JPH027251B2 - - Google Patents
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- JPH027251B2 JPH027251B2 JP55021201A JP2120180A JPH027251B2 JP H027251 B2 JPH027251 B2 JP H027251B2 JP 55021201 A JP55021201 A JP 55021201A JP 2120180 A JP2120180 A JP 2120180A JP H027251 B2 JPH027251 B2 JP H027251B2
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- Japan
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- gap
- voltage
- tnr
- lightning arrester
- circuit
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は直流送電機器を異常電圧から保護する
避雷器に係り、特に放電電圧特性を安定にかつＶ
−ｔ特性（Ｖ−ｔ曲線）をフラツトする避雷器に
関する。
避雷器に係り、特に放電電圧特性を安定にかつＶ
−ｔ特性（Ｖ−ｔ曲線）をフラツトする避雷器に
関する。
直流送電用サイリスタバルブは、周知のように
過電圧サージに弱いサイリスタを所定の個数直列
に接続して構成されている。このサイリスタと並
列に保護回路、サイリスタ点弧回路等が付属され
ている。このようなことから、サイリスタバルブ
の価格はサイリスタの直列個数にほぼ比例して決
まる。従つて、サイリスタバルブのサージレベル
をいかに低く抑えるかは実用上極めて重要であ
る。この目的の為に、通常避雷器が用いられる。
過電圧サージに弱いサイリスタを所定の個数直列
に接続して構成されている。このサイリスタと並
列に保護回路、サイリスタ点弧回路等が付属され
ている。このようなことから、サイリスタバルブ
の価格はサイリスタの直列個数にほぼ比例して決
まる。従つて、サイリスタバルブのサージレベル
をいかに低く抑えるかは実用上極めて重要であ
る。この目的の為に、通常避雷器が用いられる。
ところで、従来形の交流避雷器もサイリスタバ
ルブ用避雷器と同様に保護レベルの低いものが要
求されるわけであるが、サイリスタバルブ用にお
いてはとりわけ、その要求が前記の理由から強い
のが実状である。一方、最近非直線性の優れた酸
化亜鉛避雷器の出現によつて、避雷器の性能が大
きく変わりつつある。常規運転電圧においても、
酸化亜鉛避雷器のもれ電流はわずかであるため、
直列ギヤツプのない避雷器、いわゆるギヤツプレ
ス避雷器が可能であり、交流形としてすでに実用
に供されている。
ルブ用避雷器と同様に保護レベルの低いものが要
求されるわけであるが、サイリスタバルブ用にお
いてはとりわけ、その要求が前記の理由から強い
のが実状である。一方、最近非直線性の優れた酸
化亜鉛避雷器の出現によつて、避雷器の性能が大
きく変わりつつある。常規運転電圧においても、
酸化亜鉛避雷器のもれ電流はわずかであるため、
直列ギヤツプのない避雷器、いわゆるギヤツプレ
ス避雷器が可能であり、交流形としてすでに実用
に供されている。
サイリスタバルブ用としてはこの性能以上のも
のが要求され、保護レベルを下げるために常規運
転時のストレスを上げることが対策として考えら
れるが、避雷器の寿命の点から限度があり要求に
応じられないのが現状である。
のが要求され、保護レベルを下げるために常規運
転時のストレスを上げることが対策として考えら
れるが、避雷器の寿命の点から限度があり要求に
応じられないのが現状である。
この目的の為に、非直線性の優れた酸化亜鉛を
主体とした非直線抵抗体（以下登録商標：TNR
と称す）とギヤツプを組み合わせるギヤツプ付避
雷器が考えられる。しかしながらギヤツプを用い
る場合、従来からこの種避雷器のいくつかの欠点
のうち、とりわけギヤツプの放電電圧の変動、Ｖ
−ｔ特性の変動等の解決しなければならない問題
が多い。
主体とした非直線抵抗体（以下登録商標：TNR
と称す）とギヤツプを組み合わせるギヤツプ付避
雷器が考えられる。しかしながらギヤツプを用い
る場合、従来からこの種避雷器のいくつかの欠点
のうち、とりわけギヤツプの放電電圧の変動、Ｖ
−ｔ特性の変動等の解決しなければならない問題
が多い。
ここで、Ｖ−ｔ特性は、避雷器に標準波形
（JECに定められている）の衝撃電圧を印加し、
その波頭峻度を変化して放電破壊するまでの時間
（周波数）を横軸にとり、それまでの印加電圧大
値を縦軸にとつて作つた曲線のことである。一般
に破頭電圧上昇率が急なほど破壊電圧は高くな
り、破頭が緩やかであれば、比較的低い電圧で放
電あるいは絶縁が破壊する。この現象のために、
避雷器の放電ならびに被保護機器の絶縁強度に関
しては、発電所へ襲来する雷電圧の波形が問題と
なる。このため、避雷器のＶ−ｔ特性は、できる
だけフラツト（水平）に近いことが望ましい。
（JECに定められている）の衝撃電圧を印加し、
その波頭峻度を変化して放電破壊するまでの時間
（周波数）を横軸にとり、それまでの印加電圧大
値を縦軸にとつて作つた曲線のことである。一般
に破頭電圧上昇率が急なほど破壊電圧は高くな
り、破頭が緩やかであれば、比較的低い電圧で放
電あるいは絶縁が破壊する。この現象のために、
避雷器の放電ならびに被保護機器の絶縁強度に関
しては、発電所へ襲来する雷電圧の波形が問題と
なる。このため、避雷器のＶ−ｔ特性は、できる
だけフラツト（水平）に近いことが望ましい。
本発明の目的は、抵抗およびコンデンサからな
る分圧回路で、ギヤツプに加わる電圧に周波数特
性を持たせることにより、Ｖ−ｔ特性をフラツト
にでき、保護レベルの低い避雷器を提供するもの
である。
る分圧回路で、ギヤツプに加わる電圧に周波数特
性を持たせることにより、Ｖ−ｔ特性をフラツト
にでき、保護レベルの低い避雷器を提供するもの
である。
以下、本発明について図面を参照して説明す
る。第１図は本発明による避雷器の等価回路を示
すもので、ギヤツプＧと非直線抵抗体TNRとを
直列に配置したギヤツプ付避雷器に、抵抗Ro，
RdおよびコンデンサCo，Cdからなり、これらの
回路定数を開閉インパルス領域によりインパルス
領域が高い放電電圧となるように選定した分圧回
路すなわち、周波数特性を有する分圧回路を付加
したものである。すなわち、該分圧回路は、ギヤ
ツプＧと並列に抵抗RoとコンデンサCoの直列回
路を接続され、またTNRに、抵抗Rd、コンデン
サCdがそれぞれ並列に接続されている。
る。第１図は本発明による避雷器の等価回路を示
すもので、ギヤツプＧと非直線抵抗体TNRとを
直列に配置したギヤツプ付避雷器に、抵抗Ro，
RdおよびコンデンサCo，Cdからなり、これらの
回路定数を開閉インパルス領域によりインパルス
領域が高い放電電圧となるように選定した分圧回
路すなわち、周波数特性を有する分圧回路を付加
したものである。すなわち、該分圧回路は、ギヤ
ツプＧと並列に抵抗RoとコンデンサCoの直列回
路を接続され、またTNRに、抵抗Rd、コンデン
サCdがそれぞれ並列に接続されている。
このように構成された避雷器において、サージ
が印加された場合につきまず説明する。第１図の
回路において、Cdの静電容量値≫TNRの静電容
量値CTNR、Rdの抵抗値≪TNRの抵抗値RTNR（常
規運転電圧）に選ばれる。またギヤツプＧのキヤ
パシタンスは通常小さいので、抵抗Ro、コンデ
ンサCoに対して無視出来る。
が印加された場合につきまず説明する。第１図の
回路において、Cdの静電容量値≫TNRの静電容
量値CTNR、Rdの抵抗値≪TNRの抵抗値RTNR（常
規運転電圧）に選ばれる。またギヤツプＧのキヤ
パシタンスは通常小さいので、抵抗Ro、コンデ
ンサCoに対して無視出来る。
以上のことから、第１図の等価回路は第２図の
ように簡略化して考えることが出来る。第１図あ
るいは第２図の回路において、前記の条件を満足
するためにはRoとRdの抵抗値は小さい方が、Co
とCdの静電容量値は大きい方が前記条件を満足
する上では有利であるが、実用上は逆の方が良
い。すなわち、RoとRdの抵抗値はなるべく大き
く、CoとCdの静電容量値はなるべく小さい方が
良い。何故ならRo，Rd抵抗値が小さく、Co，
Cdの静電容量値が大きいと常規運転電圧で各素
子に流れる電流が大きくなり、装置は全体が大き
くなり、特に抵抗Rdは実現不可能となる。
ように簡略化して考えることが出来る。第１図あ
るいは第２図の回路において、前記の条件を満足
するためにはRoとRdの抵抗値は小さい方が、Co
とCdの静電容量値は大きい方が前記条件を満足
する上では有利であるが、実用上は逆の方が良
い。すなわち、RoとRdの抵抗値はなるべく大き
く、CoとCdの静電容量値はなるべく小さい方が
良い。何故ならRo，Rd抵抗値が小さく、Co，
Cdの静電容量値が大きいと常規運転電圧で各素
子に流れる電流が大きくなり、装置は全体が大き
くなり、特に抵抗Rdは実現不可能となる。
更にギヤツプＧが放電した後、サージ電圧が無
くなつた後、続流電流をしや断しなければならな
いが、この続流電流値はRdとCdの並列インピー
ダンスの値できまり、この値が大きい程連続流し
や断が困難となる。
くなつた後、続流電流をしや断しなければならな
いが、この続流電流値はRdとCdの並列インピー
ダンスの値できまり、この値が大きい程連続流し
や断が困難となる。
第３図はこのようなことから実用性を考えて
Rd＝10MΩ、Cd＝200pF、Co＝50pFで、Ro＝
10kΩと300kΩとした場合であつて、縦軸に全体
に加わる電圧を100％とした場合のギヤツプＧに
加わる電圧と横軸に時間（周波数）の関係を求め
たものである。図に見られるように、Roをそれ
ぞれ10kΩと300kΩとしたときの周波数を変化さ
せることにより、ギヤツプＧに加わる電圧は周波
数特性を有し、周波数が高くなるとギヤツプＧに
加わる電圧が高くなる。
Rd＝10MΩ、Cd＝200pF、Co＝50pFで、Ro＝
10kΩと300kΩとした場合であつて、縦軸に全体
に加わる電圧を100％とした場合のギヤツプＧに
加わる電圧と横軸に時間（周波数）の関係を求め
たものである。図に見られるように、Roをそれ
ぞれ10kΩと300kΩとしたときの周波数を変化さ
せることにより、ギヤツプＧに加わる電圧は周波
数特性を有し、周波数が高くなるとギヤツプＧに
加わる電圧が高くなる。
ところで、一般にギヤツプＧのＶ−ｔ特性は周
波数が高くなる程放電電圧が高くなる。この為、
特に急しゆんなインパルス電圧に対して放電電圧
が高くなつてしまい、避雷器保護性能上大きな欠
点となるが、前述したように本実施例では抵抗
Ro，Rd、コンデンサCo，Cdからなる周波数特
性を有する分圧回路をギヤツプＧとTNRに付加
することによりＶ−ｔ特性を見かけ上フラツトに
することができる。
波数が高くなる程放電電圧が高くなる。この為、
特に急しゆんなインパルス電圧に対して放電電圧
が高くなつてしまい、避雷器保護性能上大きな欠
点となるが、前述したように本実施例では抵抗
Ro，Rd、コンデンサCo，Cdからなる周波数特
性を有する分圧回路をギヤツプＧとTNRに付加
することによりＶ−ｔ特性を見かけ上フラツトに
することができる。
第４図ａ，ｂはいずれも縦軸はギヤツプＧにお
ける放電電圧Ｖ（kV）を示し、横軸は時間（周波
数）ｔ（μs）を示すものである。第４図ａでは高
周波領域（1μs）付近ではＶ−ｔ特性が非常に高
くなつている。つまり、インパルス領域（高周波
領域）の放電電圧は、開閉インパルス（100μs付
近）領域や商用周波数（AC）領域の放電電圧よ
りも高くなつている。
ける放電電圧Ｖ（kV）を示し、横軸は時間（周波
数）ｔ（μs）を示すものである。第４図ａでは高
周波領域（1μs）付近ではＶ−ｔ特性が非常に高
くなつている。つまり、インパルス領域（高周波
領域）の放電電圧は、開閉インパルス（100μs付
近）領域や商用周波数（AC）領域の放電電圧よ
りも高くなつている。
これに対して第４図ｂは、分圧回路によりギヤ
ツプＧに加わる電圧に所望の周波数特性が与えら
れるので、Ｖ−ｔ特性はほぼフラツトとなつてい
る。つまり、分圧回路によりギヤツプＧに加わる
電圧が高周波領域において高電圧が加わるので、
見かけ上Ｖ−ｔ特性はほぼフラツトとなつてい
る。
ツプＧに加わる電圧に所望の周波数特性が与えら
れるので、Ｖ−ｔ特性はほぼフラツトとなつてい
る。つまり、分圧回路によりギヤツプＧに加わる
電圧が高周波領域において高電圧が加わるので、
見かけ上Ｖ−ｔ特性はほぼフラツトとなつてい
る。
ここで、分圧回路により所望の周波数特性を与
えるには、例えば前述したように分圧回路を構成
しているRd＝10MΩ、Cd＝200pF、Co＝50pFと
し、Roを10kΩ〜300kΩとすればよい。
えるには、例えば前述したように分圧回路を構成
しているRd＝10MΩ、Cd＝200pF、Co＝50pFと
し、Roを10kΩ〜300kΩとすればよい。
以上の説明は、碍子形の避雷器を前提に分圧素
子の特性について述べたが、タンク形（金属容器
内に封入する避雷器）の場合は前記分圧素子のイ
ンピーダンスは若干小さめにする必要がある。ま
た、ここに示したギヤツプＧは放電電圧が60〜
70kVと比較的抵いものについて示したが、更に
高い放電電圧に対する避雷器の場合はギヤツプＧ
の大きさを太くし素子の直列板数を多くして所定
の性能に合わせることが可能であるし、ユニツト
構成、すなわち120〜140kV程度の放電電圧を必
要とする避雷器の場合は前記の避雷器を２段積に
して所定の避雷器を得ることができる。
子の特性について述べたが、タンク形（金属容器
内に封入する避雷器）の場合は前記分圧素子のイ
ンピーダンスは若干小さめにする必要がある。ま
た、ここに示したギヤツプＧは放電電圧が60〜
70kVと比較的抵いものについて示したが、更に
高い放電電圧に対する避雷器の場合はギヤツプＧ
の大きさを太くし素子の直列板数を多くして所定
の性能に合わせることが可能であるし、ユニツト
構成、すなわち120〜140kV程度の放電電圧を必
要とする避雷器の場合は前記の避雷器を２段積に
して所定の避雷器を得ることができる。
以上説明したように、本発明の実施例によれば
非直線抵抗体とこれにギヤツプを直列に接続して
なる直列ギヤツプ付避雷器において、前記ギヤツ
プＧおよび非直線抵抗体TNRにそれぞれ並列に
周波数特性を有するようにRo，Co，Rd，Cdか
らなる分圧回路を設けたことにより、インパルス
領域（高周波領域）、開閉インパルス領域、商用
周波数領域に関係なくＶ−ｔ特性がほぼフラツト
な避雷器を提供することが出来る。また前記分圧
回路を設けたことにより、非直線抵抗体TNRに
常時加わる電圧が全体の20％前後以下とすること
が出来、寿命上の欠点をなくし保護レベルの低い
避雷器とすることが出来る。
非直線抵抗体とこれにギヤツプを直列に接続して
なる直列ギヤツプ付避雷器において、前記ギヤツ
プＧおよび非直線抵抗体TNRにそれぞれ並列に
周波数特性を有するようにRo，Co，Rd，Cdか
らなる分圧回路を設けたことにより、インパルス
領域（高周波領域）、開閉インパルス領域、商用
周波数領域に関係なくＶ−ｔ特性がほぼフラツト
な避雷器を提供することが出来る。また前記分圧
回路を設けたことにより、非直線抵抗体TNRに
常時加わる電圧が全体の20％前後以下とすること
が出来、寿命上の欠点をなくし保護レベルの低い
避雷器とすることが出来る。
以上述べた本発明によれば、ギヤツプに加わる
電圧に周波数特性を持たせることにより、Ｖ−ｔ
特性をフラツトにできる避雷器を提供できる。
電圧に周波数特性を持たせることにより、Ｖ−ｔ
特性をフラツトにできる避雷器を提供できる。
第１図は本発明の避雷器の等価回路を示す回路
図、第２図は第１図の簡易等価回路図、第３図は
本発明の避雷器の周波数特性図、第４図は本発明
の避雷器の放電特性図である。 Ｇ……ギヤツプ、Ro，Rd……抵抗、Co，Cd
……コンデンサ、RTNR……非直線抵抗体、CTNR…
…非直線抵抗体のキヤパシタンス。
図、第２図は第１図の簡易等価回路図、第３図は
本発明の避雷器の周波数特性図、第４図は本発明
の避雷器の放電特性図である。 Ｇ……ギヤツプ、Ro，Rd……抵抗、Co，Cd
……コンデンサ、RTNR……非直線抵抗体、CTNR…
…非直線抵抗体のキヤパシタンス。
Claims (1)
- １ ZnOを主成分とした非直線抵抗体TNRとギ
ヤツプＧとを直列に接続してなる避雷器におい
て、前記ギヤツプＧと並列に抵抗Roとコンデン
サCoの直列回路を接続し、さらに前記非直線抵
抗体TNRとそれぞれ並列に抵抗Rdおよびコンデ
ンサCdを接続し、前記抵抗Ro，Rdおよびコンデ
ンサCo，Cdの回路定数として開閉インパルス領
域よりインパルス領域が高い放電電圧となるよう
に選定してなる避雷器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2120180A JPS56117537A (en) | 1980-02-22 | 1980-02-22 | Arrester |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2120180A JPS56117537A (en) | 1980-02-22 | 1980-02-22 | Arrester |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56117537A JPS56117537A (en) | 1981-09-16 |
| JPH027251B2 true JPH027251B2 (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=12048356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2120180A Granted JPS56117537A (en) | 1980-02-22 | 1980-02-22 | Arrester |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56117537A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0186436U (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-08 | ||
| JP5171858B2 (ja) * | 2010-02-17 | 2013-03-27 | 中国電力株式会社 | 電圧監視装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5261750A (en) * | 1975-11-18 | 1977-05-21 | Fuji Electric Co Ltd | Surge absorber |
-
1980
- 1980-02-22 JP JP2120180A patent/JPS56117537A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5261750A (en) * | 1975-11-18 | 1977-05-21 | Fuji Electric Co Ltd | Surge absorber |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56117537A (en) | 1981-09-16 |
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