JPH026744B2 - - Google Patents
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Description
＜産業上の利用分野＞
本発明は、光学活性４−ヒドロキシ−２−シク
ロペンテノン類の製造法に関する。更に詳細には
本発明はラセミ体または一方の光学異性体を過剰
に含む混合物の４−ヒドロキシ−２−シクロペン
テノンもしくはその４位の水酸基が保護された化
合物を光学分割し、光学活性４−ヒドロキシ−２
−シクロペンテノン類を製造する方法に関する。 かかる製造法によれば、種々の薬理作用を有す
るプロスタグランジンあるいは制ガン作用を有す
るメイタンシン等の種々の医薬品の製造中間体と
なる光学活性な４−ヒドロキシ−２−シクロペン
テノン類を高収率で効率よく得ることができ、更
にかかる製造法は立体化学上極めて意義ある製造
法である。 ＜従来技術＞ 従来、（Ｒ）−４−ヒドロキシ−２−シクロペン
テノン、（Ｓ）−４−ヒドロキシ−２−シクロペン
テノン等の光学活性な４−ヒドロキシ−２−シク
ロペンテノン類の製造法としては、例えば次のよ
うな製造法が知られている。 (1) シクロペンタジエンから得られるジアセトキ
シシクロペント−１−エンを酵素により加水分
解して、３（Ｒ）−アセトキシ−５（Ｒ）−ヒドロ
キシシクロペント−１−エンを得、次いでこれ
を二酸化マンガンで酸化して４（Ｒ）−アセトキ
シシクロペント−２−エン−１−オンを製造す
る方法（テトラヘドロン−32、1713−1718
（1977）、テトラヘドロン、32、1893（1977）参
照）、 (2) 出発化合物としてＤ又はＬ−酒石酸を用い、
これを４工程の操作によりＤ又はＬ−１，４−
ジヨード−２，３−イソプロピリデンジオキシ
ブタンとし、これとリチオ化合物とを反応させ
て次いで加水分解し、（Ｒ）又は（Ｓ）−４−ヒ
ドロキシ−２−シクロペンテノンを製造する方
法（テトラヘドロン・レターズ、10、759〜762
（1976）参照）、 (3) 出発物質として、微生物の代謝産物であるテ
ラインという化合物より、５工程を経て４（Ｒ）
−アセトキシ−２−シクロペンテノンを製造す
る方法（テトラヘドロンレターズ、（29、2553
〜2556（1978）参照、 (4) ２，４，６−トリクロロフエノールを、塩素
で反応せしめて、３，５，５−トリクロロ−
１，４−ジヒドロキシシクロペント−２−エン
−１−カルボン酸を得、これをブルシンにて光
学分割し、次いで４工程の操作を経て、（Ｒ）−
４−ｔ−ブチルジメチルシロキシシクロペント
−２−エノンを製造する方法（テトラヘドロン
レターズ、1539〜42（1979）（17）参照）、 (5) １−シクロペンテン−３，５−ジオンをキラ
ルなビナフトール化合物とアルコールと水素化
リチウムアルミニウムとから得られる化合物で
不斉還元して（Ｒ）または（Ｓ）の４−ヒドロ
キシ−２−シクロペンテノンを得、この水酸基
を必要に応じて保護して製造する方法（野依
ら、特開昭56−123932；Pure Appl chem、53
（1981）参照）、 (6) dl−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテノン
と光学分割剤を結合させ、生成物を２つのジア
ステレオマーとして分離した後分割剤を脱離し
て光学活性体を得、この水酸基を必要に応じて
保護して製造する方法（羽里ら、特開昭57−
159777および野依ら、Tetrahedron Lett、23、
4057（1982）参照）、 (7) dl−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテノン
をオルト−フタル酸のハーフエステル体とし、
これを光学活性アミンとの塩として、再結晶に
より一方の異性体を分離し、脱保護して光学活
性体を得、水酸基を必要に応じて保護して製造
する方法（渡辺ら、特開昭57−14560参照）。 これらの方法においては、(1)、(2)の方法は得ら
れる４−ヒドロキシ−２−シクロペンテノン類の
光学収率が充分に満足し得るものではなく、また
そのトータル収率も低いものであり、(3)、(4)の方
法にあつては光学収率は高いが、(3)の方法によれ
ば人手が困難なテラインという化合物を出発物質
として用いており、また(4)の方法にあつては、製
造工程において光学分割を行うものであり、また
(3)、(4)のいずれの方法のトータル収率も充分に満
足し得るものではない。(5)の方法は原料である１
−シクロペンテン−３，５−ジオンが出発原料と
して高価で入手が比較的困難であるものを用いる
という難点がある。さらに(6)、(7)の光学分割によ
る方法では一方の光学活性体として利用出来るも
のは理論的にも高々50％であり、トータル収率も
充分ではない。 ＜発明の目的＞ このように従来の、光学活性な４−ヒドロキシ
−２−シクロペンテノン類の製造法は、必ずしも
工業的に優れたものとは言えないものである。 そこで本発明者らは、容易に入手し得る化合物
を用いて、光学収率が高く、またトータル収率も
高い、工業的に有利な４−ヒドロキシ−２−シク
ロペンテノン類の製造法を見出すべく鋭意研究し
た。 そしてセルロースの誘導体が不斉識別能を有
し、ある種の光学異性体混合物の光学分割に有利
であると云う知見（クロマトグラフイア、６、
277ページ、1973年参照）に着目し、ラセミ体ま
たは一方の光学異性体を過剰に含む混合物である
４−ヒドロキシ−２−シクロペンテノンもしくは
その４位の水酸基が保護された化合物は、多糖誘
導体を用いて光学分割が可能であることを見出
し、本発明に到達したものである。 ＜発明の構成＞ すなわち、本発明は下記式［］ ［式中、Ｒは水素原子又は（R10）2R20Si−を表
す。ここでR10はメチル基、R20はメチル基、ｔ
−ブチル基又はフエニル基を表す。］で表わされ
る４−ヒドロキシ−２−シクロペンテノン類をセ
ルローストリフエニルカーバメート及び／又はセ
ルローストリスｐ−トリルカーバメートを用いて
光学分割することを特徴とする下記式［］ ［式中、Ｒは前記定義に同じ。＊は光学活性が誘
起された不斉炭素原子を表わす。］ で表わされる光学活性な４−ヒドロキシ−２−シ
クロペンテノン類の製造法である。 本発明において用いられる式［］の４−ヒド
ロキシ−２−シクロペンテノン類において、Ｒは
水素原子又は（R10）2R20Si−で表される保護基で
ある。ここでR10はメチル基、R20はメチル基、
ｔ−ブチル基又はフエニル基を表す。保護基の例
としては、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチ
ルシリル、ジメチルフエニルシリルが挙げられ
る。 式［］においてＲが水素原子である４−ヒド
ロキシ−２−シクロペンテノンは、公知化合物で
あり公知の方法によつて製造することができる
（特開昭56−86128号公報、特開昭54−154735号公
報）。Ｒが保護基である４−ヒドロキシ−２−シ
クロペンテノン類は、４−ヒドロキシ−２−シク
ロペンテノンより、それ自体公知の方法（T.W.
Greene、Protective Group in Organic
Synthesis 1981、JOHN WILEY＆SONS、
New York）によつて製造することができる。 本発明において用いられるセルローストリフエ
ニルカーバメート及び／又はセルローストリスｐ
−トリルカーバメートの誘導体は、セルロースに
フエニルイソシアネートなどを反応させることに
よつて容易に得られる。かかる多糖誘導体はセル
ロースの基本単位に存在する３つの水酸基が実質
的に全部フエニルカーバメート及び／又はｐ−ト
リルカーバメートに誘導されたものである。 本発明においては、かかる多糖誘導体を用いて
式［］の４−ヒドロキシ−２−シクロペンテノ
ン類を光学分割する具体的手段・方法は何ら限定
されるものではなく、公知のいかなる手段・方法
を採用してもよい。例えば、例示した多糖誘導体
を、シリカゲル、アルミナ、セルロースなど、好
ましくは通常のシリル化処理（例えば３−アミノ
プロピルトリメトキシシランなどによる処理）し
たシリカゲルに担持させ、これをカラムに充填
し、ヘキサン、ジクロルメタン、クロロホルム、
トルエン、キシレンなどの無機性溶媒：メタノー
ル、エタノール、プロパノール、２−プロパノー
ルなどの有機溶媒；これらの混合溶媒；あるいは
水を含むこれらの溶媒を用いて、式［］の４−
ヒドロキシ−２−シクロペンテノン類をカラム処
理することによつて光学分割することができる。 以上の如くして、種々のプロスタグランジン類
の合成中間体となり得る光学活性な４−ヒドロキ
シ−２−シクロペンテノン類を、容易に入手し得
るラセミ体の４−ヒドロキシ−２−シクロペンテ
ノン類より高い光学収率で効率よく製造すること
ができる。 ＜発明の作用効果＞ 本発明方法の特徴は多糖誘導体の不斉識別能を
利用し、例えば液体クロマトグラフイー等によつ
て４−ヒドロキシ−２−シクロペンテノン類を、
Ｒ体とＳ体の光学異性体に分割するものである。
そして従来の製造方法に対して次の点で優れてい
る。ラセミ体の場合それぞれの光学異性体が
各々理論収率の50％に近い収率で得ることができ
る。光学分割された４−ヒドロキシ−２−シク
ロペンテノン類がそのまま種々のプロスタグラン
ジン類合成の中間体になり得る。 ＜実施例＞ 以下、本発明を実施例により更に詳細に説明す
る。 実施例 １ セルローストリフエニルカルバメートを３−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン処理した大孔径
シリカゲル（粒子径10μ、孔径1000−4000Å）に
25wt％担持させて、キラルな固定相を調製し、
これを長さ25cm、内径0.46cmのカラムに充填し
た。 ヘキサン／２−プロパノール（90／10）を溶離
液とし、４−ジメチルフエニルシリルオキシ−２
−シクロペンテノン（ラセミ体）0.1μを25℃、
流速0.5ml／分で上記カラムに通した。クロマト
グラフとしては日本分光TRIROTARを用い、
検出器としてはUV検出器として日本分光UV−
100−（波長254nｍ、旋光度検出としては日本
分光DIP−181C、（波長365nｍ）を使用して、光
学分割した。得られた流出パターンを第１図に示
した。第１図から明らかな通り、本発明の光学分
割により、（−）体が先に流出し、次いで（＋）
体が流出することがわかる。先に溶出した（−）
体は［α］21 D＋28.0゜（Ｃ＝0.55、メタノール）でＲ
体である。また後に溶出した（＋）体は［α］21 D
−28.0゜（Ｃ＝0.55、メタノール）であり、Ｓ体で
ある。 実施例 ２ 多糖誘導体としてセルローストリスｐ−トリル
カルバメートを用い、４−ジメチルフエニルシリ
ルオキシ−２−シクロペンテノン（ラセミ体）の
2μを実施例１と同様にして光学分割した。得
られた流出パターンを第２図に示した。第２図か
ら明からな通り、本発明の光学分割により（−）
体が先に流出し（Ｒ体）、次いで（＋）体が流出
する（Ｓ体）ことがわかる。 参考例 １ 多糖誘導体としてカルドラントリフエニルカル
バメートを用い、４−ジメチルフエニルシリルオ
キシ−２−シクロペンテノン（ラセミ体）0.2μ
を実施例１と同様にして光学分割した。得られた
流出パターンを第３図に示した。第３図から明ら
かな通り、本発明の光学分割により（＋）体が先
に流出し（Ｓ体）、次いで（−）体が流出する
（Ｒ体）ことが判る。 実施例 ３ 多糖誘導体としてセルローストリフエニルカル
バメートを用いて、４−ｔ−ブチルジメチルシリ
ルオキシ−２−シクロペンテノン（ラセミ体）
0.3μを実施例１と同様にして光学分割した。得
られた流出パターンを第４図に示した。第４図か
ら明らかな通り、本発明の光学分割により（−）
体が先に流出し、次いで（＋）体が流出すること
がわかる。 先に溶出した（−）体は［α］21 D＋67.0゜（Ｃ＝
1.0、メタノール）でＲ体である。また後に溶出
した（＋）体は［α］21 D−67.0゜（Ｃ＝1.0、メタノ
ール）でＳ体である。 実施例 ４ 多糖誘導体としてセルローストリフエニルカル
バメートを用いて、４−トリメチルシリルオキシ
−２−シクロペンテノン（ラセミ体）0.2μを実
施例１と同様にして光学分割した。得られた流出
パターンを第５図に示した。第５図から明らかな
通り、本発明の光学分割により（−）体が先に流
出し（Ｒ体）、次いで（＋）体が流出する（Ｓ体）
ことがわかる。 実施例 ５ 多糖誘導体としてセルローストリフエニルカル
バメートを用いて、４−ｔ−ブチルジフエニルシ
リルオキシ−２−シクロペンテノン（ラセミ体）
0.3μを実施例と同様にして光学分割した。得ら
れた流出パターンを第６図に示した。第６図から
明らかな通り、本発明の光学分割により（−）体
が先に流出し（Ｒ体）、続いて（＋）体が流出す
る（Ｓ体）ことがわかる。 実施例 ６ 多糖誘導体としてセルローストリフエニルカル
バメートを用いて、４−ｔ−ブチルメトキシフエ
ニルシリルオキシ−２−シクロペンテノン（ラセ
ミ体）0.2μを実施例１と同様にして光学分割し
た。得られた流出パターンを第７図に示した。第
７図から明らかな通り、本発明の光学分割により
（−）体が先に流出し、次いで（＋）体が流出す
ることがわかる。 先に溶出した（−）体は［α］21 D＋44.4゜（Ｃ＝
0.5、メタノール）でＲ体である。また後に溶出
した（＋）体は［α］21 D−44.4゜（Ｃ＝0.2、メタノ
ール）でＳ体である。 実施例 ７ 多糖誘導体としてセルローストリフエニルカル
バメートを用いて、４−ヒドロキシ−２−シクロ
ペンテノン（ラセミ体）0.3μを実施例１と同様
にして光学分割した。得られた流出パターンを第
８図に示した。第８図から明らかな通り、本発明
の光学分割により（＋）体が先に流出し（Ｒ体）
次いで（−）体が流出する（Ｓ体）ことがわか
る。 実施例 ８ 多糖誘導体としてセルローストリフエニルカル
バメートを用いて４−テトラヒドロピラニルオキ
シ−２−シクロペンテノン（ラセミ体）0.5μを
実施例１と同様にして光学分割した。得られた流
出パターンを第９図に示した。第９図において保
持時間20分から28分のピークが（Ｒ体）であり、
同じく保持時間35分から44分のピークが（Ｓ体）
である（尚、分離に用いた４−テトラヒドロピラ
ニルオキシ−２−シクロペンテノン中には２ケの
不斉炭素を有する）。 実施例 ９ 多糖誘導体としてセルローストリフエニルカル
バメートを用いて４−ベンゾイルオキシ−２−シ
クロペンテノン（ラセミ体）0.06mgを実施例１と
同様にして光学分割した。得られた流出パターン
を第１０図に示した。第１０図から明らかな通
り、本発明の光学分割により（＋）体が先に流出
し（Ｒ体）、次いで（−）体が流出する（Ｓ体）
ことがわかる。 実施例 10 多糖誘導体としてセルローストリフエニルカル
バメートを用いて４−アセチルオキシ−２−シク
ロペンテノン（ラセミ体）14mgを実施例１と同様
にして光学分割した。得られた流出パターンを第
１１図に示した。第１１図から明らかな通り、本
発明の光学分割により（＋）体が先に流出し（Ｒ
体）、次いで（−）体が流出する（Ｓ体）ことが
わかる。 参考例 ２ 多糖誘導体として次の２種類を用いて４−ジメ
チルフエニルシリルオキシ−２−シクロペンテノ
ン（ラセミ体）0.2μを実施例１と同様にして光
学分割した。その結果について先に溶出した光学
異性体の保持容量k1′、両異性体の分離係数α、
および分離度Rsを表１に示す。但し、本実験条
件での空保持体積の値は３mlであつた。
ロペンテノン類の製造法に関する。更に詳細には
本発明はラセミ体または一方の光学異性体を過剰
に含む混合物の４−ヒドロキシ−２−シクロペン
テノンもしくはその４位の水酸基が保護された化
合物を光学分割し、光学活性４−ヒドロキシ−２
−シクロペンテノン類を製造する方法に関する。 かかる製造法によれば、種々の薬理作用を有す
るプロスタグランジンあるいは制ガン作用を有す
るメイタンシン等の種々の医薬品の製造中間体と
なる光学活性な４−ヒドロキシ−２−シクロペン
テノン類を高収率で効率よく得ることができ、更
にかかる製造法は立体化学上極めて意義ある製造
法である。 ＜従来技術＞ 従来、（Ｒ）−４−ヒドロキシ−２−シクロペン
テノン、（Ｓ）−４−ヒドロキシ−２−シクロペン
テノン等の光学活性な４−ヒドロキシ−２−シク
ロペンテノン類の製造法としては、例えば次のよ
うな製造法が知られている。 (1) シクロペンタジエンから得られるジアセトキ
シシクロペント−１−エンを酵素により加水分
解して、３（Ｒ）−アセトキシ−５（Ｒ）−ヒドロ
キシシクロペント−１−エンを得、次いでこれ
を二酸化マンガンで酸化して４（Ｒ）−アセトキ
シシクロペント−２−エン−１−オンを製造す
る方法（テトラヘドロン−32、1713−1718
（1977）、テトラヘドロン、32、1893（1977）参
照）、 (2) 出発化合物としてＤ又はＬ−酒石酸を用い、
これを４工程の操作によりＤ又はＬ−１，４−
ジヨード−２，３−イソプロピリデンジオキシ
ブタンとし、これとリチオ化合物とを反応させ
て次いで加水分解し、（Ｒ）又は（Ｓ）−４−ヒ
ドロキシ−２−シクロペンテノンを製造する方
法（テトラヘドロン・レターズ、10、759〜762
（1976）参照）、 (3) 出発物質として、微生物の代謝産物であるテ
ラインという化合物より、５工程を経て４（Ｒ）
−アセトキシ−２−シクロペンテノンを製造す
る方法（テトラヘドロンレターズ、（29、2553
〜2556（1978）参照、 (4) ２，４，６−トリクロロフエノールを、塩素
で反応せしめて、３，５，５−トリクロロ−
１，４−ジヒドロキシシクロペント−２−エン
−１−カルボン酸を得、これをブルシンにて光
学分割し、次いで４工程の操作を経て、（Ｒ）−
４−ｔ−ブチルジメチルシロキシシクロペント
−２−エノンを製造する方法（テトラヘドロン
レターズ、1539〜42（1979）（17）参照）、 (5) １−シクロペンテン−３，５−ジオンをキラ
ルなビナフトール化合物とアルコールと水素化
リチウムアルミニウムとから得られる化合物で
不斉還元して（Ｒ）または（Ｓ）の４−ヒドロ
キシ−２−シクロペンテノンを得、この水酸基
を必要に応じて保護して製造する方法（野依
ら、特開昭56−123932；Pure Appl chem、53
（1981）参照）、 (6) dl−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテノン
と光学分割剤を結合させ、生成物を２つのジア
ステレオマーとして分離した後分割剤を脱離し
て光学活性体を得、この水酸基を必要に応じて
保護して製造する方法（羽里ら、特開昭57−
159777および野依ら、Tetrahedron Lett、23、
4057（1982）参照）、 (7) dl−４−ヒドロキシ−２−シクロペンテノン
をオルト−フタル酸のハーフエステル体とし、
これを光学活性アミンとの塩として、再結晶に
より一方の異性体を分離し、脱保護して光学活
性体を得、水酸基を必要に応じて保護して製造
する方法（渡辺ら、特開昭57−14560参照）。 これらの方法においては、(1)、(2)の方法は得ら
れる４−ヒドロキシ−２−シクロペンテノン類の
光学収率が充分に満足し得るものではなく、また
そのトータル収率も低いものであり、(3)、(4)の方
法にあつては光学収率は高いが、(3)の方法によれ
ば人手が困難なテラインという化合物を出発物質
として用いており、また(4)の方法にあつては、製
造工程において光学分割を行うものであり、また
(3)、(4)のいずれの方法のトータル収率も充分に満
足し得るものではない。(5)の方法は原料である１
−シクロペンテン−３，５−ジオンが出発原料と
して高価で入手が比較的困難であるものを用いる
という難点がある。さらに(6)、(7)の光学分割によ
る方法では一方の光学活性体として利用出来るも
のは理論的にも高々50％であり、トータル収率も
充分ではない。 ＜発明の目的＞ このように従来の、光学活性な４−ヒドロキシ
−２−シクロペンテノン類の製造法は、必ずしも
工業的に優れたものとは言えないものである。 そこで本発明者らは、容易に入手し得る化合物
を用いて、光学収率が高く、またトータル収率も
高い、工業的に有利な４−ヒドロキシ−２−シク
ロペンテノン類の製造法を見出すべく鋭意研究し
た。 そしてセルロースの誘導体が不斉識別能を有
し、ある種の光学異性体混合物の光学分割に有利
であると云う知見（クロマトグラフイア、６、
277ページ、1973年参照）に着目し、ラセミ体ま
たは一方の光学異性体を過剰に含む混合物である
４−ヒドロキシ−２−シクロペンテノンもしくは
その４位の水酸基が保護された化合物は、多糖誘
導体を用いて光学分割が可能であることを見出
し、本発明に到達したものである。 ＜発明の構成＞ すなわち、本発明は下記式［］ ［式中、Ｒは水素原子又は（R10）2R20Si−を表
す。ここでR10はメチル基、R20はメチル基、ｔ
−ブチル基又はフエニル基を表す。］で表わされ
る４−ヒドロキシ−２−シクロペンテノン類をセ
ルローストリフエニルカーバメート及び／又はセ
ルローストリスｐ−トリルカーバメートを用いて
光学分割することを特徴とする下記式［］ ［式中、Ｒは前記定義に同じ。＊は光学活性が誘
起された不斉炭素原子を表わす。］ で表わされる光学活性な４−ヒドロキシ−２−シ
クロペンテノン類の製造法である。 本発明において用いられる式［］の４−ヒド
ロキシ−２−シクロペンテノン類において、Ｒは
水素原子又は（R10）2R20Si−で表される保護基で
ある。ここでR10はメチル基、R20はメチル基、
ｔ−ブチル基又はフエニル基を表す。保護基の例
としては、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチ
ルシリル、ジメチルフエニルシリルが挙げられ
る。 式［］においてＲが水素原子である４−ヒド
ロキシ−２−シクロペンテノンは、公知化合物で
あり公知の方法によつて製造することができる
（特開昭56−86128号公報、特開昭54−154735号公
報）。Ｒが保護基である４−ヒドロキシ−２−シ
クロペンテノン類は、４−ヒドロキシ−２−シク
ロペンテノンより、それ自体公知の方法（T.W.
Greene、Protective Group in Organic
Synthesis 1981、JOHN WILEY＆SONS、
New York）によつて製造することができる。 本発明において用いられるセルローストリフエ
ニルカーバメート及び／又はセルローストリスｐ
−トリルカーバメートの誘導体は、セルロースに
フエニルイソシアネートなどを反応させることに
よつて容易に得られる。かかる多糖誘導体はセル
ロースの基本単位に存在する３つの水酸基が実質
的に全部フエニルカーバメート及び／又はｐ−ト
リルカーバメートに誘導されたものである。 本発明においては、かかる多糖誘導体を用いて
式［］の４−ヒドロキシ−２−シクロペンテノ
ン類を光学分割する具体的手段・方法は何ら限定
されるものではなく、公知のいかなる手段・方法
を採用してもよい。例えば、例示した多糖誘導体
を、シリカゲル、アルミナ、セルロースなど、好
ましくは通常のシリル化処理（例えば３−アミノ
プロピルトリメトキシシランなどによる処理）し
たシリカゲルに担持させ、これをカラムに充填
し、ヘキサン、ジクロルメタン、クロロホルム、
トルエン、キシレンなどの無機性溶媒：メタノー
ル、エタノール、プロパノール、２−プロパノー
ルなどの有機溶媒；これらの混合溶媒；あるいは
水を含むこれらの溶媒を用いて、式［］の４−
ヒドロキシ−２−シクロペンテノン類をカラム処
理することによつて光学分割することができる。 以上の如くして、種々のプロスタグランジン類
の合成中間体となり得る光学活性な４−ヒドロキ
シ−２−シクロペンテノン類を、容易に入手し得
るラセミ体の４−ヒドロキシ−２−シクロペンテ
ノン類より高い光学収率で効率よく製造すること
ができる。 ＜発明の作用効果＞ 本発明方法の特徴は多糖誘導体の不斉識別能を
利用し、例えば液体クロマトグラフイー等によつ
て４−ヒドロキシ−２−シクロペンテノン類を、
Ｒ体とＳ体の光学異性体に分割するものである。
そして従来の製造方法に対して次の点で優れてい
る。ラセミ体の場合それぞれの光学異性体が
各々理論収率の50％に近い収率で得ることができ
る。光学分割された４−ヒドロキシ−２−シク
ロペンテノン類がそのまま種々のプロスタグラン
ジン類合成の中間体になり得る。 ＜実施例＞ 以下、本発明を実施例により更に詳細に説明す
る。 実施例 １ セルローストリフエニルカルバメートを３−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン処理した大孔径
シリカゲル（粒子径10μ、孔径1000−4000Å）に
25wt％担持させて、キラルな固定相を調製し、
これを長さ25cm、内径0.46cmのカラムに充填し
た。 ヘキサン／２−プロパノール（90／10）を溶離
液とし、４−ジメチルフエニルシリルオキシ−２
−シクロペンテノン（ラセミ体）0.1μを25℃、
流速0.5ml／分で上記カラムに通した。クロマト
グラフとしては日本分光TRIROTARを用い、
検出器としてはUV検出器として日本分光UV−
100−（波長254nｍ、旋光度検出としては日本
分光DIP−181C、（波長365nｍ）を使用して、光
学分割した。得られた流出パターンを第１図に示
した。第１図から明らかな通り、本発明の光学分
割により、（−）体が先に流出し、次いで（＋）
体が流出することがわかる。先に溶出した（−）
体は［α］21 D＋28.0゜（Ｃ＝0.55、メタノール）でＲ
体である。また後に溶出した（＋）体は［α］21 D
−28.0゜（Ｃ＝0.55、メタノール）であり、Ｓ体で
ある。 実施例 ２ 多糖誘導体としてセルローストリスｐ−トリル
カルバメートを用い、４−ジメチルフエニルシリ
ルオキシ−２−シクロペンテノン（ラセミ体）の
2μを実施例１と同様にして光学分割した。得
られた流出パターンを第２図に示した。第２図か
ら明からな通り、本発明の光学分割により（−）
体が先に流出し（Ｒ体）、次いで（＋）体が流出
する（Ｓ体）ことがわかる。 参考例 １ 多糖誘導体としてカルドラントリフエニルカル
バメートを用い、４−ジメチルフエニルシリルオ
キシ−２−シクロペンテノン（ラセミ体）0.2μ
を実施例１と同様にして光学分割した。得られた
流出パターンを第３図に示した。第３図から明ら
かな通り、本発明の光学分割により（＋）体が先
に流出し（Ｓ体）、次いで（−）体が流出する
（Ｒ体）ことが判る。 実施例 ３ 多糖誘導体としてセルローストリフエニルカル
バメートを用いて、４−ｔ−ブチルジメチルシリ
ルオキシ−２−シクロペンテノン（ラセミ体）
0.3μを実施例１と同様にして光学分割した。得
られた流出パターンを第４図に示した。第４図か
ら明らかな通り、本発明の光学分割により（−）
体が先に流出し、次いで（＋）体が流出すること
がわかる。 先に溶出した（−）体は［α］21 D＋67.0゜（Ｃ＝
1.0、メタノール）でＲ体である。また後に溶出
した（＋）体は［α］21 D−67.0゜（Ｃ＝1.0、メタノ
ール）でＳ体である。 実施例 ４ 多糖誘導体としてセルローストリフエニルカル
バメートを用いて、４−トリメチルシリルオキシ
−２−シクロペンテノン（ラセミ体）0.2μを実
施例１と同様にして光学分割した。得られた流出
パターンを第５図に示した。第５図から明らかな
通り、本発明の光学分割により（−）体が先に流
出し（Ｒ体）、次いで（＋）体が流出する（Ｓ体）
ことがわかる。 実施例 ５ 多糖誘導体としてセルローストリフエニルカル
バメートを用いて、４−ｔ−ブチルジフエニルシ
リルオキシ−２−シクロペンテノン（ラセミ体）
0.3μを実施例と同様にして光学分割した。得ら
れた流出パターンを第６図に示した。第６図から
明らかな通り、本発明の光学分割により（−）体
が先に流出し（Ｒ体）、続いて（＋）体が流出す
る（Ｓ体）ことがわかる。 実施例 ６ 多糖誘導体としてセルローストリフエニルカル
バメートを用いて、４−ｔ−ブチルメトキシフエ
ニルシリルオキシ−２−シクロペンテノン（ラセ
ミ体）0.2μを実施例１と同様にして光学分割し
た。得られた流出パターンを第７図に示した。第
７図から明らかな通り、本発明の光学分割により
（−）体が先に流出し、次いで（＋）体が流出す
ることがわかる。 先に溶出した（−）体は［α］21 D＋44.4゜（Ｃ＝
0.5、メタノール）でＲ体である。また後に溶出
した（＋）体は［α］21 D−44.4゜（Ｃ＝0.2、メタノ
ール）でＳ体である。 実施例 ７ 多糖誘導体としてセルローストリフエニルカル
バメートを用いて、４−ヒドロキシ−２−シクロ
ペンテノン（ラセミ体）0.3μを実施例１と同様
にして光学分割した。得られた流出パターンを第
８図に示した。第８図から明らかな通り、本発明
の光学分割により（＋）体が先に流出し（Ｒ体）
次いで（−）体が流出する（Ｓ体）ことがわか
る。 実施例 ８ 多糖誘導体としてセルローストリフエニルカル
バメートを用いて４−テトラヒドロピラニルオキ
シ−２−シクロペンテノン（ラセミ体）0.5μを
実施例１と同様にして光学分割した。得られた流
出パターンを第９図に示した。第９図において保
持時間20分から28分のピークが（Ｒ体）であり、
同じく保持時間35分から44分のピークが（Ｓ体）
である（尚、分離に用いた４−テトラヒドロピラ
ニルオキシ−２−シクロペンテノン中には２ケの
不斉炭素を有する）。 実施例 ９ 多糖誘導体としてセルローストリフエニルカル
バメートを用いて４−ベンゾイルオキシ−２−シ
クロペンテノン（ラセミ体）0.06mgを実施例１と
同様にして光学分割した。得られた流出パターン
を第１０図に示した。第１０図から明らかな通
り、本発明の光学分割により（＋）体が先に流出
し（Ｒ体）、次いで（−）体が流出する（Ｓ体）
ことがわかる。 実施例 10 多糖誘導体としてセルローストリフエニルカル
バメートを用いて４−アセチルオキシ−２−シク
ロペンテノン（ラセミ体）14mgを実施例１と同様
にして光学分割した。得られた流出パターンを第
１１図に示した。第１１図から明らかな通り、本
発明の光学分割により（＋）体が先に流出し（Ｒ
体）、次いで（−）体が流出する（Ｓ体）ことが
わかる。 参考例 ２ 多糖誘導体として次の２種類を用いて４−ジメ
チルフエニルシリルオキシ−２−シクロペンテノ
ン（ラセミ体）0.2μを実施例１と同様にして光
学分割した。その結果について先に溶出した光学
異性体の保持容量k1′、両異性体の分離係数α、
および分離度Rsを表１に示す。但し、本実験条
件での空保持体積の値は３mlであつた。
【表】
実施例 11
多糖誘導体としてセルローストリフエニルカル
バメートを用いて４−トリエチルシリルオキシ−
２−シクロペンテノン（ラセミ体）0.4μを実施
例１と同様にして光学分割した。得られた流出パ
ターンを第１２図に示した。第１３図から明らか
な通り、本発明の光学分割により（−）体が先に
流出し（Ｒ体）、次いで（＋）体が流出する（Ｓ
体）ことがわかる。
バメートを用いて４−トリエチルシリルオキシ−
２−シクロペンテノン（ラセミ体）0.4μを実施
例１と同様にして光学分割した。得られた流出パ
ターンを第１２図に示した。第１３図から明らか
な通り、本発明の光学分割により（−）体が先に
流出し（Ｒ体）、次いで（＋）体が流出する（Ｓ
体）ことがわかる。
第１図は、セルローストリフエニルカルバメー
トを用いたときの４−ジメチルフエニルシリルオ
キシ−２−シクロペンテノン（実施例１）の流出
パターンを示す。第２図は、セルローストリスｐ
−トリルカルバメートを用いたときの４−ジメチ
ルフエニルシリルオキシ−２−シクロペンテノン
（実施例２）の流出パターンを示す。第３図は、
カルドラントリフエニルカルバメートを用いたと
きの４−ジメチルフエニルシリルオキシ−２−シ
クロペンテノン（参考例１）の流出パターンを示
す。第４図は、セルローストリフエニルカルバメ
ートを用いたときの４−ｔ−ブチルジメチルシリ
ルオキシ−２−シクロペンテノン（実施例３）の
流出パターンを示す。第５図は、セルローストリ
フエニルカルバメートを用いたときの４−トリメ
チルシリルオキシ−２−シクロペンテノン（実施
例４）の流出パターンを示す。第６図は、セルロ
ーストリフエニルカルバメートを用いたときの４
−ｔ−ブチルジフエニルシリルオキシ−２−シク
ロペンテノン（実施例５）の流出パターンを示
す。第７図は、セルローストリフエニルカルバメ
ートを用いたときの４−ｔ−ブチルメトキシフエ
ニルシリルオキシ−２−シクロペンテノン（実施
例６）の流出パターンを示す。第８図は、セルロ
ーストリフエニルカルバメートを用いたときの４
−ヒドロキシ−２−シクロペンテノン（実施例
７）の流出パターンを示す。第９図は、セルロー
ストリフエニルカルバメートを用いたときの４−
テトラヒドロピラニルオキシ−２−シクロペンテ
ノン（実施例８）の流出パターンを示す。第１０
図はセルローストリフエニルカルバメートを用い
たときの４−ベンゾイルオキシ−２−シクロペン
テノン（実施例９）の流出パターンを示す。第１
１図はセルローストリフエニルカルバメートを用
いたときの４−アセチルオキシ−２−シクロペン
テノン（実施例10）の流出パターンを示す。第１
２図はセルローストリフエニルカルバメートを用
いたときの４−トリエチルシリルオキシ−２−シ
クロペンテノン（実施例11）の流出パターンを示
す。これらの図において横軸は時間を表わす。ま
た各図のクロマトグラムにおいて上段は日本分光
DIP−181C旋光度計を用いて波長365nｍで測定
した旋光度を表わし、ベースラインより上側は
（＋）の旋光度、下側は（−）の旋光度を示す。
また10目盛が0.02゜に相当する。さらに下段は日
本分光UV−100− UV検出器を用いて波長
254nｍで測定したUV吸収を示す。またUV検出
器のみに検出され、旋光度計では検出されぬピー
クはシラノール誘導体など光学不活性不純物を表
わす。
トを用いたときの４−ジメチルフエニルシリルオ
キシ−２−シクロペンテノン（実施例１）の流出
パターンを示す。第２図は、セルローストリスｐ
−トリルカルバメートを用いたときの４−ジメチ
ルフエニルシリルオキシ−２−シクロペンテノン
（実施例２）の流出パターンを示す。第３図は、
カルドラントリフエニルカルバメートを用いたと
きの４−ジメチルフエニルシリルオキシ−２−シ
クロペンテノン（参考例１）の流出パターンを示
す。第４図は、セルローストリフエニルカルバメ
ートを用いたときの４−ｔ−ブチルジメチルシリ
ルオキシ−２−シクロペンテノン（実施例３）の
流出パターンを示す。第５図は、セルローストリ
フエニルカルバメートを用いたときの４−トリメ
チルシリルオキシ−２−シクロペンテノン（実施
例４）の流出パターンを示す。第６図は、セルロ
ーストリフエニルカルバメートを用いたときの４
−ｔ−ブチルジフエニルシリルオキシ−２−シク
ロペンテノン（実施例５）の流出パターンを示
す。第７図は、セルローストリフエニルカルバメ
ートを用いたときの４−ｔ−ブチルメトキシフエ
ニルシリルオキシ−２−シクロペンテノン（実施
例６）の流出パターンを示す。第８図は、セルロ
ーストリフエニルカルバメートを用いたときの４
−ヒドロキシ−２−シクロペンテノン（実施例
７）の流出パターンを示す。第９図は、セルロー
ストリフエニルカルバメートを用いたときの４−
テトラヒドロピラニルオキシ−２−シクロペンテ
ノン（実施例８）の流出パターンを示す。第１０
図はセルローストリフエニルカルバメートを用い
たときの４−ベンゾイルオキシ−２−シクロペン
テノン（実施例９）の流出パターンを示す。第１
１図はセルローストリフエニルカルバメートを用
いたときの４−アセチルオキシ−２−シクロペン
テノン（実施例10）の流出パターンを示す。第１
２図はセルローストリフエニルカルバメートを用
いたときの４−トリエチルシリルオキシ−２−シ
クロペンテノン（実施例11）の流出パターンを示
す。これらの図において横軸は時間を表わす。ま
た各図のクロマトグラムにおいて上段は日本分光
DIP−181C旋光度計を用いて波長365nｍで測定
した旋光度を表わし、ベースラインより上側は
（＋）の旋光度、下側は（−）の旋光度を示す。
また10目盛が0.02゜に相当する。さらに下段は日
本分光UV−100− UV検出器を用いて波長
254nｍで測定したUV吸収を示す。またUV検出
器のみに検出され、旋光度計では検出されぬピー
クはシラノール誘導体など光学不活性不純物を表
わす。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下記式［］ 〔式中、Ｒは水素原子又は（R10）2R20Si−を表わ
す。ここでR10はメチル基を表わし、R20はメチ
ル基、ｔ−ブチル基又はフエニル基を表わす。〕 で表わされる４−ヒドロキシ−２−シクロペンテ
ノン類を、セルローストリフエニルカーバメート
及び／又はセルローストリスｐ−トリルカーバメ
ートを用いて光学分割することを特徴とする下記
式［］ 〔式中、Ｒは前記定義に同じ。＊は光学活性が誘
起された不斉炭素原子を表わす。〕 で表わされる光学活性な４−ヒドロキシ−２−シ
クロペンテノン類の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60042592A JPS61267536A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 光学活性４−ヒドロキシ−２−シクロペンテノン類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60042592A JPS61267536A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 光学活性４−ヒドロキシ−２−シクロペンテノン類の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61267536A JPS61267536A (ja) | 1986-11-27 |
| JPH026744B2 true JPH026744B2 (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=12640332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60042592A Granted JPS61267536A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 光学活性４−ヒドロキシ−２−シクロペンテノン類の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61267536A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2664973B2 (ja) * | 1989-01-09 | 1997-10-22 | ダイセル化学工業株式会社 | 光学分割方法 |
| JPH0426639A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-29 | Daicel Chem Ind Ltd | ２―シクロヘキセン―１―オールの光学分割方法 |
-
1985
- 1985-03-06 JP JP60042592A patent/JPS61267536A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61267536A (ja) | 1986-11-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |