JPH0279028A - 反射型エレクトロクロミック素子の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、反射型エレクトロクロミック素子の新規な製
造法に関する。

〔従来の技術〕

電圧を印加すると可逆的に電解酸化または還元反応が起
こり可逆的に着色（発色）する現象をエレクトロクロミ
ズムと言う、このような現象を示すエレクトロクロミッ
ク（以下、ＥＣと略称する）物質の薄膜を一対の電極層
で挾持して、その電極層間に印加する電圧を操作するこ
とにより着消色するＥＣ素子（以下、ＥＣＤと略す）を
作り、このＥＣＤを光量制御素子（例えば防眩ミラー）
や７セグメントを利用した数字表示素子に利用しようと
する試みは、２０年以上前から行われている。

例えば、ガラス基板の上に透明電極層、二酸化タングス
テン薄膜と絶縁ＩＩＩ（例えば二酸化ケイ素）積層して
なるＥＣＤ　（特公昭５２−４６０９８号参照）が全固
体型ＥＣＤとして知られている。このＥＣＤに着色電圧
Ｖｃを印加すると三酸化タンゲステン（ＷＯ，）薄膜が
青色に着色する。その後、このＥＣＤに逆極性の消色電
圧ｖｂを印加すると、ｗｏｓＦｊｉ膜の青色が消えて無
色になる。

この着色・消色する機構は詳しくは解明されていないが
、ＷＯ１薄膜および絶縁膜（イオン導電層）中に含まれ
る少量の水分がＷＯ３の着色・消色を支配していると理
解されている０着色の反応式は下記のように推定されて
いる。

Ｈｔ０−−−−→Ｈ”　＋０Ｈ− （ＷＯ，膜＝陰極側） ＷＯ３＋ｎＨ”　＋ｎ　ｅ−ＨｎＷＯｓ無色　　　　　
　　　　　　　　青色 （絶縁膜＝陽掻側） ２０Ｈ−Ｈｔ　Ｏ＋　％　　Ｏｘ　　↑＋ｅ−以上の式
からも理解されるように、ＷＯｌは還元により着色する
還元着色性ＥＣ物質である。

ＷＯ，のほか、Ｍ２Ｃ，もそうである。

ところで、還元に伴ない酸化反応が生じるのは必定であ
り、この場合、 ２０　Ｈ−−Ｈｚ　　Ｏ＋’Ａ　ＯＺ　　↑＋ｅ−の酸
化反応がＥＣＤ系内で起こる。そのため、この種のＥＣ
Ｄの欠点は、■着色反応の際、酸素ガス発生という好ま
しくない副反応により含有水分が消費されること、及び
■逆の消色反応によって水が生成されないので、着色の
繰り返しには大気中からの水の補給が必要なことである
。特に後者■の理由により、このタイプ０ＥＣＤには、
着色の再現性が大気中の水分の影響を受ける欠点がある
。

そこで、最近、着色反応により消費される水の量と同じ
量の水が消色反応により生成され、従って外界からの水
分の補給を必要とせずに着色・消色を繰り返すことがで
き、しかも繰り返される着色濃度が外界の影響を受けな
い全固体型ＥＣＤが提案された（、特開昭５２−７３７
４９号及び特開昭５６−４６７９号参照）。

提案されたＥＣＤの典型的な構造は、下記の通りである
。

Ａ：電極層 Ｂ：還元着色性ＥＣ層例えばＷＯｓ　、Ｍ＠ＯｓＣ：イ
オン導電層例えば３　ｉ　０　ｚ　、Ｔ　ａ　ｘ　Ｏｓ
Ｄ：酸化着色性ＥＣ層例えばＣｒ　ｚ　Ｏｓ、［ｒ　Ｏ
ｘ　、　Ｉｒ（ＯＨ）ｙ Ｅ：電極層 尚、電極層Ａ、Ｈのうち少なくとも一方が透明でなけれ
ばならないことは熱論である。また、−方が反射層を兼
用していてもよい。

そして、酸化着色性ＥＣ物質として水酸化イリジウムＩ
ｒ（ＯＨ）ｙ（一般の水酸化物がそうであるように、水
酸化イリジウムは酸化イリジウムＩｒＯｘの水和物とみ
ることもできる。従って、本明細書では、イリジウムの
酸化物、イリジウム酸化物、酸化イリジウム、ＩｒＯｘ
等と表現したときには、場合により水酸化物又は水酸化
物との混合物を指すものと理解されたい）を用いた特開
昭５６−４６７９号のＥＣＤは、それまでに報告された
ＥＣＤの中で最も優れたものであった。

この場合、酸化着色性ＥＣ層としての水酸化イリジウム
薄膜の製造方法には、■−旦、金属イリジウム薄膜を真
空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティングなどの
真空薄膜堆積技術により形成した後、次工程で硫酸その
他の電解液中で陽極酸化（ａｎｏｄｉｃ　ｏｘｉｄａｔ
ｉｏｎ）により酸化イリジウム薄膜に変える方法（例え
ば特開昭５６−４６７９号の実施例参照）、及び■金属
イリジウムをターゲットに使用して、酸素雰囲気下で反
応性スパッタリングを行ない、−工程で直接に酸化イリ
ジウム薄膜を得る方法（例えばＵ　Ｓ　Ｐ　４，２５８
，９８４参照）、■−旦、 Ａ　：電極層 Ｂ　：還元発色性ＥＣ層 Ｃ：透明イオン導電層 Ｄ・　：金属イリジウム薄膜 Ｅ　：電極層 の５層構造物（ＥＣＤｉｉｌ駆体）を作製し、次工程で
水蒸気を含むガス雰囲気中で、電極Ａ、Ｅ間に交流電流
を印加してＤｏ層（金属イリジウム）を酸化又は水酸化
゛イリジウムに変える方法（例えば特開昭５８−７０２
１５号参照）の３通りが報告されている。

しかしながら、いずれの方法にせより層二酸化又は水酸
化イリジウムは、単一成分の酸化又は水酸化イリジウム
からなり、これを用いた特開昭５６−４６７９号０ＥＣ
Ｄは、高温耐久性に乏しいという欠点があった。

そのため、この欠点を解決したＥＣＤが発明された（特
開昭６０−２２２８２７号参照）、このＥＣＤは、特開
昭５６−４６７９号０ＥＣＤと同様に通常は５Ｎ構造を
有するが、特徴的なことは、酸化発色性ＥＣ層が純粋な
酸化又は水酸化イリジウムではなく、それと分散媒例え
ばＳｎｕｇとの分散体からなることである。

この分散体層の製造方法は、特開昭６０＝２２２８７号
の開示によれば、■−旦、金属イリジウム薄膜と分散媒
とからなる分散体層を形成した後、次工程で（ｉ）加熱
酸化又は（ｉｉ）陽極酸化により金属イリジウムを酸化
して、酸化又は水酸化イリジウムと分散媒とからなる分
散体層に変える方法、■蒸発源又はターゲットとして酸
化イリジウムと分散媒の２種を使用し、真空薄膜堆積技
術（非反応系）により、−工程で直接に分散体層を得る
方法、及び■蒸発源又はターゲットとして金属イリジウ
ムと分散媒の２種を使用し、酸素雰囲気下で真空薄膜堆
積技術（反応系）により一工程で直接に分散体層を得る
方法の３通りがある。

いずれの場合にも、酸化又は水酸化イリジウムは、分散
体中に分子レベルで又は超微粒子塊として分散している
。

しかしながら、■の（ｉ）加熱酸化による製法は、金属
イリジウムの酸化が完全に進むことがなく、そのため、
分散体層の透明性が不十分で灰色をしたものしか得られ
ないという問題点を有する。

■の（ｉｉ）陽極酸化による製法は、陽極酸化という湿
式１程がはいる（他の工程は乾式１程で済む）ことでＥ
ＣＤの生産効率が大幅に低下し、またコストが高くなる
という問題点を有する。

■の蒸発源又はターゲットとして酸化イリジウムを用い
る製法は、蒸発源及びターゲットの製作が困難で実用的
ではないという問題点並びに製造中に突沸が発生して分
散体層にブツブツ（粗大な塊）がはいってしまうという
問題点を有する。

■の反応系堆積技術による製法は、得られたＥＣＤの着
消色の変化幅が小さいという問題点並びに再現性に乏し
くロフト間で性能がバラツクという問題点を有する。

そこで、本発明者らは、先に鋭意研究の結果、偶然にも
、Ｄ層の代りに「金属イリジウム（分散質）と分散媒と
からなる分散体層ＤｏＪを積層した５層構造の積層物を
作り、この積層物の電極層Ａ、Ｅ間に、酸素ガス又は水
蒸気を含むガス雰囲気中で、交流電圧を印加することに
より、Ｄｏ層中のイリジウム金属を酸化又は水酸化イリ
ジウムに変えると、 Ａ　；電極層 Ｂ　：還元発色性ＥＣ層 Ｃ：イオン導電層 Ｄｏ：酸化又は水酸化イリジウム（分散質）と分散媒と
からなる分散体層 Ｅ　：を極層 からなる５層構造のＥＣＤが得られ、このＥＣＤは、組
成及び構造上は特開昭６０−２２２８７号のものと同一
であるものの、不思議なことに、前記問題点を有しない
ことを見い出し、先願発明（特願昭６３−４５４号）を
成すに至った。

つまり、先願発明は、前記り０層を含む５層構造の積層
物の電極Ａ、Ｅ間に、酸素ガス又は水蒸気を含むガス雰
囲気中で、交流電圧を印加してＤｏ層中のイリジウム金
属を酸化又は水酸化イリジウムに変えることにより前記
り層を含む５層構造のＥＣＤを製造する発明である。

〔発明が解決しまうとする課題〕

しかしながら、電極Ａ、Ｈのうち、一方を透明電極層、
他方を反射性の金属電極層とした反射型ＥＣＤを製造す
る場合、先願発明の明細書に具体的に開示された実施例
の製造方法（本明細書に添付した第２図の構造のものを
出発原料とする）では、その後の研究の結果、■製造に
時間がかかるという問題点、■製造されたＥＣＤを着色
させたとき着色ムラが発生し易いという問題点のあるこ
とが判明した。

従って、本発明の目的は、これらの問題点のない反射型
ＥＣＤの新規な製造方法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者らは、偶然にも、積層順序を変えて、反射性金
属電極層に接するようにり０層：イリジウム金属又はそ
の低級酸化物を含む層を配置した５層構造物を出発原料
とすることにより、前記目的が達成されることを見い出
し、本発明を成すに至った。

よって、本発明は、上から順に、 Ａ　二反射性金属電極層 Ｄｏｉイリジウム金属又はその低級酸化物を含む層 Ｃ：イオン導電層 Ｂ　：還元発色性エレクトロクロミンク層Ｅ　　：ｉ３
明電極層 ｓ　　：ｉ！明基板 の５層構造からなる積層物の電極層Ａ、Ｅ間に、酸素又
は水蒸気を含むガス雰囲気中で、交流電圧を印加するこ
とにより、Ｄｏ層のイリジウム金属又はその低級酸化物
を、酸化物化又は高級酸化物化することを特徴とする反
射型エレクトロクロミック素子の製造法を提供する。

〔作　用〕

本発明のように、Ｄ、：イリジウム金属又はその低級酸
化物を含む層を、Ａ：反射性金属電極層に隣接した５層
積層物を、出発原料とすると、イリジウムの酸化が進み
易い理由は、次のように推測される。

（イ）Ｄｏ層に隣接する電極層が先願発明の実施例（本
願第２図）のように透明電極（Ｅ）であると、それは比
較的電気抵抗が高いので、それの電極取出し部に外部配
線（Ｆ）を接続して交流電圧を印加した場合、透明電極
層（Ｅ）の中に電圧勾配が生じ、その結果、透明電極層
（Ｅ）の取出し部に近い部分では十分な量の正電荷が供
給されるので、Ｄｏ層の酸化が速く進んでイリジウム金
属又はその低級酸化物は、ＥＣ性を示す酸化物（上述の
ように場合により水酸化物）又は高級酸化物（上述のよ
うに場合により水酸化物）に変化する。

尚、Ｄｏ層はかなり不透明でグレーの金属反射色を呈し
ているが、酸化物又は高級酸化物になると、無色透明と
なり、膜厚が約５倍程度に増加する。

その結果、更に正電荷が供給されると、イリジウムはよ
り高い酸化状態となり、層は透明なグレー（反射色を持
たない）を呈し、交流電圧の印加により、層は無色透明
−透明グレーの色変化を繰り返す、これがＥＣ性である
。

しかし、取出し部より遠い部分では十分な量の電荷が供
給・奪取されないので、Ｄｏ層の酸化は遅い。

そのため、Ｄ０層全体が酸化物又は高級酸化物になるの
に時間がかかるばかりでなく、局部的に酸化されない部
分が残ったりして着色ムラが生じることになる。

また、透明電極層（Ｅ）は、全体に均一な抵抗値に作成
することが難しく、このことも着色ムラを生じさせる原
因となると考えられる。

（ロ）Ｄｏ層を酸化する酸素又は水分は、外部がら金属
電極層（Ａ）を通してやって来ると考えられるが、Ｄｏ
層が、Ａ／Ｂ／Ｃ／ＤＯ／ＴＦ、／Ｓ基板の積層物中に
あると、外部からの酸素又は水分はＡ／Ｂ／Ｃの３層を
通過してやって来なければならず、そのため、十分な量
の酸素又は水分がり０層に供給されずに酸化が進み難く
なる。尚、Ｓ基板側から酸素又は水分が供給されること
はない。

それに対して、本発明のように、Ｄｏ層が、Ａ／Ｄｏ　
／Ｃ／Ｂ／Ｅ／ｓ基板の積層物中にあると、外部からの
酸素又は水分はＡ層１層だけを通過すればよいので、通
過し易く、そのため、酸化が進み易い。

（ハ）Ｄｏ層が酸化されると、膜厚が約５倍程度に膨張
するが、Ｄｏ層が、Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｄ、／Ｅ／Ｓ基板の積
層物中にあると、Ｄ、ＮはＡ／Ｂ／Ｃ３層に抑えつけら
れて、膨張し難いので、酸化が進み難い。

それに対して、本発明のように、Ｄｏ層が、Ａ／ｎｏ　
／Ｃ／Ｂ／Ｅ／Ｓ基板の積層物中にあると、Ｄｏ層の上
にはＡ層１層だけなので、膨張し易く、そのため、酸化
が進み易い。

透明１を極層（Ｅ）を積層する透明基板（Ｓ）としては
、例えば、ガラス、セラミックス、プラスチックスのよ
うに強靭で透明なものが使用される。

透明電極層（Ｅ）を構成する材料としては、酸化スズ（
Ｓｎｏｗ　）　、ＩＴＯ（酸化インジウムに５％程度の
ＳｎＯ，の混入したもの□透明性がよい）、酸化インジ
ウム（ｉｎ、ｏ、）、ヨウ化銅、酸化亜鉛等が使用さる
。

金属電極層（Ａ）を構成する材料としては、例えばクロ
ム、スズ、亜鉛、ニッケル、金、白金、パラジウム、ロ
ジウム、アルミニウム、銀などが使用される。

電極層（Ａ）、（Ｅ）の厚さは０．０１−０．５μｍで
十分であるが、これより厚いものを望む場合には、厚く
ともよい。

Ｂｉの還元発色性ＥＣ層としては、二酸化タングステン
、二酸化モリブデン等が挙げられるが、なかでも二酸化
タングステンが好ましい。

０層のイオン導電層としては、 ■液状電解質・・・・・・・・・例えば硫酸、塩酸のよ
うな酸又はその水溶液、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウムのようなアルカリの水溶液、塩化ナトリウム、塩化
リチウム、塩化カリウム、硫酸リチウムのような固体強
電解質の水溶液。

■半固体ゲル電解質・・・・・・例えば電解質水溶液を
ゲル化剤例えばポリビニルアルコール、ＣＭＣ１寒天、
ゼラチンな左でゲル化させたもの。

■固体電解質・・・・・・例えばＨＶＰ　、β−Ａ１．
Ｏ，、Ｎａ３　Ｚ　ｒ　！　Ｓ　ｉｚ　Ｐ　Ｏ＋ｚ、Ｎ
ａ＋＋ｚ　ＺｒｚＳｉ　ｘ　Ｐ　５−ｉＯｔＸ、Ｎａｇ
　ＹＳ　ｉａ　Ｏ＋ｚ、ＲｂＡｇａｌｓなど。

■水又はイオン含有合成樹脂固体・・・・・・例えばメ
タクリル酸β−ヒドロキシエチルと２−アクリルアミド
−２−メチルプロパンスルホン酸との共重合体、含水メ
タクリル酸メチル共重合体のような含水ビニル重合体、
含水ポリエステルなど。

■その他・・・・・・酸化タンタル（’ｒａｇ　ｏｓ　
）　、酸化ニオブ（Ｎｂ！　０５　’）、酸化ジルコニ
ウム（ＺｒＯｔ）、酸化チタン（Ｔ　ｉＯｔ　）　、酸
化ハフニウム（ＨｆＯ，）、酸化イツトリウム（Ｙｚ　
Ｏｓ　）　、酸化ランタン（ＬａｔＯｌ）、酸化珪素（
Ｓ　Ｉ　Ｏ！　）フン化マグネシウム、リン酸ジルコニ
ウムあるいはこれらの混合物質、これらの物質は、電子
に対して絶縁体であるが、プロトン（Ｈｏ）及びヒドロ
キシイオン（ＯＨ−）に対しては良導体である。

０層は、液状又は半固体ゲル状の場合、Ｂ層とり０層に
サンドインチされた形で存在するが、水又はイオン含有
合成樹脂固体の場合、Ｂ層とＤｏ層との接着剤層を兼用
させてもよく、この方法は本出願人の特願昭５６−９８
４０４号の明細書に詳しい、この場合、０層の厚さｉｔ
約０．１〜１Ｄｏ０μｍで十分である。

０層を薄くしたい目的あるいは液もれの心配を解決した
い目的から、■のいわゆる固体絶縁体を使用することは
好ましく、この場合には厚さを０．Ｄｏ１〜１０μｍに
することが可能である。

０層は、できるだけ透明なものでなければならない。

Ｄｏ層は、金属イリジウム又はその低級酸化物を含む層
である。この層は、分散質が金属イリジウム又はその低
級酸化物で、それが分散媒に分散した分散体であっても
よい０分散媒としては、例えば■Ｓｎｏｗ　、Ｉｎｚ　
Ｏｘ　、ＩＴＯｌＺｎＯ等の透明導電性無機酸化物、Ｔ
ａ、Ｏｓ　、ＴｉＯ□、Ｓ　ＩＯｔ　１ＷＯ２、Ｍｏ５
ｓ　、Ｓ　Ｊ　０３等の透明無機弗化物及Ｕ＠Ｍ　ｇ　
Ｆ　ｔ　、Ｃａ　Ｆ　ｚ等の透明無機弗化物等が使用さ
れる。これらの中でも、Ｓｎｏｗ　ｓ　　ｉｎ、ｏ３　
、ｒＴｏ、ＺｎＯ及びＴａ、Ｏ，は好ましいものである
。

分散質としてのＩｒ金属又はその低級酸化物は、分散体
中に重量％で１５〜２５％含ませることが好ましい。

ここでは、分散質と分散媒との関係は、逆であってもよ
く、分散体層（Ｄ、）は混合物と見ることもできる０重
要なことは、分散質としてのＩｒ金属が原子レベルで又
は超微粒子状態で分散されていることである。

このような分散体層（Ｄｏ）は、真空薄膜堆積技術で作
られる。

Ｄｏ層の厚さはＢ層も同じであるが、通常０．Ｄｏ１〜
数μｍで十分である。

Ａ−Ｅ層は、０層が液状、半固体ゲル状、合成樹脂であ
る場合を除き、真空薄膜堆積技術例えば真空蒸着、スパ
フタリングなどにより形成される。

また、パターン状に表示したい場合には、０層を除く、
いずれか少なくとも一層をバターニングしてもよく、あ
るいは任意の眉間又は層上にパターン状の遮光層又は電
子・イオン絶縁性の層を設けてもよい。

Ａ−Ｅ層は０層の選択に応じてＡ−Ｅを順に積層するか
又はＡ　−Ｄ　ｏ積層物とＢ−Ｅ積層物を予め作成して
おき、両者で０層を挾持する方法で、出発材料となる５
層構造の積層物が得られる。

本発明では、この積層物を酸素ガス又は水蒸気を含むガ
ス雰囲気例えば大気中に置き、その電極層Ａ−Ｅ間に交
流電圧を印加する。交流の周波数は０．０１〜１０Ｈｚ
位で十分であり、波形は三角波、矩形波、ノコギリ波、
正弦波のいずれでもよい。

電圧は０．５〜３ボルト位で十分である。

交流電圧を印加すると、Ｄｏ層のＩｒ金属は大気中又は
他の層中からの酸素又は水分と反応し、次第に金属色が
抜けて酸化又は水酸化物となるに従い、透明化し、やが
てエレクトロクロミズムを示すようになる。

こうして、高いコントラスト比を有するＥＣＤが得られ
る。

本発明によれば、酸又はアルカリ水溶液中で電解酸化す
る方法に比べて、製造設備及び工程が簡略化され、製造
コストの大巾な低下が期待される。

本発明によ・り製造されたＥＣＤは、低電圧で反射率を
変えることができ、反射率可変なミラーとして有用であ
る０例えば、自動車の防眩ミラーとして有用である。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。

〔実施例〕

ｆｉｌ　　厚さ０．１５μｍのＩＴＯｉ３明電掻層（Ｅ
）が形成された縦８ａｌ×横１５１×厚さ２鶴のガラス
基板（Ｓ）を用意した。

（２）蒸発係としてＷＯ２を配置した電子ビーム加熱真
空蒸着装置に前記基板をセットし、真空蒸着法（真空度
１〜２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ、蒸着速度５〜１０　Ｘ　１
０−’ｐ　ｍ／５ｅｃ）により厚さ０．２５　＃ｍの三
酸化タングステンからなる還元発色性ＥＣ層（Ｂ）を形
成させた。

（３）続いて、Ｂ層の上に真空蒸着法（真空度１〜２Ｘ
ＬＯ−’Ｔｏｒｒ、蒸着速度２〜３ｘｌＱ−’ｕｍ／５
ｅｅ）により厚さ０，２５μｍの５酸化タンタルからな
る透明イオン導電層（Ｃ）を形成した。

（４）蒸発ｉ１！（２元）としてＩｒ金属と酸化スズを
セントし、同じ電子ビーム加熱真空蒸着装置で、真空度
：１〜５×１Ｏ−ＳＴＯｒｒ、蒸着速度：１０人／秒の
条件で真空蒸着（非反応性）を行ない、Ｅ層の上に厚さ
７Ｄｏ人の分散体層（Ｄ、）を形成した。

この分散体層（Ｄｏ）を分析したところ、分散体層を１
Ｄｏ重量％とじて２０％のＩｒ金属が含まれていた。

（５）　　最後に、Ｄｏ層の上に 蒸発源：Ａｌ 真空度：５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ 基板温度：室温 の条件下に真空蒸着により、膜厚１Ｄｏ０人の反射性Ａ
ｊ！電極層（Ａ）を形成させた。

（６）　　こうして帰られた５層構造の積層物（第１図
参照）の電極層Ａ−Ｅ間に、外部配線（Ｆ）を通じて±
１．３５Ｖ、周期０．０５　Ｈｚの交流電圧を１〜２時
間印加することにより、Ｄｏ層中のＩｒ金属を酸化物に
変えて、５層構造の反射型ＥＣＤを製造した。

〔比較例〕

実施例で（２）の工程と（４）の工程とを入れ換えて、
５層構造の積層物（第２図参照）を製造した。

得られた積層物（第２図参照）の電極層Ａ−Ｅ間に、外
部配線（Ｆ）を通じて±１．３５　Ｖ、周期０、０５　
Ｈｚの交流電圧を印加することにより、Ｄｏ層中のＩｒ
金属を酸化物に変えて、５層構造の反射型ＥＣＤを製造
した。このとき、Ｄｏ層を酸化物にするのに１０時間要
した。

〔試験例〕 上記実施例及び比較例で製造したＥＣＤの上にエポキシ
樹脂（封止剤兼接着剤）を用いて封止用ガラス基板を接
着することにより封止した後、下記試験に供した。

１徂毛試襞 実施例及び比較例のＥＣＤの電橋層Ａ−Ｅ間に着色電圧
＋１．３５Ｖを印加し続けると、反射率は急激に低下し
、約１０秒で飽和した。この状態は電圧印加を止めても
保持された。しかし、比較例のＥＣＤには、着色ムラが
見られた。

次に消色電圧−１，３５Ｖを印加し続けると、反射率は
急激に回復し、約１０秒で飽和した。しかし、比較例０
ＥＣＤには、着色ムラが見られた。

なお、反射率はいずれも波長λ”’６Ｄｏｎ−の単色光
を用い、ＥＣＤの中心位置で測定した。

そこで、各ＥＣＤについて、着色電圧＋１．３５■を１
０秒印加して反射率Ｒｃを同様に測定し、次に消色電圧
−１，３５Ｖを１０秒印加して反射率Ｒ５を同様に測定
した。この結果を下記第１表に示す。

第１表（試験結果） 〔発明の効果〕 以上の通り、本発明は、先願発明に比べ■製造時間（大
気中酸化の時間）が短い、■着消色ムラが発生し難いと
いう効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の製法に使用される出発原料（前駆体
）の一実施例としての５Ｎ構造の積層物の断面構造を説
明する概念図である。 第２図は、先願発明の実施例で使用された出発原料（前
駆体）としての積層物の断面構造を説明する概念図であ
る。 〔主要部分の符号の説明〕 Ａ−・−・・−・反射性金属電極層 り、・−・・−イリジウム金属又はその低級酸化物を含
む層 Ｃ・・−・・・・−・−イオン導電層 Ｂ−−−・・−・−・還元発色性エレクトロクロミック
層Ｅ−・・・−・−透明電極層 Ｓ−・・・・−・−透明基板

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 上から順に、 Ａ：反射性金属電極層 Ｄ＿ｏ：イリジウム金属又はその低級酸化物を含む層 Ｃ：イオン導電層 Ｂ：還元発色性エレクトロクロミック層 Ｅ：透明電極層 Ｓ：透明基板 の５層構造からなる積層物の電極層Ａ、Ｅ間に、酸素又
   は水蒸気を含むガス雰囲気中で、交流電圧を印加するこ
   とにより、Ｄ＿ｏ層のイリジウム金属又はその低級酸化
   物を、酸化物化又は高級酸化物化することを特徴とする
   反射型エレクトロクロミック素子の製造法。