傭に達したものの、温度
係数が室温〜１００℃の温度範囲において、５０〜＋５
０ｐｐｏ＋／℃の間に納まらず、−１００〜＋１１００
ｐｐ／’ｃの範囲に分布し、従って、実用に供するのは
無理であった。

更に研究を進めた結果、本発明者らは、ドリル、リーマ
等の工具の耐摩耗性を向上させるために使用され又はＬ
Ｅ案されているチタン窒化物、クロム窒化物、クロム炭
窒化物及び硬質カーボン薄膜について着目し、抵抗液１
１！３への応用を試みたところ、これらの薄膜は、熱安
定性、耐摩耗性に非常に優れており、しかも、表面抵抗
値がｌＯ〜１０００Ω印の範囲内にあり、温度係数も室
温〜１００℃の温度範囲において、−５０〜＋５０　ｐ
ｐｍ／　℃の間に納まることを見い出し、本発明を成す
に至った。

また、チタン−タンタル合金、クロム−タンタル合金、
チタン−タングステン合金、クロム−タングステン合金
についても抵抗被膜３として好適であることを見い出し
、本発明を成すに至った。

従って、本発明は、［棒の先端にｔｌ状部を備えた絶縁
性基体と、前記球状部の表面に被覆された抵抗被膜とか
らなるプローブにおいて、前記抵抗被膜が、チタン窒化物、チタン炭窒化物、クロ
ム窒化物、クロム炭窒化物、チタン−タンタル合金、ク
ロム−タンタル合金、チタン−タングステン合金、クロ
ム−タングステン合金、及び硬質カーボン薄膜からなる
群から選択された１種又は２種以Ｆの混合物からなる薄
膜であって、かつその薄膜が１０〜ｔｏｏｏΩｃｍの表
面抵抗値及び−５０〜＋５０　ｐｐｍ／　℃の範囲内の
温度係数を有することを特徴とするプローブ」を提供す
る。

〔作用〕

本発明で使用する抵抗被膜は、その材料の特性から既に
知られているように、反応性又は非反応性真空基若、同
イオンブレーティング、同スパッタリング、ＣＶＤなど
の真空薄膜形成技術により形成される。これによれば、
基体上に、薄膜を緻密に堆積することが容易であるため
、抵抗値の再現性に優れている。

硬質カーボン薄膜は、比較的最近開発された（例えば、
特開昭５３−２８５７６号、同５９−６６３４３号参照
）もので、ダイヤモンド状カーボン膜、ｉ−カーボン膜
、アモルファス硬質カーボン膜などと呼ばれている。こ
のカーボン薄膜は、特に窒素を含むものが好ましい。

チタン合金又はクロム合金からなる抵抗被膜の場合、そ
の合金被膜におけるＴａ又はＷの含有量は、節単な予備
実験により成膜を行ない、その膜の表面抵抗値及び温度
係数を測定することにより、事前に調べておけばよいが
、一般には、Ｔａ及びＷの含有量は、１０〜３０重量％
が好ましい。

抵抗被膜の膜厚は、一般に５μｍ以下好ましくは１〜３
μｍで十分である。

ところで、本発明の抵抗被膜が所望の表面抵抗値と温度
係数を持つように容易にコントロールできる理由のいく
つかは、次のとおりである。

ｌ）窒化物及び炭窒化物及び窒素含有硬質カーボン薄膜
の場合：原子中に不対電子を持つ窒素がプラズマによって、Ｎ’
　、Ｎ、’等のイオンに分解され、これらのイオンが膜
中に取り込まれるため、膜の抵抗値を容易にコントロー
ルすることができる。

２）Ｔｉ合金又はＣｒ合金の場合ニ一般にＴａ又はＷを含む合金系では、Ｔａ又はＷの割合
によって抵抗（電気伝導度）を変化させることができろ
。しかし、通常の合金では、せいぜい変化させても０．
０１０国以下の表面抵抗値しか得ることができない。と
ころが、これらの合金から真空薄膜形成技術により抵抗
被膜を形成すると、蒸気圧の違いにより葎着源又はター
ゲットの合金と生成する薄膜は同一組成にならない。こ
のことを利用して、成膜中の温度や成膜速度を選ぶこと
により、冶金的にはできない組成を作ることができ、そ
の結果、所望の表面抵抗値と温度係数を持つ抵抗被膜が
得られる。

それに対して、従来の抵抗塗料では、表面抵抗値と温度
係数を変化させることも難しい。

また、真空薄膜形成技術は、基体の形状によらず均一な
厚さに成膜できることから、得られる抵抗被膜は、均一
な厚さを有し、その結果、球状部の見掛けの真球度を低
下させることがなく、更に直径の小さい球状部でも真球
度を低下させることなく抵抗被膜を形成できるので、プ
ローブの小型化が図れる。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。

向、実施例に先立ち、表面抵抗値、温度係数等の測定方
法について簡単に説明しておく。測定方法は、ここに述
べる方法以外にも数多くあるが、本発明では以下の方法
で測定した。

〔測定法１　）　−一−−−−−・表面抵抗値の測定ガ
ラス基機上に成膜した抵抗被膜に、１ｃｍ間隔で電極を
一対設け、電極間に定電圧電源にて１００ｍＶ印加する
。このとき電極間に流れる電流を計測して、被膜の表面
抵抗値（室温）を算出した。

〔測定法２〕−−−・−−−−−−−−ｍ−温度係数の
測定ガラス基板上に成膜した抵抗被膜に、１１間隔でＴ
Ｌ極を一対設け、これをプログラム恒温器に入れて一１
０℃から１００℃まで昇温し、その間、１°Ｃ毎に〔測
定法ｌ〕により表面抵抗値を測定し、温度と抵抗値との
関係から温度係数を算出した。

〔測定法３　）−−−−−−−−−一耐摩耗性ガラス基
板上に成膜した抵抗被膜を砂消しゴム（ＪＩＳ　＃５０
２）で強く約５０回擦って、傷の有無を肉眼で観察して
下記評価基準に基づき３段階で耐摩耗性を評価した。

◎　光沢があり全く傷がない。

○　光沢があるが、少し傷がある。

×　傷が多数あり、光沢がない。

〔実施例！〕

直径３１の絶縁性セラミック棒１の先端に直径１０ｍｍ
の球状部２を備えた旧来のプローブを基体とシテ用意し
、これを直径４５０ＩＩＩＩ１１２高さ３００　ｍｍの
円柱状ペルジャーを備えたスパッタリング装置にセット
し、他方、ターゲットに純度９９．９％の炭化チタン焼
結体をセントした。

ヘルジャー内を一旦４　Ｘｌ０−６Ｔｏｒｒ、まで排気
した後、Ａｒガスを２００　ｃｃ／分の流量で、またＮ
２ガスを８０ｃｃ／分の流量で導入した。

次に基体とターゲットとの間に８００Ｗの高周波（１３
，５６ＭＩＩｚ）を印加して放電状態を作りだし、球状
部２の表面に厚さ２μｍのチタン炭窒化物からなる抵抗
被膜３を形成した。

球状部２の真球度を測定したところ、被膜３の形成前と
変わらなかった。

こうして得られたプローブに、４個の電極４とその電極
４にリードｖＡ５を取りつけると、第１図に示すものが
得られる。

なお、この抵抗被膜３の物性を調べるために、旧来のプ
ローブ（基体）の代わりに、ガラス塞板を用意し、全く
同様にして同じ厚さの抵抗被膜３を形成し、上述の測定
法１〜３に供した。

この結果を別表第１表に示す。

〔比較例１〕Ｎｔガスを導入せずにＡｒガスの流量を２８０　ｃｃ／
分に増加させた外は、実施例１と全く同様に繰り返した
。これにより厚さ２μｍのチタン炭化物からなる抵抗被
膜３が形成された。

この抵抗被膜３の物性を実施例１と同様に測定したので
第１表に示す。

〔実施例２〕実施例１で使用したスパッタリング装置と基体（旧来の
プローブ）を使用し、ターゲットに純度９９．９％窒化
チタン焼結体をセットした。

ヘルジャー内を一旦４　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ、まで排
気した後、Ａｒガスを２００　ｃｃ／分の流量で、また
Ｎ２ガスを４０ｃｃ／分の流量で導入した。

以下、実施例１と同様にして球状部２の表面に厚さ２μ
ｍのチタン窒化物からなる抵抗被膜３を形成した。

〔実施例３〕実施例１で使用したスパッタリング装置と基体（旧来の
プローブ）を使用し、ターゲットに純度９９．９％の炭
化クロム（Ｃｒ　３Ｃ２）焼結体をセットした。

ヘルジャー内を一旦４　Ｘ　１Ｏ−ｈＴｏｒｒ、まで排
気した後、計ガスを２００　ｃｃ／分の流量で、またＮ
２ガスを４０ｃｃ／分の流量で導入した。

以下、実施例１と同様にして球状部２の表面に厚さ２μ
ｍのクロム炭窒化物からなる抵抗被膜３を形成した。

この抵抗液１１！３の物性を実施例１と同様に測定した
ので第１表に示す。

〔比較例３〕Ｎ２ガスを導入せずにＡｒガスの流量を２４０　ｃｃ／
分に増加させた外は、実施例３と全く同様に繰り返した
。これにより厚さ２μｍのクロム炭化物からなる抵抗被
膜３が形成された。

〔実施例４〕実施例１で使用したスパッタリング装置と基体（旧来の
プローブ）を使用し、ターゲットに純度９９．９９％の
金属クロムをセットした。

ヘルジャー内を一旦４　Ｘ　１Ｏ−ｂＴｏｒｒ、まで排
気した後、Ａｒガスを２００　ｃｃ／分の流量で、また
Ｎ７ガスを４０ｃｃ　／分の流量で導入した。

以下、実施例１と同様にして球状部２の表面に厚さ２μ
ｍのクロム窒化物からなる抵抗被膜３を形成した。

〔比較例４〕Ｎ２ガスを導入せずにＡｒガスの流量を２４０　ｃｃ／
分に増加させた外は、実施例３と全く同様に繰り返した
。これにより厚さ２μｍの金属クロムからなる抵抗被膜
３が形成された。

〔実施例５〕実施例１で使用したスパッタリング装置と基体（旧来の
プローブ）を使用し、ターゲットに純度９９．９９９％
の炭素をセットした。

ヘルジャー内を一旦４　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ、まで排
気した後、Ａｒガスを２００　ｃｃ／分の流量で＼また
Ｎ２ガスを４０ｃｃ／分の流量で導入した。

以下、実施例１と同様にして球状部２の表面に厚さ２μ
ｍの窒素含有硬質カーボン薄膜からなる抵抗被膜３を形
成した。

〔実施例６〕実施例１と同じく旧来のプローブを基体として用意した
。

別途、直径８００　ｍｍ、高さ８００　ｍｍの円柱状へ
ルジャーを備えた電子ビーム加熱方式の真空蒸着装置を
用意した。

更に、純度９９．９％の金属チタンペレットにモル分率
５〜１５の割合で金属タンタルペレットを混合したもの
を、蕩着源として用意した。

そして、上記蒸着装置に基体と蒸着源をセットした。

ペルジャー内を２　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ、まで排気し
た後、電子ビームで蒸着源を十分に熔解してから、基体
温度−約＋５０°Ｃ８蒸着速度−０，１μｍの条件で真
空蒸着を行ない、球状部２の表面に厚さ２μｍのチタン
−タンタル合金からなる抵抗被膜３を形成した。

こうして得られたプローブに、４個の電極４とその電極
４にリード線５を取りつけると、第１図に示すものが得
られる。

なお、この抵抗被膜３の物性を調べるために、旧来のプ
ローブ（基体）の代わりに、ガラス基＋反を用意し、全
く同様にして同じ厚さの抵抗被膜３を形成し、上述の測
定法１〜３に供した。

この結果を下記第１表に示す。

尚、タンタルの代わりにタングステンを用いてもほぼ同
様の特性が得られた。

〔比較例６〕タンクルベレットを混合しない外は実施例６と全く同様
にして純チタンからなる抵抗被膜３を形成した。

〔実施例７］純度９９．９％の金属クロムベレットにモル分率１０〜
２５の割合で金属タングステンベレットを混合したもの
を、蒸着源として用意した。

そして、実施例６と全く同様にしてクロム−タングステ
ン合金からなる抵抗被膜３を形成した。

尚、タングステンの代わりにタンタルを用いてもほぼ同
様の特性が得られた。

〔比較例７〕タングステンベレットを混合しない外は実施例６と全く
同様にして純クロムからなる抵抗波１！３を形成した。

〔実施例８〕実施例１と同じ旧来のプローブを基体として用意した。

別途、直径８００■、高さ８００　ｍｍの円柱状ヘルジ
ャーを備えたアーク放電型イオンブレーティング装置を
用意した。

この装置に蒸着源として純度９９．９％の金属チタン塊
と上記基体をセットした。

ヘルジャー内を２　Ｘ　１Ｏ−６Ｔｏｒｒ、まで排気し
た後、Ａｒガスを導入して、放電を開始させ、７着源を
溶融状態にした。この状態でＮ２ガスを８０ｃｃ　７分
の流量で導入し、反応性蒸着を開始した。

：うして球状部２の表面に厚さ２μｍのチタン窒化物か
らなる抵抗被膜３を形成した。

なお、この抵抗被膜３の物性を調べるために、旧来のプ
ローブ（基体）の代わりに、ガラス基板を用意し、全く
同様にして同じ厚さの抵抗被膜３を形成し、）、述の測
定法１〜３に供した。

この結果を下記第１表に示す。

〔￥施例９〕茅着源として金属チタン塊の代わりに、純度９９．９％
の金属クロム塊を使用する外は実施例８と同様にして、
クロム窒化物からなる抵抗被膜３を形成した。

〔実施例１０）実施例１と同じ旧来のプローブを基体として用意した。

そして、実施例８で使用したアーク放電型イオンブレー
ティング装置に、蒸着源として純度９９．９％の金属ク
ロム塊と上記基体をセットした。

ヘルジャー内を２　Ｘ　１Ｏ−６Ｔｏｒｒ、まで排気し
た後、アルゴンガスを導入して、放電を開始させ、蒸着
源を溶融状態にした。この状態でＮ２ガスを４０ｃｃＺ
分の流量で、同時にメタンガスを３０ｃｃ　７分の流量
で導入し、反応性蒸着を開始した。これにより球状部２
０表面に厚さ２μｍのチタン炭窒化物からなる抵抗被膜
３を形成した。

こうして得られたプローブに、４個の電極４とその電極
４にリード線５を取りつけろと、第１図に示すものが得
られる。

なお、この抵抗被膜３の物性を調べるために、旧来のプ
ローブ（基体）の代わりに、ガラス基板を用意し、全く
同様にして同じ厚さの抵抗液ＷＪ、３を形成し、上述の
測定法１〜３に供した。

この結果を別表第１表に示す。

第１表の結果から明らかなように、本発明で使用される
抵抗被膜３は、表面抵抗値が１０〜１０００Ωｃｍの範
囲内にあり、温度係数が−５０〜＋５０１）２１１７℃
の範囲内に納まっており、しかも、耐摩耗性に優れてい
る。

（応用例〕実施例１のプローブ（球状部２の直径１０ｍｍ）に４個
の電極４とその電極４にリード線５を取り付け、三次元
測定機に装着して実際に測定したところ、測定誤差は±
０．１５°と優れたものであった。

比較のために、実施例１で用いた基体（旧来のプローブ
）の直径１０ＩＩＩｌ＊の球状部２に抵抗塗料を塗布し
て抵抗被膜を形成したところ真球度が満足されないので
、止むなく直径３０闘の球状部２を持つ旧来のプローブ
に取り換えて、それの球状部２に抵抗塗料を塗布して抵
抗被膜を形成し、これに４個の電極４とその電極４にリ
ード線５を取り付け、：次元測定機に装着して実際に測
定したところ、測定誤差は±１．１°と劣っていた。

また、被測定物の面法線測定精度を比較すると、前者は
後者に比べ約７倍向上していた。

〔発明の効果〕

以上のとおり、本発明によれば、■好適な表面抵抗値（
１０〜１０００Ωｃｍ）を持ち、そのため測定精度が高
く、■周囲の環境温度や自己の発りへや被測定物の温度
のために、抵抗被膜自体の温度が室温〜１００℃と変化
しても温度係数が一５０〜＋５０ｐｐＩ１１／℃の範囲
内に納まっているので抵抗値がほとんど変化せず、その
ため、地球上で通常遭遇する様々な環境下でも正確に接
触点Ｑを求めることができ、しかも■耐摩耗性に優れた
プローブが提供される。

更に球状部の直径が小さくとも真球度を低下させないの
で、プローブの小型化が図れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例１にかかるプローブに電極と
リード線を取りつけたものの概略断面図である。第２図は、従来のプローブの概略斜視図である。第３〜４図は、旧来のプローブで被測定物を測定する様
子を説明する説明図である。〔主要部分の符号の説明〕１−　棒２−−−−−−−一・−球状部３−一一一−−−−抵抗被膜４−−−−−−−−一電掻５−・−−−リード線

Claims

【特許請求の範囲】棒の先端に球状部を備えた絶縁性基体と、前記球状部の
表面に被覆された抵抗被膜とからなるプローブにおいて
、前記抵抗被膜が、チタン窒化物、チタン炭窒化物、クロ
ム窒化物、クロム炭窒化物、チタン−タンタル合金、ク
ロム−タンタル合金、チタン−タングステン合金、クロ
ム−タングステン合金、及び硬質カーボン薄膜からなる
群から選択された１種又は２種以上の混合物からなる薄
膜であって、かつその薄膜が１０〜１０００Ωｃｍの表
面抵抗値及び−５０〜＋５０ｐｐｍ／℃の範囲内の温度
係数を有することを特徴とするプローブ。