JPH028066U - - Google Patents

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JPH028066U
JPH028066U JP8410388U JP8410388U JPH028066U JP H028066 U JPH028066 U JP H028066U JP 8410388 U JP8410388 U JP 8410388U JP 8410388 U JP8410388 U JP 8410388U JP H028066 U JPH028066 U JP H028066U
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optical switching
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gate
photovoltaic element
mosfet
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【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本考案に係る光スイツチ
ング装置の一実施例を説明するもので、第1図が
光スイツチング装置の等価回路図、第2図がその
概略構成を示す断面図である。第3図は他の実施
例を説明する光スイツチング装置の等価回路図で
ある。第4図〜第7図は従来例を説明するもので
、第4図が従来の光スイツチング装置の等価回路
図、第5図が同一の半導体基板上に光スイツチン
グ装置を作製した場合の平面図、第6図がそのフ
オトダイオードの断面図、第7図がMOSFET
の断面図である。 1:MOSFET、2:フオトダイオード、3
:放電用抵抗、4:光スイツチング素子、5,6
:制御入力端子、7:LED、8:抵抗、9:ダ
イオード、20:微分回路。
補正 昭63.10.21 実用新案登録請求の範囲を次のように補正する
【実用新案登録請求の範囲】 電力用MOSFETと、 該電力用MOSFETのゲートとソース間に接
続される光起電力素子と、 御端子に印加される制御信号により発光して
前記光起電力素子に光を照射する発光素子と、 前記制御端子と前記MOSFETのゲートとの
間に前記制御信号により順バイアスされる方向に
接続されたダイオードとを具備することを特徴と
する光スイツチング装置。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 電力用MOSFETと、 該電力用MOSFETのゲートとソース間に接
    続される光起電力素子と、 該光起電力素子と並列に前記ゲートとソース間
    に介装される放電用抵抗と、 制御端子に印加される制御信号により発光して
    前記光起電力素子に光を照射する発光素子と、 前記制御端子と前記MOSFETのゲートとの
    間に前記制御信号により順バイアスされる方向に
    接続されたダイオードとを具備することを特徴と
    する光スイツチング装置。
JP8410388U 1988-06-24 1988-06-24 Pending JPH028066U (ja)

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