JPH027579B2 - - Google Patents
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- JPH027579B2 JPH027579B2 JP8878685A JP8878685A JPH027579B2 JP H027579 B2 JPH027579 B2 JP H027579B2 JP 8878685 A JP8878685 A JP 8878685A JP 8878685 A JP8878685 A JP 8878685A JP H027579 B2 JPH027579 B2 JP H027579B2
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
<産業上の利用分野>
本発明は、光学活性な4−ヒドロキシ−1(E)−
ヨード−1−オクテン類の製造法に関する。更に
詳細には本発明はプロスタグランジン類の合成中
間体として有用な光学活性体である4−ヒドロキ
シ−1(E)−ヨードオクタ−1−エン類の製造法に
関する。
ヨード−1−オクテン類の製造法に関する。更に
詳細には本発明はプロスタグランジン類の合成中
間体として有用な光学活性体である4−ヒドロキ
シ−1(E)−ヨードオクタ−1−エン類の製造法に
関する。
<従来技術とその問題点>
天然プリスタグランジン類は生物学的および薬
理学的に高度な活性を持つ局所ホルモンとして知
られており、それ故にそれらの誘導体に関する研
究も数多く行なわれている。天然型プロスタグラ
ンジン類の中でもプロスタグランジンE1は強い
血小板凝集抑制作用、血管拡張作用等を有し、臨
床への応用が始まつている。
理学的に高度な活性を持つ局所ホルモンとして知
られており、それ故にそれらの誘導体に関する研
究も数多く行なわれている。天然型プロスタグラ
ンジン類の中でもプロスタグランジンE1は強い
血小板凝集抑制作用、血管拡張作用等を有し、臨
床への応用が始まつている。
プロスタグランジンE1の誘導体としては、16
位に水酸基を有する下記式 で表わされる15−デオキシ−16−ヒドロキシ−16
−メチルプロスタグランジンE1メチルエステル
が知られている〔テトラヘドロン・レターズ
(Tetrahedron Letters)、48巻、4217〜4220ペー
ジ(1975)〕。この誘導体は優れた抗潰瘍作用を有
することが知られており、なかでも16位がS−配
置のものがラセミ体より4倍高活性であることが
知られている〔アール・パツポ(R.Pappo)ら、
ケミストリー・バイオケミストリー・アンド・フ
アーマコロジカル・アクテイビテイ・オブ・プロ
スタグランジン(Chemistry、Biochemistry
and Pharmacological Activity of
Prostaglandin)、ペルガモンプレス(Parmagon
Press)、17〜26ページ(1979)〕。
位に水酸基を有する下記式 で表わされる15−デオキシ−16−ヒドロキシ−16
−メチルプロスタグランジンE1メチルエステル
が知られている〔テトラヘドロン・レターズ
(Tetrahedron Letters)、48巻、4217〜4220ペー
ジ(1975)〕。この誘導体は優れた抗潰瘍作用を有
することが知られており、なかでも16位がS−配
置のものがラセミ体より4倍高活性であることが
知られている〔アール・パツポ(R.Pappo)ら、
ケミストリー・バイオケミストリー・アンド・フ
アーマコロジカル・アクテイビテイ・オブ・プロ
スタグランジン(Chemistry、Biochemistry
and Pharmacological Activity of
Prostaglandin)、ペルガモンプレス(Parmagon
Press)、17〜26ページ(1979)〕。
かかる16位がS−配置の誘導体は、下記フロー
シート−1で示される方法によつて製造される。
シート−1で示される方法によつて製造される。
フローシート−1
この製造法では、プロスタグランジンのW鎖の
原料化合物として式9〜の光学活性な4−置換−4
−ヒドロキシ−1(E)−リチウムオクタ−1−エン
類を用いており、かかる光学活性な原料化合物
は、上記の製造法によれば、多粒の工程を要し、
かつ高価な光学分割剤である(−)1−ナフチル
アミンを多量に用いるものである。更に(S)体
と(R)体は別個に製造する必要があり工業的に
優れた製造法とは言い難い。
原料化合物として式9〜の光学活性な4−置換−4
−ヒドロキシ−1(E)−リチウムオクタ−1−エン
類を用いており、かかる光学活性な原料化合物
は、上記の製造法によれば、多粒の工程を要し、
かつ高価な光学分割剤である(−)1−ナフチル
アミンを多量に用いるものである。更に(S)体
と(R)体は別個に製造する必要があり工業的に
優れた製造法とは言い難い。
他の製造法としては、例えばフロシート−2で
示される方法がある〔テトラヘドロン、レターズ
(Tetrahedron Letters)、48巻、4217〜4220ペー
ジ(1975)〕。
示される方法がある〔テトラヘドロン、レターズ
(Tetrahedron Letters)、48巻、4217〜4220ペー
ジ(1975)〕。
フローシート−2
かかる合成法は、式11の4−置換−4−ヒドロ
キシ−1−ヨードオクタ−1−エン類をW鎖の原
料として用いる方法であり、優れた製造法であ
る。しかしながら、式11の化合物で、光学活性な
4−置換−4−ヒドロキシ−1−ヨードオクタ−
1−エン類を用いた例は知られていない。
キシ−1−ヨードオクタ−1−エン類をW鎖の原
料として用いる方法であり、優れた製造法であ
る。しかしながら、式11の化合物で、光学活性な
4−置換−4−ヒドロキシ−1−ヨードオクタ−
1−エン類を用いた例は知られていない。
<発明の目的>
本発明者らは、15−デオキシ−16−ヒドロキシ
プロスタグランジン類の有用な合成原料となり得
る光学活性な4−ヒドロキシ−1(E)−ヨードオク
タ−1−エン類の製造法であつて、光学収率が高
く、またトータル収率も高く工業的に有利な4−
ヒドロキシ−1(E)−ヨードオクタ−1−エン類の
製造法を見出すべく鋭意研究した。そして光学活
性ポリメタクリル酸エステルが芳香環を構造中に
含む光学活性異性体混合物を効率よく光学分割す
ると云う知見から、4−ヒドロキシ−1(E)−ヨー
ドオクタン−1−エン類の水酸基をベンゾエート
誘導体または構造中にフエニル基を含むシリルエ
ーテル誘導体とし、該誘導体を光学活性ポリメタ
クリル酸エステルを用いて光学分割することによ
り、光学活性な4−ヒドロキシ−1(E)−ヨードオ
クタ−1−エン類が効率よく得ることができるこ
とを見出し本発明に到達した。
プロスタグランジン類の有用な合成原料となり得
る光学活性な4−ヒドロキシ−1(E)−ヨードオク
タ−1−エン類の製造法であつて、光学収率が高
く、またトータル収率も高く工業的に有利な4−
ヒドロキシ−1(E)−ヨードオクタ−1−エン類の
製造法を見出すべく鋭意研究した。そして光学活
性ポリメタクリル酸エステルが芳香環を構造中に
含む光学活性異性体混合物を効率よく光学分割す
ると云う知見から、4−ヒドロキシ−1(E)−ヨー
ドオクタン−1−エン類の水酸基をベンゾエート
誘導体または構造中にフエニル基を含むシリルエ
ーテル誘導体とし、該誘導体を光学活性ポリメタ
クリル酸エステルを用いて光学分割することによ
り、光学活性な4−ヒドロキシ−1(E)−ヨードオ
クタ−1−エン類が効率よく得ることができるこ
とを見出し本発明に到達した。
<発明の構成及び効果>
本発明は、下記式〔〕
〔式中、Rは水素原子、メチル基、エチル基また
はビニル基を表わす。R′は置換もしくは非置換
のベンゾイル基またはSiR1R2R3を表わす。ここ
でR1は水素原子、炭素数1から4までのアルコ
キシ基、または炭素数1から8までの炭化水素基
を表わし、R2、R3はそれぞれ炭素数1から8ま
での炭化水素基を表わし、かつR1、R2、R3の少
なくとも1つには、その構造中にベンゼン環が含
有されるものとする。〕 で表わされる4−ヒドロキシ−1(E)−ヨードオク
タ−1−エンのシリルエーテル誘導体を光学活性
ポリメタクリル酸エステルを用いて光学分割し、
更に必要に応じて脱保護反応に付すことを特徴と
する下記式〔〕 〔式中、Rは上記定義に同じ。Aは水素原子また
はR′を表わす。ここでR′は上記定義に同じ。*
は光学活性が誘起された不斉炭素原子を表わす。〕 で表わされる光学活性4−ヒドロキシ−1(E)−ヨ
ードオクタ−1−エン類の製造法である。
はビニル基を表わす。R′は置換もしくは非置換
のベンゾイル基またはSiR1R2R3を表わす。ここ
でR1は水素原子、炭素数1から4までのアルコ
キシ基、または炭素数1から8までの炭化水素基
を表わし、R2、R3はそれぞれ炭素数1から8ま
での炭化水素基を表わし、かつR1、R2、R3の少
なくとも1つには、その構造中にベンゼン環が含
有されるものとする。〕 で表わされる4−ヒドロキシ−1(E)−ヨードオク
タ−1−エンのシリルエーテル誘導体を光学活性
ポリメタクリル酸エステルを用いて光学分割し、
更に必要に応じて脱保護反応に付すことを特徴と
する下記式〔〕 〔式中、Rは上記定義に同じ。Aは水素原子また
はR′を表わす。ここでR′は上記定義に同じ。*
は光学活性が誘起された不斉炭素原子を表わす。〕 で表わされる光学活性4−ヒドロキシ−1(E)−ヨ
ードオクタ−1−エン類の製造法である。
本発明において、光学分割に供される上記式
〔〕で示される4−ヒドロキシ−1(E)−ヨード
オクタ−1−エン類において、Rは水素原子、メ
チル基、エチル基、またはビニル基を表わす。
R′は置換もしくは置換のベンゾイル基または
SiR1R2R3を表わす。ここでR1は水素原子、炭素
数1から4までのアルコキシ基、または炭素数1
から8までの炭化水素基を表わし、R2、R3はそ
れぞれ炭素数1から8までの炭化水素基を表わ
し、かつR1、R2、R3の少なくとも1つには、そ
の構造中にベンゼン環が含有される。
〔〕で示される4−ヒドロキシ−1(E)−ヨード
オクタ−1−エン類において、Rは水素原子、メ
チル基、エチル基、またはビニル基を表わす。
R′は置換もしくは置換のベンゾイル基または
SiR1R2R3を表わす。ここでR1は水素原子、炭素
数1から4までのアルコキシ基、または炭素数1
から8までの炭化水素基を表わし、R2、R3はそ
れぞれ炭素数1から8までの炭化水素基を表わ
し、かつR1、R2、R3の少なくとも1つには、そ
の構造中にベンゼン環が含有される。
R′が置換ベンゾイル基であるときの例として
は、例えば、o−メトキシベンゾイル基、m−メ
トキシベンゾイル基、p−メトキシベンゾイル基
などのアルコキシ基で置換されたベンゾイル基;
o−ブロムベンゾイル基、m−ブロムベンゾイル
基、p−ブロムベンゾイル基、o−クロルベンゾ
イル基、m−クロルベンゾイル基、p−クロルベ
ンゾイル基、ジクロルベンゾイル基、o−フルオ
ルベンゾイル基、m−フルオルベンゾイル基、p
−フルオルベンゾイル基などのハロゲン原子で置
換されたベンゾイル基;o−ヒドロキシベンゾイ
ル基、m−ヒドロキシベンゾイル基、p−ヒドロ
キシベンゾイル基などのヒドロキシ基で置換され
たベンゾイル基;o−メチルベンゾイル基、m−
メチルベンゾイル基、p−メチルベンゾイル基、
p−エチルベンゾイル基などのアルキル基で置換
されたベンゾイル基等がある。R′がSiR1R2R3で
あるときの例としては、例えばトリ(フエニルも
しくはベンジル)シリル基;ジフエニルメチルシ
リル基、ジフエニルエチルシリル基、t−ブチル
フエニルシリル基、ジベンジルメチルシリル基、
ジベンジルエチルシリル基などのジ(フエニルも
しくはベンジル)アルキルシリル基;ジメチルフ
エニルシリル基、ベンジルジメチルシリル基、ジ
エチルフエニルシリル基などの(フエニルもしく
はベンジル)ジアルキルシリル基;メチルフエニ
ルビニルシリル基、メチルベンジルビニルシリル
基などのアルキルビニル(フエニルもしくはベン
ジル)シリル基;メチルフエニルシリル基、メチ
ルベンジルシリル基、t−ブチルフエニルシリル
基などのアルキル(フエニルもしくはベンジル)
シリル基;t−ブチルメトキシフエニルシリル
基、t−ブチルエトキシフエニルシリル基、t−
ブチルプロポキシフエニルシリル基、t−ブチル
ブトキシフエニルシリル基、t−ブチルメトキシ
ベンジルシリル基などのアルコキシアルキル(フ
エニルもしくはベンジル)シリル基;p−トリル
ジメチルシリル基、p−トリルエチルシリル基な
どのp−トリルジアルキルシリル基;ジ(フエニ
ルもしくはベンジル)シリル基;ジメチルフエネ
チルシリル基、ジエチルフエネチルシリル基など
のジアルキルフエネチルシリル基等がある。
は、例えば、o−メトキシベンゾイル基、m−メ
トキシベンゾイル基、p−メトキシベンゾイル基
などのアルコキシ基で置換されたベンゾイル基;
o−ブロムベンゾイル基、m−ブロムベンゾイル
基、p−ブロムベンゾイル基、o−クロルベンゾ
イル基、m−クロルベンゾイル基、p−クロルベ
ンゾイル基、ジクロルベンゾイル基、o−フルオ
ルベンゾイル基、m−フルオルベンゾイル基、p
−フルオルベンゾイル基などのハロゲン原子で置
換されたベンゾイル基;o−ヒドロキシベンゾイ
ル基、m−ヒドロキシベンゾイル基、p−ヒドロ
キシベンゾイル基などのヒドロキシ基で置換され
たベンゾイル基;o−メチルベンゾイル基、m−
メチルベンゾイル基、p−メチルベンゾイル基、
p−エチルベンゾイル基などのアルキル基で置換
されたベンゾイル基等がある。R′がSiR1R2R3で
あるときの例としては、例えばトリ(フエニルも
しくはベンジル)シリル基;ジフエニルメチルシ
リル基、ジフエニルエチルシリル基、t−ブチル
フエニルシリル基、ジベンジルメチルシリル基、
ジベンジルエチルシリル基などのジ(フエニルも
しくはベンジル)アルキルシリル基;ジメチルフ
エニルシリル基、ベンジルジメチルシリル基、ジ
エチルフエニルシリル基などの(フエニルもしく
はベンジル)ジアルキルシリル基;メチルフエニ
ルビニルシリル基、メチルベンジルビニルシリル
基などのアルキルビニル(フエニルもしくはベン
ジル)シリル基;メチルフエニルシリル基、メチ
ルベンジルシリル基、t−ブチルフエニルシリル
基などのアルキル(フエニルもしくはベンジル)
シリル基;t−ブチルメトキシフエニルシリル
基、t−ブチルエトキシフエニルシリル基、t−
ブチルプロポキシフエニルシリル基、t−ブチル
ブトキシフエニルシリル基、t−ブチルメトキシ
ベンジルシリル基などのアルコキシアルキル(フ
エニルもしくはベンジル)シリル基;p−トリル
ジメチルシリル基、p−トリルエチルシリル基な
どのp−トリルジアルキルシリル基;ジ(フエニ
ルもしくはベンジル)シリル基;ジメチルフエネ
チルシリル基、ジエチルフエネチルシリル基など
のジアルキルフエネチルシリル基等がある。
本発明においては、特にジメチルフエニルシリ
ル基、ジフエニルメチルシリル基が好ましく用い
られる。
ル基、ジフエニルメチルシリル基が好ましく用い
られる。
本発明の製造法における原料化合物である
〔〕のうちR′がSiR1R2R3であるシリルエーテル
誘導体は下記式〔〕 〔式中、Rは水素原子またはメチル基またはエチ
ル基またはビニル基を表わす。〕 で表わされるホモアリルアルコール類と下記式
〔〕 R1R2R3SiX ………〔〕 〔式中、R1、R2、R3は式〔〕に同じ。Xはハ
ロゲン原子を表わす。〕 で表わされるモノハロゲン化シラン誘導体を用い
て、それ自体公知の方法〔テイー・ダブリユー・
グリーネ(T.W.Greene)、プロテクテイブ・グ
ループ・イン・オルガニツク・シンセシイス
(Protective Group in Organic Synthesis)
1981、ジヨン・ウイリー・アンド・サンズ
(JOHN WILEY & SONS)、ニユー・ヨーク
(New York)〕によつて製造することができる。
〔〕のうちR′がSiR1R2R3であるシリルエーテル
誘導体は下記式〔〕 〔式中、Rは水素原子またはメチル基またはエチ
ル基またはビニル基を表わす。〕 で表わされるホモアリルアルコール類と下記式
〔〕 R1R2R3SiX ………〔〕 〔式中、R1、R2、R3は式〔〕に同じ。Xはハ
ロゲン原子を表わす。〕 で表わされるモノハロゲン化シラン誘導体を用い
て、それ自体公知の方法〔テイー・ダブリユー・
グリーネ(T.W.Greene)、プロテクテイブ・グ
ループ・イン・オルガニツク・シンセシイス
(Protective Group in Organic Synthesis)
1981、ジヨン・ウイリー・アンド・サンズ
(JOHN WILEY & SONS)、ニユー・ヨーク
(New York)〕によつて製造することができる。
また原料化合物〔〕のうちR′が置換もしく
は非置換のベンゾイル基であるベンゾエート誘導
体は上記式〔〕で表わされるホモアリルアルコ
ール類と置換もしくは非置換の塩化ベンゾイルを
用いて公知の方法〔ダブリユー・エツチ・オカム
ラ(W.H、Okamura)5、ジヤーナル・オブ・
ザ・アメリカン・ケミカル・ソサイエテイー(J.
Am.Chem.Soc.)、107、1041(1985)〕によつて製
造することができる。
は非置換のベンゾイル基であるベンゾエート誘導
体は上記式〔〕で表わされるホモアリルアルコ
ール類と置換もしくは非置換の塩化ベンゾイルを
用いて公知の方法〔ダブリユー・エツチ・オカム
ラ(W.H、Okamura)5、ジヤーナル・オブ・
ザ・アメリカン・ケミカル・ソサイエテイー(J.
Am.Chem.Soc.)、107、1041(1985)〕によつて製
造することができる。
また、上記式〔〕で示されるホモアリルアル
コール類は例えば、フローシート−3で示される
特開昭52−27751号公報記載の方法を参考にして
製造することができるが、他のいかなる方法を用
いても構わない。
コール類は例えば、フローシート−3で示される
特開昭52−27751号公報記載の方法を参考にして
製造することができるが、他のいかなる方法を用
いても構わない。
フローシート−3
本発明において用いられる光学活性ポリメタク
リル酸エステルのエステル基の例としては例えば
トリフエニルメチル基、ジフエニル(2−ピリジ
ル)メチル基、ジフエニル(4−ピリジル)メチ
ル基などがあげられる。そして、これらは相当す
るメタクリル酸エステルをトルエン中キラルなア
ニオン開始剤、例えば(−)−スパルテインとフ
ルオレニルリチウムとの錯体や(−)−2,3−
ジメトキシ−1,4−ビスジメチルアミノブタン
とN−置換アニリンのリチウムアミドとの錯体を
用いて重合させると得られる。この生成ポリマー
は左右どちらか一方巻きに偏つたらせん構造をと
りながら生成したため側鎖光学活性基を持たない
にもかかわらず、顕著な旋光性を示し光学分割に
使用されるものである。
リル酸エステルのエステル基の例としては例えば
トリフエニルメチル基、ジフエニル(2−ピリジ
ル)メチル基、ジフエニル(4−ピリジル)メチ
ル基などがあげられる。そして、これらは相当す
るメタクリル酸エステルをトルエン中キラルなア
ニオン開始剤、例えば(−)−スパルテインとフ
ルオレニルリチウムとの錯体や(−)−2,3−
ジメトキシ−1,4−ビスジメチルアミノブタン
とN−置換アニリンのリチウムアミドとの錯体を
用いて重合させると得られる。この生成ポリマー
は左右どちらか一方巻きに偏つたらせん構造をと
りながら生成したため側鎖光学活性基を持たない
にもかかわらず、顕著な旋光性を示し光学分割に
使用されるものである。
本発明においては、かかる光学活性ポリメタク
リル酸エステルを用いて4−ヒドロキシ−1(E)−
ヨードオクタ−1−エン類の光学異性体を光学分
割する具体的手段・方法は、何ら限定されるもの
ではなく、公知のいかなる手段・方法を採用して
よい。例えば、光学活性ポリメタクリル酸エステ
ルをシリカゲル、アルミナ、セルロースなど、好
ましくは通常のシリル化処理したシリカゲルに担
持させ、これをカラムに充填し、ヘキサンなどの
無極性溶媒や、水、メタノール、アセトニトリ
ル、イソプロピルアルコールなどの極性の高い溶
媒またはそれらを適当な比率で混合した溶媒を用
いて、光学活性異性体を分割することができる。
リル酸エステルを用いて4−ヒドロキシ−1(E)−
ヨードオクタ−1−エン類の光学異性体を光学分
割する具体的手段・方法は、何ら限定されるもの
ではなく、公知のいかなる手段・方法を採用して
よい。例えば、光学活性ポリメタクリル酸エステ
ルをシリカゲル、アルミナ、セルロースなど、好
ましくは通常のシリル化処理したシリカゲルに担
持させ、これをカラムに充填し、ヘキサンなどの
無極性溶媒や、水、メタノール、アセトニトリ
ル、イソプロピルアルコールなどの極性の高い溶
媒またはそれらを適当な比率で混合した溶媒を用
いて、光学活性異性体を分割することができる。
以上の如くして、種々のプロスタグランジン類
の合成中間体となり得る下記式〔〕 〔式中、A′は置換もしくは非置換のベンゾイル
基またはSiR1R2R3を表わす。ここでR1、R2、R3
は式〔〕に同じ。Rは式〔〕に同じ。*は光
学活性が誘起された不斉炭素原子を表わす。〕 で表わされる光学活性な4−ヒドロキシ−1(E)−
ヨードオクタ−1−エン類を高い光学収率で効率
よく製造することができる。
の合成中間体となり得る下記式〔〕 〔式中、A′は置換もしくは非置換のベンゾイル
基またはSiR1R2R3を表わす。ここでR1、R2、R3
は式〔〕に同じ。Rは式〔〕に同じ。*は光
学活性が誘起された不斉炭素原子を表わす。〕 で表わされる光学活性な4−ヒドロキシ−1(E)−
ヨードオクタ−1−エン類を高い光学収率で効率
よく製造することができる。
また下記式〔〕
〔式中、Rは式〔〕に同じ。*は不斉炭素原子
を表わす。〕 で表わされる光学活性4−ヒドロキシ−1(E)−ヨ
ードオクタ−1−エン類は脱保護反応に付すこと
によつて得られる。すなわち、上記式〔〕で表
わされる誘導体のうちシリルエーテル誘導体から
はテトラブチルアンモニウムフロリドやフツ化水
素−ピリジンや酢酸−テトラヒドロフラン−水混
合液などを用いた通常の脱保護反応にかけること
によつて容易に得ることができる。また上記式
〔〕で表わさる誘導体のうちベンゾエート誘導
体からはメタノール溶媒中1%の水酸化ナトリウ
ムを加えて加水分解することによつて得られる。
を表わす。〕 で表わされる光学活性4−ヒドロキシ−1(E)−ヨ
ードオクタ−1−エン類は脱保護反応に付すこと
によつて得られる。すなわち、上記式〔〕で表
わされる誘導体のうちシリルエーテル誘導体から
はテトラブチルアンモニウムフロリドやフツ化水
素−ピリジンや酢酸−テトラヒドロフラン−水混
合液などを用いた通常の脱保護反応にかけること
によつて容易に得ることができる。また上記式
〔〕で表わさる誘導体のうちベンゾエート誘導
体からはメタノール溶媒中1%の水酸化ナトリウ
ムを加えて加水分解することによつて得られる。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明す
る。
る。
実施例 1
(+)−ポリメタクリル酸トリフエニルメチル
を3−アミノプロピルトリメトキシシラン処理し
た大孔径シリカゲル(粒子径10μ、孔径1000〜
4000Å)に25wt%担持させて、キラルな固定相
を調製し、これを長さ25cm、内径0.46cmのカラム
に充填した。
を3−アミノプロピルトリメトキシシラン処理し
た大孔径シリカゲル(粒子径10μ、孔径1000〜
4000Å)に25wt%担持させて、キラルな固定相
を調製し、これを長さ25cm、内径0.46cmのカラム
に充填した。
メタノールを溶離液とし、4−ジメチルフエニ
ルシリルオキシ−1(E)−ヨード−4−メチルオク
タ−1−エン(ラセミ体)0.5μlを15℃流速0.5
ml/分で上記カラムに通した。クロマトグラフと
しては日本分光TRIROTARを用い検出器とし
ては日本分光UV−100−(波長254nm)を使
用して光学分割した。得られた流出パターンを第
1図に示した。本発明の光学分割により(−)体
が先に流出し、次いで(+)体が流出する。
ルシリルオキシ−1(E)−ヨード−4−メチルオク
タ−1−エン(ラセミ体)0.5μlを15℃流速0.5
ml/分で上記カラムに通した。クロマトグラフと
しては日本分光TRIROTARを用い検出器とし
ては日本分光UV−100−(波長254nm)を使
用して光学分割した。得られた流出パターンを第
1図に示した。本発明の光学分割により(−)体
が先に流出し、次いで(+)体が流出する。
(−)体 〔α〕19 D−2.4゜(C=3.6、クロロホル
ム)(1E、3S)−4−ヒドロキシ−1−ヨード
−4−メチルオクタ−1−エン (+)体:〔α〕21 D+2.3゜(C=3.3、クロロホルム
)
(1E、3R)−4−ヒドロキシ−1−ヨード−4
−メチルオクタ−1−エン 実施例 2 (−)−ポリメタクリル酸ジフエニル−2−ピ
リジルメチルを用い、4−ジメチルフエニルシリ
ルオキシ−1(E)−ヨード−4−メチルオクタ−1
−エン(ラセミ体)0.5μlを実施例1と同様にし
て光学分割した。得られた流出パターンを第2図
に示した。本発明の光学分割により、(+)体が
先に流出し、次いで(−)体が流出する。
ム)(1E、3S)−4−ヒドロキシ−1−ヨード
−4−メチルオクタ−1−エン (+)体:〔α〕21 D+2.3゜(C=3.3、クロロホルム
)
(1E、3R)−4−ヒドロキシ−1−ヨード−4
−メチルオクタ−1−エン 実施例 2 (−)−ポリメタクリル酸ジフエニル−2−ピ
リジルメチルを用い、4−ジメチルフエニルシリ
ルオキシ−1(E)−ヨード−4−メチルオクタ−1
−エン(ラセミ体)0.5μlを実施例1と同様にし
て光学分割した。得られた流出パターンを第2図
に示した。本発明の光学分割により、(+)体が
先に流出し、次いで(−)体が流出する。
第1図は(+)−ポリメタクリル酸トリフエニ
ルメチル(実施例1)を用いたときの4−ジメチ
ルフエニルシリルオキシ−1(E)−ヨード−4−メ
チルオクタ−1−エン(ラセミ体)の流出パター
ンを示す。第2図は(−)−ポリメタクリル酸ジ
フエニル−2−ピリジルメチル(実施例2)を用
い、4−ジメチルフエニルシリルオキシ−1(E)−
ヨード−4−メチルオクタ−1−エン(ラセミ
体)の流出パターンを示す。これらの図において
横軸は時間を表わす。また各図のクロマトグラム
において上段は日本分光DIP−181C旋光度計を用
いて波長365nmで測定した旋光度を表わす。さ
らに下段は日本分光UV−100UV検出器を用い
て波長254nmで測定したUV吸収を示す。4−ジ
メチルフエニルシリルオキシ−1(E)−ヨード−4
−メチルオクタ−1−エンの光学活性体は実施例
1に示す通り旋光度の値が小さく流出パターンを
旋光度によるクロマトグラムに明確に示すことが
できなかつた。
ルメチル(実施例1)を用いたときの4−ジメチ
ルフエニルシリルオキシ−1(E)−ヨード−4−メ
チルオクタ−1−エン(ラセミ体)の流出パター
ンを示す。第2図は(−)−ポリメタクリル酸ジ
フエニル−2−ピリジルメチル(実施例2)を用
い、4−ジメチルフエニルシリルオキシ−1(E)−
ヨード−4−メチルオクタ−1−エン(ラセミ
体)の流出パターンを示す。これらの図において
横軸は時間を表わす。また各図のクロマトグラム
において上段は日本分光DIP−181C旋光度計を用
いて波長365nmで測定した旋光度を表わす。さ
らに下段は日本分光UV−100UV検出器を用い
て波長254nmで測定したUV吸収を示す。4−ジ
メチルフエニルシリルオキシ−1(E)−ヨード−4
−メチルオクタ−1−エンの光学活性体は実施例
1に示す通り旋光度の値が小さく流出パターンを
旋光度によるクロマトグラムに明確に示すことが
できなかつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下記式〔〕 〔式中、Rは水素原子、メチル基、エチル基また
はビニル基を表わす。R′は置換もしくは非置換
のベンゾイル基またはSiR1R2R3を表わす。ここ
で、R1は水素原子、炭素数1から4までのアル
コキシ基、または炭素数1から8までの炭化水素
基を表わし、R2、R3はそれぞれ炭素数1から8
までの炭化水素基を表わし、かつR1、R2、R3の
少なくとも1つには、その構造中にベンゼン環が
含有されるものとする。〕 で表わされる4−ヒドロキシ−1(E)−ヨードオク
タ−1−エンのシリルエーテル誘導体を光学活性
ポリメタクリル酸エステルを用いて光学分割し、
更に必要に応じて脱保護反応に付すことを特徴と
する下記式〔〕 〔式中、Rは上記定義に同じ。Aは水素原子また
はR′を表わす。ここでR′は上記定義に同じ。*
は光学活性が誘起された不斉炭素原子を表わす。〕 で表わされる光学活性4−ヒドロキシ−1(E)−ヨ
ードオクタ−1−エン類の製造法。 2 R′がトリ(フエニルもしくはベンジル)シ
リル基、ジ(フエニルもしくはベンジル)アルキ
ルシリル基、(フエニルもしくはベンジル)ジア
ルキルシリル基、アルキルビニル(フエニルもし
くはベンジル)シリル基、アルキル(フエニルも
しくはベンジル)シリル基、アルコキシアルキル
(フエニルもしくはベンジル)シリル基、p−ト
リルジアルキルシリル基、ジ(フエニルもしくは
ベンジル)シリル基またはジアルキルフエネチル
シリル基である特許請求の範囲第1項記載の光学
活性な4−ヒドロキシ−1(E)−ヨードオクタ−1
−エン類の製造法。 3 光学活性ポリメタクリル酸エステルが光学活
性ポリメタクリル酸トリフエニルメチル、光学活
性ポリメタクリル酸ジフエニル(2−ピリジル)
メチルまたは光学活性ポリメタクリル酸ジフエニ
ル(4−ピリジル)メチルである特許請求の範囲
第1項または第2項記載の光学活性な4−ヒドロ
キシ−1(E)−ヨードオクタ−1−エン類の製造
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8878685A JPS61249943A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 光学活性4−ヒドロキシ−1−ヨ−ドオクタ−1−エン類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8878685A JPS61249943A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 光学活性4−ヒドロキシ−1−ヨ−ドオクタ−1−エン類の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61249943A JPS61249943A (ja) | 1986-11-07 |
JPH027579B2 true JPH027579B2 (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=13952526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8878685A Granted JPS61249943A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 光学活性4−ヒドロキシ−1−ヨ−ドオクタ−1−エン類の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61249943A (ja) |
-
1985
- 1985-04-26 JP JP8878685A patent/JPS61249943A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61249943A (ja) | 1986-11-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |