JPH0273149A - pHセンサ - Google Patents
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- JPH0273149A JPH0273149A JP63225281A JP22528188A JPH0273149A JP H0273149 A JPH0273149 A JP H0273149A JP 63225281 A JP63225281 A JP 63225281A JP 22528188 A JP22528188 A JP 22528188A JP H0273149 A JPH0273149 A JP H0273149A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 16
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 4
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 abstract description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 2
- 210000003850 cellular structure Anatomy 0.000 abstract 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 14
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 235000006693 Cassia laevigata Nutrition 0.000 description 4
- -1 Engineering 02 Chemical compound 0.000 description 4
- 241000522641 Senna Species 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940124513 senna glycoside Drugs 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RMMXTBMQSGEXHJ-UHFFFAOYSA-N Aminophenazone Chemical compound O=C1C(N(C)C)=C(C)N(C)N1C1=CC=CC=C1 RMMXTBMQSGEXHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019020 PtO2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019834 RhO2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- YKIOKAURTKXMSB-UHFFFAOYSA-N adams's catalyst Chemical compound O=[Pt]=O YKIOKAURTKXMSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- KZYDBKYFEURFNC-UHFFFAOYSA-N dioxorhodium Chemical compound O=[Rh]=O KZYDBKYFEURFNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- BLBNEWYCYZMDEK-UHFFFAOYSA-N $l^{1}-indiganyloxyindium Chemical compound [In]O[In] BLBNEWYCYZMDEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical compound CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 241000238413 Octopus Species 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-L adipate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCCCC([O-])=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010975 amethyst Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical class Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000012623 in vivo measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010842 industrial wastewater Substances 0.000 description 1
- 229910001410 inorganic ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N iridium(IV) oxide Inorganic materials O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035440 response to pH Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229940116351 sebacate Drugs 0.000 description 1
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-L sebacate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCCCCCCCC([O-])=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003176 water-insoluble polymer Polymers 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はシリカガラス電極を用いない電界効果トランジ
スター(以下FETという)?!l−″利用した超小型
pHセンサに関するものであり、特に検出用電極が微小
なプローブ型であるため生体組織を含めた微容量の検液
な対象とする測定に有効に利用することができ、医用セ
ンサとしても有用な新規のpHセンサーに関するもので
ある。
スター(以下FETという)?!l−″利用した超小型
pHセンサに関するものであり、特に検出用電極が微小
なプローブ型であるため生体組織を含めた微容量の検液
な対象とする測定に有効に利用することができ、医用セ
ンサとしても有用な新規のpHセンサーに関するもので
ある。
(背景技術)
pHセンサーは実験室用や工業排水の計測などの環境管
理用を含め広い目的に利用されているが、そのほとんど
は応答膜にガラス薄膜を用いたいわゆるガラス電極であ
る。ガラス電極はpH応答範囲が広くイオン選択性も良
いが加工よおよび実用上の解消し難い欠点も有している
。丁なわち、加工製作において第一に微小化が困難であ
り、これは構造がガラス膜を有する外壁と銀!極などか
ら成る内部電極そしてさらにこれらを液絡させるための
塩溶液(Kctなと)の内部液から構成されることを必
要とするからである。またガラス薄膜部をプラスチック
など他の集材と直接接着し難いこともセンサ本体の加工
に制約を与えている。ガラス薄膜がもろいため生体中へ
の適用などには危険である。さらに膜がフッ化水素酸な
どの薬品に侵されや丁いことも問題となる。
理用を含め広い目的に利用されているが、そのほとんど
は応答膜にガラス薄膜を用いたいわゆるガラス電極であ
る。ガラス電極はpH応答範囲が広くイオン選択性も良
いが加工よおよび実用上の解消し難い欠点も有している
。丁なわち、加工製作において第一に微小化が困難であ
り、これは構造がガラス膜を有する外壁と銀!極などか
ら成る内部電極そしてさらにこれらを液絡させるための
塩溶液(Kctなと)の内部液から構成されることを必
要とするからである。またガラス薄膜部をプラスチック
など他の集材と直接接着し難いこともセンサ本体の加工
に制約を与えている。ガラス薄膜がもろいため生体中へ
の適用などには危険である。さらに膜がフッ化水素酸な
どの薬品に侵されや丁いことも問題となる。
これらの問題点を改善するため、ガラス薄膜をより強靭
で耐腐食性に丁ぐれた金属酸化物の薄膜に置き換える方
法が例えば特開昭1.0−791μ≠j号に示されてい
るが、これも内部液と内部電極を含む構造のため微小化
は困難である。また、特開昭62−62irr号には無
機酸化物の膜に代えてpH応答性の有機薄膜を用いる方
法が開示されているが、これも類似の構造をとっている
ため微小化には適さない。
で耐腐食性に丁ぐれた金属酸化物の薄膜に置き換える方
法が例えば特開昭1.0−791μ≠j号に示されてい
るが、これも内部液と内部電極を含む構造のため微小化
は困難である。また、特開昭62−62irr号には無
機酸化物の膜に代えてpH応答性の有機薄膜を用いる方
法が開示されているが、これも類似の構造をとっている
ため微小化には適さない。
近年pHセンサーは材料が耐酸、耐アルカリ性に優れて
いることに加え、センシング用プローグをできる限り小
さくすることが医用を含む新たな用途拡大のために嘱望
されている。
いることに加え、センシング用プローグをできる限り小
さくすることが医用を含む新たな用途拡大のために嘱望
されている。
この際必要とされるのはセンサ電極のプローブ化丁なわ
ち針状に小型化する技術であり、この技術によって人体
や食物中へのプローグの注入による in vivo
の測定が可能となる。例えば、果物の酸味度の評価や前
群食料品の鮮度の測定の手段として、また人体患部など
の臨床検査手段としてプローグ化技術は1丁ま丁重要と
なってくる。
ち針状に小型化する技術であり、この技術によって人体
や食物中へのプローグの注入による in vivo
の測定が可能となる。例えば、果物の酸味度の評価や前
群食料品の鮮度の測定の手段として、また人体患部など
の臨床検査手段としてプローグ化技術は1丁ま丁重要と
なってくる。
このニーズに答えるものとして、小型のトランスジュー
サーであるFETY利用するイオンセンサーがIP70
年にBergveldにより提案された。その後、FE
Tのゲート部にイオン感応膜を接合させたイオン感応性
FET (I 5FET )が考案され、これをpHセ
ンサーとして利用する方法が例えば松尾正之著、センサ
ーズ・アンド・アクチュエーターズ(Sensors
andActuators)、第1巻、77頁(lり
Ir1年)に示されている。
サーであるFETY利用するイオンセンサーがIP70
年にBergveldにより提案された。その後、FE
Tのゲート部にイオン感応膜を接合させたイオン感応性
FET (I 5FET )が考案され、これをpHセ
ンサーとして利用する方法が例えば松尾正之著、センサ
ーズ・アンド・アクチュエーターズ(Sensors
andActuators)、第1巻、77頁(lり
Ir1年)に示されている。
これらのp)l感応型のl5FETf′s、FET基板
のゲート上にゲート金属の代わりにSi3N4やAl2
O3といったp)l感応膜を気相成長させて作られる。
のゲート上にゲート金属の代わりにSi3N4やAl2
O3といったp)l感応膜を気相成長させて作られる。
しかしこれらは特開昭!≠−jI/−タ!号に記戦され
るように複雑な製造工程を要するもので、市販の安価な
FETチップを利用して作ることはできない。また、p
Hセンサとして用いたときはFET本体が水と接触する
ため、ソースとドレイン間の電気的リークを防止する絶
縁加工が必須となるが、加工は容易でなく、完壁性に欠
けることが多い。
るように複雑な製造工程を要するもので、市販の安価な
FETチップを利用して作ることはできない。また、p
Hセンサとして用いたときはFET本体が水と接触する
ため、ソースとドレイン間の電気的リークを防止する絶
縁加工が必須となるが、加工は容易でなく、完壁性に欠
けることが多い。
このような問題?解消する目的でFETのゲートリード
にイオン感応性あるいはイオン選択性の有機物の薄膜を
導電性電極基板とともに担持したイオンセンサがバイオ
・インダストリー(Bi。
にイオン感応性あるいはイオン選択性の有機物の薄膜を
導電性電極基板とともに担持したイオンセンサがバイオ
・インダストリー(Bi。
Industry)、第5巻、!タコ頁(lりrr年)
並びに特開昭60−/174cP号、またこれに類似し
たpHセンサがジャーナル・オブ・アテレテイカ7t、
−ケミストリー(J、Anal、Chem、)、第!り
巻、コ!r頁(lりr7年少に示されている。しかし前
者はカリウム、ナトリウムなど無機イオンに感応するも
のでpHセンサとしては直接使用できない。一方、後者
はプローグが導電性電極と有機多層膜の複合体から成っ
ているため製造工程が複雑であり、またpH感応膜が有
機物でありかつ最外層にあるため物理的安定性に欠ける
ことも問題となる。
並びに特開昭60−/174cP号、またこれに類似し
たpHセンサがジャーナル・オブ・アテレテイカ7t、
−ケミストリー(J、Anal、Chem、)、第!り
巻、コ!r頁(lりr7年少に示されている。しかし前
者はカリウム、ナトリウムなど無機イオンに感応するも
のでpHセンサとしては直接使用できない。一方、後者
はプローグが導電性電極と有機多層膜の複合体から成っ
ているため製造工程が複雑であり、またpH感応膜が有
機物でありかつ最外層にあるため物理的安定性に欠ける
ことも問題となる。
(本発明の目的ン
丁なわち、本発明の第1の目的はグローブ型のセンサと
して高い検出感反をもつ新規なpHセンサ乞提供するこ
とであり、第コには強酸、強アルカリによって腐食され
に(い安定なpHセンサを提供することであり、第3に
は応答速度が速(かつ長時間浸漬中においても性能変化
を起こさない連続モニターの可能な超小型p)1センサ
を提供することである。
して高い検出感反をもつ新規なpHセンサ乞提供するこ
とであり、第コには強酸、強アルカリによって腐食され
に(い安定なpHセンサを提供することであり、第3に
は応答速度が速(かつ長時間浸漬中においても性能変化
を起こさない連続モニターの可能な超小型p)1センサ
を提供することである。
(問題を解決するための手段)
これらの従来技術の問題点は、
電界効果トランジスタ(FET)のゲートリード端子に
金属酸化物半導体を接合して担持してなるpHセンサに
おいて該金属酸化物半導体の表面がプロトン透過性の有
機薄膜で被覆されていることを特徴とするp)iセンサ を用いることによって解決することができた。
金属酸化物半導体を接合して担持してなるpHセンサに
おいて該金属酸化物半導体の表面がプロトン透過性の有
機薄膜で被覆されていることを特徴とするp)iセンサ を用いることによって解決することができた。
本発明のセンナは電界効果トランジスター(以下FET
と略丁)の本体とそのゲート電極端子に好ましくは導線
を介して電気的に接合される金属酸化物半導体のチップ
によって構成される。第1図にこの概略を示す。図中l
は本発明のpHセンサを示し、コは例えば市販の樹脂シ
ールドされた三端子型FETであり、3と≠はそれぞれ
ソースとドレインの端子、夕はゲートの端子を示し、t
は出力モニターのための外部アンプを示す。7はFET
本体を保護する防水性のボディであり、りは脚部で10
f’J、このボディの末端においてリード@6と接合さ
れた金属酸化物半導体の表面を有する微小なプローグで
あり、金属酸化物半導体の表面はプロトン透過性の有機
薄膜に裏って被覆されている。リード1mzは端子!お
よびグローブ10の金属酸化物半導体と電気的障壁をも
たぬ工うオービック接合をとっている。
と略丁)の本体とそのゲート電極端子に好ましくは導線
を介して電気的に接合される金属酸化物半導体のチップ
によって構成される。第1図にこの概略を示す。図中l
は本発明のpHセンサを示し、コは例えば市販の樹脂シ
ールドされた三端子型FETであり、3と≠はそれぞれ
ソースとドレインの端子、夕はゲートの端子を示し、t
は出力モニターのための外部アンプを示す。7はFET
本体を保護する防水性のボディであり、りは脚部で10
f’J、このボディの末端においてリード@6と接合さ
れた金属酸化物半導体の表面を有する微小なプローグで
あり、金属酸化物半導体の表面はプロトン透過性の有機
薄膜に裏って被覆されている。リード1mzは端子!お
よびグローブ10の金属酸化物半導体と電気的障壁をも
たぬ工うオービック接合をとっている。
第2図はプローグ部分IOの縦断面の拡大図である。プ
ローブは担持材料12にpH感応膜を担持して構成され
る。感応膜は少くともλ層で構成され、下層にある金属
酸化物半導体の11//aY上層のプロトン透過性の有
機薄膜//bが被覆している。図中6はゲート端子から
のリード線、73はIJ−ド線と金属酸化物半導体層/
laの接合用材料である。基板材料/コは物理的に強固
で本発明の金属酸化物の層の被覆、例えば真空蒸着法等
による被覆、にとって有効でありかつ化学的に安定な担
持材料が選はれる。これらμ例えばセラミックス、石英
、ガラス、サファイア、アメシスト、ダイアモンドが用
いられるが、スズや、その他の金属(Au、Wなど)も
使用できる。本発明において担持材料は針先のごとく細
(先鋭に加工されていることが好ましく、これによって
プローブを生体の細胞組織中や血管内に挿入することが
可能となる。
ローブは担持材料12にpH感応膜を担持して構成され
る。感応膜は少くともλ層で構成され、下層にある金属
酸化物半導体の11//aY上層のプロトン透過性の有
機薄膜//bが被覆している。図中6はゲート端子から
のリード線、73はIJ−ド線と金属酸化物半導体層/
laの接合用材料である。基板材料/コは物理的に強固
で本発明の金属酸化物の層の被覆、例えば真空蒸着法等
による被覆、にとって有効でありかつ化学的に安定な担
持材料が選はれる。これらμ例えばセラミックス、石英
、ガラス、サファイア、アメシスト、ダイアモンドが用
いられるが、スズや、その他の金属(Au、Wなど)も
使用できる。本発明において担持材料は針先のごとく細
(先鋭に加工されていることが好ましく、これによって
プローブを生体の細胞組織中や血管内に挿入することが
可能となる。
本発明でプローブ?支持するボデイータの材料としては
、ガラス膜を用いていない利点から、耐酸、耐アルカリ
性の各種の素材、例えばテフロン、シリコン、プラスチ
ック樹脂、セラミック材料などを適用することができる
。
、ガラス膜を用いていない利点から、耐酸、耐アルカリ
性の各種の素材、例えばテフロン、シリコン、プラスチ
ック樹脂、セラミック材料などを適用することができる
。
本発明で部用するFETは市販の三端子付きのFETチ
ップ、例えばMOSFETやI G F E Tを内蔵
したもの、を直接利用することができる。
ップ、例えばMOSFETやI G F E Tを内蔵
したもの、を直接利用することができる。
pH感応性のプローブとして本発明では金属酸化物の半
導体の/[を用いることを特徴とする。
導体の/[を用いることを特徴とする。
これがpH感応膜として優れるのは、半導体酸化物の表
面電位がプロトン濃度に対し鋭敏にかつ可逆的に変化す
ることと、この表面電位の変化が半導体材料もつ伝導度
によって材料のバルクまで伝えられるため電位変化とし
て外部へ信号を取出しや丁いメリットによる。
面電位がプロトン濃度に対し鋭敏にかつ可逆的に変化す
ることと、この表面電位の変化が半導体材料もつ伝導度
によって材料のバルクまで伝えられるため電位変化とし
て外部へ信号を取出しや丁いメリットによる。
本発明ではpH感応膜として金属酸化物半導体が用いら
れており、これらは例えば5n02、In2O3、Ti
O2,PtO2、工「02、RhO2、Ta205,0
s02、Au203、ZnO,Fe2O3、WO3、G
a 203、Th02、Z r 02、PdO,Ag
zO1V205、PbO,CdOなどやこれらの混合物
や混晶が用いられる。これらの中でも酸、アルカリに対
して安定なものは特に有用で、S n 02、In2O
3、PtO2,IrO2,RhO2,Ta205゜05
02が好ましい。また安価で薄膜形成の容易なものとし
ては特にS” 02 s I n 203が好ましい
。以上の酸化物半導体に卯えて絶縁性の高い1203や
導電性の高いRuO2などの金属酸化物も併用すること
ができる。
れており、これらは例えば5n02、In2O3、Ti
O2,PtO2、工「02、RhO2、Ta205,0
s02、Au203、ZnO,Fe2O3、WO3、G
a 203、Th02、Z r 02、PdO,Ag
zO1V205、PbO,CdOなどやこれらの混合物
や混晶が用いられる。これらの中でも酸、アルカリに対
して安定なものは特に有用で、S n 02、In2O
3、PtO2,IrO2,RhO2,Ta205゜05
02が好ましい。また安価で薄膜形成の容易なものとし
ては特にS” 02 s I n 203が好ましい
。以上の酸化物半導体に卯えて絶縁性の高い1203や
導電性の高いRuO2などの金属酸化物も併用すること
ができる。
金属酸化物半導体を含む、皮膜を担持材料上に形成する
手段としては、真空蒸着法、真空スパッタリング法、化
学気相成長法(CVD法]などが用いられる他、担持材
料が金属酸化物を構成する金属である場合は焼結等によ
る表面酸化を利用することもできる。
手段としては、真空蒸着法、真空スパッタリング法、化
学気相成長法(CVD法]などが用いられる他、担持材
料が金属酸化物を構成する金属である場合は焼結等によ
る表面酸化を利用することもできる。
これらの金属酸化物半導体とFETのゲート端子を連結
するリード線には、金属が用いられる。
するリード線には、金属が用いられる。
金属は導電性の高く抵抗の小さいものが好ましく、例え
ば、銅、銀、金、白金、アルミニウムが用いられる。リ
ード線の金属と金属酸化物の層とはオーミック接合をと
ることが好ましい。オーミック接合をとるための接合用
中介金属としてhm化物が5n02などのn型半導体の
場合tlcr、Ag、A l 、 A uなどが一般に
有用である。またリード線は抵抗を小さくする目的で図
に示すようにPETとグミーグ間の長さを小さくするこ
とが望ましく、好ましくはIOCm以内とすることがよ
い。さらにS/N比を上げるためにリード線を静電シー
ルドすることも好ましい。
ば、銅、銀、金、白金、アルミニウムが用いられる。リ
ード線の金属と金属酸化物の層とはオーミック接合をと
ることが好ましい。オーミック接合をとるための接合用
中介金属としてhm化物が5n02などのn型半導体の
場合tlcr、Ag、A l 、 A uなどが一般に
有用である。またリード線は抵抗を小さくする目的で図
に示すようにPETとグミーグ間の長さを小さくするこ
とが望ましく、好ましくはIOCm以内とすることがよ
い。さらにS/N比を上げるためにリード線を静電シー
ルドすることも好ましい。
本発明で金属酸化物半導体の層を被覆するプロトン透過
性の有機薄膜としては水に不溶な高分子化合物が好まし
く用いられ、これらに例えばアナリテイカ・シミ力・ア
クタ(Anal 、Chim。
性の有機薄膜としては水に不溶な高分子化合物が好まし
く用いられ、これらに例えばアナリテイカ・シミ力・ア
クタ(Anal 、Chim。
Acta)、/3/巻、111頁</yrt年)に示さ
れるような適当なプロトンキャリアーを含有するポリ塩
化ビニルの膜、特開昭タフ−111113号、同J−1
−6177タ号に示されるアミノ芳香化合物やヒドロキ
ン化合物等の電解重合膜、特開昭A/−/4Lター/4
Lタされるアミノピレンとピリジンから成る電解重合膜
などが含まれる。
れるような適当なプロトンキャリアーを含有するポリ塩
化ビニルの膜、特開昭タフ−111113号、同J−1
−6177タ号に示されるアミノ芳香化合物やヒドロキ
ン化合物等の電解重合膜、特開昭A/−/4Lター/4
Lタされるアミノピレンとピリジンから成る電解重合膜
などが含まれる。
これらの他、ポリマー化合物中にプロトンキャリアとし
て知られるアミン類(例えば特開昭7/−/j!り弘り
号に示されるもの)や電解質塩、必要に応じ高分子可塑
剤や架橋剤などを添加したものも一般に用いることがで
きる。可塑剤として有用なものに、フタル酸ジアルキル
、リン酸トリアルキル、アジピン酸ジアルキル、セバシ
ン酸ジアルキルなどのエステル化合物が代表的であ1ハ
これらiR、Gachter and H、Mull
er(R。
て知られるアミン類(例えば特開昭7/−/j!り弘り
号に示されるもの)や電解質塩、必要に応じ高分子可塑
剤や架橋剤などを添加したものも一般に用いることがで
きる。可塑剤として有用なものに、フタル酸ジアルキル
、リン酸トリアルキル、アジピン酸ジアルキル、セバシ
ン酸ジアルキルなどのエステル化合物が代表的であ1ハ
これらiR、Gachter and H、Mull
er(R。
ゲヒター、H* i ニラ−)著、PlasticsA
dditives Handbook(プラスティクス
・アディティブズ・ハンドブック)、HanserPu
bl i 5her s 、Mun i(h 、 /り
r!年に具体例が示されている。
dditives Handbook(プラスティクス
・アディティブズ・ハンドブック)、HanserPu
bl i 5her s 、Mun i(h 、 /り
r!年に具体例が示されている。
これらの有機物から取るプロトン透過膜をプロトン感応
膜である金属酸化物半導体と併用することにより、セン
サーの応答感度ならびに水素イオン選択性を一層高める
ことが可能となる。
膜である金属酸化物半導体と併用することにより、セン
サーの応答感度ならびに水素イオン選択性を一層高める
ことが可能となる。
本発明のpHセンサーは適当な参照′電極を用いてその
電位信号をFETの測定回路に入力することにエリ安定
なセンシング応答を得ることができる。この測定回路の
1例を第3図に示す。ここでlに本発明のpHセンサ、
/りは参照゛電極、3はドレインの端子、弘はソースの
端子な示す。/夕は電流計もしくに電流信号を電圧表示
に変換するアンプを示す。参照電極はpHセンサーlの
プローブと共に検液/6中に浸漬されるが、第3図に示
す工うにプローブ本体と別にして用いてもよいしプロー
グの担持材料上に組み込んで一体化して用いてもよい。
電位信号をFETの測定回路に入力することにエリ安定
なセンシング応答を得ることができる。この測定回路の
1例を第3図に示す。ここでlに本発明のpHセンサ、
/りは参照゛電極、3はドレインの端子、弘はソースの
端子な示す。/夕は電流計もしくに電流信号を電圧表示
に変換するアンプを示す。参照電極はpHセンサーlの
プローブと共に検液/6中に浸漬されるが、第3図に示
す工うにプローブ本体と別にして用いてもよいしプロー
グの担持材料上に組み込んで一体化して用いてもよい。
一体化する場合は参照電極が金属酸化物半導体と完全に
電気的に絶縁され、かつ検液と接する位1wに置かれる
ことが必要である。例えば典型的には参照電極は担持材
料上で酸化物半導体の層とは反対側の表面にスペーサー
として適当な絶縁材料乞介して置かれることにエリ一体
化される。
電気的に絶縁され、かつ検液と接する位1wに置かれる
ことが必要である。例えば典型的には参照電極は担持材
料上で酸化物半導体の層とは反対側の表面にスペーサー
として適当な絶縁材料乞介して置かれることにエリ一体
化される。
参照電極としては@/塩化銀電極、飽和カロメル電極な
どが利用できるが小型化のためにに銀/塩化銀電極を微
小電極として用いることが好ましい。あるいはpHに無
感応なFETゲート電極を参照に用いてこの電極に対す
る差電位をpH応答としてモニターする方法も用いるこ
とができる。
どが利用できるが小型化のためにに銀/塩化銀電極を微
小電極として用いることが好ましい。あるいはpHに無
感応なFETゲート電極を参照に用いてこの電極に対す
る差電位をpH応答としてモニターする方法も用いるこ
とができる。
尚、本発明のpH七ンサμ本体のケース内にFET′I
¥:内蔵する形(第1図)が典型的であるがケーシング
の形としてt−XFETのみならず本体中にFETと共
に市販のテップトランジスターをFETとハイグリッド
化して内蔵し、機能をコンノξクト化することもできる
。
¥:内蔵する形(第1図)が典型的であるがケーシング
の形としてt−XFETのみならず本体中にFETと共
に市販のテップトランジスターをFETとハイグリッド
化して内蔵し、機能をコンノξクト化することもできる
。
実施例I
MOS FET (東芝シリコン■製、コSK−コ
弘/)のゲート端子にe線Jcrlをリード線として取
付けた。プローグとしては、5n02をドーパントとし
てフッ素を添刀口し真空蒸着法によって膜厚aoooh
に全面に蒸着した直径/mm長さ約7mmの尖塔状の硬
質ガラスのチップを製作した。5n02膜に比抵抗rx
io ’○’Cmであった。このテップの一方の端に
オーミック接合をとる目的でクロムを約2000Aの厚
みで直空蒸着しこの蒸着面に銀のリード線の末端を銀ペ
ーストで接合させ、クロムと銀に一ストを含む部分をエ
ポキシ樹脂でシールドした。次いでS n 02チツプ
の表面をプロトン透過性有機薄膜で被覆する操作を行っ
た。ポリ塩化ビニル(重合既約2!oo)zooダ、ト
リーロードデシルアミン109、テトラキス−p−クロ
ロフェニルホウ酸カリウム!り、ビスーコーエチルへキ
シルセバシン酸joott4をlCC中に含むT)iF
溶液中に、S n 02チツプを浸漬して引き上げ、空
気中で乾燥させてポリ塩化ビニルをバインダーとするポ
リマー薄膜な5n02表面上に形成した。
弘/)のゲート端子にe線Jcrlをリード線として取
付けた。プローグとしては、5n02をドーパントとし
てフッ素を添刀口し真空蒸着法によって膜厚aoooh
に全面に蒸着した直径/mm長さ約7mmの尖塔状の硬
質ガラスのチップを製作した。5n02膜に比抵抗rx
io ’○’Cmであった。このテップの一方の端に
オーミック接合をとる目的でクロムを約2000Aの厚
みで直空蒸着しこの蒸着面に銀のリード線の末端を銀ペ
ーストで接合させ、クロムと銀に一ストを含む部分をエ
ポキシ樹脂でシールドした。次いでS n 02チツプ
の表面をプロトン透過性有機薄膜で被覆する操作を行っ
た。ポリ塩化ビニル(重合既約2!oo)zooダ、ト
リーロードデシルアミン109、テトラキス−p−クロ
ロフェニルホウ酸カリウム!り、ビスーコーエチルへキ
シルセバシン酸joott4をlCC中に含むT)iF
溶液中に、S n 02チツプを浸漬して引き上げ、空
気中で乾燥させてポリ塩化ビニルをバインダーとするポ
リマー薄膜な5n02表面上に形成した。
このようにして製作したFET/5n02複合電極第1
図のような形状のプラスチック製のボディーの中に固定
し、有機薄膜に担持した5n02の尖塔状の末端のみを
本体の先端からJmmはど露光させてpl−1センサー
を試作した。
図のような形状のプラスチック製のボディーの中に固定
し、有機薄膜に担持した5n02の尖塔状の末端のみを
本体の先端からJmmはど露光させてpl−1センサー
を試作した。
参照電極として銀/塩化銀電極(直径0.5mm、浸漬
部分の有効長1mm)を用い、センサーからのソースと
ドレインの端子および参照電極の端子をアンプに接続し
て測定回路を完成した。
部分の有効長1mm)を用い、センサーからのソースと
ドレインの端子および参照電極の端子をアンプに接続し
て測定回路を完成した。
検液としてはH3po40.07M、)13BO3o、
otM、CH3CO0HO,OIM、KNO3o、iM
2基本組成とするユニバーサル緩衝溶液を用いて、pH
に対する応答をアンプにより5n02上での表面電位の
変化△Eに変換して測定した。第参図にこの結果である
。なお横軸の検液のpH値はガラス電極を用いて測定し
た値である。pH2〜12において良好な直線的応答が
p)1当たりおよそA OmVの勾配をもって得られ、
pHを酸性側からアルカリ側、アルカリ側から酸性側へ
とふった場合も可逆的な応答特性が得られた。
otM、CH3CO0HO,OIM、KNO3o、iM
2基本組成とするユニバーサル緩衝溶液を用いて、pH
に対する応答をアンプにより5n02上での表面電位の
変化△Eに変換して測定した。第参図にこの結果である
。なお横軸の検液のpH値はガラス電極を用いて測定し
た値である。pH2〜12において良好な直線的応答が
p)1当たりおよそA OmVの勾配をもって得られ、
pHを酸性側からアルカリ側、アルカリ側から酸性側へ
とふった場合も可逆的な応答特性が得られた。
また応答時間も3秒以内と良好であった。
比較として有機薄膜を5n02膜上に有しないpHセン
サーを試作し、同様にpH応答を測定した結果乞図中に
破線で示した。この場合は対pH勾配は≠jmV/pH
となり、低い感度となった。
サーを試作し、同様にpH応答を測定した結果乞図中に
破線で示した。この場合は対pH勾配は≠jmV/pH
となり、低い感度となった。
実施例2
実施例1に従ってオーミック接合をとった5n02チツ
プヲ、/−アミノピレンとピリジンを各々0.02M及
び支持塩としてN a(JO4fO,7M含むアセトニ
トリル中に浸し白金を対極として飽和カロメチル電憧に
対して十7.2を印卯して定電位電解を行った。このよ
うにして5n02上にアミノピレンとピリジンから成る
酸化重合膜が形成された。このプロトン透過性の重合膜
で被覆された5n02テツプを実施例と同様にしてセン
サーゲデイに装置しF E T / S n 02複合
電極を製作した。pHに対する応答を調べた結果およそ
A Om V / p Hの良好な勾配で再現性の良い
pH応答が計測された。
プヲ、/−アミノピレンとピリジンを各々0.02M及
び支持塩としてN a(JO4fO,7M含むアセトニ
トリル中に浸し白金を対極として飽和カロメチル電憧に
対して十7.2を印卯して定電位電解を行った。このよ
うにして5n02上にアミノピレンとピリジンから成る
酸化重合膜が形成された。このプロトン透過性の重合膜
で被覆された5n02テツプを実施例と同様にしてセン
サーゲデイに装置しF E T / S n 02複合
電極を製作した。pHに対する応答を調べた結果およそ
A Om V / p Hの良好な勾配で再現性の良い
pH応答が計測された。
(発明の効果)
本発明のセンナに従来のl5FETにみられるような半
導体製造工程を経ることな(市販のFETを用いて容易
にかつ安価に製造することができる。
導体製造工程を経ることな(市販のFETを用いて容易
にかつ安価に製造することができる。
また本発明のセンナは超小型プローグを用いるため微容
量の試料を対象とする測定が可能であり、特に体内のi
l vivo測定を目的とする医用センナとしても有
効に利用できる。またガラス膜電極と異なり強アルカリ
のもとでも長時間の使用に対し優れた耐久性能fa−有
し、再現性よ<pHのモニタリングをすることができる
。
量の試料を対象とする測定が可能であり、特に体内のi
l vivo測定を目的とする医用センナとしても有
効に利用できる。またガラス膜電極と異なり強アルカリ
のもとでも長時間の使用に対し優れた耐久性能fa−有
し、再現性よ<pHのモニタリングをすることができる
。
第1図は本発明のp)lセンサの概略図、第2図は第1
図のプローグ部ioの拡大縦断面図、第3図は本発明の
pHセンサを用いた測定回路図、第弘図は実施例1のp
Hセンサの応答特性を示すグラフであり、実線は本発明
のデータを、破線は比較実験のデータな示す。 第1図 特許出願人 富士写真フィルム株式会社第 図 pH肥否符性 H 1゜ 事件の表示 昭和t3 年特願第22jλxi号 2゜ 発明の名称 pH七/す 3゜ 補正をする者 事件との関係
図のプローグ部ioの拡大縦断面図、第3図は本発明の
pHセンサを用いた測定回路図、第弘図は実施例1のp
Hセンサの応答特性を示すグラフであり、実線は本発明
のデータを、破線は比較実験のデータな示す。 第1図 特許出願人 富士写真フィルム株式会社第 図 pH肥否符性 H 1゜ 事件の表示 昭和t3 年特願第22jλxi号 2゜ 発明の名称 pH七/す 3゜ 補正をする者 事件との関係
Claims (2)
- (1)電界効果トランジスタ(FET)のゲートリード
端子に金属酸化物半導体を接合して担持してなるpHセ
ンサにおいて該金属酸化物半導体の表面がプロトン透過
性の有機薄膜で被覆されていることを特徴とするpHセ
ンサ - (2)金属酸化物がSn、In、Pt、Ir、Rh、T
a、Osから選ばれる金属の酸化物から成ることを特徴
とする特許請求の範囲(1)に記載されるpHセンサ
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63225281A JPH0273149A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | pHセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63225281A JPH0273149A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | pHセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0273149A true JPH0273149A (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=16826877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63225281A Pending JPH0273149A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | pHセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0273149A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007078373A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ISFETからなるpHセンサー及びその製造方法 |
JP2011043420A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Ricoh Co Ltd | 電気化学センサ素子 |
-
1988
- 1988-09-08 JP JP63225281A patent/JPH0273149A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007078373A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ISFETからなるpHセンサー及びその製造方法 |
JP2011043420A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Ricoh Co Ltd | 電気化学センサ素子 |
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