JPH0267938A - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサInfo
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- JPH0267938A JPH0267938A JP21927088A JP21927088A JPH0267938A JP H0267938 A JPH0267938 A JP H0267938A JP 21927088 A JP21927088 A JP 21927088A JP 21927088 A JP21927088 A JP 21927088A JP H0267938 A JPH0267938 A JP H0267938A
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- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 24
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 33
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 23
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 10
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 8
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 2
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 7
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
この発明は、圧力センサに関するものである。
[従来技術及び課題]
従来、圧力センサにおいては、ハウジング部材にダイヤ
フラムが支持されるとともにそのダイヤフラムに感圧素
子が配設され、ハウジング部材にガラス封着したリード
ピンを介して感圧素子と電気接続するようにしている。
フラムが支持されるとともにそのダイヤフラムに感圧素
子が配設され、ハウジング部材にガラス封着したリード
ピンを介して感圧素子と電気接続するようにしている。
このとき、ハウジング部材に形成されリードピンを挿入
するピン挿入孔の長さ(封着バス)は2〜5mm程度で
あった。
するピン挿入孔の長さ(封着バス)は2〜5mm程度で
あった。
しかし、近年、圧力センサの用途において、八−メチツ
クシール(ガラス封着)の高耐圧化のニーズが強まって
きており、そのために封着バスを長く、ピン挿入孔の穴
径を小さくする必要がある。
クシール(ガラス封着)の高耐圧化のニーズが強まって
きており、そのために封着バスを長く、ピン挿入孔の穴
径を小さくする必要がある。
しかし、封着バスを長くしピン挿入孔の穴径を小さくす
ることにより、ピン挿入孔内でリードピンの曲りやずれ
により絶縁不良が発生する虞があった。
ることにより、ピン挿入孔内でリードピンの曲りやずれ
により絶縁不良が発生する虞があった。
この発明の目的は、絶縁不良を確実に防止することがで
きる圧力センサを提供することにある。
きる圧力センサを提供することにある。
[課題を解決するための手段]
この発明は、ハウジング部材に支持されたダイヤフラム
と、前記ダイヤフラムに配置された感圧素子と、前記ハ
ウジング部材に形成されたピン挿入孔と、前記ピン挿入
孔内に配置された絶縁材料よりなるスペーサと、前記ピ
ン挿入孔内で前記スペーサによりハウジング部材との接
触が防止された状態でガラス封着され、前記感圧素子と
電気接続されるリードピンとを備えた圧力センサをその
要旨とする。
と、前記ダイヤフラムに配置された感圧素子と、前記ハ
ウジング部材に形成されたピン挿入孔と、前記ピン挿入
孔内に配置された絶縁材料よりなるスペーサと、前記ピ
ン挿入孔内で前記スペーサによりハウジング部材との接
触が防止された状態でガラス封着され、前記感圧素子と
電気接続されるリードピンとを備えた圧力センサをその
要旨とする。
[作用]
スペーサによりピン挿入孔内でハウジング部材との接触
が防止されたリードピンがガラス封着される。
が防止されたリードピンがガラス封着される。
[実施例]
以下、この発明をシールダイヤフラムを用いた圧力セン
サに具体化した一実施例を図面に従って説明する。
サに具体化した一実施例を図面に従って説明する。
第1図に示すように、ハウジング部材としてのセンサハ
ウジング11にはその上面に凹部12が形成されるとと
もに、下面には凹部13が形成されている。両凹部12
.13との間には、オイル挿入孔14及びピン挿入孔1
5が貫通されている。
ウジング11にはその上面に凹部12が形成されるとと
もに、下面には凹部13が形成されている。両凹部12
.13との間には、オイル挿入孔14及びピン挿入孔1
5が貫通されている。
前記凹部13の底面部には凹部16が形成され、当該凹
部16には台座17が接着材18にて接着されている。
部16には台座17が接着材18にて接着されている。
この台座17にはシリコン半導体よりなるダイヤフラム
19が配設支持され、そのダイヤフラム19には4つの
図示しない感圧素子(ピエゾ抵抗素子)が配置されてい
る。この4つの感圧素子にてブリッジ回路が形成されて
いる。
19が配設支持され、そのダイヤフラム19には4つの
図示しない感圧素子(ピエゾ抵抗素子)が配置されてい
る。この4つの感圧素子にてブリッジ回路が形成されて
いる。
又、前記ピン挿入孔15にはその中央部よりやや下側に
円筒形のスペーサ20が配置され、同スペーサ20はセ
ラミック材料よりなり絶縁性を有している。その円筒形
のスペーサ20の内側にはリードピン21がピン挿入孔
15の中心部に挿入配置されている。このリードピン2
1はその一端(下端)が凹部13の底面と面一となると
ともに、その他端(上端)が凹部12内に突出している
。
円筒形のスペーサ20が配置され、同スペーサ20はセ
ラミック材料よりなり絶縁性を有している。その円筒形
のスペーサ20の内側にはリードピン21がピン挿入孔
15の中心部に挿入配置されている。このリードピン2
1はその一端(下端)が凹部13の底面と面一となると
ともに、その他端(上端)が凹部12内に突出している
。
そして、リードピン21の固定は、第2図に示すように
、まずピン挿入孔15内に高さ日で円筒状に成形された
ガラスペレット22aを入れ、その後、スペーサ20を
挿入し、さらに、スペーサ20の上方におけるピン挿入
孔15内に円筒状に成形されたガラスペレット22bを
入れる。その後、リードピン21を挿入し、リードピン
21上端部を治具23で固定する。そして、この状態で
900〜1100℃に加熱してガラスペレット22a、
22bを溶融することにより第1図に示すようにリード
ピン21のガラス24によるガラス封着は完了する。
、まずピン挿入孔15内に高さ日で円筒状に成形された
ガラスペレット22aを入れ、その後、スペーサ20を
挿入し、さらに、スペーサ20の上方におけるピン挿入
孔15内に円筒状に成形されたガラスペレット22bを
入れる。その後、リードピン21を挿入し、リードピン
21上端部を治具23で固定する。そして、この状態で
900〜1100℃に加熱してガラスペレット22a、
22bを溶融することにより第1図に示すようにリード
ピン21のガラス24によるガラス封着は完了する。
このようにガラス封着されたリードピン21は前記感圧
素子とリードl1125により電気的に接続されている
。
素子とリードl1125により電気的に接続されている
。
尚、第1図においてはピン挿入孔15.リードピン21
は1つのみ示したが、他にも同様の構成をなすピン挿入
孔15.リードピン21が3本あり、それについての図
示は省略した。
は1つのみ示したが、他にも同様の構成をなすピン挿入
孔15.リードピン21が3本あり、それについての図
示は省略した。
又、センサハウジング11の凹部13の開口部にはシー
ルダイヤフラム26が全周気密溶接され、この四部13
とシールダイヤフラム26とにより測定室27が形成さ
れている。そして、前記ハーメチックによりピン挿入孔
15が密閉された状態でオイル挿入孔14を介して前記
凹部12側からシリコンオイル28が圧入され、オイル
挿入孔14の段差部14aにボール29を挿入し、ネジ
40でボール29を押付けることによりシリコンオイル
28が封止されている。このシリコンオイル28により
シールダイヤフラム26に印加される圧力が感圧素子に
伝達されるとともに、同オイル28にて感圧素子が保護
される。
ルダイヤフラム26が全周気密溶接され、この四部13
とシールダイヤフラム26とにより測定室27が形成さ
れている。そして、前記ハーメチックによりピン挿入孔
15が密閉された状態でオイル挿入孔14を介して前記
凹部12側からシリコンオイル28が圧入され、オイル
挿入孔14の段差部14aにボール29を挿入し、ネジ
40でボール29を押付けることによりシリコンオイル
28が封止されている。このシリコンオイル28により
シールダイヤフラム26に印加される圧力が感圧素子に
伝達されるとともに、同オイル28にて感圧素子が保護
される。
尚、測定室27内に封入する液体は、シリコンオイルの
他にも、他の絶縁油を使用してもよい。
他にも、他の絶縁油を使用してもよい。
前記凹部12の底面には接着材30にてハイブリッドI
C基板31が接着されている。この基板31は前記オイ
ル挿入孔14を塞ぐとともに、ピン挿入孔15を開口部
32にて開口させている。
C基板31が接着されている。この基板31は前記オイ
ル挿入孔14を塞ぐとともに、ピン挿入孔15を開口部
32にて開口させている。
又、このハイブリッドIC基板31には前記感圧素子の
検出信号を増幅及び温度補償するための素子が配置され
、その素子と前記リードピン21とがリード線33にて
電気的に接続されている。
検出信号を増幅及び温度補償するための素子が配置され
、その素子と前記リードピン21とがリード線33にて
電気的に接続されている。
又、凹部12の側面部に形成された配線取出孔34には
シール部材35を介して配線材料36が支持され、その
配線材料36と前記ハイブリッドIC基板31の素子と
がリード線37にて電気的に接続されている。凹部12
内にはシリコンゲル38が充填され同ゲル38にて前記
ハイブリッドIC基板31が保護されている。又、当該
凹部12は蓋39にてその開口部が封鎖されている。
シール部材35を介して配線材料36が支持され、その
配線材料36と前記ハイブリッドIC基板31の素子と
がリード線37にて電気的に接続されている。凹部12
内にはシリコンゲル38が充填され同ゲル38にて前記
ハイブリッドIC基板31が保護されている。又、当該
凹部12は蓋39にてその開口部が封鎖されている。
次に、この圧力センサの製造工程を説明する。
センサハウジング11の凹部16に台座17゜ダイヤフ
ラム19.感圧素子を配置する゛。又、前述したように
、ピン挿入孔15内にスペーサ20を配置し、そのスペ
ーサ20によりピン挿入孔15内でセンサハウジング1
1との接触が防止されたリードピン21の下端部が凹部
13の底面と面一の状態で該リードピン21をガラス封
着する。
ラム19.感圧素子を配置する゛。又、前述したように
、ピン挿入孔15内にスペーサ20を配置し、そのスペ
ーサ20によりピン挿入孔15内でセンサハウジング1
1との接触が防止されたリードピン21の下端部が凹部
13の底面と面一の状態で該リードピン21をガラス封
着する。
そして、リードピン21とダイヤフラム19上の感圧素
子とをリードIi!25により接続した後、シールダイ
ヤフラム26を配設し、オイル挿入孔14を介して測定
室27にシリコンオイル28を圧入し、ボール29にて
封止する。
子とをリードIi!25により接続した後、シールダイ
ヤフラム26を配設し、オイル挿入孔14を介して測定
室27にシリコンオイル28を圧入し、ボール29にて
封止する。
引続き、ハイブリッドIC基板31を配置し、リード線
33にてその素子とり−ドピン21とを接続するととも
に、リード線37にて配線材料36と前記ハイブリッド
IC基板31の素子とを接続し、シリコンゲル38を充
填したのち139を配置する。
33にてその素子とり−ドピン21とを接続するととも
に、リード線37にて配線材料36と前記ハイブリッド
IC基板31の素子とを接続し、シリコンゲル38を充
填したのち139を配置する。
このように本実施例においては、ピン挿入孔15内にス
ペーサ20を配置し、そのスペーサ20によりピン挿入
孔15内でセンサハウジング11との接触が防止される
ので絶縁不良を確実に防止することができる。さらに、
そのリードピン21の一端部を測定室27内に突出させ
ない状態で当該リードピン21をガラス封着するように
したので、測定室27側のリードピン21の端部を治具
により支持することなくスペーサ20により絶縁不良を
防止すべく確実に支持することができる。
ペーサ20を配置し、そのスペーサ20によりピン挿入
孔15内でセンサハウジング11との接触が防止される
ので絶縁不良を確実に防止することができる。さらに、
そのリードピン21の一端部を測定室27内に突出させ
ない状態で当該リードピン21をガラス封着するように
したので、測定室27側のリードピン21の端部を治具
により支持することなくスペーサ20により絶縁不良を
防止すべく確実に支持することができる。
即ち、従来のシールダイヤフラムを用いた圧力センサ(
例えば、特開昭61−175537号公報)においては
、そのハーメチックシール(ガラス封着端子)構造は、
第3図に示すように、高耐圧とするために測定室を形成
するハウジング部材41の厚みが20mm程度必要であ
り、そのハウジング部材41に形成されリードピン42
を挿入するピン挿入孔43の長さ(封着バス)も長くな
り、ガラスベレット44を溶融させる際にリードピン4
2がピン挿入孔43内でハウジング部材41に接触する
可能性が大きい。そこで、実際の製造工程ではハウジン
グ部材41からのリードピン42の両突出部を治具45
により固定し当該ピン42の位置出しく位置決め)を行
い、この状態でガラスベレット44を溶融している。
例えば、特開昭61−175537号公報)においては
、そのハーメチックシール(ガラス封着端子)構造は、
第3図に示すように、高耐圧とするために測定室を形成
するハウジング部材41の厚みが20mm程度必要であ
り、そのハウジング部材41に形成されリードピン42
を挿入するピン挿入孔43の長さ(封着バス)も長くな
り、ガラスベレット44を溶融させる際にリードピン4
2がピン挿入孔43内でハウジング部材41に接触する
可能性が大きい。そこで、実際の製造工程ではハウジン
グ部材41からのリードピン42の両突出部を治具45
により固定し当該ピン42の位置出しく位置決め)を行
い、この状態でガラスベレット44を溶融している。
一方、シールダイヤフラムを用いた圧力センサにおいて
、シリコンオイルの封入量を減らずことにより温度特性
の向上とシールダイヤフラムの疲労限界の向上を図りた
いという要請がある。即ち、シリコンオイルも所定の膨
張係数を有しており、温度変化により膨張・収縮を繰返
すために、シリコンオイルの封入量が多いほど感圧素子
はその影響を受けてしまい温度特性に悪影響を及ぼす。
、シリコンオイルの封入量を減らずことにより温度特性
の向上とシールダイヤフラムの疲労限界の向上を図りた
いという要請がある。即ち、シリコンオイルも所定の膨
張係数を有しており、温度変化により膨張・収縮を繰返
すために、シリコンオイルの封入量が多いほど感圧素子
はその影響を受けてしまい温度特性に悪影響を及ぼす。
又、シリコンオイルも印加圧力の変化により膨張・収縮
を繰返すために、シリコンオイルの封入量が多いほど印
加圧力の変化に伴うシールダイヤフラムの変形惜も多く
なりシールダイヤフラムの疲労限界に早期に達してしま
う。
を繰返すために、シリコンオイルの封入量が多いほど印
加圧力の変化に伴うシールダイヤフラムの変形惜も多く
なりシールダイヤフラムの疲労限界に早期に達してしま
う。
そして、リードピンをシリコンオイル封入部(811定
室)へ突出させないことによりシールダイヤフラムとリ
ードピンとの離間距離を一定以上としてシリコンオイル
の封入量を減らそうとすると、第4図に示すように、リ
ードピン42の一端しか治具45にて固定することがで
きないために治具45がない側(第4図の下側)のリー
ドピン42がハウジング部材41に接触してしまう。そ
の結果、絶縁不良が発生して、!1産性、品質安定性に
欠けるものとなってしまう。
室)へ突出させないことによりシールダイヤフラムとリ
ードピンとの離間距離を一定以上としてシリコンオイル
の封入量を減らそうとすると、第4図に示すように、リ
ードピン42の一端しか治具45にて固定することがで
きないために治具45がない側(第4図の下側)のリー
ドピン42がハウジング部材41に接触してしまう。そ
の結果、絶縁不良が発生して、!1産性、品質安定性に
欠けるものとなってしまう。
本実施例では、スペーサ20を使用することによりリー
ドピン21の一端部を凹部13内に突出させない構造と
することができるので、リードピン21とシールダイヤ
フラム26とを所定間隔以上離間でき、凹部13の深さ
を浅くできる。従って、シリコンオイル28の封入量を
減らすことができ温度時、性の向上とシールダイヤフラ
ム26の疲労限界の向上を図ることができることとなる
。
ドピン21の一端部を凹部13内に突出させない構造と
することができるので、リードピン21とシールダイヤ
フラム26とを所定間隔以上離間でき、凹部13の深さ
を浅くできる。従って、シリコンオイル28の封入量を
減らすことができ温度時、性の向上とシールダイヤフラ
ム26の疲労限界の向上を図ることができることとなる
。
尚、この発明は上記実施例に限定されるものではなく、
例えば、そのピン挿入孔15内でのスぺ−サ20の位置
は適宜の位置にしてもよく、又、その数も複数配設して
もよい。このスペーサ20を多数配置することにより、
治具をまったく使用することなくリードピン21をガラ
ス封着することも可能である。
例えば、そのピン挿入孔15内でのスぺ−サ20の位置
は適宜の位置にしてもよく、又、その数も複数配設して
もよい。このスペーサ20を多数配置することにより、
治具をまったく使用することなくリードピン21をガラ
ス封着することも可能である。
又、上記実施例ではシールダイヤフラムを用いた圧力セ
ンサに具体化したが、シールダイヤフラムを用いない通
常の圧力センサに使用してもよいことは勿論である。
ンサに具体化したが、シールダイヤフラムを用いない通
常の圧力センサに使用してもよいことは勿論である。
[発明の効!!!]
以上詳述したようにこの発明によれば、絶縁不良を確実
に防止することができる優れた効果を発揮する。
に防止することができる優れた効果を発揮する。
第1図はこの発明をシールダイレフラムを用いた圧力セ
ンサに具体化したセンサの断面図、第2図はリードピン
のガラス封着を説明するための断面図、第3図は従来の
シールダイヤフラムを用いた圧力センサのリードピンの
支持構造を示す図、第4図は同じ〈従来のシールダイヤ
プラムを用いた圧力センサのリードピンの支持構造を示
す図である。 11はハウジング部材としてのセンサハウジング、15
はピン挿入孔、19はダイヤフラム、20はスペーサ、
21はリードピン。 特許出願人 日本電装 株式会社代 理 人
弁理士 恩1)博宣M4図
ンサに具体化したセンサの断面図、第2図はリードピン
のガラス封着を説明するための断面図、第3図は従来の
シールダイヤフラムを用いた圧力センサのリードピンの
支持構造を示す図、第4図は同じ〈従来のシールダイヤ
プラムを用いた圧力センサのリードピンの支持構造を示
す図である。 11はハウジング部材としてのセンサハウジング、15
はピン挿入孔、19はダイヤフラム、20はスペーサ、
21はリードピン。 特許出願人 日本電装 株式会社代 理 人
弁理士 恩1)博宣M4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ハウジング部材に支持されたダイヤフラムと、前記
ダイヤフラムに配置された感圧素子と、前記ハウジング
部材に形成されたピン挿入孔と、前記ピン挿入孔内に配
置された絶縁材料よりなるスペーサと、 前記ピン挿入孔内で前記スペーサによりハウジング部材
との接触が防止された状態でガラス封着され、前記感圧
素子と電気接続されるリードピンと を備えたことを特徴とする圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21927088A JPH0267938A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21927088A JPH0267938A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 圧力センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0267938A true JPH0267938A (ja) | 1990-03-07 |
Family
ID=16732894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21927088A Pending JPH0267938A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0267938A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0443933A (ja) * | 1990-06-11 | 1992-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | 圧力センサ |
JPH0421836U (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-24 | ||
KR20040024324A (ko) * | 2002-09-13 | 2004-03-20 | 주식회사 케이이씨 | 압력센서 패키지 |
JP2006090846A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Denso Corp | 圧力センサ |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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